磁性ガーネット膜、磁気転写素子及び光学系装置
【課題】磁区の発生を抑制し、所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る磁気転写素子及び光学系装置を提案する。
【解決手段】磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行に形成するようにしたことにより、磁気転写情報Ｐを偏光顕微鏡10により観察する際、従来形成されていた磁区Ｇが、グラニュラー構造によって細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが発生することを抑制できる。よって、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを認識させることができ、かくして測定対象物中の磁化分布又は電流分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【解決手段】磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行に形成するようにしたことにより、磁気転写情報Ｐを偏光顕微鏡10により観察する際、従来形成されていた磁区Ｇが、グラニュラー構造によって細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが発生することを抑制できる。よって、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを認識させることができ、かくして測定対象物中の磁化分布又は電流分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性ガーネット膜、磁気転写素子及び光学系装置に関し、例えば磁気テープやディスク、磁気カード等の測定対象物に記録された所定の情報、或いは半導体や超伝導体等の磁束分布又は電流分布を非破壊で確認し得る磁気転写素子に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液相エピタキシャル成長(ＬＰＥ：Liquid Phase Epitaxy)法により成長させた単結晶からなる磁性ガーネット膜を基板に備えた磁気転写素子が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
かかる構成の磁気転写素子は、所定の情報が記録された測定対象物の表面に、磁性ガーネット膜の膜面を近接配置させる。これにより、磁気転写素子は、測定対象物内部の磁気部材によって形成される磁束によって磁性ガーネット膜が磁化され得る。
【０００４】
かくして、磁気転写素子は、測定対象物における磁気部材の磁気パターン（以下、これを磁気パターン情報と呼ぶ）を磁性ガーネット膜に転写し得るようになされている。
【０００５】
そして、このような磁気転写素子は、偏光顕微鏡のステージに載置され、当該偏光顕微鏡の光源からの光が磁性ガーネット膜に照射されることで、磁性ガーネット膜における磁気光学効果（ファラデー効果）により、磁化された部分と磁化されない部分が光の明暗のコントラストとなって現れる。
【０００６】
かくして磁気転写素子は、光の明暗のコントラストをパーソナルコンピュータで解析することにより、間接的に測定対象物の磁気パターン情報を把握し、測定対象物に記録された所定の情報を確認し得るようになされている。
【０００７】
このように磁気転写素子は、測定対象物の外部から視認し得ない内部の磁気パターン情報であっても、転写させた磁気パターン情報（以下、これを磁気転写情報と呼ぶ）を介して測定対象物に記録された所定の情報を容易に確認できるようになされている。
【特許文献１】特開２００５−２９１７０７号公報
【特許文献２】特開２００５−２９２１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、かかる構成の磁気転写素子100では、例えば磁束密度が０．４［ｍＴ］や０．８［ｍＴ］のような印加電界が弱いときは、超伝導体に磁束があまり侵入していないため、偏光顕微鏡で観察すると、観察している領域で磁場の分布又は勾配が大きくなく、磁気転写情報101のみを確認できる。
【０００９】
しかしながら、かかる構成の磁気転写素子100では、例えば磁束密度が１．２［ｍＴ］や１．６［ｍＴ］のとき、磁束の侵入により、磁束分布に勾配ができ、このことにより、図１０（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、磁気転写情報101だけでなく、三角状に尖った複数の磁区Ｇが現れてしまう。
【００１０】
このように、ＬＰＥ法で成長させた磁性ガーネット膜を用いた磁気転写素子100では、磁気転写情報101と磁区Ｇとが重なり合って現れてしまうことから、磁気転写情報101のみを認識し難くなり、この結果、測定対象物に記録された磁気パターン情報を正確に確認し得ないという問題があった。
【００１１】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、磁区の発生を抑制し、所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る磁性ガーネット膜、磁気転写素子及び光学系装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる課題を解決するため本発明の請求項１の磁性ガーネット膜は、電流分布又は磁化分布を有する部位に近接配置することにより、前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写磁性ガーネット膜であって、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項２の磁性ガーネット膜は、前記部位を有する記録媒体に近接配置することにより、前記記録媒体の前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写することを特徴とするものである。
【００１４】
さらに、本発明の請求項３の磁性ガーネット膜は、有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１１１）面に成膜されることを特徴とするものである。
【００１５】
さらに、本発明の請求項４の磁性ガーネット膜は、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１００）面又は（１１０）面に成膜されることを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明の請求項５の磁性ガーネット膜は、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、ガラス材からなる基板に成膜されることを特徴とするものである。
【００１７】
さらに、本発明の請求項６の磁性ガーネット膜は、膜厚が２００［ｎｍ］〜１［μｍ］であることを特徴とするものである。
【００１８】
さらに、本発明の請求項７の磁気転写素子は、請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜を基板に備えることを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、本発明の請求項８の光学系装置は、請求項７に記載の磁気転写素子に光を照射する光源と、前記磁気転写素子からの反射光を受光し、前記磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の請求項１の磁性ガーネット膜によれば、磁化状態を変化させて転写された電気分布又は磁化分布を光学系で観察する際、従来形成されていた磁区が、グラニュラー構造により細かく寸断されるので、大きな磁区が発生することを抑制し、転写された電気分布又は磁化分布のみを認識させることができ、かくして所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【００２１】
また、本発明の請求項２の磁性ガーネット膜によれば、大きな磁区が発生することを抑制し、転写された電気分布又は磁化分布のみを認識させることができ、かくして記録媒体に記録された電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【００２２】
さらに、本発明の請求項３の磁性ガーネット膜によれば、有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いて、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２３】
さらに、本発明の請求項４の磁性ガーネット膜によれば、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２４】
さらに、本発明の請求項５の磁性ガーネット膜によれば、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてガラス材からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２５】
さらに、本発明の請求項６の磁性ガーネット膜によれば、磁化状態を変化させて電気分布又は磁化分布を確実に転写できると共に、当該転写した電気分布又は磁化分布を正確に確認できる。
【００２６】
さらに、請求項７の磁気転写素子によれば、磁気ガーネット膜を基板に備えるようにしたことで、基板を介して磁気ガーネット膜に所定の強度を与え、当該磁気ガーネット膜を容易に取り扱うことができる。
【００２７】
さらに、本発明の請求項８の光学系装置によれば、磁気転写素子に転写された電気分布又は磁化分布を光の明暗のコントラストにより表示するようにしたことにより、転写した電気分布又は磁化分布の高速な測定が可能となり、磁気力顕微鏡（ＭＦＭMagnetic Force Microscopy）やＳＱＵＩＤ顕微鏡等の他の顕微鏡に比べても簡便で安値であることからコスト低減も図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下図面に基づいて本発明の実施の形態を詳述する。
【００２９】
（１）第１の実施の形態
（１−１）磁気転写素子及び偏光顕微鏡の構成
図１において、１は本発明による磁気転写素子を示し、この磁気転写素子１は、光を透過するガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２）基板（以下、これを単にＧＧＧ基板と呼ぶ）２の一面に、Ｂｉ１Ｙ２Ｆｅ５Ｏ１２（以下、これを単にＢｉ：ＹＩＧと呼ぶ）でなる磁性ガーネット膜３が成膜され、当該磁性ガーネット膜３に磁性体金属たる白金（Ｐｔ）やアルミニウム等からなり光を反射させる反射膜４が成膜されている。
【００３０】
磁性ガーネット膜３は、磁化容易軸が膜面に平行である面内磁気特性を有しており、外部からの磁束によって、結晶粒の磁化方向が変化し、当該磁束の磁化状態を転写し得るようになされている。
【００３１】
これにより磁性ガーネット膜３は、光学系及び光学系装置としての偏光顕微鏡（後述する）によって光が照射されることにより、当該光が透過して磁化状態の変化を光の明暗のコントラストとして視覚的に観察し得るようになされている。
【００３２】
