部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
【課題】部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】端子を有する電気／電子部品と、電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、この板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、板状絶縁層の上面に対向する下面上に設けられた、電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、電気／電子部品の端子と第２の配線パターンのランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有する。
【解決手段】端子を有する電気／電子部品と、電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、この板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、板状絶縁層の上面に対向する下面上に設けられた、電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、電気／電子部品の端子と第２の配線パターンのランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板に係り、特に、部品内蔵によって配線板としての信頼性が低下することを防止するのに好適な部品内蔵配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気／電子部品が内蔵された配線板構造の例として下記特開２００３-１９７８４９号公報記載のものがある。この構造では、内蔵部品ははんだを用いて内層の配線層に実装、接続されている。はんだは、部品実装のために用いられるごく一般的な部材であり、これを用いる実装基板の製造工程および装置において多くの技術蓄積が存在している。
【０００３】
ただし、一般的な実装基板と異なり、部品が内蔵される配線板構造では、配線板として構造的な信頼性確保、および内蔵部品の電気的接続の信頼性確保のため一般とは別の考慮が必要である。例えば、内蔵部品の端子に連続して形状の整ったフィレットをいかに形成するのかという点がある。配線板の主面上に部品を実装する場合には、この目的のため部品実装のランド部分を除きはんだレジストの層を形成しておくのが一般的である。はんだレジストにより、溶融時のはんだの濡れ広がり領域が限定され形状の整ったフィレットが形成される。
【０００４】
このようなはんだレジストの形成を、部品実装が内層配線層になされる部品内蔵配線板に適用すると、他の絶縁層との密着性が悪く剥離の恐れを生じさせるなど構造的な信頼性を劣化させる。しかしながら、単にはんだレジストの形成をなくせば、内蔵部品のフィレット形状が部品の端子ごとにばらつき、それらのはんだ部分に発生する応力に違いが生じる。したがって、電気的な接続の信頼性にも影響がある。さらには、フィレット形成が阻害され、部品の一方の端子のみはんだ付けされて部品が立ってしまうような、はんだ付け自体の不全による生産効率低下を招く可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９７８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板およびその製造方法において、部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様である部品内蔵配線板は、端子を有する電気／電子部品と、前記電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、前記板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、前記板状絶縁層の前記上面に対向する下面上に設けられた、前記電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、前記電気／電子部品の前記端子と前記第２の配線パターンの前記ランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、前記第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、前記はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有することを特徴とする。
【０００８】
すなわち、この部品内蔵配線板は、板状絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた電気／電子部品を有しており、この電気／電子部品は、この板状絶縁層の面上に設けられた第２の配線パターンのランドに、すずおよび金を含むはんだ接続部材で電気的、機械的に接続されている。そして、第２の配線パターンは、基層と、基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有している。
【０００９】
したがって、この構造では、はんだ接続部材とランドとの接触はニッケル金属層が担っている。ここで、はんだ接続部材には金が含まれている。これらは、金が溶融はんだとの濡れ性が比較的良好であることを利用してはんだ付けを行ったことによる構造である。すなわち、ランドとして、ニッケル金属層とこのニッケル金属層上に位置する金層とを有する積層金属パターンを第２の配線パターン上に形成し、このランド上に電気／電子部品の端子をはんだ接続して得た構造である。金層の消失は、はんだ接続部材が含むすずの中に金が取り込まれたことによる。よってはんだ接続部材には、金も含まれることになる。
【００１０】
これによれば、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりをランドの領域に限定して制御でき、はんだ接続部材の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。よって、各はんだ接続部材での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、板状絶縁層とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００１１】
また、本発明の別の態様である部品内蔵配線板の製造方法は、配線パターン化される前の金属箔上または配線パターン化がされた金属箔上に、位置選択的に、電気／電子部品実装用のランドとするための、ニッケルめっき層と該ニッケルめっき層上に位置する金めっき層とを有する積層金属パターン層をめっき形成する工程と、前記積層金属パターン層上にすずを含むはんだ成分を含有のペースト状はんだ組成物を付着させる工程と、前記ペースト状はんだ組成物を介した前記積層金属パターン層上に電気／電子部品をマウントする工程と、前記ペースト状はんだ組成物をリフローさせ前記電気／電子部品を前記積層金属パターン層上に固定する工程と、前記電気／電子部品の表面に密着して該電気／電子部品を埋め込むように、配線パターン化される前の前記金属箔上または配線パターン化がされた前記金属箔上に、板状絶縁層を積層する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
この製造方法は、上記の部品内蔵配線板を製造するためのひとつの方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板およびその製造方法において、部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図２】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【図３】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の別の一部を模式的断面で示す工程図。
【図４】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程のさらに別の一部を模式的断面で示す工程図。
【図５】図１に示した電子モジュールに使用の接続部材５１に代えて使用できる接続部材５１ａの微細な構造を示す説明図。
【図６】図５に示したはんだ接続部材５１ａ中の導電部を得るための材料の例を示す表。
【図７】図５に示したはんだ接続部材５１ａを構成する複数元素系相部の材料例を示す表。
【図８】本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図。
【図９】図８に示した部品内蔵配線板における配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図１０】本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図１１】図１０に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【図１２】本発明のさらに別の（第４の）実施形態に係る部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施態様として、前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンである、とすることができる。これによれば、配線層数の増加が限られるが、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる。
【００１６】
また、実施態様として、前記板状絶縁層との間に前記第２の配線パターンを挟むように、前記第２の配線パターン上に積層位置する第２の板状絶縁層をさらに具備する、とすることができる。これによれば、電気／電子部品が実装されている第２の配線パターンは内層配線層のパターンとなる。第２の板状絶縁層の面上には別の配線パターンを設けることができるので、配線パターンの形成密度を増加させ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００１７】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンの前記基層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込まずに該板状絶縁層上に設けられており、前記第２の配線パターンの前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられている、とすることができる。これは、配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行い、その後の積層プロセスを経て得られる特有の構造である。配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行うことで、製造全体として、より簡易なプロセスで済む。
【００１８】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンの前記基層および前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられている、とすることができる。これは、第２の板状絶縁層に設けられた、配線パターン化がされた金属箔を用いて部品実装を行い、その後の製造プロセスを経て得られる特有の構造である。第２の板状絶縁層に設けられた、配線パターン化がされた金属箔を用いて部品実装を行うことで、部品実装は配線板における通常の部品マウントプロセスで済む。
【００１９】
また、実施態様として、前記ニッケル金属層が、前記基層に重ならない位置に設けられた第２のニッケル金属層につながり該第２のニッケル金属層と一体的に設けられている、とすることができる。これは、部品実装のランド部分である、ニッケル金属層および第２のニッケル金属層のうちの第２のニッケル金属層には、基層を設けていない態様である。これは、部品実装がなされた、配線パターン化される前の金属箔から第２の配線パターンをパターン形成するときに、ニッケル金属層は除去されず、基層のみが除去されることにより得られ得る構造である。このような構造も採り得ることは、配線パターン化の位置精度を、ランド形成の位置精度に対してよりラフにできることを示している。
【００２０】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層の側に粗化面を有する、とすることができる。これによれば、第２の配線パターンと板状絶縁層との密着性が向上し、構造的な信頼性を一層高められる。
【００２１】
また、実施態様として、前記電気／電子部品が、端子パッドを有する半導体チップと、該電気／電子部品の前記端子として、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子部品である、とすることができる。このような半導体素子部品もはんだ接続が可能であることから、内蔵の電気／電子部品として利用できる。半導体素子部品の内蔵により、部品内蔵配線板として、付加価値を高められる。
【００２２】
また、実施態様として、前記電気／電子部品が、表面実装型受動素子部品である、とすることができる。表面実装型受動素子部品は、特に、フィレット形成がうまくいかないことによるはんだ実装の不良が発生しやすいことから、これを改善する意義が高い。
【００２３】
また、実施態様として、前記はんだ接続部材が、多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有し、前記導電部が、高融点金属の粒子の種部と、該種部を覆った、前記高融点金属とすずとの複数元素系相部とを含有し、かつ、該複数元素系相部が連接して前記多孔性の構造を形成しており、前記導電部が、すずを組成のひとつとするはんだ成分をさらに含有し、該はんだ成分の融点が２４０℃以下であり、前記複数元素系相部の融点が２６０℃以上である、とすることができる。
【００２４】
