【課題】絶縁体材料を用い、極薄膜において、室温で、垂直磁化が同時に実現される垂直磁気記録媒体および磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された単結晶よりなる垂直磁化膜１２とを備え、垂直磁化膜１２は、キュリー温度が室温以上である絶縁体からなり、膜厚が100nm以下であり、かつ有効異方性磁場が20kOe以上である垂直磁気記録媒体２および垂直磁気記録媒体２を備える磁気記録装置。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で0.60dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（RIG）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Ｌａ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂（但し、0<x<3、0<y<3）で示され、La、Gd、Biの組成割合が、La-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、組成点B、組成点C、組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とする。
組成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、組成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、
組成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、組成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。 （もっと読む）

【課題】高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用されるＢｉ含有量が多いビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により非磁性ガーネット基板上にＲＩＧを育成させる方法で、育成温度におけるＲＩＧと基板との格子定数差Δａｇを０．０２０５Å以下とし、室温でのＲＩＧと基板との格子定数差Δａｒを０．００３Å以下とし、育成中における格子定数差（Δａｇ−Δａｒ）とＲＩＧに転位が発生する格子定数差Δａｄとの関係が数式（１）を満たすように調整し、かつ育成温度ＴｇをＲＩＧ育成に用いる原料融液中のＰｂＯとＢｉ_２Ｏ_３からなる混合酸化物の融点Ｔｍより９５℃以上高く設定することを特徴とする。（Δａｇ−Δａｒ）＜ Δａｄ＝−０．０１５６ｂ＋０．０４１５ （１）
［数式中、ｂはＲＩＧの単位格子中におけるＢｉ量を示す］ （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まない融液を用いた液相エピタキシャル法にて、鉛を含まないビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３およびＢｉ_２Ｏ_３により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】鉛成分をフラックスとして用いない液相エピタキシャル法によって、非磁性ガーネット単結晶基板上に育成され、一般式 ： Ｒ_{３−ｘ−ｙ-ｗ}Ｂｉ_ｘＣａ_ｙＭ_ｗＦｅ_{５−ｚ−ｖ}Ａ_ｚＰｔ_ｖＯ_１２ （１）（式中、ＲはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。ＭはＮａまたはＫから選ばれる一種または二種以上の元素である。Ａは、ＧａまたはＡｌ、およびその両方の元素である。また、０．７＜ｘ＜１．４、０．０１＜ｙ＜０．１、ｚ＜１．０、ｗ＜０．０５、０．０１＜ｖ＜０．１である。）で示されるビスマスとカルシウムを置換した希土類鉄ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】磁区の発生を抑制し、所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る磁気転写素子及び光学系装置を提案する。
【解決手段】磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行に形成するようにしたことにより、磁気転写情報Ｐを偏光顕微鏡10により観察する際、従来形成されていた磁区Ｇが、グラニュラー構造によって細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが発生することを抑制できる。よって、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを認識させることができ、かくして測定対象物中の磁化分布又は電流分布を従来よりも正確に確認させ得る。 （もっと読む）

【課題】約１．６μｍ以上の波長帯域における本質的な吸収を示すＴｂＢｉ系ガーネット厚膜の代替材料として、Ｔｂイオンによる吸収スペクトルの影響があらわれる１．５μｍ以上の波長帯域において、改善された挿入損失とθ_ｆ／Ｔをもつガーネット厚膜材料、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＰＥ法によるビスマス置換型ガーネット厚膜材料であって、ＮＧＧを基板とし、化学式が、Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｙ_ｘＹｂ_ｙＢｉ_ｚＦｅ_５−ａＡｌ_ａＯ_１２、ただしｘ＝０〜０．２，ｙ＝０〜０．２で、かつｘおよびｙが同時には０ではなく、さらに、ｚ＝０．８〜１．４，ａ＝０．２〜０．７で示される組成を有し、０〜３．７重量％のＢ_２Ｏ_３を含有し、９５０〜１１３０℃の温度範囲、酸素濃度が５％以上の雰囲気中で保持する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ＢＩＧに含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術。
【解決手段】 希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中のＺｎ/Ｐｂモル濃度比が０．１５以上とすることで、ＢＩＧへの鉛の混入が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】大口径の非磁性ガーネット基板を用いて液相エピタキシャル成長法でのビスマス置換型磁性ガーネット膜を効率よく育成するための方法の提供をする。
【解決手段】直径２〜５インチの非磁性ガーネット単結晶基板を用い、ＬＰＥ法によりビスマス置換型ガーネット膜を育成する方法において、少なくとも育成終了後の冷却時に、該基板の背面に該基板の直径の0.8〜2.0倍の直径を有し、900℃前後で安定であり、融液からの輻射熱を反射しうる反射板を設け、前記基板両面の温時差が30℃以下になるようにしつつ、基板温度が100℃以下になるまでの冷却速度を１.0〜4.0℃/minとする。 （もっと読む）