ここで、本発明による磁性ガーネット膜３は、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope（原子間力顕微鏡））により表面形状を確認すると、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、結晶粒が表面上に分散した構造（以下、これをグラニュラー構造と呼ぶ）からなり、各結晶粒の粒径が偏光顕微鏡の分解能よりも小さい約５０［ｎｍ］程度に形成されている。
【００３３】
このように磁性ガーネット膜３は、結晶粒が極めて小さくグラニュラー構造に形成されていることにより、偏光顕微鏡で観察する際に、磁区が粒径程度に細かく寸断され、従来のような大きな磁区が発生し難くなっている。
【００３４】
なお、ここで分解能ｄとは、互いに近接した２つの点が、離れた２つの点として見分けられる最小距離を示すものであり、分解能ｄは偏光顕微鏡における対物レンズの開口数をＮＡとし、光の波長をλとすると、ｄ＝０．６・λ／ＮＡで求めることができる。
【００３５】
また、磁性ガーネット膜３は、膜厚が２００［ｎｍ］よりも小さいと、外部から受ける磁束による磁化状態の変化が計測し難くなり、一方、膜厚が１［μｍ］よりも大きいと、結晶粒が大きくなり結晶粒が見え、磁気転写情報が当該結晶粒によって確認し難くなる。従って、磁化状態を変化させて磁気パターン情報を確実に転写させると共に、磁気転写情報を正確に確認させるには、磁性ガーネット膜３の膜厚を２００［ｎｍ］〜１［μｍ］に形成することが好ましい。
【００３６】
実際上、図１及び図３に示すように、酸化物基板５上の所定部位に超伝導体６が所定パターンで配置された記録媒体等の測定対象物７の磁気パターン情報を転写させる場合には、当該測定対象物７の表面に、磁気転写素子１の膜面を平行にさせた状態で近接配置させる。
【００３７】
これにより磁気転写素子１は、図４に示すように、超伝導体６が発する磁束Ａによって、膜面と平行な面内方向Ｍに沿って磁性ガーネット膜３の磁化状態が変化し、測定対象物７の磁化分布としての磁気パターン情報が転写され得るように構成されている。
【００３８】
次に、磁性ガーネット膜３の磁化状態の変化を観察するための偏光顕微鏡について以下説明する。図５に示すように、偏光顕微鏡10は、光源11、ポラライザ12、ハーフミラー13、対物レンズ14、アナライザ１5及びＣＣＤカメラ16から構成され、当該ＣＣＤカメラ16にパーソナルコンピュータ17が接続されている。
【００３９】
偏光顕微鏡10は、光源11から発した光をポラライザ12に入射させることにより１方向の直線偏光を抽出し、この直線偏光をハーフミラー13に反射させた後対物レンズ14を通過させてステージ（図示せず）に位置決めさせた磁気転写素子１に照射する。
【００４０】
これにより磁気転写素子１は、図６に示すように、磁気転写情報Ｐを有する磁性ガーネット膜３及びＧＧＧ基板２を透過した光Ｌ１を反射膜４の表面で反射させた後、この反射光Ｌ２をＧＧＧ基板２及び磁性ガーネット膜３に透過させる。このとき反射光Ｌ２は磁性ガーネット膜３によって偏向角がずれ対物レンズ14に入射する。
【００４１】
偏光顕微鏡10は、図５に示したように、対物レンズ14に入射した反射光Ｌ２をハーフミラー13を介してアナライザ15に入射し、当該アナライザ15により磁気転写情報Ｐ（図６）を光の明暗のコントラストで表わして、これをＣＣＤカメラ16により撮像し得る。
【００４２】
ＣＣＤカメラ16は、反射光Ｌ２により形成された光の明暗のコントラストを撮像すると、これを撮像データとしてパーソナルコンピュータ17に送出する。これによりパーソナルコンピュータ17は、光の明暗のコントラストを解析して、磁気転写素子１を介して間接的に測定対象物７の情報を得、これを表示部（図示せず）に表示して当該測定対象物７の情報をユーザに確認させ得るようになされている。
【００４３】
（１−２）磁気転写素子の製造方法
次に上述した磁気転写素子１の製造方法について以下説明する。
【００４４】
（１−２−１）Ｙ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜の製造方法の概要
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し、残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）法によりＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２（Ｂｉ：ＹＩＧ）の磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜する。
【００４５】
ここで、有機イットリウム化合物としては、オクチル酸イットリウム、カプリル酸イットリウム、デカン酸イットリウム、ナフテン酸イットリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４６】
また、有機溶媒としては、プロピオン酸、オクチル酸、カプリル酸、デカン酸、ナフテン酸、テレピン油、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソアミル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、キシレン、オクタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４７】
さらに、有機鉄化合物としては、オクチル酸鉄、カプリル酸鉄、デカン酸鉄、ナフテン酸鉄の中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４８】
有機ビスマス化合物としては、オクチル酸ビスマス、カプリル酸ビスマス、デカン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマスの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４９】
そして、磁性ガーネット膜３に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板２において磁性ガーネット膜３を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００５０】
（１−２−２）実施例１
先ず始めに磁性ガーネット膜３を形成するための液体組成物としての原料溶液を製造する。具体的には、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００５１】
また、これとは別にオクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００５２】
次いで、第１の溶液４４．７２ｇ（Ｙ１１．９ミリモル）と、第２の溶液８０．０１ｇ（Ｆｅ２９．７ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液５．０１ｇ（Ｂｉ５．９９ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【００５３】
この混合溶液に濃度調整のためにテレピン油２４．６８ｇと酢酸ｎ−ブチル１２．３４ｇと酢酸エチル４．１１ｇとナフテン酸１．２０ｇとを添加し、均一な金属比率Ｂｉ：Ｙ：Ｆｅ＝１：２：５となる原料溶液を作製した。
【００５４】
なお、この実施の形態の場合、原料溶液は、５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。すなわち、本発明による磁性ガーネット膜３を形成するための原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００５５】
次いで、ＧＧＧ基板２の一面に有機金属溶液である作製した原料溶液を塗布し、熱処理を加えるだけの極めて簡便な成膜法であるＭＯＤ法によって、有機金属化合物たるＢｉ：ＹＩＧを熱分解することによりＧＧＧ基板２の一面に磁性ガーネット膜３を形成した。
【００５６】
具体的には、先ず始めに、ＧＧＧ基板２を洗浄した後、当該ＧＧＧ基板２の一面に原料溶液をスピンコートにより塗布した。なお、スピンコートは回転数２０００〜４０００ｒｐｍで、時間２０〜６０ｓとした。塗布後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥し、これらのプロセスを数回繰り返す。薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節し得る。乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｂｉ：ＹＩＧからなる磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜した。次いで、この磁性ガーネット膜３に反射膜４を成膜した。
【００５７】
このようにしてＧＧＧ基板２及び反射膜４間に、グラニュラー構造であって磁気特性の最小変化単位が偏光顕微鏡10の分解能よりも小さい粒径からなり、磁化容易軸が膜面に平行（すなわち面内方向Ｍ）な磁性ガーネット膜３を成膜できた。
【００５８】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜３は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁気特性を有するか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜３は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００５９】
次に、例えば円形状であって、磁束密度が２、５、１２、７４、３７及び０［ｍＴ］の各超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、磁気転写素子１の膜面を平行にして近接配置させた。
【００６０】
この磁気転写素子１を偏光顕微鏡10を用いて観察した場合、図７（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、磁気転写情報Ｐが確認でき、各超伝導体による磁束を、磁気転写素子１の磁性ガーネット膜３に転写できていることが確認できた。また、この際、磁気転写素子１では、各超伝導体からの磁束を受けて磁化状態が変化して形成された磁気転写情報Ｐのみが現れ、磁区が現れないことが確認できた。
【００６１】
因みに、図８（Ａ）に示すように、例えば円形状の超伝導体20を設けた酸化物基板21上に、磁気転写素子１を重ねた場合には、図８（Ｂ）に示すように、磁気転写素子１の反射膜４によって超伝導体21が遮られ、顕微鏡により超伝導体21を直接目視確認できなくなった。しかしながら、このような磁気転写素子１では、偏光顕微鏡によって観察すると、磁性ガーネット膜３の磁化状態の変化が確認できることから、超伝導体21によって形成された磁束の変化のみを観察できる。
【００６２】
（１−３）動作及び効果
以上の構成において、磁気転写素子１では、均一な金属比率Ｂｉ：Ｙ：Ｆｅ＝１：２：５となる原料溶液を用いてＭＯＤ法によりＧＧＧ基板２の一面に成膜処理を施すことにより、グラニュラー構造であって磁気特性の最小変化単位が、偏光顕微鏡10の分解能よりも小さい粒径からなり、磁化容易軸が膜面に平行に形成された磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜できる。
【００６３】
磁気転写素子１では、ＧＧＧ基板２の一面にＢｉ：ＹＩＧでなる磁性ガーネット膜３を成膜するようにしたことにより、所定の磁気パターン情報を備えた測定対象物７の表面に対して、磁性ガーネット膜３の膜面を平行に近接配置させることで、当該測定対象物７の磁気パターン情報を磁性ガーネット膜３に磁化状態の変化として転写できる。
