【課題】 耐薬品性に優れたアルミナ質焼結体および配線基板を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３粒子は、平均粒子径が５〜１５μｍであり、最大粒子径が２０μｍ以下であるとともに、アルミナ質焼結体は、最大気孔径が１５μｍ以下であり、かつ粒界にＭｎＡｌ_２Ｏ_４およびＭｎＳｉＯ_３を含有してなり、Ｘ線回折によるＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＡｌ_２Ｏ_４の回折メインピーク強度の比がＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＳｉＯ_３の回折メインピーク強度の比よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気信号の伝送特性に優れた多層配線基板を提供する。
【解決手段】 アルミナを主成分とするセラミックス絶縁層１Ａが複数積層された絶縁基板１と、該絶縁基板１の内部に設けられたビア導体３とを具備してなり、前記ビア導体３を縦断面視したときに、中央部３ＢＣから外周部３ＢＯ側に向けて、銅とタングステンとの複合層３Ｂ１および銅層３Ｂ２がこの順に配置されており、前記銅層３Ｂ２が前記複合層３Ｂ１の周囲を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、応力が生じた場合であっても破損することがなく、電気特性の変動を抑えることができる多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミックからなる基材層１と、該基材層１の一方の面に積層され、複数の電子部品４０、５０を実装するための表面電極２０が形成してある表面電極層２と、基材層１の他方の面に積層され、他の基板と接続するための外部電極３０が形成してある外部電極層３とを備える多層セラミック基板１０である。外部電極層３の外部電極３０が形成してある面に、溝部４が形成され、溝部４は、多層セラミック基板１０の外周辺の対向する二辺間を渡るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体に対する接着強度の高い表面配線層を有するプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供する。
【解決手段】 少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄがムライト質焼結体からなる絶縁基体１１と、少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄの内部に設けられたビア導体１４と、該ビア導体１４と接続され、前記絶縁基体１１を平面視したときに、前記ビア導体１４よりも大きな面積で前記絶縁基体１１の表面に設けられた金属膜からなる表面配線層１３とを具備しており、前記ビア導体１４がモリブデンまたはタングステンの少なくとも１種の金属を主成分とし、前記最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄは前記ビア導体１４の周囲の第１の領域１１Ａと該第１の領域１１Ａ以外の第２の領域１１Ｂとを有するとともに、前記第１の領域１１Ａはムライトに対するアルミナの量が前記第２の領域１１１Ｂよりも多い。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、前記配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とガラス粉末と有機物とを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体１５を形成する工程と、セラミックス成形体１５上に、液滴吐出法により、導体パターン形成用インク１を吐出し、導体パターン前駆体１０を形成する工程と、導体パターン前駆体１０を形成した複数のセラミックス成形体１５を積層し積層体１７を得る工程と、積層体１７を加熱する加熱工程とを有し、加熱工程では、加熱開始から５００℃に昇温するまでは、酸素濃度が１％以上１４％以下の雰囲気下において加熱処理を行い、５００℃以上に昇温して加熱する際は、酸素濃度が１０％以上３０％以下の雰囲気下において加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】個片分割時に露出するめっき用引き出し線からの水分の浸透が抑制された多数個取り配線基板、および個片の配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層１ａが積層されてなり、配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１と、絶縁層１ａの層間から配線基板領域２の表面にかけて形成された配線導体３と、絶縁層１ａの層間に形成された、配線基板領域２の境界２ａを越えて配線導体３同士を接続するめっき用接続導体４とを備え、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、めっき用接続導体４が配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる多数個取り配線基板９である。めっき用接続導体４のうち個片に分割したときに露出する部分が比較的緻密なモリブデン，タングステンからなるため、その露出部分からの水分の浸透を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明はプローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数の第１共用ビアが形成された第１共用基板と、複数の第２共用ビアが形成された第２共用基板と、第１共用基板と第２共用基板の間に配置され、１つ以上のグループビアを含み、複数の第１共用ビア及び複数の第２共用ビアを電気的性質に応じてグループ化し、グループ毎に同じグループビアに連結するグループ化基板と、個別の電子部品に形成された１つ以上の端子に対応するように形成され、上記複数の第１共用ビアと第２共用ビアの全部または一部に連結される１つ以上の配線ビアを含むビルドアップ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部への不要な磁束漏洩が防止され、基板の内部または外面に形成されている配線などの導体に対するノイズの重畳が抑制されたコイル内蔵基板を構成する。
【解決手段】コイル内蔵基板１０１はコイル導体形成層２０と非磁性体層３１，３２を備えている。コイル導体形成層２０は、コイル導体９と磁性体とが積層された磁性体層である。非磁性体層３１は電子部品搭載面側（第１主面側）に形成され、表面導体膜７を含む。非磁性体層３２は実装先の配線基板に対する実装面側（第２主面側）に形成され、表面導体膜７を含む。コイル導体形成層２０と非磁性体層３１との間には透磁率の高い磁性体層４１を備えている。また、コイル導体形成層２０と非磁性体層３２との間には透磁率の高い磁性体層４２を備えている。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック・チップ・キャリアの層を積層する際に均一な軸方向荷重分布を提供する装置を提供すること。
