【課題】基板の任意の位置を容易に多層化し、設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置することができるキャビティ構造を有した複合配線基板を提供する。
【解決手段】第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、からなる複合配線基板である。 （もっと読む）

【課題】高密度実装可能なスタックビア構造を有するビルドアップ型多層プリント配線板を安価かつ安定的に製造する方法を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁ベース材１と、その両面に形成された内層回路パターン１１Ａ，１１Ｂと、絶縁ベース材１を貫通し、内層回路パターン１１Ａと１１Ｂを電気的に接続する埋込みビア６と、内層回路パターン１１Ａ，１１Ｂのうち埋込みビア６が露出した受けランド部を被覆し、表層が金、銀又はニッケルからなる蓋めっき層９とを有する両面コア基板１６を備える。さらに、両面コア基板１６の上に積層されたビルドアップ層を備える。このビルドアップ層は、表層の外層回路パターン２３と、外層回路パターン２３と内層回路パターン１１Ａを電気的に接続するブラインドビア２２Ａとを有する。ブラインドビア２２Ａは、埋込みビア６とともにスタックビア構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】 表面電極とこの表面電極が設けられている誘電体基体との密着性が良好であると共に、電気的特性の優れたセラミック電子部品を提供すること、及び前記特性を有するセラミック電子部品を備えた配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】 この発明のセラミック電子部品における表面電極は内側層と前記内側層を被覆する外側層とを有し、前記内側層は誘電体基体の主成分と同じ成分を含むセラミック部を含み、誘電体基体上にある内側層におけるセラミック部の体積割合がビア導体上にあるセラミック部の体積割合よりも大きいことを特徴とする。この発明の配線基板は前記セラミック電子部品を内蔵して成る。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】端子を有する電気／電子部品と、電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、この板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、板状絶縁層の上面に対向する下面上に設けられた、電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、電気／電子部品の端子と第２の配線パターンのランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】プローブピンの半導体素子の電極への接続が確実に行なえるとともに、インピーダンスの不整合が小さいプローブカードおよびプローブ装置を提供することにある。
【解決手段】セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３間が貫通導体４で接続された配線基板と、最上層の絶縁樹脂層２の上面の配線層３に接続されたプローブピン５とを具備しており、最上層直下の２層目から下に位置する絶縁樹脂層２の少なくとも１層に、平面視でプローブピン５の配線層３との接続領域を投影した領域に対応する、絶縁樹脂層２のヤング率よりも小さいヤング率の弾性樹脂領域６が設けられているプローブカードである。半導体素子の電極とプローブピン５との接触を確実にすることが可能となり、また高周波信号の伝送を良好にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面配線を小さくしても表面配線と表面ビア導体とを確実に接続することができ、浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミックスから成る複数の絶縁層１ａが積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の下面に形成された外部電極２と、外部電極２に接続されて絶縁基体１の上面に導出された、ビア導体を含む内部配線３とを有し、内部配線３のうち最上層の絶縁層１ａを貫通して上端面が絶縁基体１の上面に露出した表面ビア導体３ａが上面視で配線基板４の中心からの放射線の方向に沿った形状である配線基板である。表面ビア導体３ａが位置ずれしても位置ずれ方向と反対方向に延在する部分が存在するので、表面配線５の大きさを小さくしても表面ビア導体３ａと確実に接続でき、表面配線５の浮遊容量を低下させることができる配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】複数の貫通導体が平面視で重なる場合でも、貫通導体等における機械的な破壊を抑制することが可能な多層配線基板を提供する。
【解決手段】樹脂絶縁層１と薄膜配線層２とが交互に積層され、上下の薄膜配線層２が貫通導体３によって互いに電気的に接続されてなる薄膜多層部４を有し、貫通導体３は、上下に連続する複数の樹脂絶縁層１にわたって平面視で互いに重なる位置に形成されたものを含んでおり、平面視で重なる複数の貫通導体３（３ａ，３ｂ）のうちの一部が錫を主成分とする金属材料からなり、他が銅を主成分とする金属材料からなる多層配線基板５である。弾性率が低い錫を主成分とする金属材料からなる貫通導体３ａによって複数の貫通導体３が平面視で重なることによる応力を緩和し、貫通導体３の内部等におけるクラック等の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板における樹脂材との密着性を向上することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ本体１０４における側面１０６ａ〜１０６ｄには、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミックが露出するとともに、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に延びる凹部１０７が複数形成されている。コンデンサ本体１０４の側面１０６ａにおける複数の凹部１０７は、厚さ方向に沿った長さがコンデンサ本体１０４の厚さよりも小さく、側面側から見たときの基端部１０７ａの幅が先端部１０７ｂの幅よりも大きい。凹部１０７の先端部１０７ｂは、側面側から見て丸みを帯びた形状を有している。 （もっと読む）

【課題】コイル内蔵基板の内蔵コイルの重畳特性を向上させると共に、上面や下面に搭載された半導体チップやチップ部品に対するコイル用導体から発生する磁力線の影響を大幅に抑制することができるコイル内蔵セラミック基板および電子装置を提供する。
【解決手段】コイル内蔵基板は、内部にコイル導体４が埋設されているフェライト層２、３を、各々が非磁性フェライト層により形成されている一対の絶縁層１で挟持し、半導体チップまたはチップ部品を搭載する搭載用電極に電気的に接続するための電極パッド７を絶縁層１の上面に形成し、外部電気回路に電気的に接続するための電極パッド８を絶縁層１の下面に形成するとともに、絶縁層１とフェライト層２、３との間に、コイル導体４と対向する部分を有するシールド層９を介在させて成る。 （もっと読む）