【００６４】
ところで、図９（Ａ）に示すように、従来のＬＥＰ法により成長させた磁性ガーネット膜を備える磁気転写素子30では、測定対象物７の磁気パターン情報を転写させても、磁気転写情報Ｐに重なるように磁区Ｇが現れてしまい、磁気転写情報Ｐのみを認識し得ない。
【００６５】
これに対して、本発明による磁気転写素子１では、磁性ガーネット膜３の結晶粒の粒径が偏光顕微鏡10の分解能よりも小さいグラニュラー構造に形成されることにより、図９（Ｂ）に示すように、従来形成されていた磁区Ｇが磁性ガーネット膜３を構成する粒径程度に細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが形成されることを抑制し、その結果、偏光顕微鏡10で磁性ガーネット膜３を観察した際、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを従来よりも正確に認識できる。
【００６６】
また、磁気転写素子１では、偏光顕微鏡10を用いて光学的な計測を行うことができるので、磁気転写情報Ｐの高速な測定が可能であって、かつ空間分解能がサブミクロンまで可能である。
【００６７】
そして、磁気転写素子１の観察に用いる偏光顕微鏡10は、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ Magnetic Force Microscopy）や、ＳＱＵＩＤ顕微鏡等の他の顕微鏡に比べても簡便で安値であることからコスト低減を図ることができ、かつこれら顕微鏡よりも総合的な性能も優れ、磁気転写素子１の磁気転写情報Ｐを正確に確認できる。
【００６８】
以上の構成によれば、磁化状態が変化する表面形状をグラニュラー構造に形成し、磁化容易軸が膜面に平行に形成するようにしたことにより、磁気転写情報Ｐを偏光顕微鏡10により観察する際、従来形成されていた磁区Ｇが、グラニュラー構造により細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが発生することを抑制できる。従って、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを認識させることができ、かくして測定対象物の所定部位に記録された磁気パターン情報を従来よりも正確に確認させ得る。
【００６９】
（２）第２の実施の形態
（２−１）Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第２の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物のみが異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００７０】
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ法によりＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００７１】
ここで、有機イットリウム化合物等については上述した第１の実施の形態と同様であり、有機ガリウム化合物としては、オクチル酸ガリウム、カプリル酸ガリウム、デカン酸ガリウム、ナフテン酸ガリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００７２】
そして、磁性ガーネット膜に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００７３】
（２−２）実施例２
この場合、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００７４】
また、これとは別に、オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００７５】
さらに、これとは別に、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００７６】
次いで、第１の溶液を３３．６８ｇ（Ｙ８．９５ミリモル）と、第２の溶液を４７．６２ｇ（Ｆｅ１７．８ミリモル）と、第３の溶液を１３．９７ｇ（Ｇａ４．４７ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液３．７４ｇ（Ｂｉ４．４７ミリモル）とを混合し、混合溶液を作製した。
【００７７】
次いで、この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１８．６ｇと酢酸ｎ−ブチル９．３ｇと酢酸エチル３．１ｇを添加し、均一な金属比率Ｙ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる透明な原料溶液を作製した。なお、このようにして作製されたＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２でなる液体組成物としての原料溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、この液体原料は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００７８】
次いで、ＧＧＧ基板を洗浄後、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２原料溶液を、上述した条件と同じ条件でスピンコートにより塗布した後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥させた。これらのプロセスを数回繰り返す。薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節し得る。次いで、乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜した。
【００７９】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００８０】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【００８１】
（３）第３の実施の形態
（３−１）Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第３の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物のみが異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００８２】
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液とを混合し、これをMOD法を用いてＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２からなる磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００８３】
ここで、磁性ガーネット膜に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００８４】
（３−２）実施例３
この場合、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００８５】
また、これとは別に、オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００８６】
さらに、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００８７】
次いで、第１の溶液を５８．５９ｇ（Ｙ１５．６ミリモル）と、第２の溶液を５５．２２ｇ（Ｆｅ２０．７ミリモル）と、第３の溶液を１６．２０ｇ（Ｇａ５．１９ミリモル）とを混合し、均一な金属比率Ｙ：Ｆｅ：Ｇａ＝３：４：１となる液体組成物としての原料溶液を作製した。
【００８８】
このようにして作製されたＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００８９】
次いで、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【００９０】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００９１】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【００９２】
（４）第４の実施の形態
（４−１）Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第４の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物と、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００９３】
この場合、有機ネオジム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ法によりＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００９４】
ここで、有機ネオジム化合物としては、オクチル酸ネオジム、カプリル酸ネオジム、デカン酸ネオジム、ナフテン酸ネオジムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００９５】
そして、磁性ガーネット膜に有機ネオジム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１００）面又は（１１０）面であることが好ましい。
【００９６】
（４−２）実施例４
この場合、カプリル酸ネオジム３３．８ｇにロジン３５．６ｇを添加し、オイルバス１５０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸６．５７ｇとテレピン油１５７．９ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．０ｇと酢酸エチル２６．３ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００９７】
また、オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００９８】
さらに、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００９９】
次いで、第１の溶液を４４．５３ｇ（Ｎｄ７．９４ミリモル）と、第２の溶液を４２．２６ｇ（Ｆｅ１５．９ミリモル）と、第３の溶液を１２．４０ｇ（Ｇａ３．９７ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液３．３２ｇ（Ｂｉ３．９７ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【０１００】
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｎｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる原料溶液を作製した。なお、このようにして作製されたＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料溶液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【０１０１】
