多数個取り配線基板および配線基板
【課題】個片分割時に露出するめっき用引き出し線からの水分の浸透が抑制された多数個取り配線基板、および個片の配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層１ａが積層されてなり、配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１と、絶縁層１ａの層間から配線基板領域２の表面にかけて形成された配線導体３と、絶縁層１ａの層間に形成された、配線基板領域２の境界２ａを越えて配線導体３同士を接続するめっき用接続導体４とを備え、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、めっき用接続導体４が配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる多数個取り配線基板９である。めっき用接続導体４のうち個片に分割したときに露出する部分が比較的緻密なモリブデン，タングステンからなるため、その露出部分からの水分の浸透を抑制できる。
【解決手段】複数の絶縁層１ａが積層されてなり、配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１と、絶縁層１ａの層間から配線基板領域２の表面にかけて形成された配線導体３と、絶縁層１ａの層間に形成された、配線基板領域２の境界２ａを越えて配線導体３同士を接続するめっき用接続導体４とを備え、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、めっき用接続導体４が配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる多数個取り配線基板９である。めっき用接続導体４のうち個片に分割したときに露出する部分が比較的緻密なモリブデン，タングステンからなるため、その露出部分からの水分の浸透を抑制できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に縦横の並びに配線基板領域が配列されているとともに、配線基板領域に形成されたモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体同士が、絶縁層の層間に形成されためっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板および個片の配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、絶縁層の層間から絶縁基板の表面にかけて形成された、タングステンやモリブデンのメタライズ層からなる配線導体とを備え、配線導体の露出表面がニッケルや金等のめっき層で被覆されたものが多用されている。このような配線基板は、一般に、配線基板となる領域が母基板に縦横に配列されてなる多数個取り配線基板の形態で製作されている。
【０００３】
また、一般に、配線導体の露出表面に対するめっき層の被着も、生産性やコスト等を考慮して多数個取り配線基板の状態で行なわれる。すなわち、複数の配線基板領域の配線導体同士を接続するめっき用接続導体を絶縁層の層間に、配線基板領域の境界を越えて形成し、このめっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体同士を電気的に接続させておく。そして、ニッケル等の電解めっき液中で、めっき用接続導体の一部にめっき用治具等を介してめっき用の電流を供給すれば、めっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体に順次その電流が供給され、配線導体の露出表面にめっき層を被着させることができる。
【０００４】
多数個取り配線基板の製作は、酸化アルミニウム粉末およびガラス粉末に有機溶剤およびバインダを添加してシート状に成形したセラミックグリーンシートにタングステン等の金属ペーストを配線導体やめっき用接続導体のパターンに印刷して焼成することによって行なわれる。この焼成時に、セラミックグリーンシートのガラス質が金属ペーストの金属の粒子間に入り込んで焼結する。
【０００５】
そして、配線導体の露出表面にめっき層を被着させた多数個取り配線基板を、例えばダイシング加工や、あらかじめ母基板の表面に配線基板領域の境界に沿って形成しておいた分割溝に沿って破断させる加工を施せば、多数個取り配線基板が個片の配線基板に分割される。
【０００６】
近年、配線導体の電気抵抗を低く抑えるために、配線導体を、銅（マトリクス）の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料で形成することが提案され、実用化されている。この場合、酸化アルミニウム質焼結体を酸化マンガン等を含むものとして焼成温度を約1300℃程度に低くして、銅を含む配線導体を母基板と同時焼成によって形成することを可能としている。また、めっき用接続導体も、配線導体と同様に銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2009−4515号公報
【特許文献２】特開2009−4516号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板および配線基板においては、次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、多数個取り配線基板を配線基板領域の境界において分割した際に、個片の配線基板の側面に切断されためっき用接続導体の端部分が露出する。また、このめっき用接続導体は、銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料からなり、焼成時にガラス質の拡散が始まる前に融点が低い銅の粒子同士が結合するためセラミックグリーンシートのガラス質が入りにくいことから、内部に空隙が生じやすく、いわゆるポーラスな状態になりやすい。そのため、多数個取り配線基板を個片に分割したときに、個片の配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に外気の水分が浸透しやすい。そして、この浸透した水分に起因して、絶縁層の層間において配線導体やめっき用接続導体に腐食やマイグレーション等の不具合を生じるという問題点があった。
【００１０】
特に、近年、配線基板の小型化等に応じて母基板における配線導体とめっき用引き出し線との間の距離が近くなり、わずかな水分の浸透でも上記のような問題点が発生する可能性が高くなっている。
【００１１】
本発明はこのような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体が形成され、隣り合う配線基板領域の配線導体同士がめっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板において、個片に分割したときに露出するめっき用引き出し線から絶縁層の層間への水分の浸透を効果的に抑制することが可能で、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板、および信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の多数個取り配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とす
るものである。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多数個取り配線基板によれば、めっき用接続導体が、配線基板領域の境界および境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、個片の配線基板に分割された際に、その配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端面およびこれに隣接する部分がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなるものとなる。モリブデンまたはタングステンからなるめっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体のうち個片に分割されたときに露出する端部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、配線導体が電気抵抗の低いモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００１８】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、母基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板の薄型化を図るような場合に有利である。
【００１９】
また、本発明の多数個取り配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の電気抵抗（導通抵抗）をより低く抑えることができる。
【００２０】
本発明の配線基板によれば、めっき用接続導体の一端が絶縁基板の側面に露出しているため、このような配線基板を多数個取り配線基板の形態で製作する際に、めっき用接続導体の露出した一端同士が互いに電気的に接続されたものとすることができる。そのため、めっき用接続導体を介して配線導体に供給されためっき用電流によって、配線導体にめっき層が容易に被着されたものとすることができる。
【００２１】
また、めっき用接続導体が、絶縁基板の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、上記多数個取り配線基板の場合と同様に、外気等の水分がめっき用接続導体の露出した一端から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００２２】
また、本発明の配線基板によれば、配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００２３】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板の薄型化を図るような場合に有利である。
【００２４】
また、本発明の配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す要部拡大平面図（透視図）である。
