【課題】さらし粉を反応原料として含む燃焼合成法により得られ、優れた焼結体特性を有するＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ₂Ｏ−Ｒｅ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ₂Ｏ−Ｒｅ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系（Ｒｅ は希土類元素）の誘電体セラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/g であるＴｉ粉末と、酸素供給源となるイオン結合性物質と、ＣａＣＯ₃と、ＳｒＣＯ₃と、Ｌｉ₂ＣＯ₃と、Ｒｅ₂Ｏ₃とを少なくとも含む反応原料においてそれぞれの粉末を所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記反応原料であるＴｉ粉末の一部を、ＴｉＯ₂粉末に置き換えて配合する。 （もっと読む）

【課題】(Ｃａ_１-ｘＳｒ_ｘ)_ｍ(Ｚｒ_１-ｙＴｉ_ｙ)Ｏ_３系誘電体組成物において、還元性雰囲気において焼結できニッケル電極の形成に使用できるばかりでなく、１２５０℃の低温において焼成可能であり、誘電損失が少なく、比抵抗が高い信頼性良き誘電体組成物を提供する。とりわけ、ＥＩＡ(Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ)規格でＴＣ系を満足する誘電体組成物を提供する。
【解決手段】主原料の(Ｃａ_１-ｘＳｒ_ｘ)_ｍ(Ｚｒ_１-ｙＴｉ_ｙ)Ｏ_３（但し、式において、０≦ｘ≦１、０.０９≦ｙ≦０.３５、０.７≦ｍ≦１.０５）と、０.５〜１０ｗｔ％のガラス成分のａＭｎＯ−ｂＳｉＯ_２−ｃＡｌ_２Ｏ_３(但し、式において、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、２０≦ａ≦６０、１０≦ｂ≦６５、１≦ｃ≦１０)と、を含有する耐還元性誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】 微粒のシェル成分と微粒のペロブスカイト型複合酸化物粒子を均一に混合したシェル成分含有ペロブスカイト型複合酸化物粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型複合酸化物粉末とシェル元素含有化合物とをアルカリ性溶液中に添加して混合する工程を含むことを特徴とするシェル成分含有ペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高周波域においても低損失であり、かつ比誘電率と、誘電率温度特性変化率とを、高いレベルで両立でき、さらには、還元雰囲気においても還元されない誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を４０〜５４重量％、ＰｂＴｉＯ_３を１８〜２５重量％、Ｂｉ_２Ｏ_３・ｎＴｉＯ_２を１５〜３０重量％（ｎは化合物比を表す）、ＣａＴｉＯ_３を８〜１２重量％含有し、副成分として、主成分１００重量％に対して、ＣｕＯを０．１〜０．５重量％、Ｎｂ_２Ｏ_５を０．０５〜０．５重量％、ＭｎＯを０．０５〜０．５重量％含有させてなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 強誘電性薄膜素子の電極間の強誘電層の界面に沿って形成される漏洩通路を減少させ、制御する。
【解決手段】 開示されている強誘電性薄膜素子は、2つの電極の間における、該強誘電性薄膜素子と不動態層との間の界面に沿う漏洩通路を減少させまたは制御する不動態化構造を含む。また、このような素子を作製するための方法が開示されている。前記不動態化構造は開口を有する第1の不動態層を含み、該開口は、前記強誘電性薄膜層の一部分を露出させ、第2の不動態層が該開口を介して前記含み、該通路が前記強誘電性薄膜層に接することを可能にする。一実施の形態において、前記開口は、コンデンサの活性領域を包囲している矩形リングである。他の実施の形態において、第2の不動態層が第2の電極にも接し、該第2の電極の一部分も前記開口を介して露出する。他の実施の形態において、集積抵抗における前記薄膜層と不動態層との間の界面に沿って電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気中での焼成が可能であり、高い比誘電率を有し、ＤＣバイアス特性（誘電率の直流電圧印加依存性）が良好で、電圧印加時における電歪量が低減されており、しかも容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ６Ｓ特性（−５５〜１０５℃、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）を満足できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ 、ＳｒＴｉＯ_３ およびＣａＴｉＯ_３ を含む主成分を有する誘電体磁器組成物であって、前記ＢａＴｉＯ_３ 、ＳｒＴｉＯ_３ およびＣａＴｉＯ_３ の少なくとも一部が、互いに固溶していないことを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気中での焼成が可能であり、容量温度特性に優れ、高い比誘電率を有し、ＤＣバイアス特性（誘電率の直流電圧印加依存性）が良好で、しかも、電圧印加時における電歪量の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式｛（Ｂａ_ｘ Ｓｒ_ｙ Ｃａ_ｚ）Ｏ｝_ｍ ＴｉＯ_２ で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分を有し、前記主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号ｘ、ｙ、ｚおよびｍが、０．１９≦ｘ≦０．２３、０．２５≦ｙ≦０．３１、０．４６≦ｚ≦０．５４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．９８０≦ｍ≦１．０１、の関係にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 従来のＢａＴｉＯ_３系のペロブスカイト型結晶を主成分とし、Ｒ、Ｍｇ、Ｓｉを副成分として含む誘電体セラミックは、Ｒ、Ｍｇ、ＳｉがＭｇ酸化物やＭｇ−Ｓｉ−Ｏ複合酸化物として存在するため、信頼性が低く、圧電共振を抑制することができない。