この実施態様は、はんだ接続部材が２次実装時に溶融して信頼性を低下する可能性を減じてさらに信頼性を向上する態様である。２次実装とは、この部品内蔵配線板上に別の部品がはんだ実装される場合や、この部品内蔵配線板が別の配線板（マザーボードなど）上に実装される場合を指す。高融点金属とすずとの複数元素系相部の融点が２６０℃以上となるように高融点金属を材料選択することで、２次実装の加熱（例えば高くとも２５０℃以下）において、はんだ接続部材の再溶融自体を防止することができる。これにより部品内蔵配線板として信頼性がなお向上する。
【００２５】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図（図１（ａ））およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図（図１（ｂ））である。図１に示すように、この部品内蔵配線板は、絶縁層（板状絶縁層）１１、同１２、同１３、同１４、同１５、配線層（配線パターン）２１、同２２（ニッケル金属層２２ｂを含む）、同２３、同２４、同２５、同２６（＝合計６層配線）、層間接続体３１、同３２、同３４、同３５、スルーホール導電体３３、チップ抵抗４１（電気／電子部品）、はんだ接続部材５１、はんだレジスト６１、６２を有する。
【００２６】
チップ抵抗４１は、例えばその平面的な大きさは例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍである。両端に端子（電極）４１ａを有し、その下側が内層の配線層２２が含む内蔵部品実装用ランド（ニッケル金属層２２ｂ）に対向位置している。チップ抵抗４１の端子４１ａとニッケル金属層２２ｂとははんだ接続部材５１により電気的、機械的に接続されている。はんだ接続部材５１は、端子４１ａ周りに形成されたフィレットを含む形状で配線層２２のニッケル金属層２２ｂ上に位置している。
【００２７】
ニッケル金属層２２ｂは、その上に位置するはんだ接続部材５１の溶融時の広がりを制限する領域として設けられたニッケルの層である。その厚さは例えば５μｍ程度とすることができる。平面的には、図１（ｂ）に示すように、例えば、内蔵部品（チップ抵抗４１）実装用ランドのうちのはんだ接続部材５１が広がるべき制限領域に対応して、配線パターン２２の金属箔（後述する）部分を基層としてこの基層上に、位置選択的に形成されている。ニッケル金属層２２ｂにより、はんだ接続部材５１の広がりを抑制的にかつ揃ったものにして両端子４１ａにおけるはんだ接続部材５１での応力発生を偏らせず、はんだ接続部材５１による電気的接続の信頼性を確保することができる。
【００２８】
ニッケル金属層２２ｂ上には、製造途上においてはさらに金めっき層が形成されているが（後述する）、はんだ接続の工程を経ることで、金めっき層ははんだ接続部材５１が含むすずの中に取り込まれて消失する。このはんだ接続工程において、溶融はんだは、配線パターン２２の基層材料である例えば銅と比べて、金との濡れ性の方が大きく良好であるため、上記のような広がり制限の効果を得ることができる。これにより、ニッケル金属層２２ｂの外側の領域には、はんだレジストのような樹脂パターンを設けるには及ばないので、絶縁層１２との密着性劣化のおそれはほとんどなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００２９】
なお、この実施形態では、はんだ接続部材５１の領域を除く配線層２２の絶縁層１２側の表面は、表面粗さが適度に大きくなるように処理がされた粗化面２２ａになっている。粗化面２２ａを設けることで、これを粗化しない場合より、配線層２２と絶縁層１２との密着性、および層間接続体３２との接続信頼性を向上することができる。
【００３０】
部品内蔵配線板としてのほかの構造について述べると、配線層２１、２６は、配線板としての両主面上の配線層であり、その上に各種の部品（不図示）が実装され得る。実装ではんだ（不図示）が載るべき配線層２１、２６のランド部分を除いて両主面上には、はんだ接続時に溶融したはんだをランド部分に留めかつその後は保護層として機能するはんだレジスト６１、６２が形成されている（厚さはそれぞれ例えば２０μｍ程度）。
【００３１】
このランド部分の表層には、耐腐食性の高いＮｉ／Ａｕのめっき層（不図示）を形成するようにしてもよい。また、配線層２１、２６が含むランド上には、はんだボールを設けるような使い方もあり得る。これは、この部品内蔵配線板を別の配線板（例えばマザーボードのような大きな配線板）上に実装するための構成である。
【００３２】
配線層２２、２３、２４、２５は、それぞれ、内層の配線層であり、順に、配線層２１と配線層２２の間に絶縁層１１が、配線層２２と配線層２３の間に絶縁層１２が、配線層２３と配線層２４との間に絶縁層１３が、配線層２４と配線層２５との間に絶縁層１４が、配線層２５と配線層２６との間に絶縁層１５が、それぞれ位置しこれらの配線層２１〜２６を隔てている。各配線層２１〜２６は、例えばそれぞれ厚さ１８μｍの金属（銅）箔からなっている。
【００３３】
各絶縁層１１〜１５は、絶縁層１３を除き例えばそれぞれ厚さ１００μｍ、絶縁層１３のみ例えば厚さ３００μｍで、それぞれ例えばガラスエポキシ樹脂からなるリジッドな素材である。特に絶縁層１３は、内蔵されたチップ抵抗４１に相当する位置部分が開口部となっており、チップ抵抗４１を内蔵するための空間を提供する。絶縁層１２、１４は、チップ抵抗４１の表面に密着するように絶縁層１３の上記開口部および絶縁層１３のスルーホール導電体３３内部の空間を埋めて変形進入しており内部に空隙となる空間は存在しない。
【００３４】
配線層２１と配線層２２とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１１を貫通する層間接続体３１により導通し得る。同様に、配線層２２と配線層２３とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１２を貫通する層間接続体３２により導通し得る。配線層２３と配線層２４とは、絶縁層１３を貫通して設けられたスルーホール導電体３３により導通し得る。配線層２４と配線層２５とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１４を貫通する層間絶縁体３４により導通し得る。配線層２５と配線層２６とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１５を貫通する層間接続体３５により導通し得る。
【００３５】
層間接続体３１、３２、３４、３５は、それぞれ、導電性組成物のスクリーン印刷により形成される導電性バンプを由来とするものであり、その製造工程に依拠して軸方向（図１の図示で上下の積層方向）に径が変化している。その直径は、太い側で例えば２００μｍである。
【００３６】
以上、一実施形態に係る部品内蔵配線板の構造について述べた。この部品内蔵配線板では、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりを特定領域に限定して制御でき、はんだ接続部材５１の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。よって、各はんだ接続部材５１での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、板状絶縁層１１とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００３７】
次に、図１に示した部品内蔵配線板の製造工程を図２ないし図４を参照して説明する。図２ないし図４は、それぞれ、図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。これらの図において図１中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。
【００３８】
図２から説明する。図２は、図１中に示した各構成のうち絶縁層１１を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図２（ａ）に示すように、厚さ例えば１８μｍの金属箔（電解銅箔）２２Ａ上に例えばスクリーン印刷により、層間接続体３１となるペースト状の導電性組成物をほぼ円錐形のバンプ状（底面径例えば２００μｍ、高さ例えば１６０μｍ）に形成する。この導電性組成物は、ペースト状の樹脂中に銀、金、銅などの金属微細粒または炭素微細粒を分散させたものである。説明の都合で金属箔２２Ａの下面に印刷しているが上面でもよい（以下の各図も同じである）。層間接続体３１の印刷後これを乾燥させて硬化させる。
【００３９】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属箔２２Ａ上に厚さ例えば公称１００μｍのＦＲ−４のプリプレグ１１Ａを積層して層間接続体３１を貫通させ、その頭部が露出するようにする。露出に際してあるいはその後その先端を塑性変形でつぶしてもよい（いずれにしても層間接続体３１の形状は、積層方向に一致する軸を有しその軸方向に径が変化する形状である。）。続いて、図２（ｃ）に示すように、プリプレグ３１Ａ上に金属箔（電解銅箔）２１Ａを積層配置して加圧・加熱し全体を一体化する。このとき、金属箔２１Ａは層間接続体３１と電気的導通状態となり、プリプレグ１１Ａは完全に硬化して絶縁層１１になる。
【００４０】
次に、図２（ｄ）に示すように、片側の金属箔２２Ａに例えば周知のフォトリソグラフィによるパターニングを施し、これを、実装用ランドを含む配線層２２に加工する。加えて、その実装用ランド上に対応して、ニッケルめっき層２２ｂ（例えば厚さ５μｍ；以下、適宜「ニッケル金属層」の代わりに「ニッケルめっき層」という場合がある。）およびその上に金めっき層２２ｃ（例えば厚さ０．０５μｍ）をめっき形成する。さらに加えて、配線層２２の表面に粗化処理を行って粗化面２２ａを形成する。
【００４１】
粗化処理として、黒化還元処理やマイクロエッチング処理を採用することができる。マイクロエッチング処理としては、例えば、ＣＺ処理（メック社商品名）やボンドフィルム処理（アトテック社商品名）がある。粗化処理により、配線層２２と、この上に積層される絶縁層１２との密着性、および層間接続体３２との電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００４２】
図２（ｄ）におけるパターニング、めっき形成、粗化処理については、以下のような順序があり得る。めっき層を均質に成長させる意味で粗化前の金属箔２２Ａ（または配線パターン２２）面上にめっき形成するのが好ましいと考えられる。そこで、めっき形成、粗化処理の順序を維持し、パターニングは、これらの前、中、後の順とする３通りが考えられる。
【００４３】
ここで、めっき形成がパターニングより先の場合には、金属箔２２Ａを給電路とする、電解めっき工程を含むめっき処理で効率的なめっき形成が可能である。めっき形成がパターニングより後の場合には、無電解めっき工程を用いる。いずれのめっき処理の場合にも、めっき用のレジストマスクを絶縁層１１（および金属箔２２Ａ上または配線層２２上）に形成して、位置選択的にニッケルめっき層２２ｂおよび金めっき層２２ｃの積層金属パターン層が形成され得る。
【００４４】
図２（ｄ）に示す状態が形成されたら、次に、配線層２２の実装用ランド上（すなわち金めっき層２２ｃが形成された領域上）に、図２（ｅ）に示すように、例えばスクリーン印刷によりペースト状はんだ組成物５１Ａ（クリームはんだ）を印刷する。ペースト状はんだ組成物５１Ａは、フラックス中にすずを含むはんだの微細粒（例えばＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕのはんだ微細粒、融点は例えば２２０℃程度）を分散させたものでありスクリーン印刷を用いれば容易に所定パターンに印刷できる。スクリーン印刷に代えてディスペンサを使用することもできる。
【００４５】
ペースト状はんだ組成物５１Ａの印刷のあと、チップ抵抗４１をペースト状はんだ組成物５１Ａを介して実装用ランド上に例えばマウンタで載置し、さらにその後ペースト状はんだ組成物５１Ａを例えばリフロー炉でリフローさせる。このリフローで、ペースト状はんだ組成物５１Ａが含むはんだ微粒子が溶融したとき、銅と比べて比較的濡れ性が高い金めっき２２ｃ（ニッケルめっき層２２ｂ）上にのみ溶融はんだが広がる。チップ抵抗４１のような表面実装型受動素子部品では、はんだによるフィレット形成がうまくいかないことによる実装不良が発生しやすいことから、これを改善する意義が高い。
【００４６】
以上説明の工程を経て、図２（ｆ）に示すように、はんだ接続部材５１を介してチップ抵抗４１がニッケルめっき層２２ｂの実装用ランド上に接続、固定された状態の積層部材１が得られる。この状態では、金めっき層２２ｃは、はんだ接続部材５１中に取り込まれて層としてはほぼ消滅おり、はんだ接続部材５１とランドとの接触はニッケルめっき層２２ｂが担った状態になる。図２（ｆ）に示す積層部材１を用いる後の工程については図４で後述する。
【００４７】
上記説明の製造工程の変形例として、図２（ｄ）中に示した配線層２２表面の粗化処理については、チップ抵抗４１の実装の後とすることもできる。チップ抵抗４１の実装工程は加熱を伴っているので、配線パターン２２の、粗化処理による新生面の露出状態を良好に維持する意味で、粗化処理を実装工程の後とする考えは合理性がある。
【００４８】
次に、図３を参照して説明する。図３は、図１中に示した各構成のうち絶縁層１３および同１２を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図３（ａ）に示すように、両面に例えば厚さ１８μｍの金属箔（電解銅箔）２３Ａ、２４Ａが積層された例えば厚さ３００μｍのＦＲ−４の絶縁層１３を用意し、その所定位置にスルーホール導電体を形成するための貫通孔７２をあけ、かつ内蔵するチップ抵抗４１に相当する部分に開口部７１を形成する。
【００４９】
次に、無電解めっきおよび電解めっきを行い、図３（ｂ）に示すように、貫通孔７２の内壁にスルーホール導電体３３を形成する。このとき開口部７１の内壁にも導電体が形成される。さらに、図３（ｃ）に示すように、金属箔２３Ａ、２４Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングして配線層２３、２４を形成する。配線層２３、２４のパターニング形成により、開口部７１の内壁に形成された導電体も除去される。
【００５０】