【図３】（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板が個片に分割されてなる配線基板を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板の分解斜視図である。
【図４】（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図２は、図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す平面図（透視図）である。
【００２８】
図１および図２において、１は複数の絶縁層１ａが積層されてなる母基板，２は配線基板領域，３は配線導体，４はめっき用接続導体である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列され、隣り合う配線基板領域２の配線導体３同士がめっき用接続導体４を介して電気的に接続されて多数個取り配線基板９が基本的に構成されている。なお、配線導体３は、図を見やすくするために、詳しいパターンを省略して示している。
【００２９】
母基板１は、例えば平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層１ａが積層されて形成されている。図１に示す例では絶縁層１ａが４層積層されて母基板１が形成されているが、これ以外の積層数（２層以上）でも構わない。
【００３０】
配線基板領域２は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品（図示せず）を搭載するための電子部品搭載用等の配線基板となる領域であり、例えば、それぞれの上面の中央部に電子部品が搭載される。
【００３１】
配線基板領域２（個片の配線基板）に搭載される電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００３２】
配線基板領域２には、絶縁層１ａの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体３が形成されている。この配線導体３のうち、配線基板領域２の上面等に形成された部分に電子部品の電極がはんだやボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。そして、例えば個片の配線基板に分割した後に、配線基板領域２の下面に形成された配線導体３を外
部電気回路（図示せず）にはんだ等を介して電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体３を介して電気的に接続される。なお、配線導体３の一部は、絶縁層１ａを厚み方向に貫通する貫通孔（符号なし）の内部に充填された貫通導体（符号なし）となっている。この貫通導体を介して、配線導体３のうち絶縁層１ａの層間や配線基板領域２の表面に形成された部分同士が上下に電気的に接続される。
【００３３】
配線導体３は、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなっている。銅は、配線導体３における主導体として機能する部分であり、この銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散して配線導体３が形成されている。モリブデンおよびタングステンは、酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁層１ａとの同時焼成を可能とするために、銅に添加されている。
【００３４】
これらの配線導体３を有する母基板１は、例えば配線導体３がモリブデンおよび銅からなる場合であれば、以下のようにして製作される。
【００３５】
まず、酸化アルミニウムや酸化ケイ素，酸化カルシウム，酸化マンガン等の原料粉末を、有機溶剤，バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、銅粉末とモリブデン粉末とを有機溶剤，バインダと混練して金属ペーストを作製し、この金属ペーストを、所定の配線導体３のパターンでセラミックグリーンシーンシートの表面およびあらかじめ形成しておいた貫通孔（符号なし）内に塗布または充填する。そして、これらのセラミックグリーンシートを積層した後に約1300℃で焼成すれば、絶縁層１ａが積層されてなり、絶縁層１ａの層間から表面にかけて配線導体３が形成された母基板１を製作することができる。
【００３６】
上記の母基板１の製作においては、母基板１を形成する原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となっている。また、前述したように配線導体３が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える上記焼成温度での配線導体３の母基板１との同時焼成を可能としている。
【００３７】
この場合、酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量％程度に設定すればよい。また、配線導体３におけるモリブデンおよびタングステンの含有量は、約40〜60体積％に設定すればよい。
【００３８】
また、配線導体３となる金属ペーストを作製する際に、例えば、銅の粉末は粒径4.5〜6.0μｍのものを用い、モリブデンやタングステンの粉末は粒径2.0〜2.7μｍのものを用いるようにすればよい。
【００３９】
隣り合う配線基板領域２の配線導体３は、絶縁層１ａの層間において配線基板領域２の境界２ａを越えて形成されためっき用接続導体４を介して互いに電気的に接続されている。このように、複数の配線基板領域２の配線導体３同士を互いに電気的に接続しておくことによって、これらの配線導体３に同時に電解めっき法でめっき層（図示せず）を被着させることができる。
【００４０】
めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａおよびその境界２ａに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる。この、配線基板領域２の境界２ａおよびその境界２ａに隣接する部分は、多数個取り配線基板９を例えば図３に示すように個片の配線基板10に分割したときに、それぞれの配線基板10の側面に露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分となる。なお、図３（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板９を配線基板領域２の境界２ａにおいて分割して作製した個片の配線基
板10を示す斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す配線基板10をめっき用接続導体４が形成されている層間において分解して示す分解斜視図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４１】
めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板１に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体４のうち個片に分割されたときに露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、個片に分割されたときに、外気等の水分が、めっき用接続導体４の露出部分から絶縁層１ａの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体３の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を製作することが容易な多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００４２】
なお、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンのみからなるもの、モリブデンのみからなるもの、またはタングステンとモリブデンとからなるものである。めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンのみ、またはタングステンのみからなるものとした場合には、生産性やコスト等の点で有利である。
【００４３】
また、このような多数個取り配線基板９によれば、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体３の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００４４】
例えば、電子部品搭載用の配線基板10において多用されている、厚みが約20μｍ程度で線幅が約100〜250μｍ程度の配線導体３の場合であれば、上記のモリブデンおよびタングステンの含有量が約40〜60体積％のときには、電気抵抗がシート抵抗で約0.002〜0.003Ω／□程度に抑えられる。これに対して、従来技術によるモリブデンやタングステンのみで配線導体（図示せず）を形成した多数個取り配線基板（図示せず）の場合であれば、電気抵抗がシート抵抗で約0.008ｍΩ／□程度と比較的高くなる。
【００４５】
また、このような多数個取り配線基板９によれば、母基板１を形成する絶縁層１ａが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板１の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板１の薄型化を図るような場合にも有利である。
【００４６】
例えば、前述した構成の酸化アルミニウム質焼結体からなる４層の絶縁層１ａが積層されてなる母基板１（厚みが約１ｍｍ程度）の場合であれば機械的な強度は、曲げ強度が約400ＭＰａ程度で、ヤング率が約260ＧＰａ程度である。これに対して、例えば酸化アルミニウムとホウケイ酸系ガラスとを主成分とするガラスセラミック焼結体を用いて上記の母基板１と同様の寸法で比較用の母基板（図示せず）を作製した場合には、その比較用の母基板の機械的な強度は、曲げ強度が約150〜170ＭＰａで、ヤング率が約75〜85ＧＰａ程度である。
【００４７】
めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末、またはモリブデンの粉末とタングステンの粉末とを混合したものに有機溶剤，バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを母基板１となるセラミックグリーンシートの表面に、この表面に印刷した上記配線導体３となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。このめっき用接続導体４の場合にも、
