【課題】強い磁界に配置された場合であっても、導体層の磁化の程度が比較的小さいセラミック構造体、および、半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 （もっと読む）

【課題】磁界の印加角度に依存せずに磁気センサを動作させる。
【解決手段】互いに直交するＸ方向及びＹ方向について、それぞれの方向を向いて配置された磁気抵抗素子を２つずつ備え、これら４つの磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成してなる磁気センサの動作方法であって、Ｙ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１１，１４に対してＸ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１１，１４の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｘを測定する第１工程、Ｘ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１２，１３に対してＹ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１２，１３の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｙを測定する第２工程、第１工程によるブリッジ電圧Ｖｘと第２工程によるブリッジ電圧Ｖｙとの和から磁気センサの出力を得る第３工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェーハ等の基板の表面に露出した金属表面に磁性膜、特に合金磁性膜を選択的かつ容易に成膜することができるようにする。
【解決手段】基板の表面に露出した金属表面に磁性膜を選択的に成膜する磁性膜成膜装置であって、磁性膜成膜装置２２は、めっき槽４０内のめっき液３８に表面を接触させて配置した基板Ｗの周囲に該基板Ｗと平行な磁場を発生させる磁場発生装置３４を有する無電解めっき装置３６からなる。 （もっと読む）

【課題】低周波域ノイズおよび孤立スパイクノイズの低減を可能とした構造の垂直磁気記録媒体とそれを実現するための基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板として多結晶のものを用いることによりＮｉまたはＮｉＰ合金膜等の下地メッキ膜なしに基板上に軟磁性膜をメッキ法で成膜することを可能としている。下地メッキ膜を設けないために顕著なスパイクノイズ低減効果が得られる。１０nm以上１０００ｎｍ以下の厚みの酸化珪素膜１０６を主面に有する直径９０ｍｍ以下の多結晶シリコン基板１０２上に、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚みのメッキ成膜された軟磁性裏打ち層１０２と磁気記録層１０３と保護層１０４と潤滑層１０５が順次積層されて記録媒体とされている。なお、酸化珪素膜１０６と軟磁性裏打ち層１０２との間に１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みのＰｄ含有膜１０７を設けるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】層間剥離および磁気特性の劣化を防止すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ装置用材料、その材料を製造する方法、およびその材料を含むＭＥＭＳ装置マイクロエレクトロケミカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料は６層の磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ材料を含み、隣接する磁化可能な層の各組は、その間に磁化不可能で電気伝導性のＣｕの各層を有する。その材料は、Ａｕのシード層上に形成されている。シード層は、薄いＣｒで被覆されたガラス基板上に形成されている。磁化不可能な材料の層は、およそ１μｍの厚さである。Ｃｕの層は、およそ１μｍの厚さである。 （もっと読む）

【課題】 ガラス材料からなる基体上に１μｍ以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体上に、少なくとも、ガラス活性化処理Ｓ２、シランカップリング剤処理Ｓ３、Ｐｄ触媒化処理Ｓ４、Ｐｄ結合化処理Ｓ５を順次施した後、無電解めっきＳ６により０．０２μｍ以上０．５μｍ以下の膜厚にめっき膜を形成して２００℃以上３５０℃以下の温度にてアニール処理Ｓ７を施し、そのめっき膜上に無電解めっきＳ８を施す。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に適用した場合に、垂直方向の記録磁界を優先的に強め、かつ急峻化することができる軟磁性薄膜、その生産性の高い製造方法、トラック走行方向の磁化応答性に優れた高品質の垂直磁気記録媒体およびこの垂直磁気記録媒体を備えた垂直磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本軟磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有し、錯化剤およびホウ素系還元剤を含有し、金属イオンの濃度比率が、モル単位で、０．１５≦（Ｎｉイオン／全金属イオン）≦０．４０、０．５０≦（Ｃｏイオン量／全金属イオン量）≦０．８０および、０．０５≦（Ｆｅイオン量／全金属イオン量）≦０．１５である無電解めっき浴中に基板を浸漬し、基板面に平行な５〜２０００Ｏｅの範囲の磁場中で無電解めっきを行って得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 フェライトめっき法によって形成されたフェライト膜において、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、フェライト膜の組成および組織を制御し、２６０℃程度の温度で熱処理した後も高比抵抗でかつ軟磁気特性が優れたフェライト薄膜およびその製造方法を得る。
【解決手段】 フェライトめっきにて形成されたＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であって、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０⁶Ωｃｍ以上であるフェライト薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス材料からなる基体上に１μｍ以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、基体表面のシラノール基を２倍以上に増加させる希酸水溶液によるガラス活性化処理Ｓ２、シランカップリング剤処理Ｓ３、Ｐｄ触媒化処理Ｓ４、Ｐｄ結合化処理Ｓ５を順次施した後、無電解めっきＳ６によりめっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で用いる量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コイル１と、少なくとも基材３の片面に第１の金属層４と第１の金属磁性体層５と銅酸化物を含む中間層６と第２の金属磁性体層７を積層した多層磁性体層２とからなるインダクタンス部品であり、前記第１および第２の金属磁性体層５，７にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むとともに前記中間層６を第１および第２の金属磁性体層５，７より比抵抗の大きい材料で構成する。 （もっと読む）