次に、図３（ｄ）に示すように、配線層２３上の所定の位置に層間接続体３２となる導電性バンプ（底面径例えば２００μｍ、高さ例えば１６０μｍ）をペースト状導電性組成物のスクリーン印刷により形成する。続いて、図３（ｅ）に示すように、絶縁層１２とすべきＦＲ−４のプリプレグ１２Ａ（公称厚さ例えば１００μｍ）を配線層２３側にプレス機を用い積層する。プリプレグ１２Ａには、絶縁層１３と同様の、内蔵するチップ抵抗４１に相当する部分の開口部をあらかじめ設けておく。
【００５１】
この積層工程では、層間接続体３２の頭部をプリプレグ１２Ａに貫通させる。なお、図３（ｅ）における層間接続体３２の頭部の破線は、この段階でその頭部を塑性変形させてつぶしておく場合と塑性変形させない場合の両者あり得ることを示す。この工程により、配線層２３はプリプレグ１２Ａ側に沈み込んで位置することになる。以上により得られた積層部材を積層部材２とする。
【００５２】
以上の図３に示した工程は、以下のような手順とすることも可能である。図３（ａ）の段階では、貫通孔７２のみ形成し内蔵部品用の開口部７１を形成せずに続く図３（ｂ）から図３（ｄ）までの工程を行う。次に、図３（ｅ）に相当する工程として、プリプレグ１２Ａ（開口のないもの）の積層を行う。そして、絶縁層１３およびプリプレグ１２Ａに部品内蔵用の開口部を同時に形成する、という工程である。
【００５３】
次に、図４を参照して説明する。図４は、上記で得られた積層部材１、２などを積層する配置関係を示す図である。ここで、図示上側の積層部材３は、下側の積層部材１と同様な工程を適用し、かつそのあと層間接続体３４およびプリプレグ１４Ａを図示中間の積層部材２における層間接続体３２およびプリプレグ１２Ａと同様にして形成し得られたものである。
【００５４】
ただし、部品（チップ抵抗４１）およびこれを接続するための部位（実装用ランド）のない構成であり、さらにプリプレグ１４Ａにはチップ抵抗４１用の開口部も設けない。そのほかは、金属箔（電解銅箔）２６Ａ、絶縁層１５、層間接続体３５、配線層２５、プリプレグ１４Ａ、層間接続体３４とも、それぞれ積層部材１の金属箔２１Ａ、絶縁層１１、層間接続体３１、配線層２２、積層部材２のプリプレグ１２Ａ、層間接続体３２と同じである。
【００５５】
図４に示すような配置で各積層部材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。プレス機での加圧・加熱により、プリプレグ１２Ａ、１４Ａが完全に硬化し全体が積層、一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ１２Ａ、１４Ａの流動性により、チップ抵抗４１の周りの空間およびスルーホール導電体３３内部の空間にはプリプレグ１２Ａ、１４Ａが変形進入し空隙は発生しない。また、配線層２２、２４は、層間接続体３２、３４にそれぞれ電気的に接続される。
【００５６】
図４に示す積層工程の後、上下両面の金属箔２６Ａ、２１Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングし、さらにはんだレジスト６１、６２の層を形成することにより、図１に示したような部品内蔵配線板を得ることができる。
【００５７】
変形例として、中間の絶縁層１３に設けられたスルーホール導電体３３については、層間接続体３１や同３２と同様なものとする構成も当然ながらあり得る。また、外側の配線層２１、２６は、最後の積層工程のあとにパターニングして得る以外に、各積層部材１、３の段階で（例えば図２（ｄ）の段階で）形成するようにしてもよい。
【００５８】
さらに、図４に示した積層工程において、積層部材１、２については、プリプレグ１２Ａおよび層間接続体３２の部分を積層部材２の側ではなく積層部材１の側に設けておくようにしてもよい。すなわち、層間接続体３２の形成およびプリプレグ１２Ａの積層を、積層部材１の配線層２２上（絶縁層１１上）であらかじめ行うようにする。この場合、実装されたチップ抵抗４１が、一見、層間接続体３２をスクリーン印刷で形成するときに干渉要因となるように見えるが、チップ抵抗４１として十分薄い部品の場合は実際上干渉要因とはならない。プリプレグ１２Ａの積層工程のときには、チップ抵抗４１の厚さを吸収できるクッション材を介在させて加圧・加熱すれば面内方向均一にプリプレグ１２Ａを積層できる。
【００５９】
以上説明した実施形態について補足を加える。まず、上記実施形態では、絶縁層１１が、絶縁層１２との間に配線パターン２２を挟むように、配線パターン２２上に積層位置している。これによれば、チップ抵抗４１ａが実装されている配線パターン２２は内層配線層のパターンとなり、絶縁層１１の外側の面上には別の配線パターン２１が設けられ得る。これにより、内蔵のチップ抵抗４１ａの位置に無関係な配線パターンの形成密度を増加させることができ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００６０】
また、絶縁層１１に設けられた、配線パターン化がされた金属箔（配線層２２）を用いて部品実装を行い、その後に、これと別の積層部材２、３との積層プロセスを経てこの実施形態の部品内蔵配線板は得られている。これによる特有の構造として、配線パターン２２はニッケル金属層２２ｂをも含めて、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで位置することになる。この実施形態は、部品実装が絶縁層１１に設けられた配線パターン２２上になされ、これは通常の配線板上への部品マウントプロセスと同様、周知かつ容易である。
【００６１】
次に、図１に示した部品内蔵配線板に使用の、すずを含むはんだ接続部材５１に代えて使用できる別のはんだ接続部材について図５を参照して説明する。図５は、図１に示した部品内蔵配線板に使用のはんだ接続部材５１に代えて使用できるはんだ接続部材５１ａの微細な構造を示す説明図である。はんだ接続部材５１ａは、図５（ａ）右側に示すように、微細な構造として、硬化されている樹脂部５０２Ａ中に導電部５０５の多孔性構造が形成された構成（樹脂含有はんだ接続部材）になっている。この多孔性構造はその孔の部位に樹脂部５０２Ａが満たされ、空隙をもたせないようにしている。
【００６２】
導電部５０５は、さらに詳細には、図５（ｂ）に示す拡大断面図に描かれるように、粒子状の金属の種部５０３Ａとこの表面を覆う複数元素系相部５１３とを有し、種部５０３Ａを覆う複数元素系相部５１３が互いに連接することによって多孔性構造になっている。なお、はんだ接続部材５１ａ中には、種部５０３Ａ、複数元素系相部５１３のほかに、残留はんだ５０１ＡＡも多少存在する。複数元素系相部５１３は、はんだ粒子５０１（図５（ａ）左側を参照）中のすずと種部５０３Ａ中の高融点金属とによる合成相であり、はんだ粒子５０１の融点が２４０℃以下、複数元素系相部５１３の融点が２６０℃以上となるように、はんだ粒子５０１および種部５０３Ａ（種粒子５０３）の材料が選ばれている。
【００６３】
はんだ接続部材５１ａの上記微細構造には、それらの形成過程が関連している。概略的には、図５（ａ）左側に示すように、はんだ接続部材５１ａは、硬化される前の状態として、ペースト状の絶縁性接着樹脂部５０２中に、すずを含むはんだ粒子５０１と高融点金属含有の種粒子５０３とが分散された構成の組成物である。
【００６４】
このような導電性接着性樹脂を加熱してはんだ粒子５０１を溶解させると、そのすず成分と種粒子５０３が含有する高融点金属とが反応（または溶け合って。以下では「反応」で溶け合う場合も含むこととする）して種粒子５０３表面が複数元素系相部５１３に変化し、はんだ粒子５０１の溶解に由来して複数元素系相部５１３は互いに連接する。複数元素系相部５１３が発現するとその融点ははんだ粒子５０１より高いので、上記加熱の温度程度では固相となって多孔性構造になる。種粒子５０３のうちの未反応部（中心に近い部位）は、複数元素系相部５１３の中に種となって残り種部５０３Ａになる。はんだ粒子５０１のうち複数元素系相部５１３への変化に残留した分は凝固して残留はんだ５０１ＡＡになる。
【００６５】
上記で、はんだ粒子５０１を溶解させる温度では、絶縁性接着樹脂部５０２は硬化しないようにその材料が選択されている。これにより、はんだ粒子５０１が溶解したときのその移動を妨げずに溶解金属と種粒子５０３との反応が円滑になされるようになっている。このような溶解、反応を生じさせた後に、加熱温度を上げて絶縁性接着樹脂部５０２を熱硬化させる。この熱硬化により、上記形成された多孔性構造を固定化するように多孔性構造の隙間に樹脂部５０２Ａが満たされた構造ができあがる。
【００６６】
このような構成のはんだ接続部材５１ａでは、とりわけ、上記導電部５０５中において複数元素系相部５１３が連接して形成された多孔性構造がその導電性を担っており、この複数元素系相部５１３は、上記のように、融点が２６０℃以上になっている。２６０℃以上とすることで、この部品内蔵配線板の最外の配線層上に部品実装をするときや、この部品内蔵配線板を別の基板に実装するときの加熱（両者、２次実装時加熱（例えば高くとも２５０℃））での溶融自体を回避でき、接続不良や短絡をさらに効果的に防止できる利点がある。
【００６７】
また、この導電性の多孔性構造は硬化された樹脂部５０２Ａ中に形成されており、多孔性構造の隙間はこれにより埋められている。したがって、はんだ接続部材５１ａ中にボイドが発生し信頼性が損なわれることがない。さらに、はんだ接続部材５１ａの導電性が導電体５０５による多孔性構造によっているので、低抵抗の接続部にすることができる。なお、残留はんだ５０１ＡＡが２次実装時に再溶融することはあり得るが、複数元素系相部５１３へ変化せずに残留した分なのでその量はわずかでありかつ樹脂部５０２Ａ中に閉じ込められているので、信頼性に対する影響は最小限に抑制できる。
【００６８】
図６は、図５に示したはんだ接続部材５１ａ中の導電部５０５を得るための材料の例を示す表であり、図６（ａ）は、硬化前のはんだ接続部材５１ａＡ中に含まれるはんだ粒子５０１の材料例（すずを含む）、図６（ｂ）は、同じく種粒子５０３の材料例（高融点金属を含む）である。図６（ａ）に示すように、これらのはんだ粒子５０１では、その融点が２４０℃以下である。はんだ粒子５０１としてこのような融点の金属材料を用いることで、絶縁層１１の耐熱温度までには余裕を持たせることができる。図６（ｂ）に示す組成系または金属は、はんだ粒子５０１の組成金属であるすずと反応してできる複数元素系相部が融点として２６０℃以上を有する組成系または金属として選択されている。
【００６９】
図７は、図５に示したはんだ接続部材５１ａを構成する複数元素系相部５１３の材料例を示す表であり、図６に示した材料のはんだ粒子５０１と種粒子５０３とから形成され得る複数元素系相を示している。図７に示すように、これらの複数元素系相部５１３は、その融点が２６０℃以上になっている。このような複数元素系相部５１３により、２次実装時加熱（例えば高くとも２５０℃）での再溶融自体が起こらない。
【００７０】
なお、図７に示す複数元素系相におけるｘ、ｙ（、ｚ）の比は、単純な整数比になる場合（＝化学量論的組成；金属間化合物）のみならず、これからはずれて例えばｘの値を固定したときにｙ（、ｚ）が幅をもった値で存在できる場合もある。例えば、固溶体の相の場合や、組成比の異なる２種以上の金属間化合物や固体相が混晶している相（例えば共晶）の場合である。
【００７１】
図７に示す複数元素系相における金属間化合物としては、例えば、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ａｇ３Ｓｎ、ＦｅＳｎ２、ＡｕＳｎ２が知られている。Ｃｕ６Ｓｎ５は、これと組成元素が同じで組成比が異なる異種の金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎと混在して形成される場合があり、この混在比に応じて全体としてｘ、ｙの比は単純な整数比ではなくなる。Ｃｕ３Ｓｎは、Ｃｕ６Ｓｎ５と比較してもろい性質があるが、その融点が２６０℃以上であることに変わりはなく、また、導電部５０５の構造が樹脂部５０２Ａにより補強される構造により、その悪影響を小さく留めることができる。
【００７２】
次に、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板について図８を参照して説明する。図８は、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図であり、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部位については加える事項がない限り説明を省略する。
【００７３】
この実施形態の部品内蔵配線板の、図１に示した実施形態との違いは、内蔵の部品がチップ抵抗４１に代わって、ウエハレベル・チップスケールパッケージによる半導体素子部品４２になっていることである。
【００７４】
半導体素子部品４２は、半導体チップと、この半導体チップ上に形成されたグリッド状配列の表面実装用端子４２ａとを少なくとも備えている。表面実装用端子４２ａは、半導体チップがもともと有する端子パッドから再配線層を介して電気的に導通しつつその位置を再配置して設けられた端子であり、このような再配置により端子としての配置密度が半導体チップ上の端子パッドのそれより粗くなっている。
【００７５】
表面実装用端子４２ａを用い、半導体素子部品４２は、表面実装技術で配線層２２が含む実装用ランド（すなわちニッケル金属層２２ｂ）上にはんだ接続部材５５を介して実装され得る。はんだ接続部材５５には、上記実施形態におけるはんだ接続部材５１と同じ組成のもの、または樹脂含有はんだ接続部材５１ａと同じものを使用することができる。
【００７６】
半導体素子部品４２の端子４２ａの配置ピッチは、例えば０．２ｍｍないし１．０ｍｍである。端子４２ａが配置された面の中央付近は、半導体素子部品４２として必要な端子数が少ない場合は、端子４２ａが配置されない態様とすることもできる。
【００７７】
半導体素子部品４２は、配線板中に内蔵のため実装される前の形態として、端子４２ａ上にはんだボールのない、いわゆるＬＧＡ（land grid array）の形態である。このようなはんだボールのない構成とすることで高さ方向の実装サイズを抑制し、より内蔵への適性を向上させている。内蔵される配線板の厚さが許せば、端子４２ａ上にはんだボールが搭載されたいわゆるＢＧＡ（ball grid array）の形態も利用できる。
【００７８】
図９は、図８に示した部品内蔵配線板における配線層２２の一部構成を模式的に示す平面である。図９において、図８中に示したものと同一相当のものには同一符号を付してある。なお、図８と図９とでは半導体素子部品４２の端子数が異なることを前提とする図示であり、これは説明の都合を含む模式的図示のためである。