用いるモリブデンやタングステンの粉末の粒径は、例えば2.0〜2.7μｍ程度とすればよい。
【００４８】
また、めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものとする必要があるが、他の部分については、配線導体３と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとしてもよい。この場合には、めっき用接続導体４の抵抗を低く抑えて配線導体３に対するめっき用の電流の供給の効率を高くする上で有利である。また、めっき用接続導体４は、その全長にわたってモリブデンまたはタングステンからなるものとしても構わない。この場合には、めっき用接続導体４の全部を同じ金属ペーストの印刷によって形成することができる。
【００４９】
このめっき用接続導体４のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分である。境界２ａに隣接する部分は、例えばめっき用接続導体４の縦断面が上記のような寸法の場合であれば、配線基板領域２の境界２ａから約0.2ｍｍ程度の範囲である。
【００５０】
なお、めっき用接続導体４は、例えば厚みが約0.01〜0.025ｍｍ程度で線幅が約0.1〜0.2ｍｍ程度であり、この縦断面に相当する面積（約0.001〜0.005ｍｍ２程度）で、母基板
１の分割に伴って生じた端面が個片の配線基板10の側面に露出することになる。
【００５１】
めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａを越えて配線導体３同士を電気的に接続して、多数個取り配線基板９における配線導体３の露出表面に対する電解めっき法によるめっき層の被着を容易とするためのものである。そのため、図２に示す例においては、電気抵抗を低く抑えるとともに、個片の配線基板10内に残る不要なめっき用接続導体４を極力短くするために、隣り合う配線基板領域２同士の間に直線状のパターンで形成されている。なお、めっき用接続導体４は、配線導体３のパターンや配線基板領域２の形状および寸法等の都合に応じて、折れ線状や曲線状のパターンで形成するようにしても構わない。
【００５２】
そして、めっき用接続導体４を介して互いに電気的に接続された各配線基板領域２の配線導体３は、電解めっき液中で、めっき用接続導体４の一部にめっき用の電流を供給することによって、その露出表面にめっき層（図示せず）を被着させることができる。めっき用接続導体４に対するめっき用の電流の供給は、例えば母基板１（ダミー領域５）の外周部に接続用の端子（図示せず）を設けるとともに、めっき用接続導体４の一部をこの端子まで延長させて電気的に接続させておき、端子にめっき用治具（図示せず）を介して整流器等の電源（図示せず）から上記電流を供給させるようにすればよい。
【００５３】
上記めっき層としては、例えば、ニッケルやコバルト，金，パラジウム，銅，錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等を挙げることができる。例えば、個片の配線基板10が電子部品搭載用基板として使用され、配線導体３の露出表面にはんだやボンディングワイヤ等が接続される場合であれば、配線導体３の露出表面から順に、厚みが約１〜15μｍ程度のニッケルめっき層と、厚みが約0.5〜２μｍ程度の金めっき層を被着させるよう
にすればよい。
【００５４】
めっき層を配線導体３の露出表面に被着させた後、母基板１を配線基板領域２の境界２ａに沿って分割すれば、電子部品搭載用等の多数の個片の配線基板10が作製される。なお、母基板１の分割は、配線基板領域２の上面等に電子部品を搭載した後に行なうようにしてもよい。
【００５５】
この場合、母基板１の分割は、例えば図１に示すように母基板１の上下面に、配線基板領域２の境界２ａに沿って分割溝（符号なし）を形成しておいて、この分割溝部分で母基板１に応力を加えて破断させる方法や、ダイシング加工等の切断加工等の方法によって行なうことができる。このような分割溝は、母基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の上面や下面に、配線基板領域２の境界２ａに沿ってカッター刃等で所定の深さで切り込みを入れることによって形成することができる。この分割によって、絶縁層１ａの層間、つまり母基板１の内部において配線基板領域２の配線導体３を互いに電気的に接続していためっき用接続導体４が上記境界２ａ部分で切断または破断されて、この切断または破断された端部分が個片の配線基板10の側面に露出する。
【００５６】
ここで、配線基板領域２の境界２ａから約0.1ｍｍ程度の範囲においてめっき用接続導
体４をモリブデンまたはタングステンからなるものとした多数個取り配線基板９における水分の浸透を抑制する効果を具体的に説明する。この具体例において、母基板１は厚みが約0.2ｍｍの絶縁層１ａを４層積層して形成した、平面視における１辺の長さが約100ｍｍの正方形状のものとした。また、配線基板領域２は１辺の長さが約7.5ｍｍの正方形状の
ものを上記母基板１に12×12個の並びで縦横に配列した。この配線基板領域２の内部（絶縁層１ａの層間）および表面に、線幅が約0.1ｍｍの複数の配線導体３を、互いの隣接間
隔を約0.1ｍｍに設定して形成した。めっき用接続導体４は、厚みが約0.02ｍｍ，線幅が
約0.1ｍｍで長さが約0.2ｍｍであり、その全長にわたってモリブデンで形成した。この具体例の多数個取り配線基板９について、配線導体３の露出表面にニッケルめっき層および金めっき層を順次電解めっき法によって被着させた後に複数の個片の配線基板10に分割し、これらの個片の配線基板10を高温高湿放置（85℃、85％）で1000時間放置して、配線導体３の腐食およびマイグレーションの有無を10倍の顕微鏡によって確認した。その結果、上記具体例の多数個取り配線基板９を用いて作製した配線基板10においては、腐食およびマイグレーションのいずれも確認されなかった。これに対し、従来の技術、つまりめっき用接続導体（図示せず）をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とで形成する技術によって作製していた多数個取り配線基板（図示せず）の場合には、上記と同様の試験において約0.5％の発生率で腐食またはマイグレーションが発生していた。
【００５７】
なお、めっき用接続導体４は、配線導体３にめっき用の電流を送る際の抵抗を抑えるためには縦断面責を一定の値以上に確保しておくことが好ましいが、水分の浸透を抑制する上では、厚みを厚くするよりも幅を広くするようにした方がよい。これは、めっき用接続導体４の厚みが厚くなり過ぎると、上下の絶縁層１ａの間の密着性がめっき用接続導体４に妨げられて低くなりやすい傾向があり、この層間においてめっき用接続導体４と絶縁層１ａとの間から水分が浸透しやすくなる可能性があるためである。
【００５８】
また、めっき用接続導体４について、一部（配線基板領域２の境界２ａ等）をモリブデンまたはタングステンからなるものとし、他の部分をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとする場合には、例えば前述しためっき用接続導体４となる金属ペーストの印刷の際に、両方の金属ペーストの端部分同士が互いに上下に重なるようにして印刷を行なうようにすればよい。
【００５９】
また、上記多数個取り配線基板９において、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体４の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【００６０】
そのため、めっき時の電流の損失を抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、各配線基板領域２に供給される電流のばらつきをより低く抑えて、めっき層の厚みのばらつきをより低く抑えることができる。
【００６１】
ニッケル，コバルトおよび鉄（少なくとも１種）は、これらの金属材料の粉末を、前述しためっき用接続導体４となる金属ペーストに添加し、セラミックグリーンシート等と1300℃程度で同時焼成すれば、めっき用接続導体４に含有させることができる。
【００６２】
この場合、ニッケル，コバルトおよび鉄は、モリブデンおよびタングステンに比べて融点が1450〜1540℃程度と上記焼成温度（1300℃程度）に近く、焼成時の焼結性がモリブデンおよびタングステンよりも高い。そのため、めっき用接続導体４の電気抵抗を低く抑えることができる。また、上記融点が上記焼成温度よりも高いため、焼成時に溶融しにくいため、ガラス質による緻密化や母基板１に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。
【００６３】
ニッケル，コバルトおよび鉄（以下、ニッケル等という）の粉末の粒径は、例えばモリブデンおよびタングステンの粒径と同じ、または若干小さい程度に設定すればよい。この程度の粒径としておけば、モリブデンおよびタングステン（粉末）とニッケル等（粉末）との焼結性を高くして、めっき用接続導体４となる金属ペーストの焼結性をより高くする上で有利である。
【００６４】
また、上記の効果を有効に得るためには、めっき用接続導体４におけるニッケル等の添加量は、0.1〜５体積％程度とすればよい。
【００６５】
なお、ニッケル等は、これらの酸化物の粉末として金属ペーストに添加するようにしてもよい。このような酸化物の粉末として添加した場合には、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の酸化物を含むセラミックグリーンシートとの結合をより強くすることができる。
【００６６】
また、ニッケル等を上記のようにめっき用接続導体４に含ませる場合には、耐食性や金属ペーストを作製する際の取り扱いやすさ（作業性）、タングステンおよびモリブデンとの焼結性等を考慮すれば、ニッケルを選択することが好ましい。
【００６７】
１つの配線基板領域２に複数のめっき用接続導体４が形成されている場合には、それらの全部について、配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分（モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分）がニッケル等が添加されたもの、または添加されていないものに統一されている必要はない。
【００６８】