【解決手段】この装置は、複数のグリーン・シート層５０２を下から支持するように構成された基部プレートを備える。この基部プレートは、その外側縁部に隣接して配設された少なくとも１つの弾性的に取り付けられた荷重支持バーを有する。この荷重支持バーは、その上面が基部プレートの上面の上を選択した距離だけ延びるように１つまたは複数の付勢部材上に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料または有機材料で構成されたベース部材を採用し、前記ベース部材の表面に絶縁膜層を形成してベース部材の表面を平坦化することにより、ベース部材に形成されたアラインキー（Ａｌｉｇｎ Ｋｅｙ）を容易に認識することが可能なプリント基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプリント基板１００は、ベース部材１１０と、ベース部材１１０の両面に形成され、ベース部材１１０の表面を平坦化する絶縁膜層１２０と、絶縁膜層１２０に形成された回路層１３０と、ベース部材１１０の両面に形成された回路層１３０同士を接続するビア１４０とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】機械的、熱的、及び電気的特性が向上された金属−セラミック基板を提供する。
【解決手段】金属−セラミック基板１の１つの第１の表面側を形成する少なくとも１つの第１の外側金属層４を備え、金属−セラミック基板１の１つの第２の表面側を形成する少なくとも１つの第２の外側金属層５を備え、外側金属層が、２次元的接合により平板様基板本体の表面側とそれぞれ接合されており、更に、機械的、熱的、及び電気的特性を向上するために、少なくとも１つの中間層３とからなり、中間層が内部金属層にて接合されている、特に電気回路又はモジュール用の金属−セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板では、品質を向上させることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画工程Ｓ１と、前記描画工程Ｓ１の後に、前記回路パターンに光を照射する光照射工程Ｓ２と、前記光照射工程Ｓ２の後に、前記回路パターンに他の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程Ｓ３と、前記積層工程Ｓ３の後に、前記積層体を加圧する加圧工程Ｓ４と、前記加圧工程Ｓ４の後に、前記積層体を焼成する焼成工程Ｓ５と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおけるクラックの発生を効果的に防止することができるとともに、ＥＩＡ規格で定められているような温度特性と静電容量を有するチップコンデンサを内蔵する多層配線基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック絶縁層１が積層されたセラミック絶縁基板の内部の空海内に、ビア導体１１を介して接続されたコンデンサ７を内蔵してなり、前記セラミック絶縁層１と前記コンデンサ７とが、間隙を有して離間している。 （もっと読む）

【課題】セラミックよりなるセラミック層を複数積層し焼成してなるセラミック積層基板の製造方法において、積層体とは材料の異なる層を設けることなく、焼成後の収縮による表層配線の寸法ばらつきを無くすことを目的とする。
【解決手段】焼成前のセラミック層１１〜１４を複数積層して積層体１００を形成する積層体形成工程と、その後、積層体１００を焼成する焼成工程と、続いて、焼成された積層体１００の表層１１、１４に表層配線２１を形成する表層配線形成工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低背化、高機能化するとともに、より設計自由度が高い多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】コア基板２と、コア基板２の一方主面３に形成された第１の樹脂層１２とからなる多層基板１１であり、第１の実装部品１０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に形成された表面導体に実装され、第２の実装部品２０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装され、第１の実装部品１０と第２の実装部品２０とは、第１の樹脂層１２に埋設されている。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を高歩留まりで製造することができる、生産性に優れた多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）金属配線を備える配線基板の表面に絶縁層を形成する工程と、（Ｂ）ビアホールを形成する工程と、（Ｃ）デスミア処理を行う工程と、（Ｄ）仮支持体と、仮支持体上にめっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、重合性基を含有するポリマーを含む樹脂層とを備える樹脂層形成用積層フィルムを、絶縁層上に、樹脂層とデスミア処理が施された絶縁層とが接するようにラミネートし、積層体を得る工程と、（Ｅ）前記積層体から前記仮支持体を剥離する工程と、（Ｆ）ビアホールの壁面および樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与し、めっきを行う工程と、を備える多層配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔３を有する絶縁板１と、貫通孔３内に充填された貫通導体２とを備える配線基板であって、貫通孔３の内側面と貫通導体２の側面との間に、内部に空隙４ａを含んだ焼結体からなる緩衝層４が介在している配線基板である。貫通導体２の熱膨張を、空隙４ａを含んだ緩衝層４の変形によって吸収することができるため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制して、貫通導体２の絶縁板１からの突出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート１の配線基板領域１ａとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域１ｂとに跨るように配置された貫通孔２を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体５を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された２つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線１ｃの延長線１ｄを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、２つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 （もっと読む）