【００７９】
図９に示すように、ニッケル金属層２２ｂは、半導体素子部品４２の端子４２ａとのはんだ接続が必要な領域にのみ形成されている。よって、この実施形態においても、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりをランドの領域に限定して制御でき、はんだ接続部材５５の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。したがって、各はんだ接続部材５５での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、絶縁層１１とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００８０】
この実施形態は、図１に示した実施形態と同様に、半導体素子部品４２が実装されている内層の配線パターン２２とは別に、絶縁層１１の外側の面上に配線パターン２１が設けられる。これにより、内蔵のチップ抵抗４１ａの位置に無関係な配線パターンの形成密度を増加させることができ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００８１】
また、図１に示した実施形態と同様に、部品実装が絶縁層１１に設けられた配線パターン２２上になされ、これは通常の配線板上への部品マウントプロセスと同様、周知かつ容易である。加えて、半導体素子部品の内蔵により、部品内蔵配線板として、付加価値をより高められる。
【００８２】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板について図１０を参照して説明する。図１０は、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図（図１０（ａ））およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図（図１０（ｂ））であり、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部位については加える事項がない限り説明を省略する。
【００８３】
この実施形態は、配線パターン２２が、絶縁層１１に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンとなっており、これにより、配線層数の増加が限られるが、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる。
【００８４】
また、この実施形態では、製造工程に起因して、配線パターン２２の基層部分が、絶縁層２２の厚み方向に落ち込まずに絶縁層１２上に設けられ、一方、配線パターン２２のニッケル金属層２２ｂは、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで絶縁層１２上に設けられている。これは、以下説明するように（図１１を参照）、配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行い、その後の積層プロセスを経て得られる特有の構造である。配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行うことで、より薄型の部品内蔵配線板を製造する工程の全体として、より簡易なプロセスで済む。
【００８５】
さらに、この実施形態は、図１０（ｂ）に示すように、ニッケル金属層２２ｂが、基層に重ならない位置に設けられたニッケル金属層につながり一体的になっていると言える構造である。これは、部品実装がなされ積層プロセスが終わった状態に対して、金属箔２２Ａから配線パターン２２をパターン形成したときに、ニッケル金属層２２ｂは除去されず基層のみが除去されて導かれ得る構造である。このような構造でも配線として電気的な問題はなく、したがって、配線パターン化の位置精度を、ニッケル金属層２２ｂを含むランド形成の位置精度に対してよりラフに設定することができる。
【００８６】
図１１は、図１０に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。図１１において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部分については加えるべき事項がない限り説明を省略する。この工程は、図１に示した実施形態で言えば図４に示した最終の積層工程に対応する積層工程である。
【００８７】
図４と図１１とを比較して分かるように、図１１に示す積層工程では、積層部材３に代えて積層部材３Ａを用いる。積層部材３Ａは、金属箔２５Ａ上に層間接続体３４を形成し、さらに、層間接続体３４の頭部が貫通するように金属箔２５Ａ上にプリプレグ１４Ａを積層した構成である。この構成は、図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明したプロセスで得られる。
【００８８】
また、図１１に示す積層工程では、積層部材１に代えて積層部材１Ａを用いる。積層部材１Ａは、金属箔２２Ａ上に、チップ部品４１を実装するためのランドとなるニッケルめっき層２２ｂ（およびこの段階では不図示要素となる金めっき層）を形成し、このランド上にチップ部品４１を実装した構成である。金属箔２２Ａ上へのニッケルめっき層２２ｂおよび金めっき層２２ｃの形成は、金属箔２２Ａ上にめっき用のレジストマスクを形成し、次に金属箔２２Ａを給電路とする電解めっき工程を行えば容易にできる。
【００８９】
図１１に示す積層工程における作用やその後の工程については、図４での説明と同様である。加えるべきこととして、積層後に金属箔２２Ａをエッチングして配線パターン２２を形成するときには、図１０（ｂ）に示したように、ニッケルめっき層２２ｂが一部露出するようなエッチングでも問題はない。
【００９０】
なお、図１１に示す積層工程を経て、両面に配線パターン２２、２５をエッチング形成して４層配線板を得た後、この４層配線板をコア板に用いて、両面の配線パターン２２、２５上に多層化配線構造をビルドアップで形成することもできる。ビルドアップの方法の例としては、図２（ｂ）に示すような構成の部材を両面（または片面）に積層する。
【００９１】
次に、図１２は、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。同図において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部分については加えるべき事項がない限り説明を省略する。
【００９２】
この実施形態は、図１１に示した工程の変形例を用いる、部品実装配線板の製造方法で得られる部品内蔵配線板という位置づけになる。すなわち、この工程では、図１１における積層部材１Ａに代えて、積層部材１Ｂを用いる。積層部材１Ｂは、ステンレス製のダミー板１００上に、配線パターン２２（粗化面２２ａ、ニッケルめっき層２２ｂあり）、はんだ接続部材５１、およびチップ部品４１を有する構成を設けた積層部材である。ダミー板１００は、図１１に示す積層がされた後に取り払われる。
【００９３】
この実施形態は、配線パターン２２が、絶縁層１１に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンとなり、これにより、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる点は、図１０、図１１を参照して説明した実施形態と同様である。ただし、構造的には少し異なることになり、図１２に示す積層工程に依拠して、配線パターン２２の基層部分およびニッケル金属層２２ｂの部分が、両者ともに、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで絶縁層１２上に設けられることになる。なお、この工程による配線板が、さらに多層配線層化するためのコア板にできる点は、図１０、図１１での説明と同様である。
【００９４】
積層部材１Ｂの製造工程について多少補足すると、配線パターン２２（その基層部分）は、ダミー板１００上に当初積層されていた金属箔２２Ａを例えば周知のフォトリソグラフィ工程を用いてエッチングしパターニングすることで得ることができる。または、ダミー板１００上に、パターン化がされたレジストマスクを形成し、レジストマスクの抜けた部分への電解めっき形成でアディティブに得ることもできる。
【符号の説明】
【００９５】
１，１Ａ，１Ｂ…積層部材、２…積層部材、３，３Ａ…積層部材、１１…絶縁層（板状絶縁層）、１１Ａ…プリプレグ、１２…絶縁層（板状絶縁層）、１２Ａ…プリプレグ、１３…絶縁層（板状絶縁層）、１４…絶縁層（板状絶縁層）、１４Ａ…プリプレグ、１５…絶縁層（板状絶縁層）、２１…配線層（配線パターン）、２１Ａ…金属箔（銅箔）、２２…配線層（配線パターン）、２２ａ…粗化面、２２ｂ…ニッケル金属層（ニッケルめっき層）、２２ｃ…金めっき層、２２Ａ…金属箔（銅箔）、２３…配線層（配線パターン）、２３Ａ…金属箔（銅箔）、２４…配線層（配線パターン）、２４Ａ…金属箔（銅箔）、２５…配線層（配線パターン）、２５Ａ…金属箔（銅箔）、２６…配線層（配線パターン）、２６Ａ…金属箔（銅箔）、３１，３２，３４，３５…層間接続体（導電性組成物印刷による導電性バンプ）、３３…スルーホール導電体、４１…チップ抵抗（電気／電子部品）、４１ａ…端子、４２…半導体素子部品（ウエハレベル・チップスケールパッケージによる電気／電子部品）、４２ａ…表面実装用端子、５１，５５…はんだ接続部材、５１Ａ…ペースト状はんだ組成物、５１ａ…樹脂含有はんだ接続部材、５１ａＡ…樹脂含有はんだ接続部材（硬化前；ペースト状はんだ組成物）、６１，６２…はんだレジスト、７１…部品用開口部、７２…貫通孔、８１，８２…開口部、１００…ダミー板（ステンレス板）、５０１…はんだ粒子、５０１ＡＡ…残留はんだ、５０２…絶縁性接着樹脂部（硬化前）、５０２Ａ…絶縁性接着樹脂部（硬化後）、５０３…種粒子、５０３Ａ…種部、５０５…多孔性構造導電部（種部と複数元素系相部とによる）、５１３…複数元素系相部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板に係り、特に、部品内蔵によって配線板としての信頼性が低下することを防止するのに好適な部品内蔵配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気／電子部品が内蔵された配線板構造の例として下記特開２００３-１９７８４９号公報記載のものがある。この構造では、内蔵部品ははんだを用いて内層の配線層に実装、接続されている。はんだは、部品実装のために用いられるごく一般的な部材であり、これを用いる実装基板の製造工程および装置において多くの技術蓄積が存在している。
【０００３】
ただし、一般的な実装基板と異なり、部品が内蔵される配線板構造では、配線板として構造的な信頼性確保、および内蔵部品の電気的接続の信頼性確保のため一般とは別の考慮が必要である。例えば、内蔵部品の端子に連続して形状の整ったフィレットをいかに形成するのかという点がある。配線板の主面上に部品を実装する場合には、この目的のため部品実装のランド部分を除きはんだレジストの層を形成しておくのが一般的である。はんだレジストにより、溶融時のはんだの濡れ広がり領域が限定され形状の整ったフィレットが形成される。
【０００４】
このようなはんだレジストの形成を、部品実装が内層配線層になされる部品内蔵配線板に適用すると、他の絶縁層との密着性が悪く剥離の恐れを生じさせるなど構造的な信頼性を劣化させる。しかしながら、単にはんだレジストの形成をなくせば、内蔵部品のフィレット形状が部品の端子ごとにばらつき、それらのはんだ部分に発生する応力に違いが生じる。したがって、電気的な接続の信頼性にも影響がある。さらには、フィレット形成が阻害され、部品の一方の端子のみはんだ付けされて部品が立ってしまうような、はんだ付け自体の不全による生産効率低下を招く可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１９７８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板およびその製造方法において、部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様である部品内蔵配線板は、端子を有する電気／電子部品と、前記電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、前記板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、前記板状絶縁層の前記上面に対向する下面上に設けられた、前記電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、前記電気／電子部品の前記端子と前記第２の配線パターンの前記ランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、前記第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、前記はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有することを特徴とする。
【０００８】
すなわち、この部品内蔵配線板は、板状絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた電気／電子部品を有しており、この電気／電子部品は、この板状絶縁層の面上に設けられた第２の配線パターンのランドに、すずおよび金を含むはんだ接続部材で電気的、機械的に接続されている。そして、第２の配線パターンは、基層と、基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有している。
【０００９】
したがって、この構造では、はんだ接続部材とランドとの接触はニッケル金属層が担っている。ここで、はんだ接続部材には金が含まれている。これらは、金が溶融はんだとの濡れ性が比較的良好であることを利用してはんだ付けを行ったことによる構造である。すなわち、ランドとして、ニッケル金属層とこのニッケル金属層上に位置する金層とを有する積層金属パターンを第２の配線パターン上に形成し、このランド上に電気／電子部品の端子をはんだ接続して得た構造である。金層の消失は、はんだ接続部材が含むすずの中に金が取り込まれたことによる。よってはんだ接続部材には、金も含まれることになる。