次いで、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【０１０２】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【０１０３】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【０１０４】
（５）第５の実施の形態
（５−１）Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜
第５の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物と、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【０１０５】
この場合、有機ガドリニウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてMOD法によりＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【０１０６】
ここで、有機ガドリニウム化合物としては、オクチル酸ガドリニウム、カプリル酸ガドリニウム、デカン酸ガドリニウム、ナフテン酸ガドリニウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【０１０７】
そして、磁性ガーネット膜に有機ガドリニウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１００）面又は（１１０）面であることが好ましい。
【０１０８】
（５−２）実施例５
この場合、オクチル酸ガドリニウム４７．４５ｇにロジン１７．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、ナフテン酸１３．７ｇとテレピン油１５８．３ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．１ｇと酢酸エチル２６．４ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【０１０９】
また、オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【０１１０】
また、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【０１１１】
次いで、第１の溶液を４６．７２ｇ（Ｇｄ７．７８ミリモル）と、第２の溶液を４１．１７ｇ（Ｆｅ１５．５ミリモル）と、第３の溶液を１２．０８ｇ（Ｇａ３．８６ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液３．２３ｇ（Ｂｉ３．８６ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【０１１２】
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｇｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる原料溶液を作製した。このようにして作製されたＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料用液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【０１１３】
次いで、Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる液体組成物としての原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【０１１４】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【０１１５】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【０１１６】
（６）他の実施の形態
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、例えば磁性ガーネット膜が成膜される基板として、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体やコーニング７０５９ガラス基板、石英ガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス等の温度が高くても溶けないガラス材等この他種々の基板を適用するようにしても良い。なお、ガラス材からなる基板を用いた場合には、イットリウム等の希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、当該基板に磁性ガーネット膜を成膜できる。
【０１１７】
また、上述した実施の形態においては、偏光顕微鏡10を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、磁気転写素子に光を照射する光源と、当該磁気転写素子からの反射光を受光し、当該磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザとを備えればこの他種々の光学系及び光学系装置を用いても良い。
【０１１８】
また、上述した実施の形態においては、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である磁性ガーネット膜として、Ｂｉ：ＹＩＧ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２又はＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料用溶液を用いてＭＯＤ法により形成した磁性ガーネット膜を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である磁性ガーネット膜を成膜できれば良く、この他種々の液体組成物より種々の方法で磁性ガーネット膜を成膜しても良い。
【０１１９】
さらに、上述した実施の形態においては、希土類の有機化合物として、イットリウム、有機ネオジム化合物及び有機ガドリニウム化合物を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の希土類を適用するようにしても良い。
【０１２０】
さらに、上述した実施の形態においては、磁気転写素子１の反射膜４で偏光顕微鏡10からの光を反射させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、磁気転写素子１の反射膜４の替わりに、偏光顕微鏡に反射鏡を設け、磁気転写素子を透過した光を当該反射鏡で反射させるようにしても良い。また、反射膜４を有しなくとも、磁性ガーネット膜表面が平滑であれば、当該表面で光を反射させることができるので、当該光の反射を利用して磁化状態の変化を観察できる。
【０１２１】
さらに、上述した実施の形態においては、測定対象物に近接配置し、測定対象物における所定部位の磁化分布を磁気的に転写するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電流分布又は磁化分布を有する種々の部位に近接配置し、当該部位の電流分布又は磁化分布を磁気的に転写するようにしても良く、この場合、当該部位において電流分布又は磁化分布が有するか否かを磁性転写素子を介して検査等することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明による磁気転写素子の全体構成と、測定対象物の全体構成とを示した概略図である。
【図２】磁性ガーネット膜をＡＦＭにより観察したときの写真である。
【図３】磁気転写素子を測定対象物に近接配置させたときの様子を示す概略図である。
【図４】測定対象物の磁気パターン情報が磁気転写素子に転写される様子を示す概略図である。
【図５】偏光顕微鏡の全体構成を示す概略図である。
【図６】偏光顕微鏡によって磁気転写素子を観察するときの様子を示す概略図である。
【図７】磁気転写素子に転写された磁気パターン情報を偏光顕微鏡で撮影したときの写真である。
【図８】磁気転写素子を超伝導体上に配置させる前と、配置させた後とを示す写真である。
【図９】従来の磁気転写素子に転写された磁気パターン情報と、本発明による磁気転写素子に転写された磁気パターン情報とを観察したときの写真である。
【図１０】従来の磁気転写素子に転写された磁気パターン情報に磁区が現れたときの様子を示す写真である。
【符号の説明】
【０１２３】
１ 磁気転写素子
２ ＧＧＧ基板
３ 磁性ガーネット膜
７ 測定対象物（記録媒体）
10 偏光顕微鏡（光学系、光学系装置）
11 光源
15 アナライザ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性ガーネット膜、磁気転写素子及び光学系装置に関し、例えば磁気テープやディスク、磁気カード等の測定対象物に記録された所定の情報、或いは半導体や超伝導体等の磁束分布又は電流分布を非破壊で確認し得る磁気転写素子に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液相エピタキシャル成長(ＬＰＥ：Liquid Phase Epitaxy)法により成長させた単結晶からなる磁性ガーネット膜を基板に備えた磁気転写素子が知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
かかる構成の磁気転写素子は、所定の情報が記録された測定対象物の表面に、磁性ガーネット膜の膜面を近接配置させる。これにより、磁気転写素子は、測定対象物内部の磁気部材によって形成される磁束によって磁性ガーネット膜が磁化され得る。
【０００４】
かくして、磁気転写素子は、測定対象物における磁気部材の磁気パターン（以下、これを磁気パターン情報と呼ぶ）を磁性ガーネット膜に転写し得るようになされている。
【０００５】
そして、このような磁気転写素子は、偏光顕微鏡のステージに載置され、当該偏光顕微鏡の光源からの光が磁性ガーネット膜に照射されることで、磁性ガーネット膜における磁気光学効果（ファラデー効果）により、磁化された部分と磁化されない部分が光の明暗のコントラストとなって現れる。
【０００６】
かくして磁気転写素子は、光の明暗のコントラストをパーソナルコンピュータで解析することにより、間接的に測定対象物の磁気パターン情報を把握し、測定対象物に記録された所定の情報を確認し得るようになされている。
【０００７】
このように磁気転写素子は、測定対象物の外部から視認し得ない内部の磁気パターン情報であっても、転写させた磁気パターン情報（以下、これを磁気転写情報と呼ぶ）を介して測定対象物に記録された所定の情報を容易に確認できるようになされている。
【特許文献１】特開２００５−２９１７０７号公報
【特許文献２】特開２００５−２９２１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、かかる構成の磁気転写素子100では、例えば磁束密度が０．４［ｍＴ］や０．８［ｍＴ］のような印加電界が弱いときは、超伝導体に磁束があまり侵入していないため、偏光顕微鏡で観察すると、観察している領域で磁場の分布又は勾配が大きくなく、磁気転写情報101のみを確認できる。
