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Fターム[5E034CA01]の内容

サーミスタ、バリスタ (5,260) | バリスタの目的、機能 (365) | 沿面放電防止 (20)

Fターム[5E034CA01]に分類される特許

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【課題】更なる低コスト化を図ることができる非直線抵抗体および非直線抵抗体の製造方法を得る。
【解決手段】長尺状に形成され酸化亜鉛を主成分とする非直線抵抗体1の製造方法において、酸化亜鉛を構成原料とする造粒粉の結合剤であるポリビニールアルコールの添加量を非直線抵抗体1の0.5〜1.0重量%の範囲に調整する工程と、ポリビニールアルコールが添加された造粒粉の水分量を非直線抵抗体1の0.6〜1.6重量%の範囲に調整する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】雷サージによる異常電圧に耐え得るために必要十分な大きさの非線形抵抗素子を有する避雷器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の諸元を有する雷電流が避雷器に流れたと仮定したとき、このときの非線形抵抗素子の半径方向の熱応力σと半径方向の伸びΔrとの積で表される破断エネルギーQの最大値が管理値QL以下となるように非線形抵抗素子の大きさを設定することにより、上記諸元の雷撃により非線形抵抗素子にひび割れが発生するか否かを素子の設計段階で判断することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 限流素子の故障により発生したアークでもって上部端子電極が溶解・ガス化することを抑制する。
【解決手段】 非直線性の電流電圧特性を有する限流素子11を一対の端子電極12,13間に挟み込んで限流素子11および端子電極12,13を同軸上に配列させて絶縁外被体15で被覆した避雷装置であって、電線側端子となる一方の端子電極12と限流素子11との間に、重金属製のスペーサ18を介在させる。 (もっと読む)


【課題】焼成の際のセラミック基板とバリスタ層の熱収縮挙動の違いなどから発生する反りを低減し、実装信頼性が向上した薄型構成の静電気対策部品を提供することが課題であった。
【解決手段】この課題を解決するために、セラミック基板1とバリスタ層3とガラスセラミック層2を有する静電気対策部品において、製造時の反り解消用として、セラミック基板のバリスタ層を設けた面と反対側の面にガラスセラミック層4を設けた構成とするものである。 (もっと読む)


【課題】軽量で素子の放熱および防爆に優れた送電用避雷装置を提供する。
【解決手段】送電鉄塔の支持アームの先端部に絶縁支持碍子を介して送電線が支持され、支持碍子の下端部に電気的に送電線と接続された課電側放電電極を設け、鉄塔側に支持部材を介して避雷器を吊り下げ固定し、避雷器の下端部に課電側放電電極と直列ギャップを備えて対向するように避雷器側放電電極を設けた送電用避雷装置において、高抵抗素子8を断面中空の導体で構成した支え9と交互に配置し、導体支え9には貫通孔部12を設け、それを覆うFRP筒10にもスリット13を設ける。 (もっと読む)


【課題】電流−電圧非直線特性、寿命特性およびサージエネルギー耐量に優れると共に、高温下での熱安定性を向上させた、過電圧保護装置の小型化に寄与可能な電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】主成分としてZnOを95mol%以上含んだ焼結体1は、副成分としてBi、Sb、Co、Mn、Niを、それぞれBi、Sb、Co、MnOおよびNiOに換算して、Biを0.3〜1mol%、Sbを0.5〜2.5mol%、Coを0.3〜1.5mol%、MnOを0.2〜2mol%、NiOを0.5〜3mol%含んでいる。また、MnOに対するNiOの含有量の比は2.0〜6.0、MnOに対するSbの含有量の比は1.5〜4.0である。 (もっと読む)


【課題】 避雷器内蔵型電気機器の機器ケース内でのリード線引き回しによる配線自由度に優れた避雷器の提供。
【解決手段】 避雷器内蔵型電気機器の機器ケース内の絶縁油中に浸漬される避雷器20で、非直線抵抗素子である円筒状の酸化亜鉛素子21の両端部に第一導体30と第二導体40を配置し、酸化亜鉛素子21の貫通孔22に非接触で導電軸体60を挿通する。導電軸体60はその片端部で第二導体40に取り付けられ、他端部が絶縁部材50を介在させて第一導体30に絶縁された状態でねじ止め等の方法で取り付けられている。第一導体30と、導電軸体60の第一導体側の端部を電極端子として使用可能にする。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高い電流―電圧特性、交流課電寿命特性及び直流課電寿命特性を有し、耐水性、経済性及び対環境性が良好であり、雷インパルスや過電圧等のサージに対する保護能力を向上させた電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】側面高抵抗層3は、Bi(ビスマス)を主成分としたガラス化合物であって、Bi(ビスマス)をBi(酸化ビスマス)換算で70〜88wt%、Si(シリコン)をSiO(酸化珪素)換算で0.5〜7wt%含有し、残りの成分としてZn(亜鉛)、B(硼素)、Al(アルミニュウム)、Ba(バリュウム)をそれぞれ酸化物(ZnO、B、Al、BaO)換算で、5〜29.5wt%含有している。 (もっと読む)


