配線基板
【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備え、ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、導体ポスト１６は、外側合金層１６５ｃを介して、層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されている。
【解決手段】配線基板１０は、導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備え、ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、導体ポスト１６は、外側合金層１６５ｃを介して、層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。更に詳しくは、導体ポストを有する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装の手法として、例えば、Ｃ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）工法が採用されている。Ｃ４工法で利用される配線基板は表面がソルダーレジスト層で覆われ、ソルダーレジスト層に必要に応じて穿孔された開口部に立設されたバンプ（導体ポスト）と、配線基板内の導体層と、が電気的に接続されることで、配線基板内外が導通される構造となっている。このようなＣ４工法で用いられる配線基板に代表されるように、バンプを利用した接続が行われる配線基板においては、高密度化の進行で、昨今のバンプピッチは最小１４５μｍにも達している。しかし、今後も更なる高密度化が進行することが予測され、より狭いバンプピッチ（次々世代でのバンプチップとして、例えば、１００μｍ）が必要となると考えられる。このように、バンプピッチが狭くなるに連れて、ソルダーレジスト層に穿孔される前記開口部の径も小さくなると考えられるが、一方で、必要とされるバンプの高さは今後も維持されると考えられる。即ち、より高いアスペクト比を有する形状のバンプが必要とされると考えられる。
尚、本発明の係る従来技術として下記特許公報１〜３が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７２１６４２４号明細書
【特許文献２】米国特許第６２２９２２０号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／００２９１１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記高密度化に対応した高アスペクト比のバンプの形成には困難を伴う。即ち、一般的なバンプ形成方法としては、半田印刷法及びボール搭載法が知られている。
半田印刷法は、スクリーンマスク２２を介在させ、スキージ２１を用いてペースト半田３０を印刷してバンプを形成する方法である。図７に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、ペースト半田３０を導体層１２ａ上に正常に印刷することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、マスク２２自体の製作が難しく、また、その精度を十分に確保し難い。更に、マスク２２を形成できたとしても、マスク２２に開口される貫通孔１３１の径が小さいために、マスク２２内での目詰まりを起こし易く、ペースト半田３０を印刷し難いという問題がある。また、図８に例示されるように、ペースト半田３０を印刷できたとしても、印刷されたペースト半田３０が導体層１２ａと接し難いなどの問題がある。
【０００５】
一方、ボール搭載法は、予め形成された半田ボール４０を導出目的の導体層１２ａ上に接合して、その半田ボール４０をバンプとして利用する方法である。図９に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、半田ボール４０を導体層１２ａと接続することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、貫通孔１３１の径に合わせた半田ボール４０を用いると十分なバンプ高さを確保することができない。一方、図１０に例示されるように、バンプの高さを確保するために、半田ボール４０の径を大きくすると、半田ボール４０の曲率が小さくなるために、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａに半田ボール４０が接することができなくなる（いわゆる「はじき」）という問題がある。また、隣接する半田ボール４０同士が接続されてしまう（いわゆる「ブリッジ」）という不具合を生じるおそれもある。
【０００６】
これらの従来汎用されている方法に代替し得る方法としてバンプをめっき形成する方法が考えられる。しかし、この方法では、通常、めっき液は樹脂層に対する浸食性を有するために、フォトリソ法を用いて形成されるソルダーレジスト層が十分な耐食性を発揮できない。また、バンプをめっき形成する場合のバンプの概形を決定することとなる型枠層を用いる必要があるものの、この型枠層に形成する開口部と、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部と、を十分に一致させて形成することが困難となるという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、本発明は以下に示す通りである。
〈１〉導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポストは、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有し、
前記下部導体ポストは、その外側面に外側合金層を備え、
前記導体ポストは、前記外側合金層を介して、前記ソルダーレジスト層の該貫通孔の内側面に密着されていることを特徴とする配線基板。
〈２〉前記外側合金層は、パラジウム及び銅を含む前記〈１〉に記載の配線基板。
〈３〉前記下部導体ポストの下端面に下端合金層を備える前記〈１〉又は〈２〉に記載の配線基板。
〈４〉前記下端合金層は、パラジウム及び銅を含む前記〈３〉に記載の配線基板。
〈５〉前記下端合金層は、更に、ニッケル及び金を含む前記〈４〉に記載の配線基板。
〈６〉前記外側合金層は、前記下端合金層よりも厚い前記〈３〉乃至〈５〉のうちいずれかに記載の配線基板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、導体ポスト１６の高密度化に対応できる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０とすることができる。これにより、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を用いることができる。更に、この導体ポスト１６を用いて、配線基板１０とこの配線基板１０に実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる。
外側合金層１６５ｃがパラジウム及び銅を含む場合は、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内壁面１３１ｃと下部導体ポスト１６１との間の接合強度に優れ、導体ポスト１６の接合強度が従来より優れた配線基板１０とすることができる。
下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに下端合金層１６５ｂを備える場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
下端合金層１６５ｂがパラジウム及び銅を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度に特に優れた配線基板１０とすることができる。
下端合金層１６５ｂが、更に、ニッケル及び金を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度にとりわけ優れた配線基板１０とすることができる。
外側合金層１６５ｃが下端合金層１６５ｂよりも厚い場合は、導体ポスト１６１と導体層１２との接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本配線基板を説明する模式的な断面図である。
【図２】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図３】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図４】本配線基板の製造方法を説明する模式的な工程図である。
【図５】本配線基板の製造方法を説明する図４に続く模式的な工程図である。
【図６】本配線基板の製造方法を説明する図５に続く模式的な工程図である。
【図７】従来の製造方法を説明する模式的な説明図である。
【図８】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な説明図である。
【図９】従来の製造方法を説明する模式的な他の説明図である。
【図１０】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な他の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明について、図１〜６を参照しながら以下詳細に説明する。
本発明の配線基板１０は、導体層１２と、該導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、該ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、
前記ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、該下部導体ポスト１６１上に位置して、前記ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、
前記下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、
前記導体ポスト１６は、前記外側合金層１６５ｃを介して、前記ソルダーレジスト層１３の該貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されていることを特徴とする。
【００１１】
前記「配線基板（１０）」は、導体層１２と、ソルダーレジスト層１３と、導体ポスト１６と、を備える。
このうち、前記「導体層（１２）」は、配線基板１０において導体回路等として機能される層である。これらの導体層１２は、一連（即ち、連続した一枚）の導体からなってもよく、同一平面内に配設された複数の導体からなってもよい。また、導体層１２のうち、後述するソルダーレジスト層１３に穿設された貫通孔１３１の下方に配置された導体層は導体層１２ａである。この導体層１２ａは、導体層１２内の独立した１つの導体であってもよく、連続する導体の一部であってもよい。また、導体層１２の形状等は特に限定されない。また、その材質も特に限定されないが、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等であることが好ましく、このうち、通常、銅が用いられる。
【００１２】
前記「ソルダーレジスト層（１３）」は、導体層１２上に積層された層である。通常、ソルダーレジスト層１３は、この配線基板に部品を実装する際に利用されるリフロー工程において、半田が意図しない部位へ付着することを防止するための層として機能される。このソルダーレジスト層１３は、導体層１２との間に絶縁層等の他の層を介在していてもよい。
更に、本発明の配線基板のソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含む。ソルダーレジスト層１３が熱硬化性樹脂を含むことにより、リフロー工程における不要な半田の付着を防止しながら、めっき液に対する耐性（特に耐アルカリ性）を付与できる。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａの表面に無電解めっき又は電解めっきの少なくとも一方を形成することが可能となる。
このソルダーレジスト層１３の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。ソルダーレジスト層１３の厚さがこの範囲である場合には、本発明の構成を有することによる前記種々の効果をより得易いからである。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下が特に好ましい。
【００１３】
前記熱硬化性樹脂の種類は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。これらのなかでも特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