【０００９】
しかしながら、かかる構成の磁気転写素子100では、例えば磁束密度が１．２［ｍＴ］や１．６［ｍＴ］のとき、磁束の侵入により、磁束分布に勾配ができ、このことにより、図１０（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、磁気転写情報101だけでなく、三角状に尖った複数の磁区Ｇが現れてしまう。
【００１０】
このように、ＬＰＥ法で成長させた磁性ガーネット膜を用いた磁気転写素子100では、磁気転写情報101と磁区Ｇとが重なり合って現れてしまうことから、磁気転写情報101のみを認識し難くなり、この結果、測定対象物に記録された磁気パターン情報を正確に確認し得ないという問題があった。
【００１１】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、磁区の発生を抑制し、所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る磁性ガーネット膜、磁気転写素子及び光学系装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる課題を解決するため本発明の請求項１の磁性ガーネット膜は、電流分布又は磁化分布を有する部位に近接配置することにより、前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写磁性ガーネット膜であって、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項２の磁性ガーネット膜は、前記部位を有する記録媒体に近接配置することにより、前記記録媒体の前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写することを特徴とするものである。
【００１４】
さらに、本発明の請求項３の磁性ガーネット膜は、有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１１１）面に成膜されることを特徴とするものである。
【００１５】
さらに、本発明の請求項４の磁性ガーネット膜は、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１００）面又は（１１０）面に成膜されることを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明の請求項５の磁性ガーネット膜は、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、ガラス材からなる基板に成膜されることを特徴とするものである。
【００１７】
さらに、本発明の請求項６の磁性ガーネット膜は、膜厚が２００［ｎｍ］〜１［μｍ］であることを特徴とするものである。
【００１８】
さらに、本発明の請求項７の磁気転写素子は、請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜を基板に備えることを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、本発明の請求項８の光学系装置は、請求項７に記載の磁気転写素子に光を照射する光源と、前記磁気転写素子からの反射光を受光し、前記磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザとを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の請求項１の磁性ガーネット膜によれば、磁化状態を変化させて転写された電気分布又は磁化分布を光学系で観察する際、従来形成されていた磁区が、グラニュラー構造により細かく寸断されるので、大きな磁区が発生することを抑制し、転写された電気分布又は磁化分布のみを認識させることができ、かくして所定部位における電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【００２１】
また、本発明の請求項２の磁性ガーネット膜によれば、大きな磁区が発生することを抑制し、転写された電気分布又は磁化分布のみを認識させることができ、かくして記録媒体に記録された電気分布又は磁化分布を従来よりも正確に確認させ得る。
【００２２】
さらに、本発明の請求項３の磁性ガーネット膜によれば、有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いて、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２３】
さらに、本発明の請求項４の磁性ガーネット膜によれば、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２４】
さらに、本発明の請求項５の磁性ガーネット膜によれば、希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてガラス材からなる基板に磁性ガーネット膜を容易に成膜できる。
【００２５】
さらに、本発明の請求項６の磁性ガーネット膜によれば、磁化状態を変化させて電気分布又は磁化分布を確実に転写できると共に、当該転写した電気分布又は磁化分布を正確に確認できる。
【００２６】
さらに、請求項７の磁気転写素子によれば、磁気ガーネット膜を基板に備えるようにしたことで、基板を介して磁気ガーネット膜に所定の強度を与え、当該磁気ガーネット膜を容易に取り扱うことができる。
【００２７】
さらに、本発明の請求項８の光学系装置によれば、磁気転写素子に転写された電気分布又は磁化分布を光の明暗のコントラストにより表示するようにしたことにより、転写した電気分布又は磁化分布の高速な測定が可能となり、磁気力顕微鏡（ＭＦＭMagnetic Force Microscopy）やＳＱＵＩＤ顕微鏡等の他の顕微鏡に比べても簡便で安値であることからコスト低減も図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下図面に基づいて本発明の実施の形態を詳述する。
【００２９】
（１）第１の実施の形態
（１−１）磁気転写素子及び偏光顕微鏡の構成
図１において、１は本発明による磁気転写素子を示し、この磁気転写素子１は、光を透過するガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２）基板（以下、これを単にＧＧＧ基板と呼ぶ）２の一面に、Ｂｉ１Ｙ２Ｆｅ５Ｏ１２（以下、これを単にＢｉ：ＹＩＧと呼ぶ）でなる磁性ガーネット膜３が成膜され、当該磁性ガーネット膜３に磁性体金属たる白金（Ｐｔ）やアルミニウム等からなり光を反射させる反射膜４が成膜されている。
【００３０】
磁性ガーネット膜３は、磁化容易軸が膜面に平行である面内磁気特性を有しており、外部からの磁束によって、結晶粒の磁化方向が変化し、当該磁束の磁化状態を転写し得るようになされている。
【００３１】
これにより磁性ガーネット膜３は、光学系及び光学系装置としての偏光顕微鏡（後述する）によって光が照射されることにより、当該光が透過して磁化状態の変化を光の明暗のコントラストとして視覚的に観察し得るようになされている。
【００３２】
ここで、本発明による磁性ガーネット膜３は、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope（原子間力顕微鏡））により表面形状を確認すると、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、結晶粒が表面上に分散した構造（以下、これをグラニュラー構造と呼ぶ）からなり、各結晶粒の粒径が偏光顕微鏡の分解能よりも小さい約５０［ｎｍ］程度に形成されている。
【００３３】
このように磁性ガーネット膜３は、結晶粒が極めて小さくグラニュラー構造に形成されていることにより、偏光顕微鏡で観察する際に、磁区が粒径程度に細かく寸断され、従来のような大きな磁区が発生し難くなっている。
【００３４】
なお、ここで分解能ｄとは、互いに近接した２つの点が、離れた２つの点として見分けられる最小距離を示すものであり、分解能ｄは偏光顕微鏡における対物レンズの開口数をＮＡとし、光の波長をλとすると、ｄ＝０．６・λ／ＮＡで求めることができる。
【００３５】
また、磁性ガーネット膜３は、膜厚が２００［ｎｍ］よりも小さいと、外部から受ける磁束による磁化状態の変化が計測し難くなり、一方、膜厚が１［μｍ］よりも大きいと、結晶粒が大きくなり結晶粒が見え、磁気転写情報が当該結晶粒によって確認し難くなる。従って、磁化状態を変化させて磁気パターン情報を確実に転写させると共に、磁気転写情報を正確に確認させるには、磁性ガーネット膜３の膜厚を２００［ｎｍ］〜１［μｍ］に形成することが好ましい。
【００３６】
実際上、図１及び図３に示すように、酸化物基板５上の所定部位に超伝導体６が所定パターンで配置された記録媒体等の測定対象物７の磁気パターン情報を転写させる場合には、当該測定対象物７の表面に、磁気転写素子１の膜面を平行にさせた状態で近接配置させる。
【００３７】
これにより磁気転写素子１は、図４に示すように、超伝導体６が発する磁束Ａによって、膜面と平行な面内方向Ｍに沿って磁性ガーネット膜３の磁化状態が変化し、測定対象物７の磁化分布としての磁気パターン情報が転写され得るように構成されている。
【００３８】
次に、磁性ガーネット膜３の磁化状態の変化を観察するための偏光顕微鏡について以下説明する。図５に示すように、偏光顕微鏡10は、光源11、ポラライザ12、ハーフミラー13、対物レンズ14、アナライザ１5及びＣＣＤカメラ16から構成され、当該ＣＣＤカメラ16にパーソナルコンピュータ17が接続されている。
【００３９】
偏光顕微鏡10は、光源11から発した光をポラライザ12に入射させることにより１方向の直線偏光を抽出し、この直線偏光をハーフミラー13に反射させた後対物レンズ14を通過させてステージ（図示せず）に位置決めさせた磁気転写素子１に照射する。
【００４０】
これにより磁気転写素子１は、図６に示すように、磁気転写情報Ｐを有する磁性ガーネット膜３及びＧＧＧ基板２を透過した光Ｌ１を反射膜４の表面で反射させた後、この反射光Ｌ２をＧＧＧ基板２及び磁性ガーネット膜３に透過させる。このとき反射光Ｌ２は磁性ガーネット膜３によって偏向角がずれ対物レンズ14に入射する。
【００４１】
偏光顕微鏡10は、図５に示したように、対物レンズ14に入射した反射光Ｌ２をハーフミラー13を介してアナライザ15に入射し、当該アナライザ15により磁気転写情報Ｐ（図６）を光の明暗のコントラストで表わして、これをＣＣＤカメラ16により撮像し得る。
【００４２】
ＣＣＤカメラ16は、反射光Ｌ２により形成された光の明暗のコントラストを撮像すると、これを撮像データとしてパーソナルコンピュータ17に送出する。これによりパーソナルコンピュータ17は、光の明暗のコントラストを解析して、磁気転写素子１を介して間接的に測定対象物７の情報を得、これを表示部（図示せず）に表示して当該測定対象物７の情報をユーザに確認させ得るようになされている。
【００４３】
（１−２）磁気転写素子の製造方法
次に上述した磁気転写素子１の製造方法について以下説明する。
【００４４】
（１−２−１）Ｙ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜の製造方法の概要