【解決手段】 本発明の誘電体セラミックは、ＡＢＯ_３（但し、Ａサイトは、少なくともＢａを含み、Ｂサイトは、少なくともＴｉを含むペロブスカイト型結晶）を含み、少なくともＲ、Ｍｇ、Ｓｉ及びＭｎからなる結晶性複合酸化物を主成分とする二次相粒子が存在し、結晶性複合酸化物におけるＲ、Ｍｇ、Ｓｉの含有モル比をｘ：ｙ：ｚで表す時、ｘ、ｙ、ｚは、Ａ（４２，８，５０）、Ｂ（８，４２，５０）、Ｃ（８，８，８４）の３点を頂点とする三角形に囲まれた範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を、金属層の酸化を防止しながら形成させることが可能な誘電体膜の製造方法、並びにこの製造方法によって得られる誘電体膜を提供すること。また、誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を提供すること。
【解決手段】 金属層上に形成された前駆体層を加熱することにより誘電体膜を形成させる焼成工程を備え、金属層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、ステンレス鋼及びインコネルからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有し、焼成工程の少なくとも一部において、減圧雰囲気下で前駆体層を加熱する、誘電体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられる誘電体磁器組成物において、誘電体層を薄層化した場合においても、高い誘電率を有し、かつ、ショート不良率の低減された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 組成式｛（Ｂａ_{（１−ｘ−ｙ）} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）Ｏ｝_Ａ （Ｔｉ_{（１−ｚ）} Ｚｒ_ｚ ）_Ｂ Ｏ_２ で表され、前記組成式中のＡ，Ｂ，ｘ，ｙおよびｚが、０．９９０≦Ａ／Ｂ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．８０、０≦ｙ≦０．５０、０≦ｚ≦１．０の関係にある誘電体酸化物を含む主成分を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記主成分の原料として、前記主成分組成を有する粒子の表面に、Ｓｉの酸化物、Ｍｇの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物およびＳｒの酸化物から選択される１種または２種以上を、固溶させた原料粉末を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造をもつ誘電体薄膜を製造するにあたって、誘電率が高くかつリーク電流の少ない誘電体薄膜が得られる製造方法を提供すること。
【課題を解決する手段】
誘電体薄膜薄膜の前駆体を含む塗布液を載置部に載置された基板の表面に塗布する塗布工程と、前記塗布液が塗布された基板を加熱ユニットの載置部に搬送する搬送工程と、前記加熱ユニットの載置部に載置された基板を加熱して前記誘電体膜形成用組成物祐の有機溶媒を蒸発させる加熱工程と、その後、前記基板を加熱してＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造の誘電体薄膜を得る焼成工程と、を行う。前記塗布工程、搬送工程及び加熱工程を二酸化炭素ガス、酸素ガスまたは空気が充填されているガス供給手段から供給されるガス雰囲気にて行うことでＣＯ2が塗布膜に取り込まれて炭酸バリウムが生成することが防がれ、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造をもつ誘電体薄膜を製造するにあたって誘電率が高くリーク電流の少ない誘電体薄膜が得られる製造方法を提供すること。
【課題を解決する手段】
基板の表面に溶剤を塗布する工程と、次いで前記基板の表面全体に溶剤が存在する状態で前記薄膜の誘電体形成用組成物を含む塗布液を当該基板の表面の中央部に供給すると共に基板を回転させて塗布液を基板の表面に広げる工程と、その後、前記基板を加熱することにより塗布膜に対して焼成の前処理である加熱処理を行う工程を実施した後塗布膜を焼成してＡＢＯ_Ｘ型ペロブスカイト結晶構造を持つ誘電体薄膜を得る。塗布液が基板上の溶剤を押し広げながら溶剤に置換し、塗布液の気相への接触が抑えられる。塗布膜への気相中のＣＯ2の巻き込みに伴い塗布膜中の化合物とＣＯ2との反応が抑えられ、リーク電流の原因となる反応物の生成が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とその下層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極構造を提供する。