【００１０】
これによれば、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりをランドの領域に限定して制御でき、はんだ接続部材の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。よって、各はんだ接続部材での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、板状絶縁層とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００１１】
また、本発明の別の態様である部品内蔵配線板の製造方法は、配線パターン化される前の金属箔上または配線パターン化がされた金属箔上に、位置選択的に、電気／電子部品実装用のランドとするための、ニッケルめっき層と該ニッケルめっき層上に位置する金めっき層とを有する積層金属パターン層をめっき形成する工程と、前記積層金属パターン層上にすずを含むはんだ成分を含有のペースト状はんだ組成物を付着させる工程と、前記ペースト状はんだ組成物を介した前記積層金属パターン層上に電気／電子部品をマウントする工程と、前記ペースト状はんだ組成物をリフローさせ前記電気／電子部品を前記積層金属パターン層上に固定する工程と、前記電気／電子部品の表面に密着して該電気／電子部品を埋め込むように、配線パターン化される前の前記金属箔上または配線パターン化がされた前記金属箔上に、板状絶縁層を積層する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
この製造方法は、上記の部品内蔵配線板を製造するためのひとつの方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、板状絶縁層中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板およびその製造方法において、部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図２】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【図３】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の別の一部を模式的断面で示す工程図。
【図４】図１に示した部品内蔵配線板の製造過程のさらに別の一部を模式的断面で示す工程図。
【図５】図１に示した電子モジュールに使用の接続部材５１に代えて使用できる接続部材５１ａの微細な構造を示す説明図。
【図６】図５に示したはんだ接続部材５１ａ中の導電部を得るための材料の例を示す表。
【図７】図５に示したはんだ接続部材５１ａを構成する複数元素系相部の材料例を示す表。
【図８】本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図。
【図９】図８に示した部品内蔵配線板における配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図１０】本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図。
【図１１】図１０に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【図１２】本発明のさらに別の（第４の）実施形態に係る部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施態様として、前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンである、とすることができる。これによれば、配線層数の増加が限られるが、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる。
【００１６】
また、実施態様として、前記板状絶縁層との間に前記第２の配線パターンを挟むように、前記第２の配線パターン上に積層位置する第２の板状絶縁層をさらに具備する、とすることができる。これによれば、電気／電子部品が実装されている第２の配線パターンは内層配線層のパターンとなる。第２の板状絶縁層の面上には別の配線パターンを設けることができるので、配線パターンの形成密度を増加させ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００１７】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンの前記基層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込まずに該板状絶縁層上に設けられており、前記第２の配線パターンの前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられている、とすることができる。これは、配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行い、その後の積層プロセスを経て得られる特有の構造である。配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行うことで、製造全体として、より簡易なプロセスで済む。
【００１８】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンの前記基層および前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられている、とすることができる。これは、第２の板状絶縁層に設けられた、配線パターン化がされた金属箔を用いて部品実装を行い、その後の製造プロセスを経て得られる特有の構造である。第２の板状絶縁層に設けられた、配線パターン化がされた金属箔を用いて部品実装を行うことで、部品実装は配線板における通常の部品マウントプロセスで済む。
【００１９】
また、実施態様として、前記ニッケル金属層が、前記基層に重ならない位置に設けられた第２のニッケル金属層につながり該第２のニッケル金属層と一体的に設けられている、とすることができる。これは、部品実装のランド部分である、ニッケル金属層および第２のニッケル金属層のうちの第２のニッケル金属層には、基層を設けていない態様である。これは、部品実装がなされた、配線パターン化される前の金属箔から第２の配線パターンをパターン形成するときに、ニッケル金属層は除去されず、基層のみが除去されることにより得られ得る構造である。このような構造も採り得ることは、配線パターン化の位置精度を、ランド形成の位置精度に対してよりラフにできることを示している。
【００２０】
また、実施態様として、前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層の側に粗化面を有する、とすることができる。これによれば、第２の配線パターンと板状絶縁層との密着性が向上し、構造的な信頼性を一層高められる。
【００２１】
また、実施態様として、前記電気／電子部品が、端子パッドを有する半導体チップと、該電気／電子部品の前記端子として、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子部品である、とすることができる。このような半導体素子部品もはんだ接続が可能であることから、内蔵の電気／電子部品として利用できる。半導体素子部品の内蔵により、部品内蔵配線板として、付加価値を高められる。
【００２２】
また、実施態様として、前記電気／電子部品が、表面実装型受動素子部品である、とすることができる。表面実装型受動素子部品は、特に、フィレット形成がうまくいかないことによるはんだ実装の不良が発生しやすいことから、これを改善する意義が高い。
【００２３】
また、実施態様として、前記はんだ接続部材が、多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有し、前記導電部が、高融点金属の粒子の種部と、該種部を覆った、前記高融点金属とすずとの複数元素系相部とを含有し、かつ、該複数元素系相部が連接して前記多孔性の構造を形成しており、前記導電部が、すずを組成のひとつとするはんだ成分をさらに含有し、該はんだ成分の融点が２４０℃以下であり、前記複数元素系相部の融点が２６０℃以上である、とすることができる。
【００２４】
この実施態様は、はんだ接続部材が２次実装時に溶融して信頼性を低下する可能性を減じてさらに信頼性を向上する態様である。２次実装とは、この部品内蔵配線板上に別の部品がはんだ実装される場合や、この部品内蔵配線板が別の配線板（マザーボードなど）上に実装される場合を指す。高融点金属とすずとの複数元素系相部の融点が２６０℃以上となるように高融点金属を材料選択することで、２次実装の加熱（例えば高くとも２５０℃以下）において、はんだ接続部材の再溶融自体を防止することができる。これにより部品内蔵配線板として信頼性がなお向上する。
【００２５】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図（図１（ａ））およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図（図１（ｂ））である。図１に示すように、この部品内蔵配線板は、絶縁層（板状絶縁層）１１、同１２、同１３、同１４、同１５、配線層（配線パターン）２１、同２２（ニッケル金属層２２ｂを含む）、同２３、同２４、同２５、同２６（＝合計６層配線）、層間接続体３１、同３２、同３４、同３５、スルーホール導電体３３、チップ抵抗４１（電気／電子部品）、はんだ接続部材５１、はんだレジスト６１、６２を有する。
【００２６】
チップ抵抗４１は、例えばその平面的な大きさは例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍである。両端に端子（電極）４１ａを有し、その下側が内層の配線層２２が含む内蔵部品実装用ランド（ニッケル金属層２２ｂ）に対向位置している。チップ抵抗４１の端子４１ａとニッケル金属層２２ｂとははんだ接続部材５１により電気的、機械的に接続されている。はんだ接続部材５１は、端子４１ａ周りに形成されたフィレットを含む形状で配線層２２のニッケル金属層２２ｂ上に位置している。
【００２７】
ニッケル金属層２２ｂは、その上に位置するはんだ接続部材５１の溶融時の広がりを制限する領域として設けられたニッケルの層である。その厚さは例えば５μｍ程度とすることができる。平面的には、図１（ｂ）に示すように、例えば、内蔵部品（チップ抵抗４１）実装用ランドのうちのはんだ接続部材５１が広がるべき制限領域に対応して、配線パターン２２の金属箔（後述する）部分を基層としてこの基層上に、位置選択的に形成されている。ニッケル金属層２２ｂにより、はんだ接続部材５１の広がりを抑制的にかつ揃ったものにして両端子４１ａにおけるはんだ接続部材５１での応力発生を偏らせず、はんだ接続部材５１による電気的接続の信頼性を確保することができる。
【００２８】
ニッケル金属層２２ｂ上には、製造途上においてはさらに金めっき層が形成されているが（後述する）、はんだ接続の工程を経ることで、金めっき層ははんだ接続部材５１が含むすずの中に取り込まれて消失する。このはんだ接続工程において、溶融はんだは、配線パターン２２の基層材料である例えば銅と比べて、金との濡れ性の方が大きく良好であるため、上記のような広がり制限の効果を得ることができる。これにより、ニッケル金属層２２ｂの外側の領域には、はんだレジストのような樹脂パターンを設けるには及ばないので、絶縁層１２との密着性劣化のおそれはほとんどなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００２９】
なお、この実施形態では、はんだ接続部材５１の領域を除く配線層２２の絶縁層１２側の表面は、表面粗さが適度に大きくなるように処理がされた粗化面２２ａになっている。粗化面２２ａを設けることで、これを粗化しない場合より、配線層２２と絶縁層１２との密着性、および層間接続体３２との接続信頼性を向上することができる。
【００３０】
部品内蔵配線板としてのほかの構造について述べると、配線層２１、２６は、配線板としての両主面上の配線層であり、その上に各種の部品（不図示）が実装され得る。実装ではんだ（不図示）が載るべき配線層２１、２６のランド部分を除いて両主面上には、はんだ接続時に溶融したはんだをランド部分に留めかつその後は保護層として機能するはんだレジスト６１、６２が形成されている（厚さはそれぞれ例えば２０μｍ程度）。
【００３１】
このランド部分の表層には、耐腐食性の高いＮｉ／Ａｕのめっき層（不図示）を形成するようにしてもよい。また、配線層２１、２６が含むランド上には、はんだボールを設けるような使い方もあり得る。これは、この部品内蔵配線板を別の配線板（例えばマザーボードのような大きな配線板）上に実装するための構成である。
【００３２】
配線層２２、２３、２４、２５は、それぞれ、内層の配線層であり、順に、配線層２１と配線層２２の間に絶縁層１１が、配線層２２と配線層２３の間に絶縁層１２が、配線層２３と配線層２４との間に絶縁層１３が、配線層２４と配線層２５との間に絶縁層１４が、配線層２５と配線層２６との間に絶縁層１５が、それぞれ位置しこれらの配線層２１〜２６を隔てている。各配線層２１〜２６は、例えばそれぞれ厚さ１８μｍの金属（銅）箔からなっている。
【００３３】
各絶縁層１１〜１５は、絶縁層１３を除き例えばそれぞれ厚さ１００μｍ、絶縁層１３のみ例えば厚さ３００μｍで、それぞれ例えばガラスエポキシ樹脂からなるリジッドな素材である。特に絶縁層１３は、内蔵されたチップ抵抗４１に相当する位置部分が開口部となっており、チップ抵抗４１を内蔵するための空間を提供する。絶縁層１２、１４は、チップ抵抗４１の表面に密着するように絶縁層１３の上記開口部および絶縁層１３のスルーホール導電体３３内部の空間を埋めて変形進入しており内部に空隙となる空間は存在しない。
【００３４】