例えば、図２に示した例のように、面積が比較的大きい配線導体３と比較的小さい配線導体３とが１つの配線基板領域２に形成されているときに、面積が比較的大きい配線導体３と接続されためっき用接続導体４のみについて、上記のようにニッケル等が添加されたものとしてもよい。この場合には、面積が比較的大きく、めっき用の電流を多く必要とする配線導体３に対するめっき用の電流の供給を容易としながら、ニッケル等の添加の手間およびコストを抑制することができる。
【００６９】
次に、本発明の配線基板について説明する。なお、本発明の配線基板は、例えば上記本発明の多数個取り配線基板９が配線基板領域２の境界２ａに沿って分割して製作されたものである。以下の説明において、多数個取り配線基板９と同様の事項については説明を省略する。
【００７０】
図４（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。この実施形態の例の配線基板10は、図１に示す多数個取り配線基板９が、配線基板領域２の境界２ａに形成された分割溝に沿って破断（分割）されて製作されたものである。図４に示す配線基板を斜視したときの図が、図
３に相当する。
【００７１】
図４において、11は複数の絶縁層１ａが積層されてなる絶縁基板，３は配線導体，４はめっき用接続導体である。絶縁基板１に配線導体３が形成され、配線導体３と接続されためっき用接続導体４が絶縁層１ａの層間に形成されて配線基板10が基本的に構成されている。図４おいて配線導体３は、詳しいパターンを省略して示している。
【００７２】
絶縁基板１は、例えば四角平板状等の平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層１ａが積層されて形成されている。図４に示す例では絶縁層１ａが４層積層されて絶縁基板10が形成されているが、これ以外の積層数（２層以上）でも構わない。
【００７３】
絶縁基板11は、上記半導体素子や圧電素子等の種々の電子部品（図示せず）を搭載するためのものであり、上面の中央部等の露出表面に電子部品が搭載される。
【００７４】
絶縁基板11には、多数個取り配線基板９の配線基板領域２と同様に、絶縁層１ａの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体３が形成されている。この配線導体３のうち、絶縁基板10の上面等に形成された部分に電子部品の電極が電気的に接続される。また、絶縁基板11の下面に形成された配線導体３を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体３を介して電気的に接続される。この例においても、配線導体３の一部が貫通導体（符号なし）となっている。
【００７５】
絶縁基板11は、上記多数個取り配線基板９の母基板１を配線基板領域２の境界２ａに沿って分割することによって作製される。つまり、上記と同様に酸化アルミニウム等の原料粉末を用い、同様の方法で作製した複数のセラミックグリーンシートを積層した後に焼成して母基板１を作製し、その後、あらかじめセラミックグリーンシートの積層体の上下面に形成したおいた分割溝に沿って母基板１を分割すれば、配線基板10の絶縁基板11を作製することができる。なお、この配線基板10の絶縁基板11においても、原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となる。酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量％程度に設定すればよい。
【００７６】
配線導体３は、上記多数個取り配線基板９の場合と同様の材料、つまりモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方（粒子）と銅（主導体）とからなり、銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散している。配線導体３が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える焼成温度での母基板１との同時焼成が可能となっている。
【００７７】
配線導体３の露出する表面には、ニッケルや金等のめっき層（図示せず）が被着されている。めっき用接続導体４は、配線基板10を図１に示すような多数個取り配線基板９の形態で製作する際に、隣り合う配線基板領域２の配線導体３同士を互いに電気的に接続しておくためのものである。めっき用接続導体４によって複数の配線基板領域２の配線導体３が互いに電気的に接続されて、電解めっき法でめっき層が被着されている。
【００７８】
このめっき用接続導体４は、多数個取り配線基板９において配線導体３にめっき用の電流を供給するためのものであるが、個片の配線基板10においても絶縁層１ａの層間に残留している。
【００７９】
めっき用接続導体４は、上記の機能のため、配線導体３と直接に接続している必要があり、また、一端が絶縁基板11の側面に露出している必要がある。絶縁基板11の側面に露出しているめっき用接続導体４の一端は、多数個取り配線基板９において配線基板領域２の
境界２ａに位置していた部位に相当する。
【００８０】
めっき用接続導体４のうち絶縁基板11の側面に露出している一端およびこの一端に隣接する部分は、モリブデンまたはタングステンからなる。この部分は、上記多数個取り配線基板９におけるめっき用接続導体４の場合と同様に、組織が緻密であり、また絶縁基板11対するアンカー効果が高い。すなわち、めっき用接続導体４のうち絶縁基板11の側面に露出する一端およびこの一端に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなっている。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体４の露出した一端から絶縁層１ａの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体３の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を提供することができる。
【００８１】
また、このような配線基板10によれば、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分と１つとして含んでいることから、配線導体３の電気抵抗を低く（例えばシート抵抗で約0.002〜0.003Ω／□程度に）抑える上で有効である。
【００８２】
また、このような配線基板10によれば、絶縁基板11を形成する絶縁層１ａが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板11の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板11の薄型化を図るような場合にも有利である。絶縁基板11の機械的強度は、例えば厚みが約１ｍｍ程度の場合であれば、曲げ強度が約400ＭＰａ程
度で、ヤング率が約260ＧＰａ程度である。
【００８３】
めっき用接続導体４のうちモリブデンまたタングステンからなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを絶縁基板11を作製するための母基板１となるセラミックグリーンシートに配線導体３となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。
【００８４】
配線基板10においても、めっき用接続導体４は、絶縁基板１の側面に露出する一端およびこれに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものである必要があるが、他の部分については、配線導体３と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとして抵抗を低く抑えるようにしてもよい。
【００８５】
めっき用接続導体４のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように絶縁基板１の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分である。一端に隣接する部分は、多数個取り配線基板９における配線基板領域２の境界２ａからの長さに相当し、例えば約0.2ｍｍ程度である。
【００８６】
なお、めっき用接続導体４は、多数個取り配線基板９の場合と同様に、例えば厚みが約0.01〜0.025ｍｍ程度で線幅が約0.1〜0.2ｍｍ程度であり、この縦断面に相当する面積（
約0.001〜0.005ｍｍ２程度）で、一端が絶縁基板11の側面に露出している。
【００８７】
配線導体３に被着されるめっき層は、上記と同様にニッケルやコバルト，金，パラジウム，銅，錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等が挙げられ、それぞれの厚みについても同様である。
【００８８】
配線基板10において、めっき用接続導体４のうち絶縁基板１の側面に露出した一端、およびこの一端に隣接した部分をタングステンまたはモリブデンからなるものとしたときの具体的な例および効果は、上記多数個取り配線基板９における具体例と同様である。
【００８９】
個片の配線基板10においても、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部位に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部位における焼結性が向上して、めっき用接続導体４の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【００９０】
そのため、この配線基板10を多数個取り配線基板９の形態で製作するときに、めっき時の電流の損失が抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、配線基板10となる配列された複数の配線基板領域２に供給される電流のばらつきをより低く抑えることができる。そのため、めっき層の厚みのばらつきがより小さい配線基板10を提供することができる。
【００９１】
ニッケル，コバルトおよび鉄（ニッケル等）は、前述した多数個取り配線基板９の場合と同様に、これらの金属材料の粉末をめっき用接続導体４となる金属ペーストに添加し、焼成することによって、めっき用接続導体４に添加させることができる。そして、前述した多数個取り配線基板９の場合と同様に、融点が焼成温度に近いニッケル等の存在によって、めっき用接続導体４の焼結性を高くして電気抵抗を低く抑えることができる。また、ガラス質による緻密化や母基板１に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。
