【課題】アルミニウム基板表面を安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる金属ベース回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の金属ベース回路基板の製造方法は、アルミニウム基板を０．１ｍｏｌ／Ｌ−１．０ｍｏｌ／Ｌのカルボン酸溶液に０．５分間〜１０分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム基板表面を安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる金属ベース回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム基板１２を０．１Ｎ−１．０Ｎの無機酸に０．５分間〜１０分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層１４を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層１６を形成する工程とを有することを特徴とする金属ベース回路基板１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用プリント配線基板や各種電子回路用プリント配線基板として優れた熱伝導性・耐熱性、接着性、電気絶縁性を有する電気絶縁性樹脂組成物、および該樹脂組成物を用いた金属基板を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、硬化剤、無機フィラー、オルガノポリシロキサンを含有する電気絶縁性樹脂組成物を用いて金属基板の電気絶縁樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】金属板と絶縁層との密着性及びヒートサイクル性に優れ、十分な絶縁破壊電圧値を有する樹脂組成物、樹脂シート、積層板、金属ベース回路基板、インバータ装置及びパワー半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）特定構造を有するフェノキシ樹脂、（Ｂ）無機充填剤及び（Ｃ）シランカップリング剤を含み、（Ｃ）シランカップリング剤の含有量が樹脂組成物全体の１質量％以上、１０質量％以下である樹脂組成物、ならびに、その樹脂組成物からなる絶縁層を用いて得られる樹脂シート、積層板、金属ベース回路基板、インバータ装置及びパワー半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
金属ベース回路基板と絶縁層との密着性、およびヒートサイクル性に優れ、かつ十分な絶縁抵抗を有する樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】
（Ａ）ＤＳＣ法で測定したガラス転移温度が１２０℃以上で、重量平均分子量が４．０×１０^４以下のフェノキシ樹脂、（Ｂ）無機充填剤、及び（Ｃ）シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、（Ｃ）シランカップリング剤が樹脂組成物全体の２〜１０重量％であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
金属ベース回路基板と絶縁層との密着性、およびヒートサイクル性に優れ、かつ十分な絶縁抵抗を有する樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】
（Ａ）フェノキシ樹脂、（Ｂ）２５℃における溶融粘度が２Ｐａ・ｓ以下のエポキシ樹脂（Ｃ）無機充填剤、及び（Ｄ）シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、（Ｄ）シランカップリング剤が樹脂組成物全体の２〜１０重量％であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いてセラミックス基材に金属皮膜を形成させた場合に、セラミックスと金属皮膜との間の密着強度が高い積層体およびこの積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁性のセラミックス基材１０と、金属を含む主成分金属層５１、および金属または金属の酸化物もしくは水素化物からなる活性成分層５２を有し、セラミックス基材１０の表面に形成される中間層５０と、中間層５０の表面に、金属を含む粉体をガスと共に加速し、前記表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された金属皮膜４０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、難接着金属との接着の際にも十分な接着強度を保つエポキシ樹脂組成物、及び、エポキシ樹脂組成物を絶縁層とした回路基板、発光装置を提供することを目的としたものである。
【解決手段】本発明は、分子量１０００以上１００００以下の高分子量エポキシ樹脂と、分子量３００以上５００以下の低分子量エポキシ樹脂、及び、エーテル結合を分子内に含む硬化剤を有するエポキシ樹脂組成物である。高分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の共重合体のいずれかで、その骨格の末端にエポキシ基をもつエポキシ樹脂である。低分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の単体又は複合体である。 （もっと読む）

【課題】金属ベース基板の製造時に生じ得る反りを抑制し得るとともに、ヒートシンクへの熱伝導性を向上させることができる、金属ベース基板を提供する。
【解決手段】金属ベース基板１は、互いに対向する第１および第２の主面２および３を有する金属板４と、第１および第２の主面２および３上にそれぞれ形成された第１および第２のセラミック層５および６とを備える。第１および第２の主面２および３の双方に形成されるセラミック層５および６は、反りを抑制する。第２のセラミック層６は、第２の主面３上における枠状領域に沿って位置する枠状部分８を少なくとも含むとともに、枠状部分８に囲まれた領域において第２の主面３の一部を露出させる開口９を有する。開口９は、金属板４にヒートシンクを接合することを可能にし、金属ベース基板１の放熱性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】金属板との密着性、ヒートサイクル性に優れ、十分な絶縁抵抗を有する樹脂組成物、樹脂付き金属、及び金属ベース基板を提供する。
