【課題】ピンとの接合に適した突起電極を備えることにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板１０１は、基板裏面１０３上の電極形成領域内に複数の突起電極１１が配置され、複数の突起電極１１上に母基板搭載用の複数のピン２１がはんだ部３１を介して接合された構造を有する。複数のピン２１は、軸部２２と、軸部２２よりも外径が大きい頭部２３とを有する。複数の突起電極１１は、外径Ｂ１が頭部２３の外径Ａ２よりも大きく設定されるとともに、基板裏面１０３からの突出量Ｂ２が最大となる最突出部１３が中心軸Ｃ１上に位置している。なお、頭部２３は、突起電極１１の中心軸Ｃ１とピン２１の中心軸Ｃ２とが一致するように、はんだ部３１を介して突起電極１１上に接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続信頼性の優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】オーガニック配線基板１０の基板主面１１側には、樹脂絶縁層２１〜２３と導体層２４とを積層した第１ビルドアップ層３１が形成されている。第１ビルドアップ層３１における最表層の導体層２４は、半導体チップをフリップチップ実装するための複数の接続端子部４１を含む。複数の接続端子部４１は、ソルダーレジスト２５の開口部４３を介して露出している。各接続端子部４１は、半導体チップの接続領域５１と、接続領域５１から平面方向に延設されかつ接続領域５１よりも幅が狭く形成された配線領域５２とを有する。配線領域５２の表面のはんだ濡れ性は接続領域５１の表面のはんだ濡れ性よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダンピング抵抗に破断が発生することがなく、搭載する半導体素子を常に正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層１ｂの表面に、半導体素子の電極または電気回路基板が接続される接続面３ｄを有する複数の接続パッド３を具備して成る配線基板であって、接続パッド３の一部は、絶縁層１ｂの側に配置された体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以下の低抵抗材料から成る主導体層３ａと接続面３ｄの側に配置された体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料から成る抵抗体層３ｂとが積層されて成り、抵抗体層３ｂが接続面３ｄと主導体層３ａとの間に電気的に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化の妨げとならず、ビアの接続信頼性を維持することができ、且つ配線基板の性能劣化の原因となりにくい外部接続用パッドを一方の面に有する配線基板を提供すること。
【解決手段】所定数の配線層と各配線層の間の絶縁層を有し、且つ、外部の回路に接続するための、表面めっき層を備えた外部接続用パッドを有する配線基板であって、外部接続用パッド１の面積が、その表面めっき層２の面積よりも小さいことを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】 銅からなるランドと半田からなる接続部材とを接合した電子機器のランド構造において、ランドと接続部材との界面に形成される金属間化合物層に発生したクラックの進展をランドの途中で妨げることができるようにする。
【解決手段】 ランド２３ａの上面中央部に形成されたニッケル−金めっき層２６と接続部材１１との界面には第１の金属間化合物層２７が形成されている。ランド２３ａの上面外周部と接続部材１１との界面には、組成が前記第１の金属間化合物層とは異なる第２の金属間化合物層２が形成されている。そして、第２の金属間化合物層２８にその外周部からクラックが発生し、このクラックが進展しても、第２の金属間化合物層２８とこの第２の金属間化合物層２８とは組成の異なる第１の金属間化合物層２７との境界でクラックの進展を妨げることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の上面にフリップチップ接続用の接続パッド１３となる第１パッド１３Ａと、ボンディングパッド１４となる第２パッド１４Ａとを形成し、第２パッド１４Ａの表面にめっき１４Ｂを形成し、第１パッド１３Ａの表面にのみ選択的に粘着層１５を被着する。続いて、粘着層１５にはんだ粉１６を付着し、樹脂基板１０の上面全面にハロゲン濃度が０．１５ｗｔ％以下のフラックス４０を塗布し、はんだ粉１６をリフローにより溶融して第１パッド１３Ａにはんだ１３Ｂを被着する。 （もっと読む）

【課題】導電ペーストで構成された導電性パターンを有する回路基板の製造方法において、使用する導電ペーストの選択肢があまり制約されない上、導電性が良好な導電性パターンを有し、被接合部材を電気的に接合させる際に、各種接合方法を適用することができる回路基板の製造方法。
【解決手段】（１）基板上に、１または２以上の電極部を設置する工程であって、前記電極部は、被接合部材との間で、ハンダ付けによる接合および／またはワイヤボンディングによる接合が可能である、工程と、（２）前記基板上に、第１の導電ペーストを印刷して、前記電極部と電気的に接続された配線パターンを形成する工程であって、前記第１の導電ペーストは、ハンダ付けのできない導電ペーストである工程と、（３）前記配線パターンを固化して、配線部を形成する工程と、を有する回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の電極本体への密着性が良好で、はんだ接合性に優れた表面電極を備えた、信頼性の高いセラミック基板を提供する。
【解決手段】セラミック系材料を主体とする基板本体１と、基板本体の表面に設けられた表面電極２であって、電極本体１２と、電極本体の表面を覆うように配設されたＮｉめっき膜１３と、表層を構成するＡｕめっき膜１５とを備えた表面電極と、基板本体の、表面電極の周囲の、所定の領域を覆うように配設されたガラス保護膜３とを備えたセラミック基板において、ガラス保護膜と表面電極とを、互いに接触しないように間隔をおいて配設する。
また、表面電極とガラス保護膜との間隔Ｇを１０μｍ以上とする。
また、表面電極が、Ｎｉめっき膜とＡｕめっき膜との間に、ＮｉおよびＡｕ以外の金属からなるめっき膜を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】表面パッド層の接着性を向上した多層基板を提供する。