【課題】内部電極間以外でバリスタ特性が生じるのを抑制して、所望のバリスタ特性を得ることが可能なバリスタを提供すること。
【解決手段】積層型チップバリスタ1のバリスタ素体11には、その外表面側からLiが拡散されている。バリスタ素体11の外表面近傍のLiが拡散された領域は電気抵抗が極めて高くなる。そのため、バリスタ素体11における二つの端子電極51間の領域のバリスタ電圧及びバリスタ素体11における二つの接続導体41間の領域のバリスタ電圧が、バリスタ素体11における第1及び第2の内部電極23,33間の領域のバリスタ電圧よりも極めて高くなる。 (もっと読む)


【課題】 酸化亜鉛形バリスタを収納する収納ケースから引き出す絶縁被覆の外部引出しリード線と収納ケース内の引出し導体との接続を極く簡便にして、かつ、常に安定した高い機械的強度で接続する。
【解決手段】 酸化亜鉛形バリスタ1を収納する収納ケース30にリード線引出し用第一孔31と、この第一孔31に直交させて引出し導体接続用第二孔32を形成する。第一孔31に外部引出しリード線20の絶縁被覆端部20’を挿入し、第二孔32に引出し導体13の線状の先端部を挿入して、この先端部を絶縁被覆端部20’に突き刺して貫通させることで、リード線20に電気的かつ機械的に接続する。 (もっと読む)


【課題】避雷器の小型化のために、電流−電圧非直線抵抗体において電流−電圧非直線性、寿命特性およびエネルギー耐量に優れるとともに、雷サージエネルギー吸収後の低電流域非直線抵抗特性の劣化が抑制される優れた電流−電圧非直線性抵抗体を提供する。
【解決手段】ZnOを主成分とし、副成分としてBi、Sb、Co、Mn、Ni、BおよびAgを、それぞれBi、Sb、Co、MnO、NiO、BおよびAgOに換算して、Biを0.3〜2mol%、Sbを0.8〜7mol%、Coを0.3〜1.5mol%、MnOを0.4〜6mol%、NiOを0.5〜5mol%、Bを0.005〜0.1wt%、およびAgOを0.005〜0.1wt%含み、上記AgOに対するBの含有量が重量比で0.05以上0.5以下である焼結体からなる。 (もっと読む)


【課題】避雷器およびサージアブソーバー等の過電圧保護装置の小型化が実現できる高い抵抗値と優れた熱安定性を有し、非直線抵抗特性、寿命特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得る。
【解決手段】酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、副成分としてビスマス(Bi)、コバルト(Co)、マンガン(Mn)、アンチモン(Sb)、ニッケル(Ni)をそれぞれ酸化物であるBi、Co、MnO、Sb、NiOに換算して、Biを0.3〜1.0mol%、Coを0.3〜1.5mol%、MnOを0.1〜2mol%、Sbを0.5〜2.5mol%、NiOを0.5〜3mol%含み、かつ、ビスマスとアンチモン及びマンガンとコバルトの相対比がそれぞれ、酸化物に換算し、0.15<Bi/Sb<1.0、0.3<MnO/Co<3.5である焼結体から構成する。 (もっと読む)


【課題】ブッシングの挿入孔とゴムモールド体間の界面の面圧を確保し空隙の発生を防止する。
【解決手段】本発明におけるブッシング2は、アレスタモールド体6を収容するための挿入孔3aを備えており、当該挿入孔3aの電界が集中する領域にはブッシング2の高圧側から低圧側に向かって円錐状に広がるテーパ挿入孔53aが設けられている。
アレスタモールド体6は、アレスタ素子積層体61の外周に一体的にモールドされるシリコーンゴムなどから成るゴムモールド体67とを備えており、当該ゴムモールド体67にはテーパ挿入孔53aのテーパ内面に嵌合し得る円錐状部67bが設けられている。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも一つのバリスタブロック(1)と、二つの端部取付け部材(3)と、バリスタブロック(1)を張力下で端部取付け部材(3)に保持する一つの補強要素(9)と、端部取付け部材(3)の少なくとも一つを通る穴(11)において補強部材(9)を保持する少なくとも一つの固定要素(13)と、を有する避雷器に関する。固定要素(13)は好ましくは補強要素(9)をその長手方向に割り、かつ、貫通孔(11)の外壁に対して固定するくさびである。あるいは、二以上のガラス繊維強化補強要素が貫通孔11内に保持され、これらの補強要素の間のくさびは、貫通孔11の領域内において端部取付け部材に適合させる力により補強要素が保持されることを確実にする。
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【課題】 サージ吸収素子を提供する。
【解決手段】3個の単層サージ吸収素子41、42、43からなり、各セラミック層は相互に分離した上電極層及び下電極層44、45、46、47、48、49を備え、該電極層44上にはリード4aを備え、該電極層45、46間にはリード4bを備え、該電極層47、48間にはリード4cを備え、該電極層49上にはリード4dを備える。さらに各リード間にそれぞれ保護回路を構成して、該リード4aと4dがショートする時には、同時に三線間を保護するパーツを形成する。該リード4aと4cがショートし、しかも該リード4bと4dがショートする時には、3層のセラミック層が並列に動作してより大きな面積を形成して保護を行う。 (もっと読む)