ソルダーレジスト層１３に含まれる熱硬化性樹脂の量は特に限定されないが、通常、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中に最も多く（体積として最も多く含まれる）含まれる。即ち、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料において熱硬化性樹脂が主体となっている。より具体的には、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料を１００体積％において熱硬化性樹脂は５０体積％を超え（１００体積％であってもよい）で含まれることが好ましい。このソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中における熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、より好ましくは５０体積％を超え且つ１００体積％以下とすることができ、更に好ましくは８０体積％以上且つ１００体積％以下とすることができる。また、ソルダーレジスト層１３に含むことができる熱硬化性樹脂以外の他の有機材料としては、ゴム及び熱可塑性樹脂等が挙げられる。
。
【００１４】
また、ソルダーレジスト層には、上記熱硬化性樹脂を含む有機材料以外に充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー、通常、無機材料である）等が含まれてもよい。充填剤が含まれる場合、ソルダーレジスト層１３全体を１００質量％とした場合に、充填剤は７０質量％以下である。
【００１５】
また、ソルダーレジスト層１３は、貫通孔１３１を有し、この貫通孔１３１の下方には導体層１２ａが位置されている。そして、貫通孔１３１を介して、導体層１２ａは導体ポスト１６と接続されて、ソルダーレジスト層１３外へと導通される。
貫通孔１３１の平面形状は特に限定されず、円形状であってもよく、四角形等の多角形状であってもよく、更にその他の形状であってもよいが、円形状が好ましい。また、この貫通孔１３１の大きさも特に限定されないが、通常、導体層１２ａの一部のみが露出される大きさ（即ち、導体層１２ａの全部が露出されないことが好ましい）である。更に、通常、貫通孔１３１の開口の大きさは下部導体ポスト１６１に等しく、貫通孔１３１の深さはソルダーレジスト層１３の深さに等しい。また、貫通孔１３１の直径が小さいほど本発明の効果をより得やすく、より具体的には、貫通孔１３１の平面形状が円形状である場合、その直径ｄ１６１は１０μｍ以上３００μｍ以下であると共に、深さ（ソルダーレジスト層１３の厚さ）は１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。このような貫通孔１３１を備える配線基板１０では、本発明の効果をより得易い。この直径ｄ１６１は１０μｍ以上１５０μｍ以下であると共に、深さは５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、直径は１０μｍ以上１００μｍ以下であると共に、深さは１０μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００１６】
前記「導体ポスト（１６）」は、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体である。そして、導体ポスト１６は、貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａをソルダーレジスト層１３外へ導出する導体として機能できる。
また、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とする導体である。導体ポスト１６が、スズを主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＳｎを含むことを意味する。また、Ｓｎ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＰｂ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
同様に、導体ポスト１６が、銅を主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＣｕを含むことを意味する。また、Ｃｕ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｓｎ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
【００１７】
更に、導体ポスト１６が、半田を主体とするとは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ及びＡｕの群から選ばれる２種以上の金属元素の合計含有量が、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）であることを意味する。より具体的には、導体ポスト１６を構成する半田として、ＳｎＰｂ半田、ＳｎＢｉ半田、ＳｎＡｇＣｕ半田、ＳｎＺｎＢｉ半田、ＳｎＣｕ半田、ＳｎＡｇＩｎＢｉ半田、ＳｎＺｎＡｌ半田、ＳｎＣｕＮｉＧｅ半田等が挙げられる。前記半田を構成する金属元素以外の他の金属元素を含んでもよいが、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。尚、導体ポスト１６の融点は、通常、１８０℃以上２５０℃以下である。
【００１８】
また、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有する形状を成している。ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなるとは、換言すれば、ソルダーレジスト層１３の外側へ向かって上部導体ポスト１６２が突出していることを意味する。これにより、導体ポスト１６は、配線基板１０の表面から突出して、部品を実装できる構成となっている。
この上部導体ポスト１６２の形状（平面形状及び側面形状等を含む）は特に限定されないが、例えば、平面形状は円形状、四角形状等とすることができる。また、側面形状（側断面の形状）は、略円形状、半円形状、四角形状等とすることができる。
【００１９】
尚、図３に示すように、導体ポスト１６は、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａと、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとは、通常、同じ形状である。特に、平面形状が円形状である場合には、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径ｄ１６１と、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径ｄ１６２とが同じである。このため、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂと、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２とは密着されていない。
更に、上部導体ポスト１６２の平面形状が円形状である場合には、通常、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径ｄ１６２は、上部導体ポスト１６２の最大径Ｌ１６２よりも小さく形成される。
【００２０】
前記「外側合金層（１６５ｃ）」は、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに備える合金層である。この合金層とは、導体ポスト１６を主体的に構成するスズ、銅又は半田以外の金属成分（例えば、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の金属元素）が拡散して含有された導体部分を意味し、導体ポスト１６の断面をＥＰＭＡにより１０００倍以上に拡大して観察した場合に１層の合金層を認めることができる。
外側合金層１６５ｃの厚さは、図３に示すように、下部導体ポスト１６１の高さを３等分した中央部を更に５等分する４本の等分線Ｔ１６５ｃの平均値長さである。
【００２１】
また、合金層に拡散された金属元素（以下、単に「拡散金属元素」）としては、例えば、導体ポスト１６がスズ（Ｓｎ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、Ｐｄが含まれることが好ましい。
更に、例えば、導体ポスト１６が銅（Ｃｕ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、Ｐｄが含まれることが好ましい。
また、例えば、導体ポスト１６が半田を主体とする場合には、半田を構成する金属元素（半田金属元素）として含有されるＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｕの群から選ばれる２種以上の金属元素以外の金属元素であって、Ｐｄ、Ｎｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特に半田金属元素としてＰｄが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄが含有されることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の配線基板１０は、前記外側合金層１６５ｃ以外に、下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに下端合金層１６５ｂを備えることが好ましい。この下端合金層１６５ｂを備え、更には、導体ポスト１６が下端合金層１６を介して導体層１２ａと密着されることで接合強度向上効果を特に得易い。
【００２３】
下端合金層１６５ｂは、下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに備える合金層である。この合金層は、前記外側合金層１６５ｃと同様に、導体ポスト１６を主体的に構成するスズ、銅又は半田以外の金属成分（例えば、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の金属元素）が拡散して含有された導体部分を意味し、導体ポスト１６の断面をＥＰＭＡにより１０００倍以上に拡大して観察した場合に１層の合金層を認めることができる。
下端合金層１６５ｂの厚さとは、前記外側合金層１６５ｃにおけると同様に、下部導体ポスト１６１の幅を３等分した中央部を更に５等分する４本の等分線の平均値長さである。
【００２４】
また、合金層内における拡散金属元素としては、例えば、導体ポスト１６がスズ（Ｓｎ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｇ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特にＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕが好ましく、更にはＰｄ及びＣｕが特に好ましい。
更に、例えば、導体ポスト１６が銅（Ｃｕ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｇ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特にＰｄ、Ｎｉ及びＡｕが好ましい。
また、例えば、導体ポスト１６が半田を主体とする場合には、半田を構成する半田金属元素として含有されるＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ及びＡｕの群から選ばれる２種以上の金属元素以外の金属元素であって、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特に半田金属元素としてＰｄが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄが含有されることが好ましく、更には、半田金属元素としてＰｄ、Ｎｉ及びＡｕが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕが含有されることが好ましい。
【００２５】
更に、合金層１６５（外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂ）のうちの外側合金層１６５ｃは、合金層１６５のうちの下端合金層１６５ｂよりも厚いものとすることが好ましい。これにより、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。
【００２６】
前記合金層１６５に含まれ得るパラジウムは、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布され、ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１の内側面１３１ｃに形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、後述する加熱等の処理により導体ポスト１６の一部となるため、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１の内側面１３１ｃとの接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（拡散金属元素の拡散を生じて合金層が形成されること）されるような加熱が施される（即ち、導体ポスト１６の融点以上であれば良いが、例えば、２５０℃以上の加温）ことにより、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくなり、導体ポスト１６の外側面を構成する外側合金層１６５ｃ（図３参照）として、その内部にパラジウムが含有されることとなる。