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し、残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）法によりＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２（Ｂｉ：ＹＩＧ）の磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜する。
【００４５】
ここで、有機イットリウム化合物としては、オクチル酸イットリウム、カプリル酸イットリウム、デカン酸イットリウム、ナフテン酸イットリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４６】
また、有機溶媒としては、プロピオン酸、オクチル酸、カプリル酸、デカン酸、ナフテン酸、テレピン油、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソアミル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、キシレン、オクタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４７】
さらに、有機鉄化合物としては、オクチル酸鉄、カプリル酸鉄、デカン酸鉄、ナフテン酸鉄の中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４８】
有機ビスマス化合物としては、オクチル酸ビスマス、カプリル酸ビスマス、デカン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマスの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００４９】
そして、磁性ガーネット膜３に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板２において磁性ガーネット膜３を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００５０】
（１−２−２）実施例１
先ず始めに磁性ガーネット膜３を形成するための液体組成物としての原料溶液を製造する。具体的には、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００５１】
また、これとは別にオクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００５２】
次いで、第１の溶液４４．７２ｇ（Ｙ１１．９ミリモル）と、第２の溶液８０．０１ｇ（Ｆｅ２９．７ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液５．０１ｇ（Ｂｉ５．９９ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【００５３】
この混合溶液に濃度調整のためにテレピン油２４．６８ｇと酢酸ｎ−ブチル１２．３４ｇと酢酸エチル４．１１ｇとナフテン酸１．２０ｇとを添加し、均一な金属比率Ｂｉ：Ｙ：Ｆｅ＝１：２：５となる原料溶液を作製した。
【００５４】
なお、この実施の形態の場合、原料溶液は、５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。すなわち、本発明による磁性ガーネット膜３を形成するための原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００５５】
次いで、ＧＧＧ基板２の一面に有機金属溶液である作製した原料溶液を塗布し、熱処理を加えるだけの極めて簡便な成膜法であるＭＯＤ法によって、有機金属化合物たるＢｉ：ＹＩＧを熱分解することによりＧＧＧ基板２の一面に磁性ガーネット膜３を形成した。
【００５６】
具体的には、先ず始めに、ＧＧＧ基板２を洗浄した後、当該ＧＧＧ基板２の一面に原料溶液をスピンコートにより塗布した。なお、スピンコートは回転数２０００〜４０００ｒｐｍで、時間２０〜６０ｓとした。塗布後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥し、これらのプロセスを数回繰り返す。薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節し得る。乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｂｉ：ＹＩＧからなる磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜した。次いで、この磁性ガーネット膜３に反射膜４を成膜した。
【００５７】
このようにしてＧＧＧ基板２及び反射膜４間に、グラニュラー構造であって磁気特性の最小変化単位が偏光顕微鏡10の分解能よりも小さい粒径からなり、磁化容易軸が膜面に平行（すなわち面内方向Ｍ）な磁性ガーネット膜３を成膜できた。
【００５８】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜３は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁気特性を有するか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜３は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００５９】
次に、例えば円形状であって、磁束密度が２、５、１２、７４、３７及び０［ｍＴ］の各超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、磁気転写素子１の膜面を平行にして近接配置させた。
【００６０】
この磁気転写素子１を偏光顕微鏡10を用いて観察した場合、図７（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、磁気転写情報Ｐが確認でき、各超伝導体による磁束を、磁気転写素子１の磁性ガーネット膜３に転写できていることが確認できた。また、この際、磁気転写素子１では、各超伝導体からの磁束を受けて磁化状態が変化して形成された磁気転写情報Ｐのみが現れ、磁区が現れないことが確認できた。
【００６１】
因みに、図８（Ａ）に示すように、例えば円形状の超伝導体20を設けた酸化物基板21上に、磁気転写素子１を重ねた場合には、図８（Ｂ）に示すように、磁気転写素子１の反射膜４によって超伝導体21が遮られ、顕微鏡により超伝導体21を直接目視確認できなくなった。しかしながら、このような磁気転写素子１では、偏光顕微鏡によって観察すると、磁性ガーネット膜３の磁化状態の変化が確認できることから、超伝導体21によって形成された磁束の変化のみを観察できる。
【００６２】
（１−３）動作及び効果
以上の構成において、磁気転写素子１では、均一な金属比率Ｂｉ：Ｙ：Ｆｅ＝１：２：５となる原料溶液を用いてＭＯＤ法によりＧＧＧ基板２の一面に成膜処理を施すことにより、グラニュラー構造であって磁気特性の最小変化単位が、偏光顕微鏡10の分解能よりも小さい粒径からなり、磁化容易軸が膜面に平行に形成された磁性ガーネット膜３をＧＧＧ基板２の一面に成膜できる。
【００６３】
磁気転写素子１では、ＧＧＧ基板２の一面にＢｉ：ＹＩＧでなる磁性ガーネット膜３を成膜するようにしたことにより、所定の磁気パターン情報を備えた測定対象物７の表面に対して、磁性ガーネット膜３の膜面を平行に近接配置させることで、当該測定対象物７の磁気パターン情報を磁性ガーネット膜３に磁化状態の変化として転写できる。
【００６４】
ところで、図９（Ａ）に示すように、従来のＬＥＰ法により成長させた磁性ガーネット膜を備える磁気転写素子30では、測定対象物７の磁気パターン情報を転写させても、磁気転写情報Ｐに重なるように磁区Ｇが現れてしまい、磁気転写情報Ｐのみを認識し得ない。
【００６５】
これに対して、本発明による磁気転写素子１では、磁性ガーネット膜３の結晶粒の粒径が偏光顕微鏡10の分解能よりも小さいグラニュラー構造に形成されることにより、図９（Ｂ）に示すように、従来形成されていた磁区Ｇが磁性ガーネット膜３を構成する粒径程度に細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが形成されることを抑制し、その結果、偏光顕微鏡10で磁性ガーネット膜３を観察した際、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを従来よりも正確に認識できる。
【００６６】
また、磁気転写素子１では、偏光顕微鏡10を用いて光学的な計測を行うことができるので、磁気転写情報Ｐの高速な測定が可能であって、かつ空間分解能がサブミクロンまで可能である。
【００６７】
そして、磁気転写素子１の観察に用いる偏光顕微鏡10は、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ Magnetic Force Microscopy）や、ＳＱＵＩＤ顕微鏡等の他の顕微鏡に比べても簡便で安値であることからコスト低減を図ることができ、かつこれら顕微鏡よりも総合的な性能も優れ、磁気転写素子１の磁気転写情報Ｐを正確に確認できる。
【００６８】
以上の構成によれば、磁化状態が変化する表面形状をグラニュラー構造に形成し、磁化容易軸が膜面に平行に形成するようにしたことにより、磁気転写情報Ｐを偏光顕微鏡10により観察する際、従来形成されていた磁区Ｇが、グラニュラー構造により細かく寸断され、これにより大きな磁区Ｇが発生することを抑制できる。従って、磁区Ｇが現れない分、磁気転写情報Ｐのみを認識させることができ、かくして測定対象物の所定部位に記録された磁気パターン情報を従来よりも正確に確認させ得る。
【００６９】
（２）第２の実施の形態
（２−１）Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第２の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物のみが異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００７０】
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ法によりＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００７１】
ここで、有機イットリウム化合物等については上述した第１の実施の形態と同様であり、有機ガリウム化合物としては、オクチル酸ガリウム、カプリル酸ガリウム、デカン酸ガリウム、ナフテン酸ガリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００７２】
そして、磁性ガーネット膜に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００７３】
（２−２）実施例２
この場合、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００７４】
また、これとは別に、オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００７５】
さらに、これとは別に、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００７６】
次いで、第１の溶液を３３．６８ｇ（Ｙ８．９５ミリモル）と、第２の溶液を４７．６２ｇ（Ｆｅ１７．８ミリモル）と、第３の溶液を１３．９７ｇ（Ｇａ４．４７ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液３．７４ｇ（Ｂｉ４．４７ミリモル）とを混合し、混合溶液を作製した。