【課題】高速信号に対してもインピーダンス整合に優れたサージ吸収素子を提供すること。
【解決手段】サージ吸収回路SA1は、相互に極性反転結合されると共に端同士が接続された第1の導体11及び第2の導体21と、第1の導体11及び第2の導体21と電気的に絶縁された第3の導体31とが形成された回路基板1Aと、一方の端子が第1の導体11と第2の導体21との接続部分に接続され、他方の端子が第3の導体31に接続されたサージ吸収素子3と、を備える。 (もっと読む)


本発明は、ZnOマイクロバリスター粒子を含有する非線形電界コントロール・テープに係る。ドープされたZnO粒子は、焼結されたZnOのブロックを粉砕することにより、特に、仮焼され粒状化された粒子を粉砕することにより、または、仮焼されまたは焼結されたテープ(テープ・キャスティング)を粉砕することにより、製造される。実施形態は、とりわけ次のことに関係している:即ち、中空ZnOマイクロバリスター粒子が造粒技術により製造され、これらの粒子は、減少された平均密度を有し、且つ、90μmよりも十分に小さい範囲の直径を有している;テープに含浸するために使用されるバインダの中に、ZnOフィラーをコンパウンディングする。従来の非線形フィラー粒子が埋め込まれた非線形電界・コントロール・テープと比べて、より強く且つより信頼性が高い非線形抵抗が実現される。このZnOフィラーは、製造することが容易で、且つ、バインダの中にコンパウンディングすることが容易である。その結果得られるテープは、フレキシブルであって、好ましくは自己接着性を有し、そして強い非線形電気抵抗を有している。これらのテープは、電気的コンポーネントの中の高いフィールド・ストレス領域を保護するために有用である。 (もっと読む)


【課題】 実装面積を縮小すると共に、実装コストを低減して、容易に実装することが可能な発光装置を提供すること。
【解決手段】 発光装置LE1は、複数の半導体発光素子1と積層型チップバリスタ11とを備える。積層型チップバリスタ11は、バリスタ素体21と、当該バリスタ素体21の外表面に形成される複数の第2の外部電極27,28とを備える。バリスタ素体21では、バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置される第1及び第2の内部電極31,41とを有する複数のバリスタ部が所定の方向に沿って配されている。第2の外部電極27は第1の内部電極31に接続され、第2の外部電極28は第2の内部電極41に接続されている。半導体発光素子1は、積層型チップバリスタ11上に配され、対応するバリスタ部に並列接続されるように、対応する第2の外部電極27,28にそれぞれ接続されている。 (もっと読む)


【課題】周囲の湿度環境に左右されず、常に良好な避雷機能を果たすことのできる避雷器を提供する。
【解決手段】避雷器本体12を収納する避雷器ハウジング14の側壁には連通路16を介して除湿器18が接続されている。湿度制御部46は、除湿器18を避雷器ハウジング14内に配置された湿度センサ40の湿度検出結果に基づきオンオフ動作させ、避雷器ハウジング14内の湿度を避雷器本体12が正常に動作する所定の湿度、例えば50%〜85%に維持する。 (もっと読む)


【課題】 設備電源の改善された使用及び停電回復時間の短縮を図った、電圧サージに対する効率的な保護を行う電圧サージ保護装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電圧サージ保護装置は電気開閉装置(21)に接続されるように構成された少なくとも1つの保護モジュール(20)を備える。この保護モジュールは、電圧サージに対する保護のための少なくとも1つの保護素子(1,2)と、温度及び/又は電流の上昇による保護素子の障害を表す電気的及び/又は機械的分離を引き起こすために少なくとも1つの保護素子に結合された分離手段(30,31)とを備える。保護モジュール(20)は、分離手段(30,31)に結合された機械式操作手段(32,32A,32B)と、機械式制御リンク(33,33A,33B)とを備える。電気式制御リンクは、分離手段が分離を引き起こした時、少なくとも1つの保護素子の障害を表す引外し状態におかれる。 (もっと読む)


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