【００２７】
更に、前記下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位である下端合金層１６５ｂには、ニッケル及び金を含むことができる。この下端合金層１６５ｂに、ニッケル及び金が含まれることにより、下部導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度が向上される。このニッケル及び金は、後述する配線基板の製造方法における介在層１７を形成することにより、下端合金層１６５ｂに含有させることができる。
この下端合金層１６５ｂには、ニッケル及び金以外にも、他の成分を含有することができる。他の成分としては、パラジウム等が挙げられる。特に導体ポスト１６がスズ又は半田を主体とする場合、この下端合金層１６５ｂに、ニッケル及び金が同時に含有されることにより、下端合金層１６５ｂにおいて、接合強度の低下要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６が得られる。
【００２８】
また、配線基板は、ソルダーレジスト層、導体層及び導体ポスト以外にも他の構成を備えることができる。他の構成としては、コア基板、絶縁層、内装部品等が挙げられる。
このうち、コア基板は、絶縁材料から構成され、通常、板状体である。また、配線基板１０の厚さ方向における中心部をなすことができる。コア基板を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板は、複層化されていてもよく、更には、内部に導体層（内層パターン）を有していてもよい。また、絶縁層は、コア基板上に積層された導体層間を絶縁する機能を有する層である。この絶縁層は、前記コア基板を構成する絶縁材料と同様の絶縁材料から構成できる。
【００２９】
更に、本発明の配線基板は、その内部に収容部を備える場合には、収容部内に内装部品を有することができる。
収容部の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。また、前記内装部品としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、コンデンサが好ましく、特に積層セラミックコンデンサが好適である。更に、収容部内に内装された内装部品と収容部との間隙には、内装部品とコア基板との熱膨張係特性を緩和する機能を有する絶縁材が充填されてなる充填部を有することができる。通常、充填部は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂からなるか、又は、これらの樹脂とシリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラスなどの無機材料からなる無機フィラーと、の混合物からなる。
【００３０】
［２］配線基板の製造方法
本発明の配線基板を製造する場合、その製造方法は特に限定されないが、以下の方法で得ることができる。即ち、ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１と、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２と、無電解めっき層形成工程ＰＲ４と、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５と、第２貫通孔穿設工程ＰＲ６と、導体ポスト形成工程ＰＲ７と、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８と、導体ポスト加熱工程ＰＲ１０と、をこの順に備える配線基板の製造方法により得ることができる。
【００３１】
前記「ソルダーレジスト層形成工程（ＰＲ１）」は、表面に導体層１２を備えた素基板２０のその表面（導体層１２は、素基板２０の当該表面の全面に形成されていてもよいが、通常、当該表面の一部に形成されている）に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を形成する工程である。素基板２０の構成は特に限定されないが、導体層１２以外に、コア基板及び絶縁層等を備えることができる。即ち、例えば、ガラスエポキシをコア１１とした両面銅張り板の表面導体層がパターニングされてなる導体層１２を備える基板を素基板２０として利用できる。更に、例えば、ガラスエポキシをコアとした両面銅張り板をコア基板とし、その表面に順次ビルドアップされた絶縁層及び各絶縁層の層間で接続された導体層を備え、且つ、最表面にパターニングされた導体層１２が配置された素基板２０を用いることができる。
【００３２】
素基板２０上にソルダーレジスト層１３を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のソルダーレジスト組成物を素基板２０の表面に塗布した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）ソルダーレジスト層１３となるドライフィルムを素基板２０の表面に貼着した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。また、前記（１）の方法を利用する場合には、液状のソルダーレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により素基板２０上に塗布できる。尚、ソルダーレジスト層１３の厚さについては、前述の通りである。
【００３３】
前記「第１貫通孔穿設工程（ＰＲ２）」は、ソルダーレジスト層１３に第１貫通孔１３１を穿設する工程である。この工程では、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよく、また、レーザー穿孔法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよい。尚、第１貫通孔１３１については、前述のソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１における記載をそのまま適用できる。
【００３４】
前記「無電解めっき層形成工程（ＰＲ４）」は、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、第１貫通孔１３１内に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する工程である。これにより、無電解めっき層１４が形成され、後述する工程１０を経て、下部導体ポスト１６１の外側面１３１ｃにパラジウムが含まれた外側合金層１６５ｃを得ることができる。
【００３５】
前記パラジウムを含む触媒は、塩化パラジウムと塩酸と塩酸との混合液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ２水溶液や、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等の液体を必要な表面に塗布、又は、基板を浸漬することでこれらの溶液を付着させた後、乾燥させることで形成できる。
また、前記無電解めっき層１４は、銅、ニッケル及びスズ等のうちの少なくとも１種を含む導電性金属から構成できる。この無電解めっき層１４としては、銅からなる無電解銅めっき層１４であることが好ましい。無電解銅めっき層１４は、銅塩（ＣｕＳＯ４等）、還元剤（ホルムアルデヒド等）、錯化剤（ロッシェル塩、ＥＤＴＡ等）、ｐＨ調整剤（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）、添加剤（ポリエチレングリコール、ジピリジル等）などを含む無電解銅めっき液に浸漬することにより形成できる。
【００３６】
前記「フォトレジスト層形成工程（ＰＲ５）」は、これまでに得られた素基板２０を覆うようにフォトレジスト層１５を形成する工程である。即ち、少なくとも第１貫通孔１３１が穿孔されたソルダーレジスト層１３上に、直接的に、又は、他の層を介して間接的に、フォトレジスト層１５を形成する工程である。
フォトレジスト層１５を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のフォトレジスト組成物を、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、塗布した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）フォトレジスト層１５となるドライフィルムを、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、貼着した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。前記（１）の方法を利用する場合には、液状のフォトレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により塗布できる。一方、前記（２）の方法を利用する場合には、ドライフィルムを押圧して密着させることができる。この場合には、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることができる。
【００３７】
前記フォトレジスト層１５の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。フォトレジスト層１５の厚さがこの範囲である場合には、上部導体ポスト１６２をソルダーレジスト層１３より外側へ十分に張り出して形成できると共に、導体ポスト１６を介した外部との良好な接続を得ることができる。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
【００３８】
前記「第２貫通孔穿設工程（ＰＲ６）」は、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通されると共に、第１貫通孔１３１と略同径（通常、第１貫通孔の孔径Ａと、第２貫通孔の孔径Ｂと、の比Ａ／Ｂにおいて０．８以上１．０未満の範囲）の第２貫通孔１５１をフォトレジスト層１５に穿設する工程である。前記第２貫通孔１５１は、フォトレジスト層１５に穿孔された貫通孔であり、ソルダーレジスト層１３まで貫通された孔である。また、第２貫通孔１５１は、導体ポスト１６のうち、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２を形成するための型枠となる孔である。
【００３９】
前記「導体ポスト形成工程（ＰＲ７）」は、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポスト１６をめっき形成する工程である。この工程ＰＲ７では、どのようなめっき形成手段を用いてもよい。即ち、例えば、電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよく、無電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよい。この導体ポスト形成工程ＰＲ７では、導体ポスト１６をめっき形成するために、前述のように、スズ、銅又は半田を主体とする導体となる。スズ、銅又は半田を主体とすることについては、前記導体ポスト１６における同記載についての説明をそのまま適用できる。
【００４０】
前記「フォトレジスト層除去工程（ＰＲ８）」は、フォトレジスト層１５を除去する工程である。即ち、フォトレジスト層１５を除去すると共に、導体ポスト１６を基板上に露出させる工程ＰＲ８である。フォトレジスト層１５の除去はどのような方法で行ってもよく、例えば、レーザーや熱を加える等して焼失させて（アッシングして）もよく、また、溶剤等により溶解除去してもよい。特にフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、溶剤により簡便に除去することができる。
【００４１】
前記「導体ポスト加熱工程（ＰＲ１０）」は、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱（リフローを含む）する工程である。この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０は、導体ポスト形成工程ＰＲ７において、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ等からなる導体ポスト１６をめっき形成した場合に効果的に機能する工程である。
リフロー時の最高到達温度は、導体ポストの融点よりも３０℃以上高いことが好ましく、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、導体ポスト形成工程ＰＲ７以前に、無電解めっき層１４及び介在層１７等が予め形成されていた場合に、導体ポスト１６の表面にこれらの層を構成する成分が取り込まれた合金層１６５を形成できる。合金層１６５が形成されることにより、導体ポスト１６がより強固に配設された配線基板１０を得ることができる。
【００４２】