【課題】 鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ＢＩＧに含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術。
【解決手段】 希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中のＳｒ/Ｐｂモル濃度比が０．０７以上とすることで、ＢＩＧへの鉛の混入が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 Ｂｉ_ｘＮａ_ｙＰｂ_ｚＭ１_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｆｅ_５−ｗＭ２_ｗＯ_１２（式中のＭ１はＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜ｘ≦２．０、０＜ｙ≦０．８、０≦ｚ＜０．０１、０．１９≦３−ｘ−ｙ−ｚ＜２．５、０≦ｗ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供する。
【解決手段】化学式Ｂｉ_αＭ１_３−αＦｅ_{５−β−γ}Ｍ２_βＭ３_γＯ_１２（Ｍ１はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ２はＳｉ、Ｍ３はＺｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇから選択される少なくとも１種類の元素であり、０．５＜α≦２．０、０＜β、０＜γ）で示される磁性ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】 鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶とその結晶育成技術。
【解決手段】 希土類酸化物と酸化鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いた液相エピタキシャル法において、融液中の酸化鉛モル濃度が５％以上かつ１３%以下にて育成したテルビウムを主成分としたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶にて鉛の混入が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用い、Ｐｂの含有量を削減した磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶媒に、Ｆｅ、Ｇａ及びＡｌのうちＦｅを含む少なくとも一種の元素を９．０ｍｏｌ％以上２５．５ｍｏｌ％以下の配合率で溶解して溶液を生成し、当該溶液にＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）基板の片面を接触させ、６００℃以上、９００℃以下の育成温度で磁性ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 Ｂｉ_ｘＮａ_ｙＰｂ_ｚＭ１_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｆｅ_５−ｗＭ２_ｗＯ_１２（式中のＭ１はＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜ｘ≦２．０、０＜ｙ≦０．８、０≦ｚ＜０．０１、０．１９≦３−ｘ−ｙ−ｚ＜２．５、０≦ｗ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜及びその製造方法、及びそれを用いたファラデー回転子に関し、膜育成中や冷却中あるいは研磨加工中に割れを生じ難い磁性ガーネット単結晶膜及びその製造方法を提供することにある。また、膜育成中や冷却中あるいは研磨加工中に割れを生じ難い磁性ガーネット単結晶膜を用いて高い歩留まりで作製できるファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂｉ置換磁性ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長法を用いて育成する磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、単結晶膜の成長と共に磁性ガーネット単結晶の格子定数を一定、または徐々に減少させ、次いで単結晶膜の成長と共に格子定数を増加させて磁性ガーネット単結晶膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ある周波数ｆ₀ において、ある電力Ｐｓｈ以下の入力信号に対して、周波数ｆ₀ を中心として出力信号が３ｄＢ以上抑圧された範囲の帯域幅Ｂａの狭い静磁波素子を得る。
【解決手段】 静磁波素子１０は、ＧＧＧ基板などの非磁性基板１２を含む。非磁性基板１２上に、ＹＩＧ単結晶膜のような磁性ガーネット単結晶膜１４を形成する。磁性ガーネット単結晶膜１４については、不純物としてのＰｂの含有量が５重量ｐｐｍ以下となるようにする。磁性ガーネット単結晶膜１４上に、間隔を隔ててマイクロストリップライン１６，１８を形成する。マイクロストリップライン１６，１８に平行な向きに磁界Ｈを印加する。そして、マイクロストリップライン１６に信号を入力し、マイクロストリップライン１８から信号を出力する。 （もっと読む）