【００７７】
次いで、この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１８．６ｇと酢酸ｎ−ブチル９．３ｇと酢酸エチル３．１ｇを添加し、均一な金属比率Ｙ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる透明な原料溶液を作製した。なお、このようにして作製されたＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２でなる液体組成物としての原料溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、この液体原料は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００７８】
次いで、ＧＧＧ基板を洗浄後、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２原料溶液を、上述した条件と同じ条件でスピンコートにより塗布した後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥させた。これらのプロセスを数回繰り返す。薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節し得る。次いで、乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜した。
【００７９】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００８０】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【００８１】
（３）第３の実施の形態
（３−１）Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第３の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物のみが異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００８２】
この場合、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液とを混合し、これをMOD法を用いてＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２からなる磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００８３】
ここで、磁性ガーネット膜に有機イットリウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１１１）面であることが好ましい。
【００８４】
（３−２）実施例３
この場合、オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００８５】
また、これとは別に、オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００８６】
さらに、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００８７】
次いで、第１の溶液を５８．５９ｇ（Ｙ１５．６ミリモル）と、第２の溶液を５５．２２ｇ（Ｆｅ２０．７ミリモル）と、第３の溶液を１６．２０ｇ（Ｇａ５．１９ミリモル）とを混合し、均一な金属比率Ｙ：Ｆｅ：Ｇａ＝３：４：１となる液体組成物としての原料溶液を作製した。
【００８８】
このようにして作製されたＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【００８９】
次いで、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【００９０】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【００９１】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【００９２】
（４）第４の実施の形態
（４−１）Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜の製造方法の概要
第４の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物と、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【００９３】
この場合、有機ネオジム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてＭＯＤ法によりＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【００９４】
ここで、有機ネオジム化合物としては、オクチル酸ネオジム、カプリル酸ネオジム、デカン酸ネオジム、ナフテン酸ネオジムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【００９５】
そして、磁性ガーネット膜に有機ネオジム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１００）面又は（１１０）面であることが好ましい。
【００９６】
（４−２）実施例４
この場合、カプリル酸ネオジム３３．８ｇにロジン３５．６ｇを添加し、オイルバス１５０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸６．５７ｇとテレピン油１５７．９ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．０ｇと酢酸エチル２６．３ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【００９７】
また、オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【００９８】
さらに、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【００９９】
次いで、第１の溶液を４４．５３ｇ（Ｎｄ７．９４ミリモル）と、第２の溶液を４２．２６ｇ（Ｆｅ１５．９ミリモル）と、第３の溶液を１２．４０ｇ（Ｇａ３．９７ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液３．３２ｇ（Ｂｉ３．９７ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【０１００】
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｎｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる原料溶液を作製した。なお、このようにして作製されたＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料溶液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料溶液は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【０１０１】
次いで、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【０１０２】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【０１０３】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【０１０４】
（５）第５の実施の形態
（５−１）Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２による磁性ガーネット膜
第５の実施の形態による磁気転写素子は、上述した第１の実施の形態と磁性ガーネット膜を成膜する液体組成物と、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が異なるものであり、重複した説明を避けるため異なる点について着目して以下説明する。
【０１０５】
この場合、有機ガドリニウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第１の溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第２の溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した第３の溶液と、有機ビスマス化合物とを混合し、これを用いてMOD法によりＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の磁性ガーネット膜を、ＧＧＧ基板の一面に成膜する。
【０１０６】
ここで、有機ガドリニウム化合物としては、オクチル酸ガドリニウム、カプリル酸ガドリニウム、デカン酸ガドリニウム、ナフテン酸ガドリニウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上が用いられる。
【０１０７】
そして、磁性ガーネット膜に有機ガドリニウム化合物が含まれている場合には、ＧＧＧ基板において磁性ガーネット膜を成長させる面が（１００）面又は（１１０）面であることが好ましい。
【０１０８】
（５−２）実施例５
この場合、オクチル酸ガドリニウム４７．４５ｇにロジン１７．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、ナフテン酸１３．７ｇとテレピン油１５８．３ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．１ｇと酢酸エチル２６．４ｇを添加し第１の溶液を作製した。
【０１０９】
また、オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し第２の溶液を作製した。
【０１１０】
また、カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し第３の溶液を作製した。
【０１１１】
次いで、第１の溶液を４６．７２ｇ（Ｇｄ７．７８ミリモル）と、第２の溶液を４１．１７ｇ（Ｆｅ１５．５ミリモル）と、第３の溶液を１２．０８ｇ（Ｇａ３．８６ミリモル）と、オクチル酸ビスマス溶液３．２３ｇ（Ｂｉ３．８６ミリモル）とを混合して混合溶液を作製した。
【０１１２】
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｇｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる原料溶液を作製した。このようにして作製されたＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料用液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。従って、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有することが確認できた。