更に、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、工程ＰＲ１０以前の工程までに形成された導体ポスト１６の形状を補正することができる。即ち、この加熱により、導体ポスト１６が適度に溶解されると共に、溶解された上部導体ポスト１６２は、その表面張力によって上部導体ポスト１６２の形状の歪みを補正でき、丸みを帯びさせることができる。更には、セルフアライメント効果により、導体層１２ａと軸中心を合わせるように上部導体ポスト１６２の位置を補正できる。これらの作用により、より信頼性に優れた導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
また、図６の工程ＰＲ９後として例示されるように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の表面１３２との間に、無電解めっき層１４が形成されている場合には、特にこれらの間での密着性を向上させることができる。
【００４３】
導体ポスト加熱工程ＰＲ１０における加熱条件などは、最高到達温度が導体ポスト１６の融点以上であれば良く、特に限定されないが、例えば、窒素雰囲気下において、温度１００℃以上４００℃以下にリフローし導体ポスト１６を加熱溶融するものであることが好ましい。この範囲の温度であれば、前記合金層１６５の形成を適度に促進しつつ、前記セルフアライメント効果をも得ることができる。この温度は１５０℃以上３００℃以下がより好ましく、１８０℃以上２６０℃以下が特に好ましい。
【００４４】
本発明の配線基板の製造方法では、前記各工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、介在層形成工程ＰＲ３等が挙げられる。これらの工程は、１種のみ用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４５】
前記「介在層形成工程（ＰＲ３）」は、無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する工程である。無電解めっき層１４を形成する前に、下地層としてこの介在層１７を、無電解めっき層１４と導体層１２ａとの間に介在させることにより、無電解めっき層１４が合金層１６５となる際の接合強度を低下させる要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分等）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。この介在層１７は、例えば、無電解ニッケルめっきを施し、無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきを施すことで、無電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層を形成して得ることができる。
【００４６】
この工程ＰＲ３で形成する介在層１７は、ニッケル及び金を含む導電性を有する材料からなればよく、その組成などは特に限定されないが、例えば、介在層１７を無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層により形成する場合、各層それぞれに含まれるニッケル及び金の含有量は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合に、ニッケルは９０〜９５質量％であることが好ましい。さらに介在層１７における無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に、金は９５〜１００質量％であることが好ましい。この範囲では、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成を効果的に抑制できる。
また、介在層１７の厚さも特に限定されないが、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。介在層１７の厚さがこの範囲である場合には、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成をより効果的に抑制できる。この介在層１７の厚さは３μｍ以上１５μｍ以下がより好ましく、６μｍ以上１２μｍ以下が特に好ましい。
【００４７】
本発明の方法では、前記各工程以外にも、他の工程を備えることができる。他の工程としては、デスミア工程が挙げられる。デスミア工程は、第１貫通孔１３１を形成した後、及び、第２貫通孔１５１を形成した後、等に行うことができる。このデスミア工程を行うことで、貫通孔内の残留物除去することができる。
更に、図６の工程ＰＲ９として例示されるように、無電解めっき層１４のうち表面に導体ポスト１６が形成されず、無電解めっき層１４が表面に露出したままの不要な部位をエッチング等により除去する無電解めっき層除去工程ＰＲ９が挙げられる。
これらの各工程は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の配線基板１０について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００４９】
（１）配線基板１０
本実施例で製造する配線基板１０（図１参照）は、コア基板１１の一面側に積層された導体層１２と、この導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える。
コア基板１１は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなる。また、導体層１２は、コア基板１１の一面に貼着された、厚さ１２μｍの銅箔をパターニングしてなる。
更に、ソルダーレジスト層１３は、厚さ２１μｍであり、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（ソルダーレジスト層１３は、４０質量％のシリカからなるフィラーと、６０質量％の有機材料とを含む、更に、有機材料は、エポキシ樹脂をその全体１００体積％に対して、８０体積％含有する）を含む。ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１は、口径６４μｍの円形状であり、ソルダーレジスト層１３の層下の導体層１２ａまで表裏に貫通されている。
【００５０】
導体ポスト１６は、貫通孔１３１内を充塞してなり、直径（ｄ１６１）６４ｍｍ且つ高さ２１μｍである下部導体ポスト１６１と、この下部導体ポスト１６１の上に位置する下端面直径（ｄ１６２）６４ｍｍ、最大径（Ｌ１６２）７４ｍｍ、且つ高さ（最も高い位置）５８μｍの上部導体ポスト１６２と、からなる。
また、下部導体ポスト１６１は、外側１６１ｃに平均厚さ２μｍの外側合金層１６５ｃを備え、且つ、下端１６１ｂに平均厚さ１μｍの下端合金層１６５ｂを備える。即ち、外側合金層１６５ｃは下端合金層１６５ｂの２倍と厚く形成されている。
更に、導体ポスト（合金層１６５を含む）は、その全体を１００質量％とした場合に９５質量％のスズを含む。残部は、合金層１６５を構成する成分として含まれたパラジウム、銅、ニッケル及び金である。
【００５１】
以下、この配線基板１０の製造方法を図４〜６を用いて説明する。尚、各工程における製造途中の基板についての各々異なる名称を用いるのは煩雑であるため、配線基板１０となる以前の各工程における基板は全て素基板２０という。
図４に示す、工程ＰＲ１以前の素基板２０を用意する。この素基板２０は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなるコア基板１１と、コア基板１１の一面に貼着された厚さ１２μｍの銅箔がパターニングされてなる導体層１２と、を備える。
【００５２】
（２）ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１
前記（１）の素基板２０の導体層１２を備える側の表面に、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含むフィルム状ソルダーレジスト層形成用組成物を貼着した後、加熱硬化させ、厚さ２１μｍの熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を得る。
【００５３】
（３）第１貫通孔穿設工程ＰＲ２
前記（２）で得られたソルダーレジスト層１３に表面側からレーザーを照射し、直径６０μｍの第１貫通孔１３１を穿孔する。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導通が必要な導体層１２ａが露出される。また、その後、貫通孔１３１内のスミアを除去するためにデスミア処理を行う。
【００５４】
（４）介在層形成工程ＰＲ３
前記（３）までに得られたデスミア処理済みの素基板２０のソルダーレジスト層１３下の露出された導体層１２ａの表面に、無電解ニッケルめっきにより無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきにより無電解金めっき層を形成することにより、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する。得られる介在層１７は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合にニッケルを９３質量％、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合、金を１００質量％、各々含有し、厚さが１０μｍである。
【００５５】
（５）無電解めっき層形成工程ＰＲ４
前記（４）までに得られた介在層１７を備える素基板２０の表面（ソルダーレジスト層１３を備える側）の全面（貫通孔１３１内を含む）に、スズ塩及び塩化ナトリウム等を含むパラジウム触媒溶液に素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、パラジウムを含む触媒核を形成する。次いで、ニッケル塩、硫酸銅、水酸化ナトリウム、キレート剤、錯化剤等を含む無電解Ｃｕメッキ液に前記触媒核を形成した素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、無電解めっき層１４を形成する。得られる無電解銅めっき層１４は、厚さが０．７μｍである。
【００５６】
（６）フォトレジスト層形成工程ＰＲ５
前記（５）までに得られた素基板２０の無電解銅めっき層１４が形成された表面に、ドライフィルム式の厚さが７５μｍのフォトレジスト層１５を圧着する。
【００５７】
（７）第２貫通孔穿設工程ＰＲ６
前記（６）までに得られた素基板２０の表面にフォトレジスト層１５が積層された積層体に、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通され、且つ、第１貫通孔１３１と同径の第２貫通孔１５１を穿設する。即ち、露光工程及び現像工程等を経て第２貫通孔１５１を形成する。これにより、フォトレジスト層１５下の無電解銅めっき層１４の表面（一部表面）が第２貫通孔１５１内に露出される。
【００５８】
（８）導体ポスト形成工程ＰＲ７
前記（７）までに得られた第２貫通孔１５１がフォトレジスト層１５に形成された積層体を、無電解めっき液に浸漬して、電解めっきを行い、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内をスズめっきで充塞して、導体ポスト１６を形成する。
【００５９】
（９）フォトレジスト層除去工程ＰＲ８
前記（８）までに得られた導体ポスト１６が形成された積層体の表面からフォトレジスト層１５をアミン系剥離液に浸漬して除去する。
【００６０】
（１０）無電解めっき層除去工程ＰＲ９
前記（９）までに得られた導体ポスト１６を備える素基板２０におけるソルダーレジスト層１３の表面に露出している無電解層めっき層１４の不要部分を、硫酸・過酸化水素系溶液を吹き付け、エッチングすることにより除去する。
【００６１】
（１１）導体ポスト加熱工程ＰＲ１０
前記（１０）までに得られた無電解銅めっき層１４の不要部が除去された素基板２０を所定のリフロー炉にて導体ポストの融点以上の温度で加熱溶融するリフローを行った。詳細なリフロー条件は、最高温度２４０℃、融点以上の温度を５０秒間保持した。これにより、図６に示すように、介在層１７、無電解銅めっき層１４及びスズめっきの各部の界面で合金化（金属元素の拡散）が促進されて、導体ポスト１６は一体的な１つの導体となると共に、外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂが形成される。更に、セルフアライメント効果により、導体ポスト１６は、導体層１２ａの中心軸上に寄ると共に、溶解されたスズの表面張力により、より綺麗な円形状に成形される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の配線基板等は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００６３】
１０；配線基板、
１１；コア基板（コア）、
１２；導体層、１２ａ；貫通孔の下方に配置された導体層、
１３；ソルダーレジスト層、１３１；貫通孔（第１貫通孔）、１３２；ソルダーレジスト層の外表面、１３１ｃ；貫通孔の内側面、
１４；無電解めっき層、
１５；フォトレジスト層、１５１；第２貫通孔、
１６；導体ポスト、１６１；下部導体ポスト、１６２；上部導体ポスト、１６２ｂ；上部導体ポストの下端面、１６１ａ；下部導体ポストの上端面、１６１ｂ；下部導体ポストの下端面、１６１ｃ；下部導体ポストの外側面、１６５；合金層、１６５ｂ；下端合金層、１６５ｃ；外側合金層、
ｄ１６１；下部導体ポストの上端径、ｄ１６２；上部導体ポストの下端径、Ｌ１６２；上部導体ポストの最大径、
１７；介在層、
２０；素基板、