配線層２１と配線層２２とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１１を貫通する層間接続体３１により導通し得る。同様に、配線層２２と配線層２３とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１２を貫通する層間接続体３２により導通し得る。配線層２３と配線層２４とは、絶縁層１３を貫通して設けられたスルーホール導電体３３により導通し得る。配線層２４と配線層２５とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１４を貫通する層間絶縁体３４により導通し得る。配線層２５と配線層２６とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層１５を貫通する層間接続体３５により導通し得る。
【００３５】
層間接続体３１、３２、３４、３５は、それぞれ、導電性組成物のスクリーン印刷により形成される導電性バンプを由来とするものであり、その製造工程に依拠して軸方向（図１の図示で上下の積層方向）に径が変化している。その直径は、太い側で例えば２００μｍである。
【００３６】
以上、一実施形態に係る部品内蔵配線板の構造について述べた。この部品内蔵配線板では、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりを特定領域に限定して制御でき、はんだ接続部材５１の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。よって、各はんだ接続部材５１での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、板状絶縁層１１とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００３７】
次に、図１に示した部品内蔵配線板の製造工程を図２ないし図４を参照して説明する。図２ないし図４は、それぞれ、図１に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。これらの図において図１中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。
【００３８】
図２から説明する。図２は、図１中に示した各構成のうち絶縁層１１を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図２（ａ）に示すように、厚さ例えば１８μｍの金属箔（電解銅箔）２２Ａ上に例えばスクリーン印刷により、層間接続体３１となるペースト状の導電性組成物をほぼ円錐形のバンプ状（底面径例えば２００μｍ、高さ例えば１６０μｍ）に形成する。この導電性組成物は、ペースト状の樹脂中に銀、金、銅などの金属微細粒または炭素微細粒を分散させたものである。説明の都合で金属箔２２Ａの下面に印刷しているが上面でもよい（以下の各図も同じである）。層間接続体３１の印刷後これを乾燥させて硬化させる。
【００３９】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属箔２２Ａ上に厚さ例えば公称１００μｍのＦＲ−４のプリプレグ１１Ａを積層して層間接続体３１を貫通させ、その頭部が露出するようにする。露出に際してあるいはその後その先端を塑性変形でつぶしてもよい（いずれにしても層間接続体３１の形状は、積層方向に一致する軸を有しその軸方向に径が変化する形状である。）。続いて、図２（ｃ）に示すように、プリプレグ３１Ａ上に金属箔（電解銅箔）２１Ａを積層配置して加圧・加熱し全体を一体化する。このとき、金属箔２１Ａは層間接続体３１と電気的導通状態となり、プリプレグ１１Ａは完全に硬化して絶縁層１１になる。
【００４０】
次に、図２（ｄ）に示すように、片側の金属箔２２Ａに例えば周知のフォトリソグラフィによるパターニングを施し、これを、実装用ランドを含む配線層２２に加工する。加えて、その実装用ランド上に対応して、ニッケルめっき層２２ｂ（例えば厚さ５μｍ；以下、適宜「ニッケル金属層」の代わりに「ニッケルめっき層」という場合がある。）およびその上に金めっき層２２ｃ（例えば厚さ０．０５μｍ）をめっき形成する。さらに加えて、配線層２２の表面に粗化処理を行って粗化面２２ａを形成する。
【００４１】
粗化処理として、黒化還元処理やマイクロエッチング処理を採用することができる。マイクロエッチング処理としては、例えば、ＣＺ処理（メック社商品名）やボンドフィルム処理（アトテック社商品名）がある。粗化処理により、配線層２２と、この上に積層される絶縁層１２との密着性、および層間接続体３２との電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００４２】
図２（ｄ）におけるパターニング、めっき形成、粗化処理については、以下のような順序があり得る。めっき層を均質に成長させる意味で粗化前の金属箔２２Ａ（または配線パターン２２）面上にめっき形成するのが好ましいと考えられる。そこで、めっき形成、粗化処理の順序を維持し、パターニングは、これらの前、中、後の順とする３通りが考えられる。
【００４３】
ここで、めっき形成がパターニングより先の場合には、金属箔２２Ａを給電路とする、電解めっき工程を含むめっき処理で効率的なめっき形成が可能である。めっき形成がパターニングより後の場合には、無電解めっき工程を用いる。いずれのめっき処理の場合にも、めっき用のレジストマスクを絶縁層１１（および金属箔２２Ａ上または配線層２２上）に形成して、位置選択的にニッケルめっき層２２ｂおよび金めっき層２２ｃの積層金属パターン層が形成され得る。
【００４４】
図２（ｄ）に示す状態が形成されたら、次に、配線層２２の実装用ランド上（すなわち金めっき層２２ｃが形成された領域上）に、図２（ｅ）に示すように、例えばスクリーン印刷によりペースト状はんだ組成物５１Ａ（クリームはんだ）を印刷する。ペースト状はんだ組成物５１Ａは、フラックス中にすずを含むはんだの微細粒（例えばＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕのはんだ微細粒、融点は例えば２２０℃程度）を分散させたものでありスクリーン印刷を用いれば容易に所定パターンに印刷できる。スクリーン印刷に代えてディスペンサを使用することもできる。
【００４５】
ペースト状はんだ組成物５１Ａの印刷のあと、チップ抵抗４１をペースト状はんだ組成物５１Ａを介して実装用ランド上に例えばマウンタで載置し、さらにその後ペースト状はんだ組成物５１Ａを例えばリフロー炉でリフローさせる。このリフローで、ペースト状はんだ組成物５１Ａが含むはんだ微粒子が溶融したとき、銅と比べて比較的濡れ性が高い金めっき２２ｃ（ニッケルめっき層２２ｂ）上にのみ溶融はんだが広がる。チップ抵抗４１のような表面実装型受動素子部品では、はんだによるフィレット形成がうまくいかないことによる実装不良が発生しやすいことから、これを改善する意義が高い。
【００４６】
以上説明の工程を経て、図２（ｆ）に示すように、はんだ接続部材５１を介してチップ抵抗４１がニッケルめっき層２２ｂの実装用ランド上に接続、固定された状態の積層部材１が得られる。この状態では、金めっき層２２ｃは、はんだ接続部材５１中に取り込まれて層としてはほぼ消滅おり、はんだ接続部材５１とランドとの接触はニッケルめっき層２２ｂが担った状態になる。図２（ｆ）に示す積層部材１を用いる後の工程については図４で後述する。
【００４７】
上記説明の製造工程の変形例として、図２（ｄ）中に示した配線層２２表面の粗化処理については、チップ抵抗４１の実装の後とすることもできる。チップ抵抗４１の実装工程は加熱を伴っているので、配線パターン２２の、粗化処理による新生面の露出状態を良好に維持する意味で、粗化処理を実装工程の後とする考えは合理性がある。
【００４８】
次に、図３を参照して説明する。図３は、図１中に示した各構成のうち絶縁層１３および同１２を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図３（ａ）に示すように、両面に例えば厚さ１８μｍの金属箔（電解銅箔）２３Ａ、２４Ａが積層された例えば厚さ３００μｍのＦＲ−４の絶縁層１３を用意し、その所定位置にスルーホール導電体を形成するための貫通孔７２をあけ、かつ内蔵するチップ抵抗４１に相当する部分に開口部７１を形成する。
【００４９】
次に、無電解めっきおよび電解めっきを行い、図３（ｂ）に示すように、貫通孔７２の内壁にスルーホール導電体３３を形成する。このとき開口部７１の内壁にも導電体が形成される。さらに、図３（ｃ）に示すように、金属箔２３Ａ、２４Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングして配線層２３、２４を形成する。配線層２３、２４のパターニング形成により、開口部７１の内壁に形成された導電体も除去される。
【００５０】
次に、図３（ｄ）に示すように、配線層２３上の所定の位置に層間接続体３２となる導電性バンプ（底面径例えば２００μｍ、高さ例えば１６０μｍ）をペースト状導電性組成物のスクリーン印刷により形成する。続いて、図３（ｅ）に示すように、絶縁層１２とすべきＦＲ−４のプリプレグ１２Ａ（公称厚さ例えば１００μｍ）を配線層２３側にプレス機を用い積層する。プリプレグ１２Ａには、絶縁層１３と同様の、内蔵するチップ抵抗４１に相当する部分の開口部をあらかじめ設けておく。
【００５１】
この積層工程では、層間接続体３２の頭部をプリプレグ１２Ａに貫通させる。なお、図３（ｅ）における層間接続体３２の頭部の破線は、この段階でその頭部を塑性変形させてつぶしておく場合と塑性変形させない場合の両者あり得ることを示す。この工程により、配線層２３はプリプレグ１２Ａ側に沈み込んで位置することになる。以上により得られた積層部材を積層部材２とする。
【００５２】
以上の図３に示した工程は、以下のような手順とすることも可能である。図３（ａ）の段階では、貫通孔７２のみ形成し内蔵部品用の開口部７１を形成せずに続く図３（ｂ）から図３（ｄ）までの工程を行う。次に、図３（ｅ）に相当する工程として、プリプレグ１２Ａ（開口のないもの）の積層を行う。そして、絶縁層１３およびプリプレグ１２Ａに部品内蔵用の開口部を同時に形成する、という工程である。
【００５３】
次に、図４を参照して説明する。図４は、上記で得られた積層部材１、２などを積層する配置関係を示す図である。ここで、図示上側の積層部材３は、下側の積層部材１と同様な工程を適用し、かつそのあと層間接続体３４およびプリプレグ１４Ａを図示中間の積層部材２における層間接続体３２およびプリプレグ１２Ａと同様にして形成し得られたものである。
【００５４】
ただし、部品（チップ抵抗４１）およびこれを接続するための部位（実装用ランド）のない構成であり、さらにプリプレグ１４Ａにはチップ抵抗４１用の開口部も設けない。そのほかは、金属箔（電解銅箔）２６Ａ、絶縁層１５、層間接続体３５、配線層２５、プリプレグ１４Ａ、層間接続体３４とも、それぞれ積層部材１の金属箔２１Ａ、絶縁層１１、層間接続体３１、配線層２２、積層部材２のプリプレグ１２Ａ、層間接続体３２と同じである。
【００５５】
図４に示すような配置で各積層部材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。プレス機での加圧・加熱により、プリプレグ１２Ａ、１４Ａが完全に硬化し全体が積層、一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ１２Ａ、１４Ａの流動性により、チップ抵抗４１の周りの空間およびスルーホール導電体３３内部の空間にはプリプレグ１２Ａ、１４Ａが変形進入し空隙は発生しない。また、配線層２２、２４は、層間接続体３２、３４にそれぞれ電気的に接続される。
【００５６】
図４に示す積層工程の後、上下両面の金属箔２６Ａ、２１Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングし、さらにはんだレジスト６１、６２の層を形成することにより、図１に示したような部品内蔵配線板を得ることができる。
【００５７】
変形例として、中間の絶縁層１３に設けられたスルーホール導電体３３については、層間接続体３１や同３２と同様なものとする構成も当然ながらあり得る。また、外側の配線層２１、２６は、最後の積層工程のあとにパターニングして得る以外に、各積層部材１、３の段階で（例えば図２（ｄ）の段階で）形成するようにしてもよい。
【００５８】
さらに、図４に示した積層工程において、積層部材１、２については、プリプレグ１２Ａおよび層間接続体３２の部分を積層部材２の側ではなく積層部材１の側に設けておくようにしてもよい。すなわち、層間接続体３２の形成およびプリプレグ１２Ａの積層を、積層部材１の配線層２２上（絶縁層１１上）であらかじめ行うようにする。この場合、実装されたチップ抵抗４１が、一見、層間接続体３２をスクリーン印刷で形成するときに干渉要因となるように見えるが、チップ抵抗４１として十分薄い部品の場合は実際上干渉要因とはならない。プリプレグ１２Ａの積層工程のときには、チップ抵抗４１の厚さを吸収できるクッション材を介在させて加圧・加熱すれば面内方向均一にプリプレグ１２Ａを積層できる。
【００５９】
以上説明した実施形態について補足を加える。まず、上記実施形態では、絶縁層１１が、絶縁層１２との間に配線パターン２２を挟むように、配線パターン２２上に積層位置している。これによれば、チップ抵抗４１ａが実装されている配線パターン２２は内層配線層のパターンとなり、絶縁層１１の外側の面上には別の配線パターン２１が設けられ得る。これにより、内蔵のチップ抵抗４１ａの位置に無関係な配線パターンの形成密度を増加させることができ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００６０】
また、絶縁層１１に設けられた、配線パターン化がされた金属箔（配線層２２）を用いて部品実装を行い、その後に、これと別の積層部材２、３との積層プロセスを経てこの実施形態の部品内蔵配線板は得られている。これによる特有の構造として、配線パターン２２はニッケル金属層２２ｂをも含めて、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで位置することになる。この実施形態は、部品実装が絶縁層１１に設けられた配線パターン２２上になされ、これは通常の配線板上への部品マウントプロセスと同様、周知かつ容易である。
【００６１】