【０１１３】
次いで、Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる液体組成物としての原料溶液を用いて上述したＭＯＤ法によって、ＧＧＧ基板の一面にＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁性ガーネット膜を成膜した。
【０１１４】
なお、このようにして作製された磁性ガーネット膜は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて磁化をもつか否かの評価を行った。その結果、磁性ガーネット膜は、磁化率曲線にヒステリシスをもつ強磁性体であって、磁化容易軸が面内方向Ｍであることが確認できた。
【０１１５】
そして、超伝導体をそれぞれ備えた酸化物基板の表面上に、Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる磁気転写素子の膜面を平行にして近接配置させた後、当該磁気転写素子を偏光顕微鏡10で観察した場合、上述した第１の実施の形態と同様に、磁区がグラニュラー構造により細かく寸断され、超伝導体の磁束による磁化状態の変化のみが現れ、磁区が現れていないことが確認できた。
【０１１６】
（６）他の実施の形態
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、例えば磁性ガーネット膜が成膜される基板として、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体やコーニング７０５９ガラス基板、石英ガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス等の温度が高くても溶けないガラス材等この他種々の基板を適用するようにしても良い。なお、ガラス材からなる基板を用いた場合には、イットリウム等の希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、当該基板に磁性ガーネット膜を成膜できる。
【０１１７】
また、上述した実施の形態においては、偏光顕微鏡10を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、磁気転写素子に光を照射する光源と、当該磁気転写素子からの反射光を受光し、当該磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザとを備えればこの他種々の光学系及び光学系装置を用いても良い。
【０１１８】
また、上述した実施の形態においては、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である磁性ガーネット膜として、Ｂｉ：ＹＩＧ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２、Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２又はＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２からなる原料用溶液を用いてＭＯＤ法により形成した磁性ガーネット膜を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である磁性ガーネット膜を成膜できれば良く、この他種々の液体組成物より種々の方法で磁性ガーネット膜を成膜しても良い。
【０１１９】
さらに、上述した実施の形態においては、希土類の有機化合物として、イットリウム、有機ネオジム化合物及び有機ガドリニウム化合物を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の希土類を適用するようにしても良い。
【０１２０】
さらに、上述した実施の形態においては、磁気転写素子１の反射膜４で偏光顕微鏡10からの光を反射させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、磁気転写素子１の反射膜４の替わりに、偏光顕微鏡に反射鏡を設け、磁気転写素子を透過した光を当該反射鏡で反射させるようにしても良い。また、反射膜４を有しなくとも、磁性ガーネット膜表面が平滑であれば、当該表面で光を反射させることができるので、当該光の反射を利用して磁化状態の変化を観察できる。
【０１２１】
さらに、上述した実施の形態においては、測定対象物に近接配置し、測定対象物における所定部位の磁化分布を磁気的に転写するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電流分布又は磁化分布を有する種々の部位に近接配置し、当該部位の電流分布又は磁化分布を磁気的に転写するようにしても良く、この場合、当該部位において電流分布又は磁化分布が有するか否かを磁性転写素子を介して検査等することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明による磁気転写素子の全体構成と、測定対象物の全体構成とを示した概略図である。
【図２】磁性ガーネット膜をＡＦＭにより観察したときの写真である。
【図３】磁気転写素子を測定対象物に近接配置させたときの様子を示す概略図である。
【図４】測定対象物の磁気パターン情報が磁気転写素子に転写される様子を示す概略図である。
【図５】偏光顕微鏡の全体構成を示す概略図である。
【図６】偏光顕微鏡によって磁気転写素子を観察するときの様子を示す概略図である。
【図７】磁気転写素子に転写された磁気パターン情報を偏光顕微鏡で撮影したときの写真である。
【図８】磁気転写素子を超伝導体上に配置させる前と、配置させた後とを示す写真である。
【図９】従来の磁気転写素子に転写された磁気パターン情報と、本発明による磁気転写素子に転写された磁気パターン情報とを観察したときの写真である。
【図１０】従来の磁気転写素子に転写された磁気パターン情報に磁区が現れたときの様子を示す写真である。
【符号の説明】
【０１２３】
１ 磁気転写素子
２ ＧＧＧ基板
３ 磁性ガーネット膜
７ 測定対象物（記録媒体）
10 偏光顕微鏡（光学系、光学系装置）
11 光源
15 アナライザ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流分布又は磁化分布を有する部位に近接配置することにより、前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写する磁性ガーネット膜であって、
磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である
ことを特徴とする磁性ガーネット膜。
【請求項２】
前記部位を有する記録媒体に近接配置することにより、前記記録媒体の前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ガーネット膜。
【請求項３】
有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１１１）面に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項４】
希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１００）面又は（１１０）面に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項５】
希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、ガラス材からなる基板に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項６】
膜厚が２００［ｎｍ］〜１［μｍ］である
ことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜を基板に備えた
ことを特徴とする磁気転写素子。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気転写素子に光を照射する光源と、
前記磁気転写素子からの反射光を受光し、前記磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザと
を備えることを特徴とする光学系装置。
【請求項１】
電流分布又は磁化分布を有する部位に近接配置することにより、前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写する磁性ガーネット膜であって、
磁化状態の変化により生じる磁区を細かく寸断するグラニュラー構造に形成され、磁化容易軸が膜面に平行である
ことを特徴とする磁性ガーネット膜。
【請求項２】
前記部位を有する記録媒体に近接配置することにより、前記記録媒体の前記電流分布又は磁化分布を磁気的に転写する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ガーネット膜。
【請求項３】
有機イットリウム化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法（有機金属堆積法 Metal Organic Deposition）により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１１１）面に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項４】
希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板の（１００）面又は（１１０）面に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項５】
希土類の有機化合物を含有した液体組成物を用いてＭＯＤ法により、ガラス材からなる基板に成膜される
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁性ガーネット膜。
【請求項６】
膜厚が２００［ｎｍ］〜１［μｍ］である
ことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁性ガーネット膜を基板に備えた
ことを特徴とする磁気転写素子。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気転写素子に光を照射する光源と、
前記磁気転写素子からの反射光を受光し、前記磁気転写素子の磁性ガーネット膜における磁化状態の変化を、光の明暗のコントラストにより表示するアナライザと
を備えることを特徴とする光学系装置。
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−４３９６４（Ｐ２００９−４３９６４Ａ）
【公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２０７７００（Ｐ２００７−２０７７００）
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３０４０２１２８８）国立大学法人長岡技術科学大学 (458)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３０４０２１２８８）国立大学法人長岡技術科学大学 (458)
【Ｆターム（参考）】
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