【課題】仕事関数が高く、低抵抗なキャパシタ用電極を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１面及び第２面を有するキャパシタ用電極であって、ＳｒＲｕＯ₃膜から構成され、第１面からその厚み方向に所定の距離だけ離れた位置から第２面側の領域中に、１０ａｔｍ％以下の３価の元素を含有することを特徴とするキャパシタ用電極。 （もっと読む）

金属箔上で誘電体を作る方法が開示され、本方法から得られる金属箔上の誘電体を含んだ大面積コンデンサを作る方法が開示されている。誘電体の前駆体層及びベースメタル箔は、還元性ガスも含む湿潤雰囲気中で、３５０〜６５０℃の範囲内の予備焼成温度において予備焼成される。予備焼成された誘電体の前駆体層及びベースメタル箔はその後、誘電体を生成するために約１０^-6気圧未満の酸素分圧を有する雰囲気中で、７００〜１２００℃の範囲内の焼成温度において焼成される。本開示方法に従って作られるコンデンサの面積は１０ｍｍ²を超え得る。そしてプリント配線板内に埋め込まれ得る複数の個々のコンデンサユニットを作製するために細分され得る。誘電体は、典型的には結晶質のチタン酸バリウム、又は結晶質のチタン酸バリウム・ストロンチウムを含む。
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【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層が薄層化されても、静電容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、高温での絶縁抵抗が高く、高温負荷寿命特性が良好な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層２を、次の誘電体セラミックから構成する。すなわち、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、ＶならびにＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｒおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む。そして、この誘電体セラミック中における上記Ｖの平均価数を４．２〜４．９とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜表面に延びる長いクラックが存在せず、絶縁体圧の高い誘電体薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】組成がＢａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０≦ｘ≦１、０.９≦ｙ≦１.１）からなる誘電体薄膜の製造において、該薄膜の前駆物質を基板に塗布して乾燥した後、該乾燥薄膜を３０℃／分以下の昇温速度で本焼成を行うことによって、平均１次粒子径が７０ｎｍ以上であり、薄膜表面に連続する直線状の長さ１.５μm以上の亀裂が存在せず、電圧５Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-5Ａ/cm²未満、ないし電圧２０Ｖにおけるリーク電流密度が１０^-1Ａ/cm²未満である誘電体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】割れや欠けが少なく、しかも素子本体の端面から内部電極層の端部を確実に露出させて端子電極との接続が良好で、生産性に優れた積層型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の焼成後の素子本体４を準備する。複数の素子本体４を、二以上の支持体３２の内面にそれぞれ形成してある熱可塑性樹脂層３４の間に挟み込んで配列させる。熱可塑性樹脂３４を加熱して素子本体４相互間の隙間を当該熱可塑性樹脂３４で埋めて支持体３２間に素子本体４を保持する。支持体３２間に保持された素子本体４の露出端面４ｃを研磨する。 （もっと読む）

【課題】諸特性のフレキシブルな微調整が可能でしかもその安定性に優れたコンポジットセラミック誘電体層、その製造方法およびそれを用いたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】モル比ｍおよびＹが異なる２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m（但し、０．２≦Ｙ≦０．５かつ０．９９４≦ｍ≦１．００６）系固溶体を含み、２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m系固溶体は、均一に分散しているコンポジットセラミック誘電体層１３であることを特徴とし、そのコンポジットセラミック誘電体層１３を積層体１１として用いる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、広い周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、主成分１００重量％に対して、副成分として、ＭｎＯおよび／またはＣｒＯ_３／２を、０重量％超０．３５重量％以下、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯから選ばれる１つ以上を、０重量％超０．３５重量％以下、希土類酸化物から選ばれる１つ以上を、ＲＯ_３／２（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙから選ばれる１つ以上）、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＴｂＯ_７／４換算で、０重量％超０．４重量％以下含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電特性を損なうことなく、焼成温度を低下しうる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
組成式〔（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ〕_m〔（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２ 〕（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｍは、それぞれ０．５≦ｘ≦１．０、０．０１≦ｙ≦０．１０、０＜ｚ≦０．２０、０．９０≦ｍ≦１．０４である）で示される誘電体酸化物を調製する工程、
該誘電体酸化物１００重量部に対し、
焼結助剤を１〜１０重量部および
必要に応じナトリウム化合物を、Ｎａ_２Ｏ換算で０．１〜０．５重量部の混合する工程、および
得られた混合物を焼成する工程を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記焼結助剤が、焼結助剤の全量１００重量％中に、
マンガン化合物を、ＭｎＯ換算で３０〜６９重量％、
酸化アルミニウムを、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１〜２０重量％、
酸化ケイ素を、ＳｉＯ_２換算で３０〜５０重量％含んでなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 チタン酸バリウム系の積層セラミックコンデンサと同等以上の高温加速寿命特性を有し、温度特性がＸ５Ｒ特性を示すチタン酸ストロンチウム系の積層セラミックコンデンサを得る。