次に、図１に示した部品内蔵配線板に使用の、すずを含むはんだ接続部材５１に代えて使用できる別のはんだ接続部材について図５を参照して説明する。図５は、図１に示した部品内蔵配線板に使用のはんだ接続部材５１に代えて使用できるはんだ接続部材５１ａの微細な構造を示す説明図である。はんだ接続部材５１ａは、図５（ａ）右側に示すように、微細な構造として、硬化されている樹脂部５０２Ａ中に導電部５０５の多孔性構造が形成された構成（樹脂含有はんだ接続部材）になっている。この多孔性構造はその孔の部位に樹脂部５０２Ａが満たされ、空隙をもたせないようにしている。
【００６２】
導電部５０５は、さらに詳細には、図５（ｂ）に示す拡大断面図に描かれるように、粒子状の金属の種部５０３Ａとこの表面を覆う複数元素系相部５１３とを有し、種部５０３Ａを覆う複数元素系相部５１３が互いに連接することによって多孔性構造になっている。なお、はんだ接続部材５１ａ中には、種部５０３Ａ、複数元素系相部５１３のほかに、残留はんだ５０１ＡＡも多少存在する。複数元素系相部５１３は、はんだ粒子５０１（図５（ａ）左側を参照）中のすずと種部５０３Ａ中の高融点金属とによる合成相であり、はんだ粒子５０１の融点が２４０℃以下、複数元素系相部５１３の融点が２６０℃以上となるように、はんだ粒子５０１および種部５０３Ａ（種粒子５０３）の材料が選ばれている。
【００６３】
はんだ接続部材５１ａの上記微細構造には、それらの形成過程が関連している。概略的には、図５（ａ）左側に示すように、はんだ接続部材５１ａは、硬化される前の状態として、ペースト状の絶縁性接着樹脂部５０２中に、すずを含むはんだ粒子５０１と高融点金属含有の種粒子５０３とが分散された構成の組成物である。
【００６４】
このような導電性接着性樹脂を加熱してはんだ粒子５０１を溶解させると、そのすず成分と種粒子５０３が含有する高融点金属とが反応（または溶け合って。以下では「反応」で溶け合う場合も含むこととする）して種粒子５０３表面が複数元素系相部５１３に変化し、はんだ粒子５０１の溶解に由来して複数元素系相部５１３は互いに連接する。複数元素系相部５１３が発現するとその融点ははんだ粒子５０１より高いので、上記加熱の温度程度では固相となって多孔性構造になる。種粒子５０３のうちの未反応部（中心に近い部位）は、複数元素系相部５１３の中に種となって残り種部５０３Ａになる。はんだ粒子５０１のうち複数元素系相部５１３への変化に残留した分は凝固して残留はんだ５０１ＡＡになる。
【００６５】
上記で、はんだ粒子５０１を溶解させる温度では、絶縁性接着樹脂部５０２は硬化しないようにその材料が選択されている。これにより、はんだ粒子５０１が溶解したときのその移動を妨げずに溶解金属と種粒子５０３との反応が円滑になされるようになっている。このような溶解、反応を生じさせた後に、加熱温度を上げて絶縁性接着樹脂部５０２を熱硬化させる。この熱硬化により、上記形成された多孔性構造を固定化するように多孔性構造の隙間に樹脂部５０２Ａが満たされた構造ができあがる。
【００６６】
このような構成のはんだ接続部材５１ａでは、とりわけ、上記導電部５０５中において複数元素系相部５１３が連接して形成された多孔性構造がその導電性を担っており、この複数元素系相部５１３は、上記のように、融点が２６０℃以上になっている。２６０℃以上とすることで、この部品内蔵配線板の最外の配線層上に部品実装をするときや、この部品内蔵配線板を別の基板に実装するときの加熱（両者、２次実装時加熱（例えば高くとも２５０℃））での溶融自体を回避でき、接続不良や短絡をさらに効果的に防止できる利点がある。
【００６７】
また、この導電性の多孔性構造は硬化された樹脂部５０２Ａ中に形成されており、多孔性構造の隙間はこれにより埋められている。したがって、はんだ接続部材５１ａ中にボイドが発生し信頼性が損なわれることがない。さらに、はんだ接続部材５１ａの導電性が導電体５０５による多孔性構造によっているので、低抵抗の接続部にすることができる。なお、残留はんだ５０１ＡＡが２次実装時に再溶融することはあり得るが、複数元素系相部５１３へ変化せずに残留した分なのでその量はわずかでありかつ樹脂部５０２Ａ中に閉じ込められているので、信頼性に対する影響は最小限に抑制できる。
【００６８】
図６は、図５に示したはんだ接続部材５１ａ中の導電部５０５を得るための材料の例を示す表であり、図６（ａ）は、硬化前のはんだ接続部材５１ａＡ中に含まれるはんだ粒子５０１の材料例（すずを含む）、図６（ｂ）は、同じく種粒子５０３の材料例（高融点金属を含む）である。図６（ａ）に示すように、これらのはんだ粒子５０１では、その融点が２４０℃以下である。はんだ粒子５０１としてこのような融点の金属材料を用いることで、絶縁層１１の耐熱温度までには余裕を持たせることができる。図６（ｂ）に示す組成系または金属は、はんだ粒子５０１の組成金属であるすずと反応してできる複数元素系相部が融点として２６０℃以上を有する組成系または金属として選択されている。
【００６９】
図７は、図５に示したはんだ接続部材５１ａを構成する複数元素系相部５１３の材料例を示す表であり、図６に示した材料のはんだ粒子５０１と種粒子５０３とから形成され得る複数元素系相を示している。図７に示すように、これらの複数元素系相部５１３は、その融点が２６０℃以上になっている。このような複数元素系相部５１３により、２次実装時加熱（例えば高くとも２５０℃）での再溶融自体が起こらない。
【００７０】
なお、図７に示す複数元素系相におけるｘ、ｙ（、ｚ）の比は、単純な整数比になる場合（＝化学量論的組成；金属間化合物）のみならず、これからはずれて例えばｘの値を固定したときにｙ（、ｚ）が幅をもった値で存在できる場合もある。例えば、固溶体の相の場合や、組成比の異なる２種以上の金属間化合物や固体相が混晶している相（例えば共晶）の場合である。
【００７１】
図７に示す複数元素系相における金属間化合物としては、例えば、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ａｇ３Ｓｎ、ＦｅＳｎ２、ＡｕＳｎ２が知られている。Ｃｕ６Ｓｎ５は、これと組成元素が同じで組成比が異なる異種の金属間化合物であるＣｕ３Ｓｎと混在して形成される場合があり、この混在比に応じて全体としてｘ、ｙの比は単純な整数比ではなくなる。Ｃｕ３Ｓｎは、Ｃｕ６Ｓｎ５と比較してもろい性質があるが、その融点が２６０℃以上であることに変わりはなく、また、導電部５０５の構造が樹脂部５０２Ａにより補強される構造により、その悪影響を小さく留めることができる。
【００７２】
次に、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板について図８を参照して説明する。図８は、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図であり、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部位については加える事項がない限り説明を省略する。
【００７３】
この実施形態の部品内蔵配線板の、図１に示した実施形態との違いは、内蔵の部品がチップ抵抗４１に代わって、ウエハレベル・チップスケールパッケージによる半導体素子部品４２になっていることである。
【００７４】
半導体素子部品４２は、半導体チップと、この半導体チップ上に形成されたグリッド状配列の表面実装用端子４２ａとを少なくとも備えている。表面実装用端子４２ａは、半導体チップがもともと有する端子パッドから再配線層を介して電気的に導通しつつその位置を再配置して設けられた端子であり、このような再配置により端子としての配置密度が半導体チップ上の端子パッドのそれより粗くなっている。
【００７５】
表面実装用端子４２ａを用い、半導体素子部品４２は、表面実装技術で配線層２２が含む実装用ランド（すなわちニッケル金属層２２ｂ）上にはんだ接続部材５５を介して実装され得る。はんだ接続部材５５には、上記実施形態におけるはんだ接続部材５１と同じ組成のもの、または樹脂含有はんだ接続部材５１ａと同じものを使用することができる。
【００７６】
半導体素子部品４２の端子４２ａの配置ピッチは、例えば０．２ｍｍないし１．０ｍｍである。端子４２ａが配置された面の中央付近は、半導体素子部品４２として必要な端子数が少ない場合は、端子４２ａが配置されない態様とすることもできる。
【００７７】
半導体素子部品４２は、配線板中に内蔵のため実装される前の形態として、端子４２ａ上にはんだボールのない、いわゆるＬＧＡ（land grid array）の形態である。このようなはんだボールのない構成とすることで高さ方向の実装サイズを抑制し、より内蔵への適性を向上させている。内蔵される配線板の厚さが許せば、端子４２ａ上にはんだボールが搭載されたいわゆるＢＧＡ（ball grid array）の形態も利用できる。
【００７８】
図９は、図８に示した部品内蔵配線板における配線層２２の一部構成を模式的に示す平面である。図９において、図８中に示したものと同一相当のものには同一符号を付してある。なお、図８と図９とでは半導体素子部品４２の端子数が異なることを前提とする図示であり、これは説明の都合を含む模式的図示のためである。
【００７９】
図９に示すように、ニッケル金属層２２ｂは、半導体素子部品４２の端子４２ａとのはんだ接続が必要な領域にのみ形成されている。よって、この実施形態においても、はんだレジストなどのような層を設けなくても、溶融はんだの濡れ広がりをランドの領域に限定して制御でき、はんだ接続部材５５の広がりを抑制的にかつ揃ったものにできる。したがって、各はんだ接続部材５５での応力発生を偏らせず、電気的接続の信頼性を確保できる。また、はんだレジストを設けるに及ばないことから、絶縁層１１とはんだレジストとの密着性が良好でないことによる剥離を心配する必要がなく、構造的な信頼性の確保も図ることができる。
【００８０】
この実施形態は、図１に示した実施形態と同様に、半導体素子部品４２が実装されている内層の配線パターン２２とは別に、絶縁層１１の外側の面上に配線パターン２１が設けられる。これにより、内蔵のチップ抵抗４１ａの位置に無関係な配線パターンの形成密度を増加させることができ、パターン設計の自由度が高い部品内蔵配線板とすることができる。
【００８１】
また、図１に示した実施形態と同様に、部品実装が絶縁層１１に設けられた配線パターン２２上になされ、これは通常の配線板上への部品マウントプロセスと同様、周知かつ容易である。加えて、半導体素子部品の内蔵により、部品内蔵配線板として、付加価値をより高められる。
【００８２】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板について図１０を参照して説明する。図１０は、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図（図１０（ａ））およびそのうちの配線層２２の一部構成を模式的に示す平面図（図１０（ｂ））であり、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部位については加える事項がない限り説明を省略する。
【００８３】
この実施形態は、配線パターン２２が、絶縁層１１に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンとなっており、これにより、配線層数の増加が限られるが、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる。
【００８４】
また、この実施形態では、製造工程に起因して、配線パターン２２の基層部分が、絶縁層２２の厚み方向に落ち込まずに絶縁層１２上に設けられ、一方、配線パターン２２のニッケル金属層２２ｂは、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで絶縁層１２上に設けられている。これは、以下説明するように（図１１を参照）、配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行い、その後の積層プロセスを経て得られる特有の構造である。配線パターン化される前の金属箔を用いて部品実装を行うことで、より薄型の部品内蔵配線板を製造する工程の全体として、より簡易なプロセスで済む。
【００８５】
さらに、この実施形態は、図１０（ｂ）に示すように、ニッケル金属層２２ｂが、基層に重ならない位置に設けられたニッケル金属層につながり一体的になっていると言える構造である。これは、部品実装がなされ積層プロセスが終わった状態に対して、金属箔２２Ａから配線パターン２２をパターン形成したときに、ニッケル金属層２２ｂは除去されず基層のみが除去されて導かれ得る構造である。このような構造でも配線として電気的な問題はなく、したがって、配線パターン化の位置精度を、ニッケル金属層２２ｂを含むランド形成の位置精度に対してよりラフに設定することができる。
【００８６】
図１１は、図１０に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。図１１において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部分については加えるべき事項がない限り説明を省略する。この工程は、図１に示した実施形態で言えば図４に示した最終の積層工程に対応する積層工程である。
【００８７】
図４と図１１とを比較して分かるように、図１１に示す積層工程では、積層部材３に代えて積層部材３Ａを用いる。積層部材３Ａは、金属箔２５Ａ上に層間接続体３４を形成し、さらに、層間接続体３４の頭部が貫通するように金属箔２５Ａ上にプリプレグ１４Ａを積層した構成である。この構成は、図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明したプロセスで得られる。
【００８８】
また、図１１に示す積層工程では、積層部材１に代えて積層部材１Ａを用いる。積層部材１Ａは、金属箔２２Ａ上に、チップ部品４１を実装するためのランドとなるニッケルめっき層２２ｂ（およびこの段階では不図示要素となる金めっき層）を形成し、このランド上にチップ部品４１を実装した構成である。金属箔２２Ａ上へのニッケルめっき層２２ｂおよび金めっき層２２ｃの形成は、金属箔２２Ａ上にめっき用のレジストマスクを形成し、次に金属箔２２Ａを給電路とする電解めっき工程を行えば容易にできる。
【００８９】
図１１に示す積層工程における作用やその後の工程については、図４での説明と同様である。加えるべきこととして、積層後に金属箔２２Ａをエッチングして配線パターン２２を形成するときには、図１０（ｂ）に示したように、ニッケルめっき層２２ｂが一部露出するようなエッチングでも問題はない。