３０；ペースト半田、
４０；半田ボール、
ＰＲ１；ソルダーレジスト層形成工程、
ＰＲ２；第１貫通孔穿設工程、
ＰＲ３；介在層形成工程、
ＰＲ４；無電解めっき層形成工程、
ＰＲ５；フォトレジスト層形成工程、
ＰＲ６；第２貫通孔穿設工程、
ＰＲ７；導体ポスト形成工程、
ＰＲ８；フォトレジスト層除去工程、
ＰＲ９；無電解めっき層除去工程、
ＰＲ１０；導体ポスト加熱工程。
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。更に詳しくは、導体ポストを有する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装の手法として、例えば、Ｃ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）工法が採用されている。Ｃ４工法で利用される配線基板は表面がソルダーレジスト層で覆われ、ソルダーレジスト層に必要に応じて穿孔された開口部に立設されたバンプ（導体ポスト）と、配線基板内の導体層と、が電気的に接続されることで、配線基板内外が導通される構造となっている。このようなＣ４工法で用いられる配線基板に代表されるように、バンプを利用した接続が行われる配線基板においては、高密度化の進行で、昨今のバンプピッチは最小１４５μｍにも達している。しかし、今後も更なる高密度化が進行することが予測され、より狭いバンプピッチ（次々世代でのバンプチップとして、例えば、１００μｍ）が必要となると考えられる。このように、バンプピッチが狭くなるに連れて、ソルダーレジスト層に穿孔される前記開口部の径も小さくなると考えられるが、一方で、必要とされるバンプの高さは今後も維持されると考えられる。即ち、より高いアスペクト比を有する形状のバンプが必要とされると考えられる。
尚、本発明の係る従来技術として下記特許公報１〜３が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７２１６４２４号明細書
【特許文献２】米国特許第６２２９２２０号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／００２９１１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記高密度化に対応した高アスペクト比のバンプの形成には困難を伴う。即ち、一般的なバンプ形成方法としては、半田印刷法及びボール搭載法が知られている。
半田印刷法は、スクリーンマスク２２を介在させ、スキージ２１を用いてペースト半田３０を印刷してバンプを形成する方法である。図７に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、ペースト半田３０を導体層１２ａ上に正常に印刷することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、マスク２２自体の製作が難しく、また、その精度を十分に確保し難い。更に、マスク２２を形成できたとしても、マスク２２に開口される貫通孔１３１の径が小さいために、マスク２２内での目詰まりを起こし易く、ペースト半田３０を印刷し難いという問題がある。また、図８に例示されるように、ペースト半田３０を印刷できたとしても、印刷されたペースト半田３０が導体層１２ａと接し難いなどの問題がある。
【０００５】
一方、ボール搭載法は、予め形成された半田ボール４０を導出目的の導体層１２ａ上に接合して、その半田ボール４０をバンプとして利用する方法である。図９に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、半田ボール４０を導体層１２ａと接続することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、貫通孔１３１の径に合わせた半田ボール４０を用いると十分なバンプ高さを確保することができない。一方、図１０に例示されるように、バンプの高さを確保するために、半田ボール４０の径を大きくすると、半田ボール４０の曲率が小さくなるために、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａに半田ボール４０が接することができなくなる（いわゆる「はじき」）という問題がある。また、隣接する半田ボール４０同士が接続されてしまう（いわゆる「ブリッジ」）という不具合を生じるおそれもある。
【０００６】
これらの従来汎用されている方法に代替し得る方法としてバンプをめっき形成する方法が考えられる。しかし、この方法では、通常、めっき液は樹脂層に対する浸食性を有するために、フォトリソ法を用いて形成されるソルダーレジスト層が十分な耐食性を発揮できない。また、バンプをめっき形成する場合のバンプの概形を決定することとなる型枠層を用いる必要があるものの、この型枠層に形成する開口部と、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部と、を十分に一致させて形成することが困難となるという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、本発明は以下に示す通りである。
〈１〉導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポストは、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有し、
前記下部導体ポストは、その外側面に外側合金層を備え、
前記導体ポストは、前記外側合金層を介して、前記ソルダーレジスト層の該貫通孔の内側面に密着されていることを特徴とする配線基板。
〈２〉前記外側合金層は、パラジウム及び銅を含む前記〈１〉に記載の配線基板。
〈３〉前記下部導体ポストの下端面に下端合金層を備える前記〈１〉又は〈２〉に記載の配線基板。
〈４〉前記下端合金層は、パラジウム及び銅を含む前記〈３〉に記載の配線基板。
〈５〉前記下端合金層は、更に、ニッケル及び金を含む前記〈４〉に記載の配線基板。
〈６〉前記外側合金層は、前記下端合金層よりも厚い前記〈３〉乃至〈５〉のうちいずれかに記載の配線基板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、導体ポスト１６の高密度化に対応できる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０とすることができる。これにより、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を用いることができる。更に、この導体ポスト１６を用いて、配線基板１０とこの配線基板１０に実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる。
外側合金層１６５ｃがパラジウム及び銅を含む場合は、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内壁面１３１ｃと下部導体ポスト１６１との間の接合強度に優れ、導体ポスト１６の接合強度が従来より優れた配線基板１０とすることができる。
下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに下端合金層１６５ｂを備える場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
下端合金層１６５ｂがパラジウム及び銅を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度に特に優れた配線基板１０とすることができる。
下端合金層１６５ｂが、更に、ニッケル及び金を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度にとりわけ優れた配線基板１０とすることができる。
外側合金層１６５ｃが下端合金層１６５ｂよりも厚い場合は、導体ポスト１６１と導体層１２との接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本配線基板を説明する模式的な断面図である。
【図２】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図３】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図４】本配線基板の製造方法を説明する模式的な工程図である。
【図５】本配線基板の製造方法を説明する図４に続く模式的な工程図である。
【図６】本配線基板の製造方法を説明する図５に続く模式的な工程図である。
【図７】従来の製造方法を説明する模式的な説明図である。
【図８】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な説明図である。
【図９】従来の製造方法を説明する模式的な他の説明図である。
【図１０】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な他の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明について、図１〜６を参照しながら以下詳細に説明する。
本発明の配線基板１０は、導体層１２と、該導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、該ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、
前記ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、該下部導体ポスト１６１上に位置して、前記ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、
前記下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、
前記導体ポスト１６は、前記外側合金層１６５ｃを介して、前記ソルダーレジスト層１３の該貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されていることを特徴とする。
【００１１】
前記「配線基板（１０）」は、導体層１２と、ソルダーレジスト層１３と、導体ポスト１６と、を備える。
このうち、前記「導体層（１２）」は、配線基板１０において導体回路等として機能される層である。これらの導体層１２は、一連（即ち、連続した一枚）の導体からなってもよく、同一平面内に配設された複数の導体からなってもよい。また、導体層１２のうち、後述するソルダーレジスト層１３に穿設された貫通孔１３１の下方に配置された導体層は導体層１２ａである。この導体層１２ａは、導体層１２内の独立した１つの導体であってもよく、連続する導体の一部であってもよい。また、導体層１２の形状等は特に限定されない。また、その材質も特に限定されないが、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等であることが好ましく、このうち、通常、銅が用いられる。
【００１２】
前記「ソルダーレジスト層（１３）」は、導体層１２上に積層された層である。通常、ソルダーレジスト層１３は、この配線基板に部品を実装する際に利用されるリフロー工程において、半田が意図しない部位へ付着することを防止するための層として機能される。このソルダーレジスト層１３は、導体層１２との間に絶縁層等の他の層を介在していてもよい。
更に、本発明の配線基板のソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含む。ソルダーレジスト層１３が熱硬化性樹脂を含むことにより、リフロー工程における不要な半田の付着を防止しながら、めっき液に対する耐性（特に耐アルカリ性）を付与できる。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａの表面に無電解めっき又は電解めっきの少なくとも一方を形成することが可能となる。
このソルダーレジスト層１３の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。ソルダーレジスト層１３の厚さがこの範囲である場合には、本発明の構成を有することによる前記種々の効果をより得易いからである。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下が特に好ましい。
【００１３】
前記熱硬化性樹脂の種類は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。これらのなかでも特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
ソルダーレジスト層１３に含まれる熱硬化性樹脂の量は特に限定されないが、通常、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中に最も多く（体積として最も多く含まれる）含まれる。即ち、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料において熱硬化性樹脂が主体となっている。より具体的には、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料を１００体積％において熱硬化性樹脂は５０体積％を超え（１００体積％であってもよい）で含まれることが好ましい。このソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中における熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、より好ましくは５０体積％を超え且つ１００体積％以下とすることができ、更に好ましくは８０体積％以上且つ１００体積％以下とすることができる。また、ソルダーレジスト層１３に含むことができる熱硬化性樹脂以外の他の有機材料としては、ゴム及び熱可塑性樹脂等が挙げられる。