【解決手段】誘電体膜キャパシタ２０は、開口部２２ａを有し、白金を含む材料からなる下部電極２２と、下部電極２２の上方に設けられた、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する酸化物を含む誘電体膜２４と、誘電体膜２４の上方に設けられた上部電極２６と、を含む。誘電体膜２４の形成領域の面積に対する、下部電極２２の平面面積の割合が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜キャパシタにおいて、下部電極とこの下の層との密着性が良く、酸化されにくく熱的に安定な電極機構を提供する。
【解決手段】誘電体膜キャパシタ２０は、白金を含む材料からなる、膜厚１０〜１００ｎｍの下部電極２２と、下部電極２２の上方に設けられた、ＡＢＯｘ型ペロブスカイト構造を有する酸化物を含む誘電体膜２４と、誘電体膜２４の上方に設けられた上部電極２６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大気中で良質の薄膜を形成することのできる成膜方法、および装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の成膜方法および装置によれば、原料となる金属化合物をキャリアガス中で超音波振動により霧化してエアロゾルを発生させ、さらにこのエアロゾルを加熱してから被処理材に吹き付けることにより、均一で品質の良い膜を得ることができる。
また、このような方法および装置によれば、大気中で膜形成を行なうことができるから、成膜チャンバ等を設けることなく、開放空間中で成膜を行なうことができる。このため、製造設備のライン化が容易となり、製造効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 汚染問題を解決できる半導体バリア結晶粒界コンデンサーの構造と製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体材料層４０１Ａ、合成水晶半導体４０２Ａ、第１良導体４０６Ａ、第２良導体４０５Ａ及び絶縁層４０４Ａを含む。半導体材料層４０１Ａの局部は外部に第１種雑質が混合されて、第１種の半導体材料区域４０３Ａを形成する。第１良導体４０６Ａと第１種雑質の半導体材料区域４０３Ａとを接続させ、合成半導体４０２Ａは第１種雑質を混入した半導体材料区域４０３Ａにスパッター加工する。合成半導体４０２Ａの内部にも第１種雑質及び第２種雑質が混入され、合成水晶半導体４０２Ａ上の局部に第２良導体４０５Ａをスパッター加工する。第１良導体４０６Ａと第２良導体４０５Ａの間は、合成水晶半導体４０２で仕切っておく。 （もっと読む）

【課題】５０μｍピッチレベルのファインパターンの下部電極を形成するため、下部電極形成層の厚さを３０μｍ以下に薄くし、且つ、誘電層の膜厚安定性に優れたキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、下部電極形成層と上部電極形成層との間に誘電層が狭持された積層構造のキャパシタ層形成材を提供するための積層部材であり、前記キャパシタ層形成材１と支持基板１１とが積層され、且つ、その積層状態における少なくとも４隅を接着したことを特徴とする支持基板付キャパシタ層形成材を採用する。そして、前記キャパシタ層形成材は、その下部電極形成層に厚さ３μｍ〜３０μｍの金属箔を用いる。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格Ｘ８Ｒ特性を満足し還元性雰囲気焼成可能であり比誘電率が高く容量ばらつきが改善された誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】主成分チタン酸バリウムとＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，Ｓｒ中１種以上含む第１副成分と酸化珪素主成分である第２副成分とＶ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ 、ＷＯ_３ 中１種以上含む第３副成分とＲ１の酸化物（Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ中１種以上）を含む第４ａ副成分とＣａＺｒＯ_３ 又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２ 含む第５副成分を有し前記主成分１００モルに対し副成分比率が、第１副成分０．１〜３モル第２副成分２〜１０モル第３副成分０．０１〜０．５モル第４ａ副成分Ｒ１換算で０．５〜７モル第５副成分０超５モル以下の誘電体磁器組成物。Ｐ酸化物及び／又はＳを含む第６副成分を更に有し前記主成分１００モルに対する前記第６副成分比率がＰ及び／又はＳ換算で０超１モル以下の誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分とするガラスで構成されており、前記ガラス中の各含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルである焼結助剤を、前記主成分１００モルに対して１〜７モル（但し１モルと７モルを除く）添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】炉内での酸素分圧のバラツキを抑制することができる焼成炉、及びこの焼成炉を使用して積層セラミック電子部品間で焼結性のバラツキを抑制することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法を実現する。
【解決手段】炉内壁面１に断熱材２が配設された焼成炉において、金属製の板状部材４が前記炉内壁面１の内周に沿って前記断熱材２中に突出するように設けられている。前記板状部材は、投影視全周に亙って形成する。積層セラミック電子部品は、上記焼成炉を使用し、所定の酸素分圧下で焼成処理を行って製造する。 （もっと読む）