【００９０】
なお、図１１に示す積層工程を経て、両面に配線パターン２２、２５をエッチング形成して４層配線板を得た後、この４層配線板をコア板に用いて、両面の配線パターン２２、２５上に多層化配線構造をビルドアップで形成することもできる。ビルドアップの方法の例としては、図２（ｂ）に示すような構成の部材を両面（または片面）に積層する。
【００９１】
次に、図１２は、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。同図において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。その部分については加えるべき事項がない限り説明を省略する。
【００９２】
この実施形態は、図１１に示した工程の変形例を用いる、部品実装配線板の製造方法で得られる部品内蔵配線板という位置づけになる。すなわち、この工程では、図１１における積層部材１Ａに代えて、積層部材１Ｂを用いる。積層部材１Ｂは、ステンレス製のダミー板１００上に、配線パターン２２（粗化面２２ａ、ニッケルめっき層２２ｂあり）、はんだ接続部材５１、およびチップ部品４１を有する構成を設けた積層部材である。ダミー板１００は、図１１に示す積層がされた後に取り払われる。
【００９３】
この実施形態は、配線パターン２２が、絶縁層１１に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンとなり、これにより、より薄型の部品内蔵配線板を提供できる点は、図１０、図１１を参照して説明した実施形態と同様である。ただし、構造的には少し異なることになり、図１２に示す積層工程に依拠して、配線パターン２２の基層部分およびニッケル金属層２２ｂの部分が、両者ともに、絶縁層１２の厚み方向に落ち込んで絶縁層１２上に設けられることになる。なお、この工程による配線板が、さらに多層配線層化するためのコア板にできる点は、図１０、図１１での説明と同様である。
【００９４】
積層部材１Ｂの製造工程について多少補足すると、配線パターン２２（その基層部分）は、ダミー板１００上に当初積層されていた金属箔２２Ａを例えば周知のフォトリソグラフィ工程を用いてエッチングしパターニングすることで得ることができる。または、ダミー板１００上に、パターン化がされたレジストマスクを形成し、レジストマスクの抜けた部分への電解めっき形成でアディティブに得ることもできる。
【符号の説明】
【００９５】
１，１Ａ，１Ｂ…積層部材、２…積層部材、３，３Ａ…積層部材、１１…絶縁層（板状絶縁層）、１１Ａ…プリプレグ、１２…絶縁層（板状絶縁層）、１２Ａ…プリプレグ、１３…絶縁層（板状絶縁層）、１４…絶縁層（板状絶縁層）、１４Ａ…プリプレグ、１５…絶縁層（板状絶縁層）、２１…配線層（配線パターン）、２１Ａ…金属箔（銅箔）、２２…配線層（配線パターン）、２２ａ…粗化面、２２ｂ…ニッケル金属層（ニッケルめっき層）、２２ｃ…金めっき層、２２Ａ…金属箔（銅箔）、２３…配線層（配線パターン）、２３Ａ…金属箔（銅箔）、２４…配線層（配線パターン）、２４Ａ…金属箔（銅箔）、２５…配線層（配線パターン）、２５Ａ…金属箔（銅箔）、２６…配線層（配線パターン）、２６Ａ…金属箔（銅箔）、３１，３２，３４，３５…層間接続体（導電性組成物印刷による導電性バンプ）、３３…スルーホール導電体、４１…チップ抵抗（電気／電子部品）、４１ａ…端子、４２…半導体素子部品（ウエハレベル・チップスケールパッケージによる電気／電子部品）、４２ａ…表面実装用端子、５１，５５…はんだ接続部材、５１Ａ…ペースト状はんだ組成物、５１ａ…樹脂含有はんだ接続部材、５１ａＡ…樹脂含有はんだ接続部材（硬化前；ペースト状はんだ組成物）、６１，６２…はんだレジスト、７１…部品用開口部、７２…貫通孔、８１，８２…開口部、１００…ダミー板（ステンレス板）、５０１…はんだ粒子、５０１ＡＡ…残留はんだ、５０２…絶縁性接着樹脂部（硬化前）、５０２Ａ…絶縁性接着樹脂部（硬化後）、５０３…種粒子、５０３Ａ…種部、５０５…多孔性構造導電部（種部と複数元素系相部とによる）、５１３…複数元素系相部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子を有する電気／電子部品と、
前記電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、
前記板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、
前記板状絶縁層の前記上面に対向する下面上に設けられた、前記電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、
前記電気／電子部品の前記端子と前記第２の配線パターンの前記ランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、
前記第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、前記はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有すること
を特徴とする部品内蔵配線板。
【請求項２】
前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンであることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項３】
前記板状絶縁層との間に前記第２の配線パターンを挟むように、前記第２の配線パターン上に積層位置する第２の板状絶縁層をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項４】
前記第２の配線パターンの前記基層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込まずに該板状絶縁層上に設けられており、前記第２の配線パターンの前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵配線板。
【請求項５】
前記第２の配線パターンの前記基層および前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項３記載の部品内蔵配線板。
【請求項６】
前記ニッケル金属層が、前記基層に重ならない位置に設けられた第２のニッケル金属層につながり該第２のニッケル金属層と一体的に設けられていることを特徴とする請求項４記載の部品内蔵配線板。
【請求項７】
前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層の側に粗化面を有することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項８】
前記電気／電子部品が、端子パッドを有する半導体チップと、該電気／電子部品の前記端子として、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子部品であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項９】
前記電気／電子部品が、表面実装型受動素子部品であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項１０】
前記はんだ接続部材が、多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有し、
前記導電部が、高融点金属の粒子の種部と、該種部を覆った、前記高融点金属とすずとの複数元素系相部とを含有し、かつ、該複数元素系相部が連接して前記多孔性の構造を形成しており、前記導電部が、すずを組成のひとつとするはんだ成分をさらに含有し、該はんだ成分の融点が２４０℃以下であり、前記複数元素系相部の融点が２６０℃以上であること
を特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項１１】
配線パターン化される前の金属箔上または配線パターン化がされた金属箔上に、位置選択的に、電気／電子部品実装用のランドとするための、ニッケルめっき層と該ニッケルめっき層上に位置する金めっき層とを有する積層金属パターン層をめっき形成する工程と、
前記積層金属パターン層上にすずを含むはんだ成分を含有のペースト状はんだ組成物を付着させる工程と、
前記ペースト状はんだ組成物を介した前記積層金属パターン層上に電気／電子部品をマウントする工程と、
前記ペースト状はんだ組成物をリフローさせ前記電気／電子部品を前記積層金属パターン層上に固定する工程と、
前記電気／電子部品の表面に密着して該電気／電子部品を埋め込むように、配線パターン化される前の前記金属箔上または配線パターン化がされた前記金属箔上に、板状絶縁層を積層する工程と
を具備することを特徴とする部品内蔵配線板の製造方法。
【請求項１】
端子を有する電気／電子部品と、
前記電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、
前記板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、
前記板状絶縁層の前記上面に対向する下面上に設けられた、前記電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、
前記電気／電子部品の前記端子と前記第２の配線パターンの前記ランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、
前記第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、前記はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有すること
を特徴とする部品内蔵配線板。
【請求項２】
前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層に接する面と対向する面上には多層化配線構造のない最外配線層のパターンであることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項３】
前記板状絶縁層との間に前記第２の配線パターンを挟むように、前記第２の配線パターン上に積層位置する第２の板状絶縁層をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項４】
前記第２の配線パターンの前記基層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込まずに該板状絶縁層上に設けられており、前記第２の配線パターンの前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵配線板。
【請求項５】
前記第２の配線パターンの前記基層および前記ニッケル金属層が、前記板状絶縁層の厚み方向に落ち込んで該板状絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項３記載の部品内蔵配線板。
【請求項６】
前記ニッケル金属層が、前記基層に重ならない位置に設けられた第２のニッケル金属層につながり該第２のニッケル金属層と一体的に設けられていることを特徴とする請求項４記載の部品内蔵配線板。
【請求項７】
前記第２の配線パターンが、前記板状絶縁層の側に粗化面を有することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項８】
前記電気／電子部品が、端子パッドを有する半導体チップと、該電気／電子部品の前記端子として、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子部品であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項９】
前記電気／電子部品が、表面実装型受動素子部品であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項１０】
前記はんだ接続部材が、多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有し、
前記導電部が、高融点金属の粒子の種部と、該種部を覆った、前記高融点金属とすずとの複数元素系相部とを含有し、かつ、該複数元素系相部が連接して前記多孔性の構造を形成しており、前記導電部が、すずを組成のひとつとするはんだ成分をさらに含有し、該はんだ成分の融点が２４０℃以下であり、前記複数元素系相部の融点が２６０℃以上であること
を特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
【請求項１１】
配線パターン化される前の金属箔上または配線パターン化がされた金属箔上に、位置選択的に、電気／電子部品実装用のランドとするための、ニッケルめっき層と該ニッケルめっき層上に位置する金めっき層とを有する積層金属パターン層をめっき形成する工程と、
前記積層金属パターン層上にすずを含むはんだ成分を含有のペースト状はんだ組成物を付着させる工程と、
前記ペースト状はんだ組成物を介した前記積層金属パターン層上に電気／電子部品をマウントする工程と、
前記ペースト状はんだ組成物をリフローさせ前記電気／電子部品を前記積層金属パターン層上に固定する工程と、
前記電気／電子部品の表面に密着して該電気／電子部品を埋め込むように、配線パターン化される前の前記金属箔上または配線パターン化がされた前記金属箔上に、板状絶縁層を積層する工程と
を具備することを特徴とする部品内蔵配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
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【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−２２８４２２（Ｐ２０１１−２２８４２２Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９５８５６（Ｐ２０１０−９５８５６）
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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