【課題】本発明は、製造工程における抵抗値の安定化を図ることで歩留まりを向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、シート基板１上に１次分割部１ａを跨いで抵抗層２を形成する工程と、抵抗層２上であって複数の１次分割部１ａにおいて隣接する１次分割部１ａ間に第１のレジスト層３と、抵抗層２上であって複数の１次分割部１ａを跨いで第２のレジスト層４とを形成する工程と、第１のレジスト層３と第２のレジスト層４とをめっきレジストとして抵抗層２に電解めっきによる電極層５を形成する工程と、電極層５が形成されたシート基板１を熱処理する工程と、熱処理の工程の後に抵抗値修正を行う工程と、抵抗値修正を行った後にシート基板１を複数の１次分割部１ａと複数の２次分割部１ｂとで分割する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。
【解決手段】 第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１電極１および抵抗部３につながる第１中間層４と、第２電極２および抵抗部３につながる第２中間層５と、第１電極１を覆う被覆膜６１と、第１中間層４内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜６１を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。 （もっと読む）

【課題】大型でも、高性能で高品質で、実装状態で高い信頼性を確保することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】誘電体素子１１と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極１１ａと、該内部電極と電気的に接続した外部電極層１５とを備え、誘電体素子１１と外部電極層１５の間に誘電体素子１１の全面を覆うガラス層１２を有し、外部電極層１５は、金属成分を含む下地電極１３と、樹脂電極１４とからなり、樹脂電極１４は、下地電極１３を覆い、かつ誘電体素子１１にガラス層１２を介して接合する。ガラス層１２は、結晶化ガラスからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】機械的耐久性に優れているセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品１は、複数の第１の補強層１７ａをさらに備えている。複数の第１の補強層１７ａは、第１の外層部１０Ｂにおいて、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されており、厚み方向Ｔに沿って積層されている。セラミック素体１０の複数の第１の補強層１７ａが設けられている領域１０Ｆにおける第１の補強層１７ａが占める体積割合は、有効部１０Ａにおける第１及び第２の内部電極１１，１２が占める体積割合よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】未焼成のバリスタ材料とＣｕ電極とを一体焼成しても、Ｐｄ等の貴金属の電極を用いて大気中で焼成した場合と同等レベルのバリスタ電圧と電圧非直線性を有し、優れた静電気抑制効果と静電気耐性を実現する。
【解決手段】電極の主成分をＣｕとしバリスタ材料の主成分をＺｎＯとし副成分を一般式ＡＢＯ₃からなるペロブスカイト化合物として、ＡサイトをＳｒ、Ｃａ、Ｂａの少なくとも一種として、ＢサイトをＣｏ単体、もしくはＣｏ、ＭｎおよびＣｒから選ばれる一種とし、バリスタ材料のセラミックグリーンシートとＣｕ導電ペースト層を交互に積層し積層体を形成し、この積層体を９８０℃以上１０８０℃未満で酸素分圧が１０^-5Ｐａ〜１０^-1ＰａのＣｕの還元雰囲気で行う第１の熱処理と５００℃〜９００℃の大気中で酸化処理を行う第２の熱処理を順次行い、セラミック焼結体を形成した後、外部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】 より正確にチップ抵抗器を製造できるチップ抵抗器の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板材料７の表面７ａに抵抗体層２を形成する工程と、基板材料７に、方向ｘに沿って延びているとともに表面７ａから凹む複数の溝７１を形成する工程と、溝７１の側面７１１に導電体層３を形成する工程と、基板材料７に含まれているとともに溝７１により区画された複数の基材７３をそれぞれ方向ｙに沿って分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ型電子部品の電気的特性や信頼性を向上させるためのチップ型電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体からなるベアチップ１０と、ベアチップ内に設けられるとともにチップの表面１３に端面が露出する内部電極１２と、内部電極と導通するとともに表面にメッキ層１５が形成された外部電極層１４とを備えたチップ型電子部品の製造方法であって、前記端面に第１電極ペーストを前記ベアチップを焼結体にする前のグリーンチップ１１０ｃに薄膜状に塗布するステップｓ２１と、第１電極ペーストが塗布されたグリーンチップを前記ベアチップに焼結させて、第１電極ペーストを中間電極層１４に焼成するステップｓ２２と、中間電極層の外面に第２電極ペーストを塗布するステップｓ３１と、第２電極ペーストを固化して外部電極層を形成するステップｓ３２と、外部電極層の表面にメッキ層を形成するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】銅−マンガン系合金の低抵抗率、低ＴＣＲを維持しながら、高い密着力を得ることができる抵抗体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅及びマンガンを少なくとも含む導電性金属粉体と、ガラス粉体と、有機ビヒクルとを含有する抵抗体ペーストを用いて、抵抗体膜を製造する方法に関する。抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下２００〜２４０℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを７５０℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】排ガスセンサ等の過酷な温度条件においても、低温度から高温にわたり正確な温度検知が可能で、且つ安定性が高いサーミスタ用組成物とサーミスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】典型金属元素及び遷移金属元素の酸化物で構成されたサーミスタ用組成物であって、配合組成は下記の通りである。
（Ｍ１_ｘＭ２_１−ｘ）・（Ｍ３_ｙＭ４_１−ｙ）Ｏ_３
ｘ＝0.6〜0.9且つ、ｘ中のＳｍ、Ｄｙの配合量はＹに対して0.1〜0.2
ｙ＝0.2〜0.6且つ、ｙ中のＡｌ量はＭｎに対して0〜0.5
Ｍ１はＹ、Ｓｍ、及び／又はＤｙ、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、及び／又はＢａ、Ｍ３はＣｒであり、Ｍ４はＭｎ及び／又はＡｌである。（Ｍ１_ｘＭ２_１−ｘ）・（Ｍ３_ｙＭ４_１−ｙ）Ｏ_３のペロプスカイト構造に、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の混合物、又はＣａ及び／又はＡｌの酸化物、或いは混合酸化物を２種類以上含む混合焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】 サーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子において、高い寸法精度で抵抗値ばらつきを抑制することができ、クラック、切れ目又は反りを生じ難くすること。
【解決手段】 サーミスタ用金属酸化物焼結体と、該サーミスタ用金属酸化物焼結体に接続された複数のリード線と、を有するサーミスタ素子の製造方法であって、金属酸化物からなるサーミスタ原料粉末と有機バインダー粉と溶剤とを混合して混練することで坏土とする工程と、成型体用金型１３によって坏土を押出成型して複数の貫通孔を有したロッド状グリーン成型体を形成する工程と、ロッド状グリーン成型体を乾燥させてロッド状乾燥成型体とする工程と、ロッド状乾燥成型体を所定長さに切断して貫通孔を有する切断成型体とする工程と、切断成型体の貫通孔にリード線を挿入してこの状態で焼成を行うことで、切断成型体をサーミスタ用金属酸化物焼結体とする工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、７００℃以下の焼成条件であっても、低抵抗値、低ＴＣＲであり、かつ、各種信頼性試験における抵抗値変化率が小さい、厚膜抵抗体を与えうる抵抗体ペーストを提供することである。
【解決手段】（Ａ）銅粉とニッケル粉の混合粉からなり、銅粉とニッケル粉の重量比が、Ｃｕ／Ｎｉ＝６９／３１〜７１／２９である導電性粉末、（Ｂ）ガラス粉末、（Ｃ）銅酸化物粉末、（Ｄ）酸化スズ粉末、パラジウム粉末及び酸化亜鉛粉末からなる群より選択される１種以上の粉末、並びに（Ｅ）アクリル樹脂及び／又はセルロース樹脂と溶剤からなるビヒクルを含み、（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が１２〜２５重量部、（Ｃ）成分が１〜１０重量部、（Ｄ）成分が０．１〜３重量部、（Ｅ）成分が１０〜４０重量部であることを特徴とする抵抗体ペーストである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い抵抗値でＴＣＲ特性が良好な微小サイズのチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の第１上面電極１３を印刷して焼成する工程と、この一対の第１上面電極１３を橋絡するように第１の抵抗体１４を印刷する工程と、この第１の抵抗体１４および前記一対の第１上面電極１３と電気的に接続されるように一対の第２上面電極１５を印刷する工程と、前記第１の抵抗体１４の一部を覆う第２の抵抗体１６を印刷する工程とを備えるとともに、前記第２の抵抗体１６の長さを前記第１の抵抗体１４の長さより短く形成したものである。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板の強度を高め、１次分割溝および２次分割溝を設けた製品領域を拡大することができ、ごく小型のチップ部品を高い生産性で製造することができるチップ部品用セラミック基板およびチップ部品の製造方法を提供する。
