【課題】特性許容誤差を低くするＰＴＣサーミスタ部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース本体１と、それぞれ前記ベース本体１の端面上に配置された第１の導電層と第２の導電層とを有する。第１の導電層は空乏層を破壊するバリア層２１、２２である。ベースの周面は第１の導電層がなく、第２の導電層はベースの各端面上に配置されたキャップ３１、３２を形成する。さらに、前記第１の導電層は、部品領域の分割前に基板の主要面上にスパッタを通じて生成される。キャップの形状をした第２の導電層は、分割された部品領域の端面上に、浸漬過程で生成される。 （もっと読む）

【課題】大型でも、高性能で高品質で、実装状態で高い信頼性を確保することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】誘電体素子１１と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極１１ａと、該内部電極と電気的に接続した外部電極層１５とを備え、誘電体素子１１と外部電極層１５の間に誘電体素子１１の全面を覆うガラス層１２を有し、外部電極層１５は、金属成分を含む下地電極１３と、樹脂電極１４とからなり、樹脂電極１４は、下地電極１３を覆い、かつ誘電体素子１１にガラス層１２を介して接合する。ガラス層１２は、結晶化ガラスからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高い応答特性が得られると共に金属系の電極材料との密着性が良い保護膜が形成された薄膜サーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】 アルミナ基板３と、アルミナ基板３上にサーミスタ材料で形成されたサーミスタ薄膜４と、サーミスタ薄膜４上に形成された一対の櫛形電極５と、櫛形電極５の少なくとも一部と共にサーミスタ薄膜４を覆うハフニウム酸化物またはハフニウム−金属酸化物で形成された保護膜６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板に応力が加わって薄膜パターンが変形しても、温度検出精度への影響が少ない薄膜抵抗温度センサを提供する。
【解決手段】長方形状の基板２に、抵抗体を往復形状に接合した薄膜パターン３を形成する。薄膜パターン３は、往路部４と、往路部４に平行な復路部５と、これら往路部４と復路部５とを互い違いに接続する折り返し部６とから構成され、これら往路部４および復路部５の基板２短手方向に対する傾斜角度は、基板２の材料のポアソン比に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】保護膜を設けることによる素子の初期特性の劣化を招くことなく、耐湿性を改善して、信頼性の高い薄膜バリスタを提供する。
【解決手段】絶縁性の基体１と、基体上に形成されたＺｎＯバリスタ層２と、その表面に、所定の電極間ギャップ１３を介して対向するように配設された表面プレーナ型電極３ａ，３ｂと、ＺｎＯバリスタ層の表面の少なくとも電極間ギャップ１３に露出した領域を覆うように配設された、高抵抗ＺｎＯ薄膜からなるバッファ層４と、バッファ層を覆うように配設された保護膜５とを備えた構成とする。
保護膜として、シリコン酸化物薄膜、シリコン窒化物薄膜およびシリコン窒化酸化物薄膜からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
バリスタ特性を有するＺｎＯ薄膜の表面の結晶粒の平均的な直径を５０ｎｍ以上とする。
バッファ層である高抵抗ＺｎＯ薄膜を、酸素を含む雰囲気中でスパッタ成膜して形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜サーミスタ素子及びその製造方法において、電極とサーミスタ薄膜との付着強度を改善し、電極として十分な抵抗値であると共に耐熱試験においても抵抗値上昇を抑制すること。
【解決手段】 Ｓｉ基板２と、Ｓｉ基板２上に形成された第１サーミスタ薄膜５Ａ及び第２サーミスタ薄膜５Ｂと、第１サーミスタ薄膜５Ａ及び第２サーミスタ薄膜５Ｂ上に形成された櫛形電極３とを備えた薄膜サーミスタ素子であって、櫛形電極３が、少なくとも第１サーミスタ薄膜５Ａ及び第２サーミスタ薄膜５Ｂと接触する部分が非晶質状態で成膜された白金又はその合金からなる電極層である。 （もっと読む）

【課題】 サーミスタ及びバリスタをそれぞれ薄膜で構成して１チップ化することにより、ＥＳＤに強く、薄くて小型の高速熱応答性の高い薄型複合素子を得る。
【解決手段】 薄型複合素子１０は、絶縁基板１１上に形成された薄膜バリスタ１２と、薄膜バリスタ上に形成された導電層からなる相対向する一対の櫛型電極１３，１４と、一対の櫛型電極を跨いでかつこれら電極の各基部が露出するように薄膜バリスタ及び電極１３，１４を被覆する薄膜サーミスタ１６と、一対の櫛型電極の一方の露出した基部と電気的に接続するように薄膜バリスタの形成されていない絶縁基板上に形成された第１及び第２引出電極１７，１８と、これら電極１７，１８における引出線を接続するためのパッド部１７ｃ,１８ｃを除いた基板上のすべての素子１２，１３，１４，１６を被覆する保護膜１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら静電気対策部品として優れた特性を備え、量産可能な薄膜バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１表面にSiO₂絶縁体膜１２を備えた基板１０を用い、電子ビーム蒸着によりAu電極による下部電極１３を形成し、その表面に、Bi₂O₃を１５ｗｔ％、Er₂O₃を２ｗｔ％含んだZnO焼結体をターゲットとして用い、高周波マグネトロンスパッタ法によりZnOバリスタ薄膜１４を形成し、その表面に電子ビーム蒸着によりAu電極による上部電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子機器や家電機器に使用されるヒューズに関して、微小化、軽量化が容易で、断線が確認しやすいポリマーヒューズを提供する。
【解決手段】共役系ポリマーをドーパントにより導電化してなる導電性ポリマーを主成分とするヒューズ素子１の両端に電気導体２を形成した。当該ヒューズ素子１は当該導電性ポリマー２を溶解した後、塗布（印刷）して形成する。導電性ポリマーはポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体およびポリチオフェン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一つであり、ドーパントはスルホン酸基、リン酸基、カルボン酸基およびこれらの塩基からなる群から選ばれた少なくとも一つを有する。 （もっと読む）