【００９２】
この配線基板10においてめっき用接続導体４に添加されたニッケル等は、その粒径や含有量等について前述した多数個取り配線基板９の場合と同様である。また同様に、耐食性等を考慮すればニッケルを選択することが好ましい。
【符号の説明】
【００９３】
１・・・母基板
１ａ・・絶縁層
２・・・配線基板領域
２ａ・・配線基板領域の境界
３・・・配線導体
４・・・めっき用接続導体
５・・・ダミー領域
９・・・多数個取り配線基板
10・・・配線基板
11・・・絶縁基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に縦横の並びに配線基板領域が配列されているとともに、配線基板領域に形成されたモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体同士が、絶縁層の層間に形成されためっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板および個片の配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、絶縁層の層間から絶縁基板の表面にかけて形成された、タングステンやモリブデンのメタライズ層からなる配線導体とを備え、配線導体の露出表面がニッケルや金等のめっき層で被覆されたものが多用されている。このような配線基板は、一般に、配線基板となる領域が母基板に縦横に配列されてなる多数個取り配線基板の形態で製作されている。
【０００３】
また、一般に、配線導体の露出表面に対するめっき層の被着も、生産性やコスト等を考慮して多数個取り配線基板の状態で行なわれる。すなわち、複数の配線基板領域の配線導体同士を接続するめっき用接続導体を絶縁層の層間に、配線基板領域の境界を越えて形成し、このめっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体同士を電気的に接続させておく。そして、ニッケル等の電解めっき液中で、めっき用接続導体の一部にめっき用治具等を介してめっき用の電流を供給すれば、めっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体に順次その電流が供給され、配線導体の露出表面にめっき層を被着させることができる。
【０００４】
多数個取り配線基板の製作は、酸化アルミニウム粉末およびガラス粉末に有機溶剤およびバインダを添加してシート状に成形したセラミックグリーンシートにタングステン等の金属ペーストを配線導体やめっき用接続導体のパターンに印刷して焼成することによって行なわれる。この焼成時に、セラミックグリーンシートのガラス質が金属ペーストの金属の粒子間に入り込んで焼結する。
【０００５】
そして、配線導体の露出表面にめっき層を被着させた多数個取り配線基板を、例えばダイシング加工や、あらかじめ母基板の表面に配線基板領域の境界に沿って形成しておいた分割溝に沿って破断させる加工を施せば、多数個取り配線基板が個片の配線基板に分割される。
【０００６】
近年、配線導体の電気抵抗を低く抑えるために、配線導体を、銅（マトリクス）の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料で形成することが提案され、実用化されている。この場合、酸化アルミニウム質焼結体を酸化マンガン等を含むものとして焼成温度を約1300℃程度に低くして、銅を含む配線導体を母基板と同時焼成によって形成することを可能としている。また、めっき用接続導体も、配線導体と同様に銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2009−4515号公報
【特許文献２】特開2009−4516号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板および配線基板においては、次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、多数個取り配線基板を配線基板領域の境界において分割した際に、個片の配線基板の側面に切断されためっき用接続導体の端部分が露出する。また、このめっき用接続導体は、銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料からなり、焼成時にガラス質の拡散が始まる前に融点が低い銅の粒子同士が結合するためセラミックグリーンシートのガラス質が入りにくいことから、内部に空隙が生じやすく、いわゆるポーラスな状態になりやすい。そのため、多数個取り配線基板を個片に分割したときに、個片の配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に外気の水分が浸透しやすい。そして、この浸透した水分に起因して、絶縁層の層間において配線導体やめっき用接続導体に腐食やマイグレーション等の不具合を生じるという問題点があった。
【００１０】
特に、近年、配線基板の小型化等に応じて母基板における配線導体とめっき用引き出し線との間の距離が近くなり、わずかな水分の浸透でも上記のような問題点が発生する可能性が高くなっている。
【００１１】
本発明はこのような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体が形成され、隣り合う配線基板領域の配線導体同士がめっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板において、個片に分割したときに露出するめっき用引き出し線から絶縁層の層間への水分の浸透を効果的に抑制することが可能で、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板、および信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の多数個取り配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とす
るものである。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多数個取り配線基板によれば、めっき用接続導体が、配線基板領域の境界および境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、個片の配線基板に分割された際に、その配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端面およびこれに隣接する部分がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなるものとなる。モリブデンまたはタングステンからなるめっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体のうち個片に分割されたときに露出する端部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、配線導体が電気抵抗の低いモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００１８】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、母基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板の薄型化を図るような場合に有利である。
【００１９】
また、本発明の多数個取り配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の電気抵抗（導通抵抗）をより低く抑えることができる。
【００２０】
本発明の配線基板によれば、めっき用接続導体の一端が絶縁基板の側面に露出しているため、このような配線基板を多数個取り配線基板の形態で製作する際に、めっき用接続導体の露出した一端同士が互いに電気的に接続されたものとすることができる。そのため、めっき用接続導体を介して配線導体に供給されためっき用電流によって、配線導体にめっき層が容易に被着されたものとすることができる。
【００２１】
また、めっき用接続導体が、絶縁基板の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、上記多数個取り配線基板の場合と同様に、外気等の水分がめっき用接続導体の露出した一端から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００２２】
また、本発明の配線基板によれば、配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００２３】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板の薄型化を図るような場合に有利である。
【００２４】
また、本発明の配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す要部拡大平面図（透視図）である。
【図３】（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板が個片に分割されてなる配線基板を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す配線基板の分解斜視図である。
【図４】（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図２は、図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す平面図（透視図）である。
【００２８】
図１および図２において、１は複数の絶縁層１ａが積層されてなる母基板，２は配線基板領域，３は配線導体，４はめっき用接続導体である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列され、隣り合う配線基板領域２の配線導体３同士がめっき用接続導体４を介して電気的に接続されて多数個取り配線基板９が基本的に構成されている。なお、配線導体３は、図を見やすくするために、詳しいパターンを省略して示している。
【００２９】
母基板１は、例えば平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層１ａが積層されて形成されている。図１に示す例では絶縁層１ａが４層積層されて母基板１が形成されているが、これ以外の積層数（２層以上）でも構わない。
【００３０】