【解決手段】縦横の分割溝X,Yが配置された製品領域１３と、該製品領域の周囲に配置された分割溝が存在しない白基板領域１２と、該白基板領域に配置された補強層１５と、を備えたチップ部品用セラミック基板である。補強層１５は、白基板領域１２にガラスペーストを印刷し焼成することで形成したガラス層であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 実装時のはんだ付き性に優れる抵抗器を提供する。
【解決手段】 電極キャップと抵抗体を一体化して抵抗器を形成し、抵抗値調整、絶縁保護膜を形成した後に、Ｓｎ／Ｓｎ合金メッキからなる電極キャップ表面に製造工程で付いた傷や汚れや表面に形成された酸化層を塩酸系溶液で除去して清浄にし、清浄にした表面に酸化防止膜を形成する。この電極キャップ表面の清浄化と酸化防止膜の形成処理により、実装時のはんだ付き性に優れる抵抗器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く端子電極を形成することが可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】準備工程において、貫通する保持穴１１が形成されたラバープレート１０を準備する。保持穴１１は、並び方向Ｘに並んだ幅狭部１６及び幅広部１７，１８を含む。幅広部１７，１８の幅方向Ｙの寸法は、幅狭部１６の幅方向Ｙの寸法より大きい。続いて、挿入工程において、保持穴１１の幅狭部１６によってチップ素体１を保持するように、保持穴１１の一方の開口部１１ａからチップ素体１を挿入する。そして、押出工程において、保持穴１１の他方の開口部１１ｂから幅広部１７，１８に挿入したプレスピン２０で一方の開口部１１ａから挿入されたチップ素体１を押して、チップ素子１における電極形成部Ａを一方の開口部１１ａから露出させる。この状態で、付与工程において、チップ素体１の電極形成部Ａに導体ペーストを塗布する。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の設定精度を向上させる。
【解決手段】抵抗体チップ１Ａは、抵抗体２Ａと、その両端に電気的に接続された引き出し用電極パッド３Ａ，３Ｂとを有している。抵抗体２Ａは、抵抗値を設定する抵抗本体であり、半導体基板５上の絶縁膜に形成された抵抗形成溝４ａ内に埋め込まれている。引き出し用電極パッド３Ａ，３Ｂは、半導体基板５上の絶縁膜に形成されたパッド溝４ｂ内に埋め込まれている。上記抵抗体２Ａを半導体プロセス（リソグラフィ、エッチングおよび化学的機械的研磨等）を用いて形成することで、抵抗体２Ａの幅および膜厚の加工寸法誤差を低減できる。このため、抵抗体チップ１Ａの抵抗値の設定精度を向上させることができる。また、抵抗体チップ１Ａの微細化を図ることができるので、高集積化もできる。さらに、半導体装置の製造工程で用いられている製法を用いるので、抵抗体チップ１Ａの信頼性をも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術では必要としない電流伝導インピーダンスを回避し、抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有効に安定的に低減する。
【解決手段】熱伝導接合層により基材と定抵抗体とを対向貼り合わせ、保護層を該定抵抗体の一部の表面に被覆することで、該定抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。基材と定抵抗体との貼り合わせ設計は、従来技術では半導体製造工程を使用したことで発生していた高コストという問題が回避でき、製造の容易化、製造歩留まりの向上およびコストの低下を図ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】耐電圧を高めることが可能であるチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁材料からなる基板１と、基板１の一面側に形成され、方向ｘに離間配置された１対の電極２と、基板１の上記一面側に形成され、１対の電極２に導通する抵抗体３と、を備えるチップ抵抗器Ａであって、基板１の上記一面側には、方向ｘにおける両端に位置し、かつ端縁５０ｙが方向ｘと直角である方向に延びる一対の第１の凹部５ｙが形成されており、１対の電極２は、少なくともその一部が１対の凹部５ｙ内に形成されており、かつ電極２のうち基板１の中央寄りに位置する端縁が端縁５０ｙと一致している。 （もっと読む）

【課題】 銅−ニッケル系の導電性粉末を使用し、有害な鉛やカドミウムを実質的に含まない有害物質フリーの厚膜抵抗体ペースト、及びこれを用いたセラミック基板との接着強度が高い厚膜抵抗体並びにその形成方法を提供する。
【解決手段】 銅及びニッケルからなる導電性粉末と、鉛及びカドミウムを含まないガラス粉末と、ＮｉＯ粉末と、有機ビヒクルとを含有する厚膜抵抗体ペーストであって、ロールミルなどのペースト製造装置からの鉄の混入を抑制して、ペースト中の鉄含有率を１００質量ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）