【解決手段】 ＳｒＴｉＯ_３を主相とし、ＳｒＴｉＯ_３ １００ｍｏｌに対してＭｇ成分を、０．２〜５．０ｍｏｌ、Ｍｎ及びＶから選ばれる金属元素を０．１〜１．０ｍｏｌ、Ｒｅ成分（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる１種または２種以上の金属元素）を０．３〜５．０ｍｏｌ、ＳｉＯ_２またはＳｉを含むガラス成分を０．１５〜１０ｍｏｌの割合で含有する誘電体セラミックスであり、前記誘電体セラミックスを構成するセラミック粒子がコアシェル構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 室温における比誘電率が２００以上で、かつ温度１２５℃における誘電損失が１５％以下の誘電体磁器およびこれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 ＳｒＴｉＯ_３を主結晶相とし、ＭｇＴｉ_２Ｏ_５を含み、Ｘ線回折における前記ＳｒＴｉＯ_３の（１１０）面のピーク強度をI_Ａ、前記ＭｇＴｉ_２Ｏ_５の（１０１）面のピーク強度をＩ_Ｂとしたとき、ピーク強度比（I_Ｂ／Ｉ_Ａ）が０．０５〜１．５である。 （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、しかも、結晶性の良いチタン酸バリウム等の複合酸化物粉末を製造する。
【解決手段】チタン酸バリウム等の複合酸化物粉末を製造する固相合成法において、原料のチタン酸化物として、Ｘ線回折法により求められるルチル化率が９０％より高く、１００％以下であり、比表面積が１５０〜３００ｍ^２／ｇであるチタン酸化物を用いる。
この方法により、粒子径が０．０６〜０．１５μｍの範囲であり、かつ、ｃ／ａ軸比が１．００７５〜１．０１０の範囲の優れた正方晶性を有するチタン酸バリウム粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率、低誘電損失または０に近い誘電率温度係数を実現することができる誘電体セラミックを提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体セラミックは、ＳｒＯおよびＢａＯを含むホウケイ酸ガラスと、Ｂａ_６−３ａＲ_８＋２ａＴｉ_１８Ｏ_５４（Ｒ：希土類元素、０≦ａ≦１）から組成されており前記ホウケイ酸ガラスに混入されているフィラーとを備えている。前述した組成のホウケイ酸ガラスとフィラーであれば、誘電率を低下させる析出物セルシアンの生成を防ぐことができ、気孔率も低下するので、所望の誘電率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】層数が増加したときにも接続の信頼性が低下することのない積層型薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供。
【解決手段】基板１１上に一方のグループに属する電極１２Ａと誘電体層１３と他方のグループに属する電極１２Ｂとが交互に複数積層された積層型薄膜キャパシタ１０であって、対向領域ＯＡの一端側には、一方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第１の接続部を有するとともに、対向領域の他端側には、他方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第２の接続部を有し、第１の接続部及び第２の接続部にのみさらに、前記対向領域との段差を緩和する厚み調整用の導体層がそれぞれ重ねられている。これにより、前記接続部と前記対向領域との段差が緩和され、接続の信頼性を低下させることなく積層数を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 常誘電性を有するとともに、比誘電率が１５０以上で、かつ測定周波数１００Ｈｚ、温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器およびこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 金属元素として、Ｂａのみ、ＢａおよびＳｒの組合せ、またはＢａ、ＳｒおよびＣａの組合せと、Ｔｉ、ＮｂおよびＹとを含有するとともに、モル比による組成式を（Ｓｒ_{１−ｕ−ｖ}Ｂａ_ｕＣａ_ｖ）（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＹ_ｙ）Ｏ_３と表したとき、０．３≦ｕ≦１、０≦ｖ≦０．３、ｕ＋ｖ≦１、０．０５≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２の範囲とすることにより、常誘電性を有するとともに、室温での比誘電率が１５０以上、測定周波数１００Ｈｚにおける１００℃での誘電損失が１％以下である誘電体磁器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示し、自発分極の小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウム、マグネシウム、希土類元素、およびマンガンを含む結晶粒子と粒界相とからなる誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するチタン１モルに対して、カルシウムをＣａＯ換算で０．１モル以下、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６４モル、希土類元素をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．００１５〜０．０３モル、およびマンガンをＭｎＯ換算で０．０００２〜０．０３モルの範囲でそれぞれ含有してなり、前記誘電体磁器のＸ線回折により同定される結晶構造が立方晶系を主体とするものであり、かつ前記結晶粒子の平均結晶粒径が８０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】誘電体の高温成膜に耐える基板で、かつ誘電体が一軸配向及び面内配向し、圧縮応力がかかった膜とし、高誘電率化、低漏れ電流化を可能とするコンデンサを提供すること。
【解決手段】結晶の方位が所定方向に配向した金属基板と、前記金属基板上に設けられ、前記金属基板を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる下部電極と、前記下部電極上に設けられ、前記下部電極を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる誘電体と、前記誘電体上に設けられた上部電極と、を備えるコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す低温焼結誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂｉの酸化物と、Ｂの酸化物と、Ｃｕの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分１００重量％に対して、Ｂｉの酸化物の含有量が、Ｂｉ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１０重量％であり、Ｂの酸化物の含有量が、Ｂ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１．５重量％であり、Ｃｕの酸化物の含有量が、ＣｕＯ換算で、０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】従来のように高い温度で処理することなく、高容量で、かつ容量温度係数が所望の範囲に調整されたキャパシタを形成することが可能な薄膜複合材料、薄膜複合材料の製造法、並びにこの薄膜複合材料を用いた電子部品用材料、電子部品用材料の製造法、電子部品、及び電子部品の製造法を提供することを目的とする。
【解決手段】銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇから選ばれる一種以上の金属を含む金属薄膜層、ならびに前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料、薄膜複合材料の製造法、並びにこの薄膜複合材料を用いた電子部品用材料、電子部品用材料の製造法、電子部品、及び電子部品の製造法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分等の含有量を比較的に減らすことで薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂの酸化物を含むガラス成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、２〜７重量％であること。 （もっと読む）