配線基板領域２は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品（図示せず）を搭載するための電子部品搭載用等の配線基板となる領域であり、例えば、それぞれの上面の中央部に電子部品が搭載される。
【００３１】
配線基板領域２（個片の配線基板）に搭載される電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００３２】
配線基板領域２には、絶縁層１ａの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体３が形成されている。この配線導体３のうち、配線基板領域２の上面等に形成された部分に電子部品の電極がはんだやボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。そして、例えば個片の配線基板に分割した後に、配線基板領域２の下面に形成された配線導体３を外
部電気回路（図示せず）にはんだ等を介して電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体３を介して電気的に接続される。なお、配線導体３の一部は、絶縁層１ａを厚み方向に貫通する貫通孔（符号なし）の内部に充填された貫通導体（符号なし）となっている。この貫通導体を介して、配線導体３のうち絶縁層１ａの層間や配線基板領域２の表面に形成された部分同士が上下に電気的に接続される。
【００３３】
配線導体３は、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなっている。銅は、配線導体３における主導体として機能する部分であり、この銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散して配線導体３が形成されている。モリブデンおよびタングステンは、酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁層１ａとの同時焼成を可能とするために、銅に添加されている。
【００３４】
これらの配線導体３を有する母基板１は、例えば配線導体３がモリブデンおよび銅からなる場合であれば、以下のようにして製作される。
【００３５】
まず、酸化アルミニウムや酸化ケイ素，酸化カルシウム，酸化マンガン等の原料粉末を、有機溶剤，バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、銅粉末とモリブデン粉末とを有機溶剤，バインダと混練して金属ペーストを作製し、この金属ペーストを、所定の配線導体３のパターンでセラミックグリーンシーンシートの表面およびあらかじめ形成しておいた貫通孔（符号なし）内に塗布または充填する。そして、これらのセラミックグリーンシートを積層した後に約1300℃で焼成すれば、絶縁層１ａが積層されてなり、絶縁層１ａの層間から表面にかけて配線導体３が形成された母基板１を製作することができる。
【００３６】
上記の母基板１の製作においては、母基板１を形成する原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となっている。また、前述したように配線導体３が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える上記焼成温度での配線導体３の母基板１との同時焼成を可能としている。
【００３７】
この場合、酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量％程度に設定すればよい。また、配線導体３におけるモリブデンおよびタングステンの含有量は、約40〜60体積％に設定すればよい。
【００３８】
また、配線導体３となる金属ペーストを作製する際に、例えば、銅の粉末は粒径4.5〜6.0μｍのものを用い、モリブデンやタングステンの粉末は粒径2.0〜2.7μｍのものを用いるようにすればよい。
【００３９】
隣り合う配線基板領域２の配線導体３は、絶縁層１ａの層間において配線基板領域２の境界２ａを越えて形成されためっき用接続導体４を介して互いに電気的に接続されている。このように、複数の配線基板領域２の配線導体３同士を互いに電気的に接続しておくことによって、これらの配線導体３に同時に電解めっき法でめっき層（図示せず）を被着させることができる。
【００４０】
めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａおよびその境界２ａに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる。この、配線基板領域２の境界２ａおよびその境界２ａに隣接する部分は、多数個取り配線基板９を例えば図３に示すように個片の配線基板10に分割したときに、それぞれの配線基板10の側面に露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分となる。なお、図３（ａ）は図１に示す多数個取り配線基板９を配線基板領域２の境界２ａにおいて分割して作製した個片の配線基
板10を示す斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す配線基板10をめっき用接続導体４が形成されている層間において分解して示す分解斜視図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４１】
めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板１に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体４のうち個片に分割されたときに露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、個片に分割されたときに、外気等の水分が、めっき用接続導体４の露出部分から絶縁層１ａの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体３の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を製作することが容易な多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００４２】
なお、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンのみからなるもの、モリブデンのみからなるもの、またはタングステンとモリブデンとからなるものである。めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンのみ、またはタングステンのみからなるものとした場合には、生産性やコスト等の点で有利である。
【００４３】
また、このような多数個取り配線基板９によれば、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の１つとして含んでいることから、配線導体３の電気抵抗を低く抑える上で有効である。
【００４４】
例えば、電子部品搭載用の配線基板10において多用されている、厚みが約20μｍ程度で線幅が約100〜250μｍ程度の配線導体３の場合であれば、上記のモリブデンおよびタングステンの含有量が約40〜60体積％のときには、電気抵抗がシート抵抗で約0.002〜0.003Ω／□程度に抑えられる。これに対して、従来技術によるモリブデンやタングステンのみで配線導体（図示せず）を形成した多数個取り配線基板（図示せず）の場合であれば、電気抵抗がシート抵抗で約0.008ｍΩ／□程度と比較的高くなる。
【００４５】
また、このような多数個取り配線基板９によれば、母基板１を形成する絶縁層１ａが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板１の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板１の薄型化を図るような場合にも有利である。
【００４６】
例えば、前述した構成の酸化アルミニウム質焼結体からなる４層の絶縁層１ａが積層されてなる母基板１（厚みが約１ｍｍ程度）の場合であれば機械的な強度は、曲げ強度が約400ＭＰａ程度で、ヤング率が約260ＧＰａ程度である。これに対して、例えば酸化アルミニウムとホウケイ酸系ガラスとを主成分とするガラスセラミック焼結体を用いて上記の母基板１と同様の寸法で比較用の母基板（図示せず）を作製した場合には、その比較用の母基板の機械的な強度は、曲げ強度が約150〜170ＭＰａで、ヤング率が約75〜85ＧＰａ程度である。
【００４７】
めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末、またはモリブデンの粉末とタングステンの粉末とを混合したものに有機溶剤，バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを母基板１となるセラミックグリーンシートの表面に、この表面に印刷した上記配線導体３となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。このめっき用接続導体４の場合にも、
用いるモリブデンやタングステンの粉末の粒径は、例えば2.0〜2.7μｍ程度とすればよい。
【００４８】
また、めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものとする必要があるが、他の部分については、配線導体３と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとしてもよい。この場合には、めっき用接続導体４の抵抗を低く抑えて配線導体３に対するめっき用の電流の供給の効率を高くする上で有利である。また、めっき用接続導体４は、その全長にわたってモリブデンまたはタングステンからなるものとしても構わない。この場合には、めっき用接続導体４の全部を同じ金属ペーストの印刷によって形成することができる。
【００４９】
このめっき用接続導体４のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分である。境界２ａに隣接する部分は、例えばめっき用接続導体４の縦断面が上記のような寸法の場合であれば、配線基板領域２の境界２ａから約0.2ｍｍ程度の範囲である。
【００５０】
なお、めっき用接続導体４は、例えば厚みが約0.01〜0.025ｍｍ程度で線幅が約0.1〜0.2ｍｍ程度であり、この縦断面に相当する面積（約0.001〜0.005ｍｍ２程度）で、母基板