【課題】微少な温度変化に対して大きな抵抗値変化が得られる抵抗素子を用いて酵素反応の微少温度変化を的確に検出できる酵素反応熱検出システムを提供する。
【解決手段】酵素反応熱検出システムは、抵抗素子５１及び酵素溶液Ｆ１を収容した第１容器５２と、純水Ｆ２を収容した第２容器５３と、試料溶液Ｆ３を収容しこれを第１容器５２内に滴下可能な注入器５４と、第２容器５３内の純水Ｆ２を加熱するヒータ５５と、抵抗素子５１の抵抗値変化を電気信号（電圧）に変換・増幅し出力可能なブリッジ回路等の検出器５６とを備え、注入器５４から試料溶液Ｆ３を第１容器５２内の酵素溶液Ｆ１に注入したときの酵素反応熱を抵抗素子５１の抵抗値変化によって検出する。 （もっと読む）

【課題】熱処理などのコスト的に不利な工程を経ずに結晶を強配向化し、製品ごとの電気特性のばらつきが少ない薄膜センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、該絶縁基板上に積層された金属からなる電気抵抗体とを有する薄膜センサの製造方法であって、
前記絶縁基板に、負の直流電圧を印加しながら、前記金属をスパッタリングして、前記電気抵抗体を形成する工程を有する
ことを特徴とする薄膜センサの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 サーミスタ薄膜及び赤外線検出用センサ並びにこれらの製造方法において、１種類の組成のサーミスタ材料で異なる抵抗値を有する複数のサーミスタ薄膜を同時に得ることができ、製造コスト及び製造工程数の削減を図ること。
【解決手段】 Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜１Ｂであって、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上に成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜５の上に形成されている。また、赤外線検出用センサが、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４のＳｉＯ_２層３上にパターン形成された第１のサーミスタ薄膜１Ａと、Ａｌ_２Ｏ_３膜５上にパターン形成され第１のサーミスタ薄膜１Ａと同一のサーミスタ材料の第２のサーミスタ薄膜１Ｂと、第１のサーミスタ薄膜１Ａ上に形成された一対の第１の電極６と、第２のサーミスタ薄膜１Ｂ上に形成された一対の第２の電極７とを備えている。 （もっと読む）