。
【００１４】
また、ソルダーレジスト層には、上記熱硬化性樹脂を含む有機材料以外に充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー、通常、無機材料である）等が含まれてもよい。充填剤が含まれる場合、ソルダーレジスト層１３全体を１００質量％とした場合に、充填剤は７０質量％以下である。
【００１５】
また、ソルダーレジスト層１３は、貫通孔１３１を有し、この貫通孔１３１の下方には導体層１２ａが位置されている。そして、貫通孔１３１を介して、導体層１２ａは導体ポスト１６と接続されて、ソルダーレジスト層１３外へと導通される。
貫通孔１３１の平面形状は特に限定されず、円形状であってもよく、四角形等の多角形状であってもよく、更にその他の形状であってもよいが、円形状が好ましい。また、この貫通孔１３１の大きさも特に限定されないが、通常、導体層１２ａの一部のみが露出される大きさ（即ち、導体層１２ａの全部が露出されないことが好ましい）である。更に、通常、貫通孔１３１の開口の大きさは下部導体ポスト１６１に等しく、貫通孔１３１の深さはソルダーレジスト層１３の深さに等しい。また、貫通孔１３１の直径が小さいほど本発明の効果をより得やすく、より具体的には、貫通孔１３１の平面形状が円形状である場合、その直径ｄ１６１は１０μｍ以上３００μｍ以下であると共に、深さ（ソルダーレジスト層１３の厚さ）は１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。このような貫通孔１３１を備える配線基板１０では、本発明の効果をより得易い。この直径ｄ１６１は１０μｍ以上１５０μｍ以下であると共に、深さは５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、直径は１０μｍ以上１００μｍ以下であると共に、深さは１０μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００１６】
前記「導体ポスト（１６）」は、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体である。そして、導体ポスト１６は、貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａをソルダーレジスト層１３外へ導出する導体として機能できる。
また、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とする導体である。導体ポスト１６が、スズを主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＳｎを含むことを意味する。また、Ｓｎ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＰｂ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
同様に、導体ポスト１６が、銅を主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＣｕを含むことを意味する。また、Ｃｕ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｓｎ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
【００１７】
更に、導体ポスト１６が、半田を主体とするとは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ及びＡｕの群から選ばれる２種以上の金属元素の合計含有量が、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）であることを意味する。より具体的には、導体ポスト１６を構成する半田として、ＳｎＰｂ半田、ＳｎＢｉ半田、ＳｎＡｇＣｕ半田、ＳｎＺｎＢｉ半田、ＳｎＣｕ半田、ＳｎＡｇＩｎＢｉ半田、ＳｎＺｎＡｌ半田、ＳｎＣｕＮｉＧｅ半田等が挙げられる。前記半田を構成する金属元素以外の他の金属元素を含んでもよいが、後述する外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂを除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。尚、導体ポスト１６の融点は、通常、１８０℃以上２５０℃以下である。
【００１８】
また、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有する形状を成している。ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなるとは、換言すれば、ソルダーレジスト層１３の外側へ向かって上部導体ポスト１６２が突出していることを意味する。これにより、導体ポスト１６は、配線基板１０の表面から突出して、部品を実装できる構成となっている。
この上部導体ポスト１６２の形状（平面形状及び側面形状等を含む）は特に限定されないが、例えば、平面形状は円形状、四角形状等とすることができる。また、側面形状（側断面の形状）は、略円形状、半円形状、四角形状等とすることができる。
【００１９】
尚、図３に示すように、導体ポスト１６は、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａと、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとは、通常、同じ形状である。特に、平面形状が円形状である場合には、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径ｄ１６１と、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径ｄ１６２とが同じである。このため、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂと、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２とは密着されていない。
更に、上部導体ポスト１６２の平面形状が円形状である場合には、通常、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径ｄ１６２は、上部導体ポスト１６２の最大径Ｌ１６２よりも小さく形成される。
【００２０】
前記「外側合金層（１６５ｃ）」は、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに備える合金層である。この合金層とは、導体ポスト１６を主体的に構成するスズ、銅又は半田以外の金属成分（例えば、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の金属元素）が拡散して含有された導体部分を意味し、導体ポスト１６の断面をＥＰＭＡにより１０００倍以上に拡大して観察した場合に１層の合金層を認めることができる。
外側合金層１６５ｃの厚さは、図３に示すように、下部導体ポスト１６１の高さを３等分した中央部を更に５等分する４本の等分線Ｔ１６５ｃの平均値長さである。
【００２１】
また、合金層に拡散された金属元素（以下、単に「拡散金属元素」）としては、例えば、導体ポスト１６がスズ（Ｓｎ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、Ｐｄが含まれることが好ましい。
更に、例えば、導体ポスト１６が銅（Ｃｕ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、Ｐｄが含まれることが好ましい。
また、例えば、導体ポスト１６が半田を主体とする場合には、半田を構成する金属元素（半田金属元素）として含有されるＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｕの群から選ばれる２種以上の金属元素以外の金属元素であって、Ｐｄ、Ｎｉ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特に半田金属元素としてＰｄが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄが含有されることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の配線基板１０は、前記外側合金層１６５ｃ以外に、下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに下端合金層１６５ｂを備えることが好ましい。この下端合金層１６５ｂを備え、更には、導体ポスト１６が下端合金層１６を介して導体層１２ａと密着されることで接合強度向上効果を特に得易い。
【００２３】
下端合金層１６５ｂは、下部導体ポスト１６１の下端面１６１ｂに備える合金層である。この合金層は、前記外側合金層１６５ｃと同様に、導体ポスト１６を主体的に構成するスズ、銅又は半田以外の金属成分（例えば、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の金属元素）が拡散して含有された導体部分を意味し、導体ポスト１６の断面をＥＰＭＡにより１０００倍以上に拡大して観察した場合に１層の合金層を認めることができる。
下端合金層１６５ｂの厚さとは、前記外側合金層１６５ｃにおけると同様に、下部導体ポスト１６１の幅を３等分した中央部を更に５等分する４本の等分線の平均値長さである。
【００２４】
また、合金層内における拡散金属元素としては、例えば、導体ポスト１６がスズ（Ｓｎ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｇ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特にＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｕが好ましく、更にはＰｄ及びＣｕが特に好ましい。
更に、例えば、導体ポスト１６が銅（Ｃｕ）を主体とする場合には、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｇ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特にＰｄ、Ｎｉ及びＡｕが好ましい。
また、例えば、導体ポスト１６が半田を主体とする場合には、半田を構成する半田金属元素として含有されるＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ及びＡｕの群から選ばれる２種以上の金属元素以外の金属元素であって、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕ等が拡散金属元素として挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよいが、これらのなかでも、特に半田金属元素としてＰｄが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄが含有されることが好ましく、更には、半田金属元素としてＰｄ、Ｎｉ及びＡｕが含まれず、且つ、拡散金属元素として、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕが含有されることが好ましい。
【００２５】
更に、合金層１６５（外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂ）のうちの外側合金層１６５ｃは、合金層１６５のうちの下端合金層１６５ｂよりも厚いものとすることが好ましい。これにより、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。
【００２６】
前記合金層１６５に含まれ得るパラジウムは、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布され、ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１の内側面１３１ｃに形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、後述する加熱等の処理により導体ポスト１６の一部となるため、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１の内側面１３１ｃとの接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（拡散金属元素の拡散を生じて合金層が形成されること）されるような加熱が施される（即ち、導体ポスト１６の融点以上であれば良いが、例えば、２５０℃以上の加温）ことにより、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくなり、導体ポスト１６の外側面を構成する外側合金層１６５ｃ（図３参照）として、その内部にパラジウムが含有されることとなる。