１の分割に伴って生じた端面が個片の配線基板10の側面に露出することになる。
【００５１】
めっき用接続導体４は、配線基板領域２の境界２ａを越えて配線導体３同士を電気的に接続して、多数個取り配線基板９における配線導体３の露出表面に対する電解めっき法によるめっき層の被着を容易とするためのものである。そのため、図２に示す例においては、電気抵抗を低く抑えるとともに、個片の配線基板10内に残る不要なめっき用接続導体４を極力短くするために、隣り合う配線基板領域２同士の間に直線状のパターンで形成されている。なお、めっき用接続導体４は、配線導体３のパターンや配線基板領域２の形状および寸法等の都合に応じて、折れ線状や曲線状のパターンで形成するようにしても構わない。
【００５２】
そして、めっき用接続導体４を介して互いに電気的に接続された各配線基板領域２の配線導体３は、電解めっき液中で、めっき用接続導体４の一部にめっき用の電流を供給することによって、その露出表面にめっき層（図示せず）を被着させることができる。めっき用接続導体４に対するめっき用の電流の供給は、例えば母基板１（ダミー領域５）の外周部に接続用の端子（図示せず）を設けるとともに、めっき用接続導体４の一部をこの端子まで延長させて電気的に接続させておき、端子にめっき用治具（図示せず）を介して整流器等の電源（図示せず）から上記電流を供給させるようにすればよい。
【００５３】
上記めっき層としては、例えば、ニッケルやコバルト，金，パラジウム，銅，錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等を挙げることができる。例えば、個片の配線基板10が電子部品搭載用基板として使用され、配線導体３の露出表面にはんだやボンディングワイヤ等が接続される場合であれば、配線導体３の露出表面から順に、厚みが約１〜15μｍ程度のニッケルめっき層と、厚みが約0.5〜２μｍ程度の金めっき層を被着させるよう
にすればよい。
【００５４】
めっき層を配線導体３の露出表面に被着させた後、母基板１を配線基板領域２の境界２ａに沿って分割すれば、電子部品搭載用等の多数の個片の配線基板10が作製される。なお、母基板１の分割は、配線基板領域２の上面等に電子部品を搭載した後に行なうようにしてもよい。
【００５５】
この場合、母基板１の分割は、例えば図１に示すように母基板１の上下面に、配線基板領域２の境界２ａに沿って分割溝（符号なし）を形成しておいて、この分割溝部分で母基板１に応力を加えて破断させる方法や、ダイシング加工等の切断加工等の方法によって行なうことができる。このような分割溝は、母基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の上面や下面に、配線基板領域２の境界２ａに沿ってカッター刃等で所定の深さで切り込みを入れることによって形成することができる。この分割によって、絶縁層１ａの層間、つまり母基板１の内部において配線基板領域２の配線導体３を互いに電気的に接続していためっき用接続導体４が上記境界２ａ部分で切断または破断されて、この切断または破断された端部分が個片の配線基板10の側面に露出する。
【００５６】
ここで、配線基板領域２の境界２ａから約0.1ｍｍ程度の範囲においてめっき用接続導
体４をモリブデンまたはタングステンからなるものとした多数個取り配線基板９における水分の浸透を抑制する効果を具体的に説明する。この具体例において、母基板１は厚みが約0.2ｍｍの絶縁層１ａを４層積層して形成した、平面視における１辺の長さが約100ｍｍの正方形状のものとした。また、配線基板領域２は１辺の長さが約7.5ｍｍの正方形状の
ものを上記母基板１に12×12個の並びで縦横に配列した。この配線基板領域２の内部（絶縁層１ａの層間）および表面に、線幅が約0.1ｍｍの複数の配線導体３を、互いの隣接間
隔を約0.1ｍｍに設定して形成した。めっき用接続導体４は、厚みが約0.02ｍｍ，線幅が
約0.1ｍｍで長さが約0.2ｍｍであり、その全長にわたってモリブデンで形成した。この具体例の多数個取り配線基板９について、配線導体３の露出表面にニッケルめっき層および金めっき層を順次電解めっき法によって被着させた後に複数の個片の配線基板10に分割し、これらの個片の配線基板10を高温高湿放置（85℃、85％）で1000時間放置して、配線導体３の腐食およびマイグレーションの有無を10倍の顕微鏡によって確認した。その結果、上記具体例の多数個取り配線基板９を用いて作製した配線基板10においては、腐食およびマイグレーションのいずれも確認されなかった。これに対し、従来の技術、つまりめっき用接続導体（図示せず）をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とで形成する技術によって作製していた多数個取り配線基板（図示せず）の場合には、上記と同様の試験において約0.5％の発生率で腐食またはマイグレーションが発生していた。
【００５７】
なお、めっき用接続導体４は、配線導体３にめっき用の電流を送る際の抵抗を抑えるためには縦断面責を一定の値以上に確保しておくことが好ましいが、水分の浸透を抑制する上では、厚みを厚くするよりも幅を広くするようにした方がよい。これは、めっき用接続導体４の厚みが厚くなり過ぎると、上下の絶縁層１ａの間の密着性がめっき用接続導体４に妨げられて低くなりやすい傾向があり、この層間においてめっき用接続導体４と絶縁層１ａとの間から水分が浸透しやすくなる可能性があるためである。
【００５８】
また、めっき用接続導体４について、一部（配線基板領域２の境界２ａ等）をモリブデンまたはタングステンからなるものとし、他の部分をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとする場合には、例えば前述しためっき用接続導体４となる金属ペーストの印刷の際に、両方の金属ペーストの端部分同士が互いに上下に重なるようにして印刷を行なうようにすればよい。
【００５９】
また、上記多数個取り配線基板９において、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体４の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【００６０】
そのため、めっき時の電流の損失を抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、各配線基板領域２に供給される電流のばらつきをより低く抑えて、めっき層の厚みのばらつきをより低く抑えることができる。
【００６１】
ニッケル，コバルトおよび鉄（少なくとも１種）は、これらの金属材料の粉末を、前述しためっき用接続導体４となる金属ペーストに添加し、セラミックグリーンシート等と1300℃程度で同時焼成すれば、めっき用接続導体４に含有させることができる。
【００６２】
この場合、ニッケル，コバルトおよび鉄は、モリブデンおよびタングステンに比べて融点が1450〜1540℃程度と上記焼成温度（1300℃程度）に近く、焼成時の焼結性がモリブデンおよびタングステンよりも高い。そのため、めっき用接続導体４の電気抵抗を低く抑えることができる。また、上記融点が上記焼成温度よりも高いため、焼成時に溶融しにくいため、ガラス質による緻密化や母基板１に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。
【００６３】
ニッケル，コバルトおよび鉄（以下、ニッケル等という）の粉末の粒径は、例えばモリブデンおよびタングステンの粒径と同じ、または若干小さい程度に設定すればよい。この程度の粒径としておけば、モリブデンおよびタングステン（粉末）とニッケル等（粉末）との焼結性を高くして、めっき用接続導体４となる金属ペーストの焼結性をより高くする上で有利である。
【００６４】
また、上記の効果を有効に得るためには、めっき用接続導体４におけるニッケル等の添加量は、0.1〜５体積％程度とすればよい。
【００６５】
なお、ニッケル等は、これらの酸化物の粉末として金属ペーストに添加するようにしてもよい。このような酸化物の粉末として添加した場合には、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の酸化物を含むセラミックグリーンシートとの結合をより強くすることができる。
【００６６】
また、ニッケル等を上記のようにめっき用接続導体４に含ませる場合には、耐食性や金属ペーストを作製する際の取り扱いやすさ（作業性）、タングステンおよびモリブデンとの焼結性等を考慮すれば、ニッケルを選択することが好ましい。
【００６７】
１つの配線基板領域２に複数のめっき用接続導体４が形成されている場合には、それらの全部について、配線基板領域２の境界２ａおよび境界２ａに隣接する部分（モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分）がニッケル等が添加されたもの、または添加されていないものに統一されている必要はない。
【００６８】
例えば、図２に示した例のように、面積が比較的大きい配線導体３と比較的小さい配線導体３とが１つの配線基板領域２に形成されているときに、面積が比較的大きい配線導体３と接続されためっき用接続導体４のみについて、上記のようにニッケル等が添加されたものとしてもよい。この場合には、面積が比較的大きく、めっき用の電流を多く必要とする配線導体３に対するめっき用の電流の供給を容易としながら、ニッケル等の添加の手間およびコストを抑制することができる。
【００６９】
次に、本発明の配線基板について説明する。なお、本発明の配線基板は、例えば上記本発明の多数個取り配線基板９が配線基板領域２の境界２ａに沿って分割して製作されたものである。以下の説明において、多数個取り配線基板９と同様の事項については説明を省略する。
【００７０】
図４（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。この実施形態の例の配線基板10は、図１に示す多数個取り配線基板９が、配線基板領域２の境界２ａに形成された分割溝に沿って破断（分割）されて製作されたものである。図４に示す配線基板を斜視したときの図が、図
３に相当する。
【００７１】
図４において、11は複数の絶縁層１ａが積層されてなる絶縁基板，３は配線導体，４はめっき用接続導体である。絶縁基板１に配線導体３が形成され、配線導体３と接続されためっき用接続導体４が絶縁層１ａの層間に形成されて配線基板10が基本的に構成されている。図４おいて配線導体３は、詳しいパターンを省略して示している。
【００７２】
絶縁基板１は、例えば四角平板状等の平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層１ａが積層されて形成されている。図４に示す例では絶縁層１ａが４層積層されて絶縁基板10が形成されているが、これ以外の積層数（２層以上）でも構わない。
