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Fターム[5E346CC38]の内容

多層プリント配線板の製造 (97,916) | 多層の材料・材質 (18,988) | 導体材料 (7,671) | 金系 (763)

Fターム[5E346CC38]に分類される特許

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【課題】コアレス・パッケージ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】構築構造は第1外側部および反対側の第2外側部を有すると共に、該構築構造は、ひとつ以上の第2誘電層261および第2配線層262、および、複数の導電性ビア263を含む。上記第2誘電層261は、夫々、上記第1および第2外側部の方を向く第1および第2表面を有する。上記第2配線層262は上記第2表面上に配設される。上記導電性ビア263は、上記第2誘電層261内に配設される。上記第2外側部における上記最外側の第2配線層262は、複数の第2導電性パッドを有する。上記第1配線層25は上記第1外側部における上記最外側の第2誘電層261の上記第1表面内に埋設され且つ該表面から露出され、且つ、該第1配線層25は複数の第1導電性パッドを有する。上記導電性ビア263は、上記第1配線層25および上記第2配線層262を電気接続する。 (もっと読む)


【課題】 ガラスセラミックグリーンシート積層体の中央付近にボイドが発生するのを抑制するとともに、配線層間の静電容量の増加を抑制した寸法精度の高い多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1のガラスセラミックグリーンシート11〜14と、この焼成収縮終了温度よりも高い温度で焼成収縮を開始する第2のガラスセラミックグリーンシート21〜23とを複数積層してなるガラスセラミックグリーンシート積層体5を焼成する多層配線基板の製造方法であり、第1のガラスセラミックグリーンシート11〜14の焼成後の厚みが第2のガラスセラミックグリーンシート21〜23の焼成後の厚みを3分の1以下とし、第1のガラスセラミックグリーンシート11〜14にのみ高誘電率粒子を含有させ、ガラスセラミックグリーンシート積層体5の積層方向の外側から内側に向かって高誘電率粒子の含有量を徐々に多くさせ、マイクロ波を用いて加熱する。 (もっと読む)


【課題】チップ型の電子部品の接続信頼性を確保することができる樹脂多層モジュール及び樹脂多層モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂多層モジュール10は、(a)複数の樹脂層が積層された積層体12と、(b)積層体12の表面又は内部に配置されたチップ型の電子部品2と、(c)積層体12の表面又は内部に、銅を主成分とする金属箔により形成された面内接続電極16とを備える。電子部品2は、最外表面層が錫を主成分とする端子電極6を有する。電子部品2の端子電極6の最外表面層と面内接続電極16とが接して拡散接合により接続されている。 (もっと読む)


【課題】フェライト層と側面電極との境界部分およびフェライト層と接続電極との境界部分からの水分浸入を抑制できる、電気的な信頼性に優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】 ガラスセラミック層1と、ガラスセラミック層1の間に設けられたフェライト層2と、フェライト層2の層間に形成された内部配線6に接続されてフェライト層2の層間からフェライト層2の側面に導出された接続導体5と、ガラス材料およびフェライト層2と同じフェライト材料を含んで、フェライト層2の側面の導出された接続導体5の周囲を覆っている介在層3と、導出された接続導体5および介在層3を覆って接続導体5に接続された側面電極4とを備えている配線基板10である。側面電極4と介在層3および接続導体5と介在層3とはそれぞれ密着しているので、側面電極4と介在層3との間および接続導体5と介在層3との間から水分が浸入することを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品が載置される配線基板にシールド構造を形成し、複雑な製造プロセスが不要で低コストに製造可能な配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板10は、コア基板11と、ビルドアップ層16、17を備え、上面に電子部品を搭載可能な構造を有する。配線基板10は、電子部品の端子群と対向して配置された電極パッド群40aと、その周囲に配置された電極パッド群40bを備え、少なくともパラジウムを含むメッキ層41が電極パッド群40a、40bの表面に形成されている。また、電極パッド群40bの上部に接合され、パラジウムを含まない第2メッキ層が表面に形成された金属部材が設けられ、その上部に導電性接着剤を介して導電性材料からなるキャップ部材を接合可能となっている。よって、電極パッド群40a、40bに対し1種類のメッキ層41を形成しつつ、金属部材とキャップ部材により良好なシールド構造を形成可能となる。 (もっと読む)


【課題】複合材料を含む回路基板構造と、複合材料回路基板構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】複合材料回路基板構造は基板と、複合材料誘電層と、パターン化導線層とを含む。複合材料誘電層は基板の上に位置し、触媒誘電層とパシベーション誘電層を含む。触媒誘電層は誘電材料と触媒顆粒を含んで基板に接触する。パシベーション誘電層は誘電材料を含んで触媒誘電層に接触する。パターン化導線層は触媒誘電層の上に位置する。 (もっと読む)