【００２７】
更に、前記下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位である下端合金層１６５ｂには、ニッケル及び金を含むことができる。この下端合金層１６５ｂに、ニッケル及び金が含まれることにより、下部導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度が向上される。このニッケル及び金は、後述する配線基板の製造方法における介在層１７を形成することにより、下端合金層１６５ｂに含有させることができる。
この下端合金層１６５ｂには、ニッケル及び金以外にも、他の成分を含有することができる。他の成分としては、パラジウム等が挙げられる。特に導体ポスト１６がスズ又は半田を主体とする場合、この下端合金層１６５ｂに、ニッケル及び金が同時に含有されることにより、下端合金層１６５ｂにおいて、接合強度の低下要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６が得られる。
【００２８】
また、配線基板は、ソルダーレジスト層、導体層及び導体ポスト以外にも他の構成を備えることができる。他の構成としては、コア基板、絶縁層、内装部品等が挙げられる。
このうち、コア基板は、絶縁材料から構成され、通常、板状体である。また、配線基板１０の厚さ方向における中心部をなすことができる。コア基板を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板は、複層化されていてもよく、更には、内部に導体層（内層パターン）を有していてもよい。また、絶縁層は、コア基板上に積層された導体層間を絶縁する機能を有する層である。この絶縁層は、前記コア基板を構成する絶縁材料と同様の絶縁材料から構成できる。
【００２９】
更に、本発明の配線基板は、その内部に収容部を備える場合には、収容部内に内装部品を有することができる。
収容部の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。また、前記内装部品としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、コンデンサが好ましく、特に積層セラミックコンデンサが好適である。更に、収容部内に内装された内装部品と収容部との間隙には、内装部品とコア基板との熱膨張係特性を緩和する機能を有する絶縁材が充填されてなる充填部を有することができる。通常、充填部は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂からなるか、又は、これらの樹脂とシリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラスなどの無機材料からなる無機フィラーと、の混合物からなる。
【００３０】
［２］配線基板の製造方法
本発明の配線基板を製造する場合、その製造方法は特に限定されないが、以下の方法で得ることができる。即ち、ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１と、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２と、無電解めっき層形成工程ＰＲ４と、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５と、第２貫通孔穿設工程ＰＲ６と、導体ポスト形成工程ＰＲ７と、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８と、導体ポスト加熱工程ＰＲ１０と、をこの順に備える配線基板の製造方法により得ることができる。
【００３１】
前記「ソルダーレジスト層形成工程（ＰＲ１）」は、表面に導体層１２を備えた素基板２０のその表面（導体層１２は、素基板２０の当該表面の全面に形成されていてもよいが、通常、当該表面の一部に形成されている）に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を形成する工程である。素基板２０の構成は特に限定されないが、導体層１２以外に、コア基板及び絶縁層等を備えることができる。即ち、例えば、ガラスエポキシをコア１１とした両面銅張り板の表面導体層がパターニングされてなる導体層１２を備える基板を素基板２０として利用できる。更に、例えば、ガラスエポキシをコアとした両面銅張り板をコア基板とし、その表面に順次ビルドアップされた絶縁層及び各絶縁層の層間で接続された導体層を備え、且つ、最表面にパターニングされた導体層１２が配置された素基板２０を用いることができる。
【００３２】
素基板２０上にソルダーレジスト層１３を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のソルダーレジスト組成物を素基板２０の表面に塗布した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）ソルダーレジスト層１３となるドライフィルムを素基板２０の表面に貼着した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。また、前記（１）の方法を利用する場合には、液状のソルダーレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により素基板２０上に塗布できる。尚、ソルダーレジスト層１３の厚さについては、前述の通りである。
【００３３】
前記「第１貫通孔穿設工程（ＰＲ２）」は、ソルダーレジスト層１３に第１貫通孔１３１を穿設する工程である。この工程では、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよく、また、レーザー穿孔法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよい。尚、第１貫通孔１３１については、前述のソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１における記載をそのまま適用できる。
【００３４】
前記「無電解めっき層形成工程（ＰＲ４）」は、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、第１貫通孔１３１内に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する工程である。これにより、無電解めっき層１４が形成され、後述する工程１０を経て、下部導体ポスト１６１の外側面１３１ｃにパラジウムが含まれた外側合金層１６５ｃを得ることができる。
【００３５】
前記パラジウムを含む触媒は、塩化パラジウムと塩酸と塩酸との混合液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ２水溶液や、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等の液体を必要な表面に塗布、又は、基板を浸漬することでこれらの溶液を付着させた後、乾燥させることで形成できる。
また、前記無電解めっき層１４は、銅、ニッケル及びスズ等のうちの少なくとも１種を含む導電性金属から構成できる。この無電解めっき層１４としては、銅からなる無電解銅めっき層１４であることが好ましい。無電解銅めっき層１４は、銅塩（ＣｕＳＯ４等）、還元剤（ホルムアルデヒド等）、錯化剤（ロッシェル塩、ＥＤＴＡ等）、ｐＨ調整剤（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）、添加剤（ポリエチレングリコール、ジピリジル等）などを含む無電解銅めっき液に浸漬することにより形成できる。
【００３６】
前記「フォトレジスト層形成工程（ＰＲ５）」は、これまでに得られた素基板２０を覆うようにフォトレジスト層１５を形成する工程である。即ち、少なくとも第１貫通孔１３１が穿孔されたソルダーレジスト層１３上に、直接的に、又は、他の層を介して間接的に、フォトレジスト層１５を形成する工程である。
フォトレジスト層１５を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のフォトレジスト組成物を、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、塗布した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）フォトレジスト層１５となるドライフィルムを、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、貼着した後、必要に応じて乾燥、硬化（半硬化）を行って得ることができる。前記（１）の方法を利用する場合には、液状のフォトレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により塗布できる。一方、前記（２）の方法を利用する場合には、ドライフィルムを押圧して密着させることができる。この場合には、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることができる。
【００３７】
前記フォトレジスト層１５の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。フォトレジスト層１５の厚さがこの範囲である場合には、上部導体ポスト１６２をソルダーレジスト層１３より外側へ十分に張り出して形成できると共に、導体ポスト１６を介した外部との良好な接続を得ることができる。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
【００３８】
前記「第２貫通孔穿設工程（ＰＲ６）」は、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通されると共に、第１貫通孔１３１と略同径（通常、第１貫通孔の孔径Ａと、第２貫通孔の孔径Ｂと、の比Ａ／Ｂにおいて０．８以上１．０未満の範囲）の第２貫通孔１５１をフォトレジスト層１５に穿設する工程である。前記第２貫通孔１５１は、フォトレジスト層１５に穿孔された貫通孔であり、ソルダーレジスト層１３まで貫通された孔である。また、第２貫通孔１５１は、導体ポスト１６のうち、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２を形成するための型枠となる孔である。
【００３９】
前記「導体ポスト形成工程（ＰＲ７）」は、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポスト１６をめっき形成する工程である。この工程ＰＲ７では、どのようなめっき形成手段を用いてもよい。即ち、例えば、電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよく、無電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよい。この導体ポスト形成工程ＰＲ７では、導体ポスト１６をめっき形成するために、前述のように、スズ、銅又は半田を主体とする導体となる。スズ、銅又は半田を主体とすることについては、前記導体ポスト１６における同記載についての説明をそのまま適用できる。
【００４０】
前記「フォトレジスト層除去工程（ＰＲ８）」は、フォトレジスト層１５を除去する工程である。即ち、フォトレジスト層１５を除去すると共に、導体ポスト１６を基板上に露出させる工程ＰＲ８である。フォトレジスト層１５の除去はどのような方法で行ってもよく、例えば、レーザーや熱を加える等して焼失させて（アッシングして）もよく、また、溶剤等により溶解除去してもよい。特にフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、溶剤により簡便に除去することができる。
【００４１】
前記「導体ポスト加熱工程（ＰＲ１０）」は、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱（リフローを含む）する工程である。この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０は、導体ポスト形成工程ＰＲ７において、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ等からなる導体ポスト１６をめっき形成した場合に効果的に機能する工程である。
リフロー時の最高到達温度は、導体ポストの融点よりも３０℃以上高いことが好ましく、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、導体ポスト形成工程ＰＲ７以前に、無電解めっき層１４及び介在層１７等が予め形成されていた場合に、導体ポスト１６の表面にこれらの層を構成する成分が取り込まれた合金層１６５を形成できる。合金層１６５が形成されることにより、導体ポスト１６がより強固に配設された配線基板１０を得ることができる。
【００４２】
更に、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、工程ＰＲ１０以前の工程までに形成された導体ポスト１６の形状を補正することができる。即ち、この加熱により、導体ポスト１６が適度に溶解されると共に、溶解された上部導体ポスト１６２は、その表面張力によって上部導体ポスト１６２の形状の歪みを補正でき、丸みを帯びさせることができる。更には、セルフアライメント効果により、導体層１２ａと軸中心を合わせるように上部導体ポスト１６２の位置を補正できる。これらの作用により、より信頼性に優れた導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