【００７３】
絶縁基板11は、上記半導体素子や圧電素子等の種々の電子部品（図示せず）を搭載するためのものであり、上面の中央部等の露出表面に電子部品が搭載される。
【００７４】
絶縁基板11には、多数個取り配線基板９の配線基板領域２と同様に、絶縁層１ａの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体３が形成されている。この配線導体３のうち、絶縁基板10の上面等に形成された部分に電子部品の電極が電気的に接続される。また、絶縁基板11の下面に形成された配線導体３を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体３を介して電気的に接続される。この例においても、配線導体３の一部が貫通導体（符号なし）となっている。
【００７５】
絶縁基板11は、上記多数個取り配線基板９の母基板１を配線基板領域２の境界２ａに沿って分割することによって作製される。つまり、上記と同様に酸化アルミニウム等の原料粉末を用い、同様の方法で作製した複数のセラミックグリーンシートを積層した後に焼成して母基板１を作製し、その後、あらかじめセラミックグリーンシートの積層体の上下面に形成したおいた分割溝に沿って母基板１を分割すれば、配線基板10の絶縁基板11を作製することができる。なお、この配線基板10の絶縁基板11においても、原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となる。酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量％程度に設定すればよい。
【００７６】
配線導体３は、上記多数個取り配線基板９の場合と同様の材料、つまりモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方（粒子）と銅（主導体）とからなり、銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散している。配線導体３が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える焼成温度での母基板１との同時焼成が可能となっている。
【００７７】
配線導体３の露出する表面には、ニッケルや金等のめっき層（図示せず）が被着されている。めっき用接続導体４は、配線基板10を図１に示すような多数個取り配線基板９の形態で製作する際に、隣り合う配線基板領域２の配線導体３同士を互いに電気的に接続しておくためのものである。めっき用接続導体４によって複数の配線基板領域２の配線導体３が互いに電気的に接続されて、電解めっき法でめっき層が被着されている。
【００７８】
このめっき用接続導体４は、多数個取り配線基板９において配線導体３にめっき用の電流を供給するためのものであるが、個片の配線基板10においても絶縁層１ａの層間に残留している。
【００７９】
めっき用接続導体４は、上記の機能のため、配線導体３と直接に接続している必要があり、また、一端が絶縁基板11の側面に露出している必要がある。絶縁基板11の側面に露出しているめっき用接続導体４の一端は、多数個取り配線基板９において配線基板領域２の
境界２ａに位置していた部位に相当する。
【００８０】
めっき用接続導体４のうち絶縁基板11の側面に露出している一端およびこの一端に隣接する部分は、モリブデンまたはタングステンからなる。この部分は、上記多数個取り配線基板９におけるめっき用接続導体４の場合と同様に、組織が緻密であり、また絶縁基板11対するアンカー効果が高い。すなわち、めっき用接続導体４のうち絶縁基板11の側面に露出する一端およびこの一端に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなっている。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体４の露出した一端から絶縁層１ａの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体３の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を提供することができる。
【００８１】
また、このような配線基板10によれば、配線導体３がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分と１つとして含んでいることから、配線導体３の電気抵抗を低く（例えばシート抵抗で約0.002〜0.003Ω／□程度に）抑える上で有効である。
【００８２】
また、このような配線基板10によれば、絶縁基板11を形成する絶縁層１ａが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板11の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板11の薄型化を図るような場合にも有利である。絶縁基板11の機械的強度は、例えば厚みが約１ｍｍ程度の場合であれば、曲げ強度が約400ＭＰａ程
度で、ヤング率が約260ＧＰａ程度である。
【００８３】
めっき用接続導体４のうちモリブデンまたタングステンからなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを絶縁基板11を作製するための母基板１となるセラミックグリーンシートに配線導体３となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。
【００８４】
配線基板10においても、めっき用接続導体４は、絶縁基板１の側面に露出する一端およびこれに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものである必要があるが、他の部分については、配線導体３と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとして抵抗を低く抑えるようにしてもよい。
【００８５】
めっき用接続導体４のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように絶縁基板１の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分である。一端に隣接する部分は、多数個取り配線基板９における配線基板領域２の境界２ａからの長さに相当し、例えば約0.2ｍｍ程度である。
【００８６】
なお、めっき用接続導体４は、多数個取り配線基板９の場合と同様に、例えば厚みが約0.01〜0.025ｍｍ程度で線幅が約0.1〜0.2ｍｍ程度であり、この縦断面に相当する面積（
約0.001〜0.005ｍｍ２程度）で、一端が絶縁基板11の側面に露出している。
【００８７】
配線導体３に被着されるめっき層は、上記と同様にニッケルやコバルト，金，パラジウム，銅，錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等が挙げられ、それぞれの厚みについても同様である。
【００８８】
配線基板10において、めっき用接続導体４のうち絶縁基板１の側面に露出した一端、およびこの一端に隣接した部分をタングステンまたはモリブデンからなるものとしたときの具体的な例および効果は、上記多数個取り配線基板９における具体例と同様である。
【００８９】
個片の配線基板10においても、めっき用接続導体４のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部位に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されている場合には、この部位における焼結性が向上して、めっき用接続導体４の導通抵抗をより低く抑えることができる。
【００９０】
そのため、この配線基板10を多数個取り配線基板９の形態で製作するときに、めっき時の電流の損失が抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、配線基板10となる配列された複数の配線基板領域２に供給される電流のばらつきをより低く抑えることができる。そのため、めっき層の厚みのばらつきがより小さい配線基板10を提供することができる。
【００９１】
ニッケル，コバルトおよび鉄（ニッケル等）は、前述した多数個取り配線基板９の場合と同様に、これらの金属材料の粉末をめっき用接続導体４となる金属ペーストに添加し、焼成することによって、めっき用接続導体４に添加させることができる。そして、前述した多数個取り配線基板９の場合と同様に、融点が焼成温度に近いニッケル等の存在によって、めっき用接続導体４の焼結性を高くして電気抵抗を低く抑えることができる。また、ガラス質による緻密化や母基板１に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。
【００９２】
この配線基板10においてめっき用接続導体４に添加されたニッケル等は、その粒径や含有量等について前述した多数個取り配線基板９の場合と同様である。また同様に、耐食性等を考慮すればニッケルを選択することが好ましい。
【符号の説明】
【００９３】
１・・・母基板
１ａ・・絶縁層
２・・・配線基板領域
２ａ・・配線基板領域の境界
３・・・配線導体
４・・・めっき用接続導体
５・・・ダミー領域
９・・・多数個取り配線基板
10・・・配線基板
11・・・絶縁基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項１】
酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル，コバルトおよび鉄の少なくとも１種が添加されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−１４６９４１（Ｐ２０１２−１４６９４１Ａ）
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９４１５１（Ｐ２０１１−９４１５１）
【出願日】平成２３年４月２０日（２０１１．４．２０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２０日（２０１１．４．２０）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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