【解決手段】（Ａ）ビスフェノールＦ骨格を有し、重量平均分子量が５．０×１０^４〜７．０×１０^４のフェノキシ樹脂、（Ｂ）無機充填剤、及び（Ｃ）シランカップリング剤を必須成分とする樹脂組成物であって、（Ｃ）シランカップリング剤が樹脂組成物全体の２〜１０重量％であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】放熱性、絶縁性及びピール強度に優れた金属ベース回路基板の実現に有利な技術を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板用積層板１は、金属基板２と、前記金属基板２上に設けられ、液晶ポリエステルと５０体積％以上の無機充填材とを含有し、前記無機充填材は窒化アルミニウム及び酸化アルミニウムの少なくとも一方と窒化硼素とからなり、前記無機充填材に占める前記窒化硼素の割合は３５乃至８０体積％の範囲内にある絶縁層３と、前記絶縁層上に設けられた金属箔４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】金属板上に形成した低温焼結セラミック層を焼成時に平面方向に収縮しないようにしつつ、すべてのセラミック層を緻密化させることで、いずれのセラミック層にも回路パターンを問題なく形成することができるようにした、金属ベース基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属板４上に、低温焼結セラミック材料を含む第１のセラミック層５となる第１のセラミックグリーン層と、難焼結性セラミック材料を含む第２のセラミック層６となる第２のセラミックグリーン層とを配置し、これらを同時焼成して、金属ベース基板２を得る。第２のセラミックグリーン層は、第１のセラミックグリーン層の０．０５倍以上かつ０．４倍以下の厚みとされ、焼成工程において、低温焼結セラミック材料を焼結させるとともに、低温焼結セラミック材料の一部を第２セラミックグリーン層に流動させて、第２セラミックグリーン層を緻密化させる。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の製造工程において、熱伝導性および密着性に優れた液晶ポリエステルフィルムを形成する技術を提供する。
【解決手段】放熱用基板１０１と絶縁フィルム１０２と導電箔１０３とを有する電子回路基板１００を製造する際に、絶縁フィルム１０２を次の手順で形成する。まず、溶媒と液晶ポリエステルと熱伝導充填材とを少なくとも含み、所定温度以下の状態で粘度が３０００ｃＰ以上である液晶ポリエステル組成物を、所定温度以下の温度で、導電箔１０３上に流延する。その後、所定温度以下の温度で、溶媒の残存量が３０質量％以下になるまで、液晶ポリエステル組成物を乾燥する。これにより、熱伝導充填材の沈降が抑制されるので、液晶ポリエステルフィルムの熱伝導性および密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を構成する各層の剥離を抑制することができる薄膜太陽電池用の絶縁層付基板、およびこの絶縁層付基板を用いた薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁層付基板は、絶縁層と少なくとも１つの金属基材とが積層された基板であって、絶縁層を構成する材料の線膨張係数が８ｐｐｍ／Ｋ以下であり、金属基材を構成する材料の線膨張係数が１７ｐｐｍ／Ｋ以上であり、絶縁層において金属基材と反対側の絶縁層の表面における線膨張係数が６〜１５ｐｐｍ／Ｋである。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上したプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。第１の貫通穴を有する炭素繊維強化プラスチックを含むコアを形成する。第１の貫通穴を覆うようにコアの下面に第１のフィルムを形成し、第１の貫通穴に第１の絶縁部材を充填する。第１のフィルムを除去する。コアに第２の貫通穴を形成する。第２の貫通穴を覆うようにコアの上面に第２のフィルムを形成し、第２の貫通穴に第２の絶縁部材を充填する。第２のフィルムを除去する。第１および第２の絶縁部材の少なくとも一方に回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に被覆される部分と、外部と電気的接続される部分との二つの機能を併せ持つメタルプレートを簡単に製作する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１２を有するとともに、表面にＳｎ系表面層１４が形成され、Ｓｎ系表面層１４とＣｕ系基材１２との間にＣｕ−Ｓｎ金属間化合物又はＮｉ−Ｓｎ金属間化合物を有する金属間化合物層１３が形成された導電部材１１であって、金属間化合物層１３のＳｎ系表面層１４と接する面の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．０５〜０．３μｍであり、かつ、十点平均粗さＲｚで０．５〜３．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ実装基板、マザーボード、プローブカード用基板などに適用され得る多層配線基板に関し、重量や厚さを増やすことなく、適切に低熱膨張率化を図ることのできる多層配線基板を提供する。
【解決手段】
磁性材料を含む導体層１１と、前記導体層１１の少なくとも一方の表面に形成され、導電粒子を含む絶縁樹脂層１２とを有する多層配線基板。絶縁樹脂層１２は金属材料よりも比重を小さくできるため、コア基板を軽量化することができ、ひいては多層配線基板を軽量化することができる。 （もっと読む）

【課題】 金属基板からできた混成集積回路装置を小型な形状とする。
【解決手段】 金属基板２０の４側面には、スリットＳＬが設けられ、金属基板２０からは、外部端子としてプラグ２５が設けられ、封止樹脂２６からは、プラグの頭部が露出する。この構成にすれば、面実装型となり、リードがパッケージから出ることがなく小型の混成集積回路装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】短絡不具合や樹脂層のデラミネーションをなくし、電磁波シールド性も得られるようにする。
【解決手段】メタルコア構造のプリント配線板１１のメタルコア（芯材２１）として、導電性の線状体を織成して得た金属メッシュ２５を用いる。これにより製造に際して、短絡不具合の原因になる粗化のためのめっきを不要にするとともに、金属メッシュ２５と樹脂との密着性を高める。また、金属メッシュ２５を電磁波シールド層として利用し、電磁波シールド効果を得る。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板から突出した端子に変形や剥がれのない金具付き回路基板を得るのに好適な製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミック基板１およびセラミック支持基板２を準備する工程と、セラミック基板１およびセラミック支持基板２を横に並べ、これらを挟むように金属板４を上下に配置して、セラミック基板１およびセラミック支持基板２の両主面に金属板４を接合する工程と、セラミック基板１の少なくとも一方主面に接合された金属板４がセラミック基板１の外辺から突出した形状となるように、接合された金属板４をエッチング加工して金具を形成する工程と、セラミック支持基板２を除去する工程とを含む端子付き金具付き回路基板６の製造方法である。金属回路板４ａの金具部分（端子）が変形することや金属回路板４ａとセラミック基板１との接合信頼性が低下することがない。 （もっと読む）