【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際にマスクとして用いたレジストを効率よく除去することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入処理の終了後、レジストパターンをアッシングする前に、レジストパターンをフッ素処理する。上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。また、レジストの残渣量が低減されることで、表面平坦度の高い磁気記録媒体を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部１３４とを有する磁気記録層１２２を備えた磁気記録媒体１００において、磁気記録層は、４×１０^６ｅｒｇ／ｃｃ以上の垂直磁気異方性定数Ｋｕを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記録媒体を簡易な製造方法にて実現する。
【解決手段】基板と、基板上に複数設けられた、各々が、該基板上に複数種類の原子層が交互に積層されてなる人工格子構造を有する、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットと、磁性ドットの相互間に設けられた、磁性ドットの人工格子構造と連続した人工格子構造を有し、人工格子構造にイオンが注入されてなる、磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備える。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】第１の磁性層及び第２の磁性層を形成し、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に、Cr, Feの少なくともひとつを含む金属層を酸素暴露量が1000ラングミュア以下なる条件で自然酸化することにより中間層を形成し、さらに前記第１の磁性層、前記第２の磁性層及び前記中間層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極を形成して磁気抵抗効果素子を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】極めて安定なペロブスカイト構造を有し、強磁性及び強誘電性を併有する材料を、超高圧等の特殊環境を要せず安価で比較的容易に製造し、半導体メモリに適用する。
【解決手段】組成式がＡＢＯ₃の結晶格子を有する強磁性・強誘電性材料であって、ＡサイトにＢｉイオン及び少なくとも１種の希土類陽イオンを、Ｂサイトに陽イオンであって超交換相互作用を示す複数種の磁性イオンをそれぞれ含み、強磁性及び強誘電性を併有する材料をキャパシタ膜３に適用し、ＭＦＩＳ−ＦＥＴを構成する。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録に対応する磁気記録媒体に好適な、磁気パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上において、磁性層１６、イオンバッファ層２０をこの順に形成し、このイオンバッファ層２０を介在させた状態で、磁性層１６に対してイオンを注入する。その後、イオン注入された磁性層１６に熱処理を加えることで、イオンの注入領域の磁気特性を改質し、この改質を利用して磁性パターンを形成するようにした。 （もっと読む）