【解決手段】多層基板の表面処理層の構造は、パッド層３０１と、少なくとも一つの被覆金属層３０２，３０３と、はんだマスク層３０４とを含む。パッド層は誘電層に埋め込まれる。少なくとも一つの被覆金属層はパッド層を被覆する。はんだマスク層は少なくとも一つの被覆金属層を露出する開孔を有する。本発明は、まず被覆金属層をパッド層表面に形成した後、はんだマスク層を形成する。その後、被覆金属層の位置に対してはんだマスク層を開孔して、被覆金属層を露出する。パッド層は誘電層に埋め込まれるため、パッド層と誘電層との間の付着力を増加することができる。同時に、はんだマスク層が被覆金属層の一部を覆うため、パッケージする時スズ材または他の半田とパッド層との接触を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】容易に電極部間のピッチを狭めたり、容易に電極部上に微小な半田バンプ形成したりすることができる回路基板等の技術を提供すること。
【解決手段】回路基板１０は、電極部２１を有する配線部２０を備える。電極部は、銅層２２と、銅層上の酸化銅層２３と、酸化銅層を貫通する孔２４とを有する。孔により露出された銅層露出部２５上には、フリップチップ実装用の半田バンプ１が形成される。半田バンプ形成時には、電極部上にクリーム半田等が塗布されて加熱される。半田は、銅には接着し易いが、酸化銅には接着にくい性質を有しており、この関係が利用される。つまり、クリーム半田加熱時には、半田バンプは、接着し易い銅層露出部上に形成され、酸化銅層上には形成されない。これにより、孔の大きさを調整することで、容易に微小な半田バンプを形成することができ、また、電極部の構造を複雑化する必要もないので、容易にピッチを狭めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と半導体素子５がはんだ層３を介して接合されている半導体装置１０の製造方法であって、少なくとも基板１のはんだ層側となる表面１ａにスパッタリング等のドライプロセスにてＮｉ金属、Ｓｎ金属、Ａｕ金属もしくはそれらの合金のいずれか一種からなる薄膜２を形成するステップ、基板１の表面に形成された薄層２の上にはんだペースト３’を塗工し、はんだペースト３’の上に半導体素子５を載置して加熱炉内の高温雰囲気下ではんだ層３を形成し、はんだ層３を介して基板１と半導体素子５を接合して半導体装置１０を製造するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】半田バンプとパッドの接続の信頼性が高いプリント配線板を提供する。
【解決手段】層間樹脂絶縁層と、上記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、上記層間樹脂絶縁層と上記パッドとの上に形成され、上記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、上記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、上記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とするプリント配線板。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合において、アルミニウム部材と異種金属材料のはんだ接合において、アルミニウム部材に鍍金等の前処理を施すことなく、信頼性の高いはんだ接合を可能とする特徴を有することに加え、従来のプリント基板に電子部品を接合する際においても、高い信頼性を有する鉛フリーはんだん合金を提供する
【解決手段】Ｓｎ-Ｃｕ-Ｎｉを基本組成とする鉛フリーはんだ合金に、１．５重量％以上のＳｂ等を添加すること、及び、１．５重量％以上のＳｂと３．０重量％以上のＡｇを添加することにより、アルミニウム部材と異種金属部材、アルミニウム部材同士、及びアルミニウム以外の異種金属部材同士のはんだ接合において、鍍金等の前処理を施すことなく、極めて高い信頼性を有するはんだ接合が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備え、ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、導体ポスト１６は、外側合金層１６５ｃを介して、層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える実装構造体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】電子部品２の電極パッド６は、銅または金を含む第１下地層７ａと、該第１下地層７ａおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第１介在層８ａとを具備し、配線基板３の接続パッド１１は、銅または金を含む第２下地層７ｂと、該第２下地層７ｂおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第２介在層８ｂとを具備し、電極パッド６および接続パッド１１に接続された、スズ、インジウムまたはビスマスを含む導体バンプ４は、第１介在層８ａの前記ニッケルが拡散してなる第１拡散層領域１８ａと、第２介在層８ｂの前記ニッケルが拡散してなる第２拡散層領域１８ｂとを具備し、第１拡散層領域１８ａは、第２拡散層領域１８ｂよりも厚みが小さい。 （もっと読む）

【課題】半田付けによらない新規なチップ部品の接合構造を有してなり、安価に製造可能なチップ部品実装配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の表面に、配線回路６１，６２が形成され、チップ部品３０が、樹脂基板１０に搭載されて、配線回路６１，６２の端部に接続されてなるチップ部品実装配線基板であって、配線回路６１，６２が、下層の金属箔６１ａ，６２ａと上層の金属メッキ層６１ｂ，６２ｂからなる２層構造を有してなり、チップ部品３０が、金属メッキ層６１ｂ，６２ｂに圧着接合されてなるチップ部品実装配線基板１０１，１０２とする。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れた回路実装を低コストで実現できる電気回路基板の製造方法、を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１に、第一半田材料を超音波半田付けすることにより半田パターン２を形成する第一工程と、第一半田付け工程で形成された半田パターン２上に、第一半田材料とは組成が異なる第二半田材料の半田ペースト層３を形成する第二工程と、半田ペースト層３の上に電気回路部品４を配置する第三工程と、第一半田材料の融点又は液相線温度より低く、且つ第二半田材料の融点又は液相線温度より高い設定温度によって電気回路部品を半田付けする第四工程と、を有して電気回路基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板において、導体層と半田ボールとの密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層に形成された開口部から前記少なくとも１層の導体層が露出してなる配線基板を準備する。次いで、前記少なくとも１層の導体層上にＳｎを含む下地層をメッキにより形成し、さらに前記下地層を加熱して溶融させた後、溶融した前記下地層上に半田ボールを搭載し、この半田ボールを前記下地層と直接接続する。 （もっと読む）