【課題】故障が発生しにくく、信頼性の高い多層配線板及びその多層配線板を製造する多層配線板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】多層配線板であって、基板と、基板上に配置された第１導電体、第１導電体の基板から離れた面に積層された第２導電体、及び第１導電体と第２導電体との間に配置された応力緩和層を備えるランドと、ランドと接し、前記ランドと電気的に接続されている接続部と、を有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】接続端子の密着強度を十分に高めることができ、信頼性の高い多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０の配線積層部３０において、上面３１側には複数の開口部３５，３６を有するソルダーレジスト２５が配設され、ソルダーレジスト２５に接している最外層の樹脂絶縁層２３にＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が埋設されている。ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、主体をなす銅層４４と銅以外の２種の金属からなるめっき層４６とにより構成される。銅層４４の主面側外周部はソルダーレジスト２５により覆われ、銅層４４の主面側中央部に存在する凹所にはめっき層４６が埋まり込むようにして設けられる。めっき層４６の金めっき層４６ｂが複数の開口部３５，３６を介して露出している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の上面から側面にかけて配線導体が被着されており、生産性および外部接続信頼性の向上が容易な配線基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなる複数の絶縁層２ａが積層されてなる四角板状の積層体２、および積層体２の上面から上面の１つの外辺を越えて側面にかけて折れ曲がって被着された、この折れ曲がった部分が積層体２の１つの側面を被覆する補助絶縁層３からなる絶縁基板１と、補助絶縁層３の上面の中央部から折れ曲がった部分の露出表面にかけて被着された配線導体４とを備え、補助絶縁層３の折れ曲がった部分の露出表面に被着された配線導体４が外部電気回路に対向して接続される配線基板９である。絶縁基板１の上面から側面にかけて配線導体４が一体的に被着されているため、生産性の向上、および配線導体４の厚みばらつきの抑制による外部接続信頼性の向上が容易である。 （もっと読む）

【課題】接続端子の密着強度を十分に高めることができ、信頼性の高い多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が形成され、下面３２側には、母基板接続端子４５が形成されている。配線積層部３０の下面３２側には、ソルダーレジスト３８が配設されている。ソルダーレジスト３８に接している樹脂絶縁層２１には複数の開口部３７が形成される。母基板接続端子４５は、開口部３７内に埋設されかつ端子外面４５ａが樹脂絶縁層２１の表面２１ａよりも内層側に位置している。ソルダーレジスト３８は開口部３７内に入り込んで端子外面４５ａの外周部に接触している。 （もっと読む）

【課題】高密度な半導体素子を内蔵した薄型で高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】半導体素子１１７を内蔵する配線基板において、配線基板は、支持基板１０１と、支持基板上の半導体素子と、半導体素子の外周側面を覆う周辺絶縁層１１３と、配線基板の上面側の上面側配線と含む。半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。上面側配線は、半導体素子の直上から、半導体素子の外縁より外側の周辺領域へ引き出されたファンアウト配線を含む。ファンアウト配線は第２配線を介して第１配線に電気的に接続される。第２配線は第１配線より厚く、上面側配線より薄い。第２絶縁層は樹脂材料で形成され、第１絶縁層より厚い。 （もっと読む）

【課題】高速動作、高周波動作、多機能動作の要求からプリント回路基板とチップ部品の接点を大幅に増加させ、プリント回路基板の回路密度を高める必要があり、接点間の間隔を縮小させ続けなければならない。
【解決手段】互いに隣接する表面と側面を有する回路基板と、前記回路基板の前記表面の一部を覆う内部回路と、前記内部回路に電気接続され、前記内部回路と同一の追加層に位置する第一サイド電気接続パッドを含み、金属保護層２２２にはんだバンプ２２４，２２６を形成する。はんだバンプ２２４は、サイド電気接続パッド２１０ａ〜２１０ｃの末端４１０ａ〜４１０ｃにそれぞれ接続させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装に用いる多層配線板の製造には、従来、B²itなどの導電性バンプを用いて層間の接続を行う多層配線技術が使用されていた。しかし、基板のそりにより、多層配線間の短絡が発生する、あるいは、導電性バンプと配線間の接続不良が発生するという問題があった。
【解決手段】絶縁性フィラーを含む絶縁性ワニスをコーティングし、絶縁性被膜を形成することにした。基板にそりがある場合でも、多層配線間の絶縁性が保持でき、配線接続の安定性が高くなり、製造歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップ及び受動部品を確実に接続することができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きいコンデンサ接続端子４２の２種類が存在する。コンデンサ接続端子４２は、端子上段部４２ａと端子下段部４２ｂとにより構成される。端子上段部４２ａは最外層の樹脂絶縁層２４上に形成され、端子下段部４２ｂは樹脂絶縁層２４において端子上段部４２ａの内側領域となる複数箇所に形成された開口部３６に対応して配置される。端子上段部４２ａの上面の高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１の上面及び端子下段部４２ｂの高さは樹脂絶縁層２４の表面よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において損失の少ない信号伝送を実現することが可能な伝送線路を提供する。
【解決手段】基板１０上に信号線路１１Ｓを設ける。この基板１０と対向する基板２０上に、中空部３０を介して、信号線路１１Ｓと対向するグランド層２１Ｇを設ける。信号線路とグランド層との間に誘電体層（絶縁層）が設けられている従来の伝送線路と比べ、信号伝送の際の誘電損失が低減する（この場合、誘電損失が０（ゼロ）となる）。このような伝送線路３は、例えば、マイクロストリップライン（ＭＳＬ）や、グランド付きコプレーナウェーブガイド（Ｇ−ＣＰＷ）に適用することが可能である。 （もっと読む）