【課題】焼成、冷却時にグリーンシートを積層した積層体の変形を抑制できる多層セラミック基板の製造方法と、多層セラミック基板を用いた空気流量計を提供する。
【解決手段】導電性層による導体配線2及び/又は導体層3を形成したシート状のセラミック基板1A〜1Fを多層に積層して焼成する多層セラミック基板の製造方法において、導電性層2,3が形成された複数のグリーンシートのうち、積層される表面積に対して占有率の大きい導電性層が形成されたグリーンシート1D、1Eを、積層体の厚さの2分の1以下の位置に積層し、占有率の大きい導電性層が形成されたグリーンシート1Eを積層体1の下層側となるように配置して積層体を焼成する。 (もっと読む)


【課題】 高強度、高ヤング率特性を有し、さらに低い誘電率と低い誘電損失を有するガラスセラミック焼結体、並びにかかるガラスセラミック焼結体を用いた配線基板および薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 実質的にZnOおよびTiOを含有しない、(a)アスペクト比3以上の異方性結晶からなるセルシアン結晶相と、(b)フォルステライト結晶相、スピネル結晶相、エンスタタイト結晶相、の群から選ばれる少なくとも1種と、(c)アルミナ結晶相、ジルコニア結晶相のうち少なくとも1種の結晶相と、(d)BaOの含有量が10質量%以下である残留ガラス相とを含有してなり、かつ開気孔率が0.3%以下である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を絶縁層内に内蔵する半導体装置において、半導体素子近傍の反りを抑制する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置50は、半導体基板2を具備する半導体素子1と、半導体素子1が埋設された絶縁層10と、少なくとも一部が、半導体素子1に接続される配線構造20とを備える。半導体基板2には、半導体素子1の反り量を低減する手段として、当該半導体基板2の少なくとも一主面側に1又は複数の開口部3を形成した。 (もっと読む)


【課題】フェライトを有する配線基板の放熱特性を向上させること。
【解決手段】配線基板1は、複数のガラスセラミック層11と、フェライト層12とを含んでいる。フェライト層12は、複数のガラスセラミック層11の間に設けられているとともに、複数のフェライト副層121と複数のコイルパターン122と金属パターン123とを含んでいる。複数のコイルパターン122は、複数のフェライト副層121の間に設けられている。金属パターン123は、複数のコイルパターン122の各々の内側領域に設けられている。 (もっと読む)


【課題】導電性ペーストによる層間接続部材とメッキ導体から成る層間接続部材との接続部の、熱衝撃等に対する電気的接続の信頼性を向上させた多層プリント配線板とその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層12と第二の絶縁層22を有し、各層に設けられた回路配線14,15が、第一、第二のビアホール16,28を介して各々電気的に接続する。第一の絶縁層12は、第一のビアホール16に、導電性ペースト17による第一の層間接続部材18を有する。第二の絶縁層22は、レーザ光により第二の絶縁層22及びその回路配線26を貫通して形成された第二のビアホール28を有する。レーザ光により、第一の層間接続部材18に凹部18aが形成されている。第二のビアホール28内、及び第一の層間接続部材18の凹部18aには、金属メッキによる第二の層間接続部材30を有する。凹部18aで、第一、第二の層間接続部材18,30が接続している。 (もっと読む)


【課題】品質を向上することができる配線基板、およびこれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】配線基板1は、第1絶縁体層41aと、第2絶縁体層41bと、第1絶縁体層41aと第2絶縁体層41bとの間に設けられたフェライト磁性体層42と、フェライト磁性体層42に埋設されたコイル導体4cと、第1絶縁体層41aおよび第2絶縁体層41bの少なくとも1つに埋設されており、かつコイル導体4cと電気的に接続される配線導体4bとを備え、配線導体4bと、第1絶縁体層41aおよび第2絶縁体層41bの少なくとも1つとは、非結晶相のガラス成分Gを介して接合されている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基体の表面に設けられた接続パッドの剥離を防止するとともに、貫通導体が絶縁基体の表面から大きく突出するのを抑制された多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層11、12、13、14からなる絶縁基体1の内部に内部配線層2および貫通導体3が設けられるとともに、絶縁基体1の表面に貫通導体3に接続するように貫通導体3の横断面よりも大きな面積の接続パッド4が設けられた多層配線基板であって、接続パッド4は、貫通導体3に接する第1の導体層41と、第1の導体層41の周縁部を覆う環状部431および貫通導体3の直上で交差する2本の帯状部432を含むガラスセラミック中間層43と、環状部431および帯状部432を除く領域で第1の導体層41と電気的に接続された第2の導体層42とからなることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基体の表面に形成された電極パターンの画像認識装置による誤認識を生じさせることなく、絶縁基体の表面に隣接して配置される配線間の絶縁性が保持された多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、Si、Mn、MgおよびMoを含むアルミナ質焼結体からなる絶縁層11a、11b、11c、11dを複数積層してなる絶縁基体11と、絶縁基体11の表面および内部に設けられた配線層12、13と、絶縁基体11の内部に設けられ、配線層12、13に接続された貫通導体14とを備えた多層配線基板において、Moがアルミナ質焼結体中に平均粒径0.1〜0.5μmで、かつ最大粒径1μm以下の粒子として含まれているとともに、Moの含有量が0.07〜0.42質量%であり、かつアルミナ質焼結体の明度が40%〜46%である。 (もっと読む)