面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、上部電極と下部電極の間に少なくとも１層の導電性ポリマー活性層を積層してなる。上部絶縁層と下部絶縁層はそれぞれ上部電極と下部電極を挟む。導電性第１平板端子と導電性第２平板導電性端子は下部絶縁層の上に形成される。メッキした貫通ビアにより第１と第２交差導体が形成され、形成された交差導体はそれぞれの電極を端子の一つに接続する。実施形態には、垂直に積層され、交差導体と電極により電気的に並列に接続された、２層以上の活性層を含むものがある。また、交差導体と絶縁層の接着を強化するため、上部絶縁層を貫通し、ベベルまたは面取り加工した入口穴を有する交差導体を少なくとも一つ含む実施形態もある。本面実装可能な導電性ポリマー電子デバイスの製造方法も提供する。
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【課題】本発明は、過電圧保護効果のばらつきの小さい静電気対策部品が得られる静電気対策部品の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】セラミック基材１の上面にチタン薄膜７と銅薄膜８を形成する工程と、前記銅薄膜８の上面にレジスト９を塗布する工程と、前記チタン薄膜７と銅薄膜８で少なくとも一対の対向する引出電極となるようなパターンで形成できるように前記レジスト９に露光を施す工程と、前記レジスト９を除去する現像工程と、前記レジスト９が除去された部分のチタン薄膜７と銅薄膜８を除去して引出電極間にギャップ１０を形成するエッチング工程と、前記引出電極間のギャップ１０に過電圧保護材料を塗布する工程とを備え、前記現像工程の前に現像時間決定のための先行現像工程を設け、さらに、前記エッチング工程の前にエッチング時間決定のための先行エッチング工程を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 めっき伸びやめっき付着が少ないバリスタを確実に得ることのできるバリスタ素体を提供すること。
【解決手段】 好適なバリスタ素体２は、内部電極層１２及びバリスタ層１４が交互に積層された構成を有する。バリスタ層１４は、主成分としてＺｎＯを含み、副成分としてＣｏ、Ｐｒ及びＺｒを含む組成を有している。そして、バリスタ素体２を、その表面から深さ方向に分析したときにＺｒの含有量が略一定となる深さ位置を基準深さ位置としたとき、基準深さ位置におけるＺｒの含有量Ｚ_０、基準深さ位置よりも２μｍ表面側の深さ位置におけるＺｒの含有量Ｚ_１、基準深さ位置におけるＰｒの含有量Ｐ_０、及び、基準深さ位置よりも２μｍ表面側の深さ位置におけるＰｒの含有量Ｐ_１が、下記式（１）及び（２）を満たしている。
０．４×Ｚ_１／Ｚ_０＋０．５≦Ｐ_１／Ｐ_０≦０．４×Ｚ_１／Ｚ_０＋０．９ …（１）
１＜Ｚ_１／Ｚ_０＜２．２ …（２） （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、基板上の厚膜素子として製造することができ、低静電容量化が可能であり、機械的強度及び放熱特性が良好で、衝撃における影響が小さく、薄型・軽量化にも寄与する静電気保護素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、炭化珪素を含む組成物粉末のペーストから形成されたＥＳＤ保護膜１２を、絶縁基板１４上の電極１６，１８間に印刷して成る。ＥＳＤ保護膜１２は、ＺｎＯを主成分とし炭化珪素を含む組成物粉末に、Ｍｎ・Ｃｏ・Ｂｉ・Ｓｂ或いは希土類元素を含む組成物から成り、この組成物粉末１００ｗｔ％に対し、炭化珪素を１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％含む組成物からなる。ＥＳＤ保護膜１２を挟んだ一対の電極１６，１８のパターンの少なくとも一方を、櫛型或いはパターン幅に差異をもたせて形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】還元雰囲気下で６００℃を超える高温域でも、適切に温度検知ができ、特性変動が抑制されたサーミスタ素子、これを用いた温度センサ、及び、サーミスタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サーミスタ素子２は、サーミスタ組成物からなるサーミスタ部１ａと、これを緻密に被覆する耐還元性の被覆層１ｂとを備える。サーミスタ部１ａは、導電性を有し、結晶構造がペロブスカイト型であるペロブスカイト相１ａａを含む。被覆層１ｂは、ペロブスカイト相を構成する元素のうち、このペロブスカイト相をＡＢＯ₃と表記した場合において、Ａサイトに位置する金属元素のうち少なくとも１種の金属元素、例えばＳｒと、Ｂサイトに位置する金属元素のうち少なくとも１種の金属元素、例えばＡｌと、を含む複酸化物、例えばＳｒＡｌ₂Ｏ₄からなる。 （もっと読む）

【課題】 サーミスタ薄膜及びその製造方法において、エッチング法により高精度にパターニングされた薄膜を得ること。
【解決手段】 Ｓｉ基板上のＳｉＯ_２層又はＡｌ_２Ｏ_３基板の基板２上にパターン形成されたＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜１であって、ＨＣｌ液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されている。これにより、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、パターニングされた本発明のサーミスタ薄膜１上に金属電極を形成しても、断線等の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】リード付き温度センサの耐腐食性および信頼性の向上
【解決手段】温度変化により抵抗値が変化する素子と、該素子の軸線上に延長するリードと、該素子を包囲する樹脂被覆とを有し、該樹脂被覆の表面に、平均粒径が５μ以下の疎水性無機フィラーが多数存在することを特徴とする温度感知素子。特に、温度変化により抵抗値が変化する素子と、該素子の両端に電気的に接続された電極と、該電極のそれぞれに電気的に接続され、該素子及び該電極によって構成された集積体の軸方向に伸びたリード線と、該素子を包囲しかつ該電極の少なくとも一部を被覆し、該素子と該電極間を固定する無機絶縁部材と、少なくとも該電極と該リード線の接続部を覆う樹脂被覆とを有し、該樹脂被覆の表面に、平均粒径が５μ以下の疎水性無機フィラーが多数存在する被覆を有することを特徴とする温度センサに関する。 （もっと読む）

【課題】 外部電極の表面にめっき層をさらに形成させた場合であってもバリスタ電圧の低下が少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 積層型チップバリスタ１は、複数のバリスタ層２、及び、当該各バリスタ層を挟むように配置された第１及び第２の内部電極４ａ，４ｂを有するバリスタ素子５と、このバリスタ素子５の端部に設けられ、第１及び第２の内部電極４ａ，４ｂにそれぞれ接続された外部電極６とから構成されるものである。また、外部電極６表面には、Ｎｉめっき層８及びＳｎめっき層１０が順に形成されている。そして、この積層型チップバリスタ１における内部電極４ａ，４ｂ中の水素含有量は、１．１×１０^−２ｇ未満となっている。 （もっと読む）