【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体材料を用い、極薄膜において、室温で、垂直磁化が同時に実現される垂直磁気記録媒体および磁気記録装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された単結晶よりなる垂直磁化膜１２とを備え、垂直磁化膜１２は、キュリー温度が室温以上である絶縁体からなり、膜厚が100nm以下であり、かつ有効異方性磁場が20kOe以上である垂直磁気記録媒体２および垂直磁気記録媒体２を備える磁気記録装置。 （もっと読む）

【課題】量産プロセスで形成可能な３ｎｍ以下の膜厚のＭｇＯ下地層を用いながらも、優れた磁気特性を有するＬ１_０型ＦｅＰｔ規則合金を磁気記録層に用いた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ下地層の下部に設ける下地層の材料として、立方晶系に属する結晶構造を有する導電性化合物を用いる。ＭｇＯ層の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な信号対ノイズ比（ＳＮＲ）特性と良好な熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を用いて、高密度記録を行う。
【解決手段】 基板と、軟磁性層と、軟磁性層上に形成された多層下地層と、多層下地層上に形成された連続膜型磁気記録層とを含む磁気記録媒体。多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。連続膜型磁気記録層は、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくとも一種の元素、及びＰｔ及びＰｄのうち少なくとも一種の元素を含有し、Ｌ１_０構造を持ち、主として（００１）配向した磁性結晶粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】マグネタイト(Ｆｅ₃Ｏ₄)膜を一方の電極とし、マグネタイト本来のスピン依存電気伝導特性をより反映した、室温で２０％以上の負のＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供すること。
【解決手段】マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜された酸化マグネシウム層と該酸化マグネシウム層上に成膜された２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層とからなる障壁層と、を備えるトンネル磁気抵抗素子である。サファイア基板(００．１)面上に、マグネタイトを[１１１]方向にエピタキシャル成膜してマグネタイト電極を形成し、該電極上に酸化マグネシウム層を[１１１]方向にエピタキシャル成膜し、その上に酸化アルミニウム非晶質層を成膜して障壁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。
【解決手段】単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 （もっと読む）

【課題】フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素／金シード構造を提供する。
【解決手段】ケイ素／金（Ｓｉ／Ａｕ）二層シード構造が、フィルムスタック内で、非晶質または結晶質の下部層と明確な結晶構造を伴う上部層との間に位置設定される。シード構造は、下部層の全体的に平担な表面上のＳｉ層と、Ｓｉ層上のＡｕ層を含む。Ｓｉ／Ａｕ界面は、面内配向された（１１１）平面を有する面心立方（ｆｃｃ）結晶構造を伴うＡｕ層の成長を開始させる。Ａｕ層で成長した上部層は、ｆｃｃまたは六方最密充填（ｆｃｃ）結晶構造を有する。上部層がｆｃｃ材料である場合には、その［１１１］方位はＡｕ層の（１１１）平面に対し実質的に垂直に配向され、上部層がｈｃｐ材料である場合、そのｃ軸はＡｕ層の（１１１）平面に対して実質的に垂直に配向される。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）

【課題】記録された磁気信号の安定性に優れ、かつ、熱アシスト磁気記録方式による磁気信号記録の可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｐｔ含有量が４４ａｔ％以上５５ａｔ％以下であり、かつ、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子含有量比が０．６４以上０．８以下であるＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金の強磁性結晶粒子を含む磁気記録層５０を磁気記録媒体１に適用する。この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が常温では非常に高い異方性磁界を有するため、記録された磁気信号の安定性に極めて優れている。また、この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が適切な温度範囲のキュリー点をもつため、熱アシスト磁気記録方式での信号記録が可能である。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）