【課題】湿度による寸法変動が小さく、低誘電正接、低比誘電率の熱可塑性樹脂を用いて樹脂間の密着強度を確保した高速伝送に適する高密度配線基板の製造法を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂層の少なくとも一面に導電層が設けられてなる単位基板を重ね合わせて積層配線基板を製造する方法において、前記単位基板の各々における少なくとも一方の面にプラズマ粗化処理を施し、前記処理の施された面を他の単位基板の面に重ねて2以上の層を有する積層板を形成し、前記積層板を加熱、加圧処理することを特徴とする積層配線基板の製造法。 (もっと読む)


【課題】半導体素子等を内蔵した配線基板を製造するにあたり、工程の簡素化を図り、配線の微細化を実現するとともに、より一層の高密度実装を比較的簡単に実現すること。
【解決手段】基板40Aの電極パッド41上に突起部を有するバンプ43を形成し、シート状の部材51を絶縁層44に圧着して突起部43bの一部を絶縁層44の上面に露出させたものを個片化して電子部品40を得る。さらに、この電子部品40を第2の絶縁層内に再配置して再配線を行う。さらに、絶縁層44を覆う第3の絶縁層(半硬化状態)を形成後、上記再配線を介して突起部43bに接続される導体が形成された第1の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第2の構造体とを重ね合わせ、第3の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 (もっと読む)


【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび/またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるX線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく(hk0)面および(00l)面(ただし、h≧0、k≧0で、h、kの一方が1以上の整数、lは1以上の整数)のピークのうち、2つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度I(hk0)、I(00l)から、p=I(00l)/(I(hk0)+I(00l))で求められる2つの測定面でのp、pの比(p/p、但しp>p)が2以上、かつ一方の測定面から0.1mm研磨した研磨面でのp’値との比(p’/p)が0.8以上のガラスセラミックスとする。 (もっと読む)


【課題】導電性ペーストを用いてなる層間接続用導体を介して導体層が確実に層間接続され、製品の段階における接続安定性にも優れた、信頼性の高い多層配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層2を、第1導体層21と、第1導体層の所定の領域を被覆する、第1導体層より貴で、耐食性の高い第2の金属からなる第2導体層22とを備えた構成とし、導体層とビアホール導体4とを互いに接触させて電気的に導通させる。 (もっと読む)


【課題】配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板3は、ランド部70と、ランド部70の側部に接続された直線部72を具備するライン部71と、を有する導電層7と、ランド部70上で導電層7に接続された導体8と、を備える。ランド部70と導体8との接続部80の平面形状は、直線部72の幅方向に沿った長手方向を有する縦長形状である。ランド部70と導体8との接続部80の平面形状は、少なくとも一部が、直線部72をランド部70に向けて延出させてなる仮想領域Ra内に位置する。本発明の一実施形態にかかる実装構造体1は、配線基板3に搭載された電子部品2を備える。 (もっと読む)


【課題】接続用パッドの小型化を実現するとともに、接続用パッドとセラミック基板との接続強度および接続用パッドと外部接続端子との接続強度の低下を抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板(1)は、ガラス成分を含む絶縁基板(2)と、絶縁基板(2)に設けられた配線導体(3)とを有する。配線導体(3)は、絶縁基板(2)の内部に設けられ、ガラス成分を含む第1導体層(3a)と、該第1導体層(3a)上に設けられ、一部が絶縁基板(2)の表面に露出する第2導体層(3b)とを有する。第2導体層(3a)は、ガラス成分を含まない、又は第1導体層(3a)よりも質量濃度の小さいガラス成分を含む。 (もっと読む)


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