【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】 基材上に物理蒸着法にて磁性膜を成膜する構造に係り、特に、従来に比べて、通信感度を効果的に向上させることができるＲＦＩＤ用磁性部材及びＲＦＩＤデバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】 従来では基材上に磁性膜を単層で成膜したが、本実施形態では、磁性膜７，８を複数層に絶縁膜６ｂを介して分断して物理蒸着法にて積層した。各磁性膜７，８の膜厚は、０．５μｍ以上で３μｍ以下であることが好ましい。また、前記磁性膜の積層数は、２〜８の範囲内にでき、特に、積層数は、２であることが好適である。磁性膜７，８は例えば、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ膜、絶縁膜６ａ，６ｂ，６ｃは例えばＳｉＯ₂膜で形成できる。本実施形態のＲＦＩＤ用磁性部材４を用いることで、従来に比べて、ＲＦＩＤデバイスの通信感度を効果的に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基体が３次元的な複雑な形状を有していても均一に成膜でき、かつ生産効率の高いフェライト薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 基体１を加熱昇温する昇温室２０と、前記の加熱昇温された基体にフェライト薄膜を成膜する成膜室３０と、前記のフェライト薄膜が成膜された基体を冷却する冷却室４０と、前記基体の搬送を担う搬送装置とを有し、基体１は搬送装置により搬送されて昇温室２０、成膜室３０、冷却室４０を当該順に通過し、昇温室と成膜室間、および成膜室と冷却室間はそれぞれ開閉シャッター１７を介して互いに接合されている。各室はそれぞれ回転台３、基体１を設置する台座２を備え、基体１は台座２とともに搬送装置により搬送される。 （もっと読む）

【課題】良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製する。
【解決手段】レジストパターン２１’をマスクとして非磁性元素２２をトラック分離域２３にイオン注入することで、トラック分離域２３の合金結晶の格子定数が、磁性層１８，１９のイオン注入されていない部分である記録トラックの合金結晶の格子定数よりも大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】 特に、高抵抗軟磁性膜（Ａ−Ｍ−Ｏ）を用いた磁性シートにおいて、従来に比べて適切に軟磁気特性の向上を図ることが可能な磁性シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 樹脂シート５上に、Ｃｒ膜９と、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｓｉのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る磁性膜６とが順に積層されている。磁性膜６は、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子機器への搭載が可能な薄型で、高周波帯での透磁率実部が大きい高周波磁性体を提供する。
【解決手段】絶縁層１０と、この絶縁層１０上に設けられる磁性層２０を備える高周波磁性体であって、磁性層２０は、長さｈの短辺、長さｗの長辺、厚さｔの厚みを有する棒状の磁性部材２２を、長辺方向を揃えて複数個配列させることにより形成され、５≦ｗ／ｈ≦３０であることを特徴とする高周波磁性体。さらに、この高周波磁性体において、磁性部材２２の磁化困難軸と、磁性部材２２の長辺方向が略一致することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_100−Ｘ）_100−ＹＺｒ_Ｙ、５≦Ｘ≦９５、３≦Ｙ≦１０で表されるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材であって、該ターゲット材の断面ミクロ組織においてＺｒ化合物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が５μｍ以下であるＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】シリコン上へ強磁性相を積層化したスピンエレクトロニクスデバイスを作製するにあたり、強磁性元素の鉄(Fe)から構成されるFe₃Si化合物をシリコン系半導体基板上へ結晶成長させる。
【解決手段】この際Fe₃Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe₃Si磁性相を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

基板上にフィルムまたはコーティングとして施すことができ、かつ、適切な磁気的および電気的な特性を提供することができる材料は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む。材料は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の抵抗率、約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度、約５エルステッドよりも小さい飽和保磁力、および、約１００と約２０００との間の比透磁率を有する。
（もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能な薄膜磁気デバイス、を提供する。
【解決手段】磁性膜１４Ｂの積層面内の一方向（Ｘ軸方向）に延びるスリット１６を形成する。また、各スリット１６を、コイル１３の延在領域からその巻回方向に沿って分割された４つの領域（開口１５の上下左右に位置する４つの領域）のうちの互いに対向する一対の領域（ここでは、開口１５の上下に位置する２つの領域）にのみ形成する。磁性膜１４Ｂにおける応力が低減され、反磁場Ｈｄの影響による透磁率μの低下が抑えられる。よって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。なお、積層面内の一方向に沿って、複数の帯状磁性膜が形成されているようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ＧＨｚ帯域で動作可能な磁性薄膜とこれを用いた電子デバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】 磁性体層と絶縁体層が交互に積層された磁性薄膜で、磁性体層は第一の磁性体層１と第二の磁性体層２を含み、前記第一の磁性体層１は前記第二の磁性体層２よりも異方性磁界が高く、前記第二の磁性体層２は前記第一の磁性体層１よりも飽和磁化が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の基板上に鉄シリサイド系磁性材料を形成した積層構造、特にスピンに依存した電子現象を発揮することを可能にするそのような積層構造、その積層構造を使用した磁性又は電子装置、および電界効果スピントランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコン等の基板上に、ＭｇＯ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＹＳＺ，ＣａＦ_２，ＳｒＦ_２，ＢａＦ_２，ＬａＦ_３，ＮｄＦ_３，ＣｅＦ_３，（Ｂａ，Ｓｒ）Ｏ，ＣｅＯ_２，ＺｒＯ_２，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４，ＳｒＴｉＯ_３，ＢａＴｉＯ_３，Ｙ_２Ｏ_３，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＴｉＣあるいはβ−ＦｅＳｉ_２などの中間層を介してＦｅ_３±αＳｉ（式中、０≦α≦１．０５）の層を有する積層構造体。この積層構造体のＦｅ_３±αＳｉ層が磁性素子又はその構成要素である磁気又は電子装置。 （もっと読む）

【課題】高周波数領域で透磁率が高く、磁気ヒステリシス損失が小さい磁性膜及び該磁性膜を有する磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁性膜は、コバルト及びイリジウムを含有する合金からなる磁性粒子を含有し、コバルト及びイリジウムを含有する合金の磁気異方性定数は、負である。 （もっと読む）