また、図６の工程ＰＲ９後として例示されるように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の表面１３２との間に、無電解めっき層１４が形成されている場合には、特にこれらの間での密着性を向上させることができる。
【００４３】
導体ポスト加熱工程ＰＲ１０における加熱条件などは、最高到達温度が導体ポスト１６の融点以上であれば良く、特に限定されないが、例えば、窒素雰囲気下において、温度１００℃以上４００℃以下にリフローし導体ポスト１６を加熱溶融するものであることが好ましい。この範囲の温度であれば、前記合金層１６５の形成を適度に促進しつつ、前記セルフアライメント効果をも得ることができる。この温度は１５０℃以上３００℃以下がより好ましく、１８０℃以上２６０℃以下が特に好ましい。
【００４４】
本発明の配線基板の製造方法では、前記各工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、介在層形成工程ＰＲ３等が挙げられる。これらの工程は、１種のみ用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４５】
前記「介在層形成工程（ＰＲ３）」は、無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する工程である。無電解めっき層１４を形成する前に、下地層としてこの介在層１７を、無電解めっき層１４と導体層１２ａとの間に介在させることにより、無電解めっき層１４が合金層１６５となる際の接合強度を低下させる要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分等）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。この介在層１７は、例えば、無電解ニッケルめっきを施し、無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきを施すことで、無電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層を形成して得ることができる。
【００４６】
この工程ＰＲ３で形成する介在層１７は、ニッケル及び金を含む導電性を有する材料からなればよく、その組成などは特に限定されないが、例えば、介在層１７を無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層により形成する場合、各層それぞれに含まれるニッケル及び金の含有量は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合に、ニッケルは９０〜９５質量％であることが好ましい。さらに介在層１７における無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に、金は９５〜１００質量％であることが好ましい。この範囲では、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成を効果的に抑制できる。
また、介在層１７の厚さも特に限定されないが、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。介在層１７の厚さがこの範囲である場合には、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成をより効果的に抑制できる。この介在層１７の厚さは３μｍ以上１５μｍ以下がより好ましく、６μｍ以上１２μｍ以下が特に好ましい。
【００４７】
本発明の方法では、前記各工程以外にも、他の工程を備えることができる。他の工程としては、デスミア工程が挙げられる。デスミア工程は、第１貫通孔１３１を形成した後、及び、第２貫通孔１５１を形成した後、等に行うことができる。このデスミア工程を行うことで、貫通孔内の残留物除去することができる。
更に、図６の工程ＰＲ９として例示されるように、無電解めっき層１４のうち表面に導体ポスト１６が形成されず、無電解めっき層１４が表面に露出したままの不要な部位をエッチング等により除去する無電解めっき層除去工程ＰＲ９が挙げられる。
これらの各工程は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の配線基板１０について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００４９】
（１）配線基板１０
本実施例で製造する配線基板１０（図１参照）は、コア基板１１の一面側に積層された導体層１２と、この導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える。
コア基板１１は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなる。また、導体層１２は、コア基板１１の一面に貼着された、厚さ１２μｍの銅箔をパターニングしてなる。
更に、ソルダーレジスト層１３は、厚さ２１μｍであり、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（ソルダーレジスト層１３は、４０質量％のシリカからなるフィラーと、６０質量％の有機材料とを含む、更に、有機材料は、エポキシ樹脂をその全体１００体積％に対して、８０体積％含有する）を含む。ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１は、口径６４μｍの円形状であり、ソルダーレジスト層１３の層下の導体層１２ａまで表裏に貫通されている。
【００５０】
導体ポスト１６は、貫通孔１３１内を充塞してなり、直径（ｄ１６１）６４ｍｍ且つ高さ２１μｍである下部導体ポスト１６１と、この下部導体ポスト１６１の上に位置する下端面直径（ｄ１６２）６４ｍｍ、最大径（Ｌ１６２）７４ｍｍ、且つ高さ（最も高い位置）５８μｍの上部導体ポスト１６２と、からなる。
また、下部導体ポスト１６１は、外側１６１ｃに平均厚さ２μｍの外側合金層１６５ｃを備え、且つ、下端１６１ｂに平均厚さ１μｍの下端合金層１６５ｂを備える。即ち、外側合金層１６５ｃは下端合金層１６５ｂの２倍と厚く形成されている。
更に、導体ポスト（合金層１６５を含む）は、その全体を１００質量％とした場合に９５質量％のスズを含む。残部は、合金層１６５を構成する成分として含まれたパラジウム、銅、ニッケル及び金である。
【００５１】
以下、この配線基板１０の製造方法を図４〜６を用いて説明する。尚、各工程における製造途中の基板についての各々異なる名称を用いるのは煩雑であるため、配線基板１０となる以前の各工程における基板は全て素基板２０という。
図４に示す、工程ＰＲ１以前の素基板２０を用意する。この素基板２０は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなるコア基板１１と、コア基板１１の一面に貼着された厚さ１２μｍの銅箔がパターニングされてなる導体層１２と、を備える。
【００５２】
（２）ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１
前記（１）の素基板２０の導体層１２を備える側の表面に、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含むフィルム状ソルダーレジスト層形成用組成物を貼着した後、加熱硬化させ、厚さ２１μｍの熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を得る。
【００５３】
（３）第１貫通孔穿設工程ＰＲ２
前記（２）で得られたソルダーレジスト層１３に表面側からレーザーを照射し、直径６０μｍの第１貫通孔１３１を穿孔する。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導通が必要な導体層１２ａが露出される。また、その後、貫通孔１３１内のスミアを除去するためにデスミア処理を行う。
【００５４】
（４）介在層形成工程ＰＲ３
前記（３）までに得られたデスミア処理済みの素基板２０のソルダーレジスト層１３下の露出された導体層１２ａの表面に、無電解ニッケルめっきにより無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきにより無電解金めっき層を形成することにより、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する。得られる介在層１７は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合にニッケルを９３質量％、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合、金を１００質量％、各々含有し、厚さが１０μｍである。
【００５５】
（５）無電解めっき層形成工程ＰＲ４
前記（４）までに得られた介在層１７を備える素基板２０の表面（ソルダーレジスト層１３を備える側）の全面（貫通孔１３１内を含む）に、スズ塩及び塩化ナトリウム等を含むパラジウム触媒溶液に素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、パラジウムを含む触媒核を形成する。次いで、ニッケル塩、硫酸銅、水酸化ナトリウム、キレート剤、錯化剤等を含む無電解Ｃｕメッキ液に前記触媒核を形成した素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、無電解めっき層１４を形成する。得られる無電解銅めっき層１４は、厚さが０．７μｍである。
【００５６】
（６）フォトレジスト層形成工程ＰＲ５
前記（５）までに得られた素基板２０の無電解銅めっき層１４が形成された表面に、ドライフィルム式の厚さが７５μｍのフォトレジスト層１５を圧着する。
【００５７】
（７）第２貫通孔穿設工程ＰＲ６
前記（６）までに得られた素基板２０の表面にフォトレジスト層１５が積層された積層体に、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通され、且つ、第１貫通孔１３１と同径の第２貫通孔１５１を穿設する。即ち、露光工程及び現像工程等を経て第２貫通孔１５１を形成する。これにより、フォトレジスト層１５下の無電解銅めっき層１４の表面（一部表面）が第２貫通孔１５１内に露出される。
【００５８】
（８）導体ポスト形成工程ＰＲ７
前記（７）までに得られた第２貫通孔１５１がフォトレジスト層１５に形成された積層体を、無電解めっき液に浸漬して、電解めっきを行い、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内をスズめっきで充塞して、導体ポスト１６を形成する。
【００５９】
（９）フォトレジスト層除去工程ＰＲ８
前記（８）までに得られた導体ポスト１６が形成された積層体の表面からフォトレジスト層１５をアミン系剥離液に浸漬して除去する。
【００６０】
（１０）無電解めっき層除去工程ＰＲ９
前記（９）までに得られた導体ポスト１６を備える素基板２０におけるソルダーレジスト層１３の表面に露出している無電解層めっき層１４の不要部分を、硫酸・過酸化水素系溶液を吹き付け、エッチングすることにより除去する。
【００６１】
（１１）導体ポスト加熱工程ＰＲ１０
前記（１０）までに得られた無電解銅めっき層１４の不要部が除去された素基板２０を所定のリフロー炉にて導体ポストの融点以上の温度で加熱溶融するリフローを行った。詳細なリフロー条件は、最高温度２４０℃、融点以上の温度を５０秒間保持した。これにより、図６に示すように、介在層１７、無電解銅めっき層１４及びスズめっきの各部の界面で合金化（金属元素の拡散）が促進されて、導体ポスト１６は一体的な１つの導体となると共に、外側合金層１６５ｃ及び下端合金層１６５ｂが形成される。更に、セルフアライメント効果により、導体ポスト１６は、導体層１２ａの中心軸上に寄ると共に、溶解されたスズの表面張力により、より綺麗な円形状に成形される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の配線基板等は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００６３】
１０；配線基板、
１１；コア基板（コア）、
１２；導体層、１２ａ；貫通孔の下方に配置された導体層、
１３；ソルダーレジスト層、１３１；貫通孔（第１貫通孔）、１３２；ソルダーレジスト層の外表面、１３１ｃ；貫通孔の内側面、
１４；無電解めっき層、
１５；フォトレジスト層、１５１；第２貫通孔、
１６；導体ポスト、１６１；下部導体ポスト、１６２；上部導体ポスト、１６２ｂ；上部導体ポストの下端面、１６１ａ；下部導体ポストの上端面、１６１ｂ；下部導体ポストの下端面、１６１ｃ；下部導体ポストの外側面、１６５；合金層、１６５ｂ；下端合金層、１６５ｃ；外側合金層、
ｄ１６１；下部導体ポストの上端径、ｄ１６２；上部導体ポストの下端径、Ｌ１６２；上部導体ポストの最大径、
１７；介在層、
２０；素基板、
３０；ペースト半田、
４０；半田ボール、
ＰＲ１；ソルダーレジスト層形成工程、
ＰＲ２；第１貫通孔穿設工程、
ＰＲ３；介在層形成工程、
ＰＲ４；無電解めっき層形成工程、
ＰＲ５；フォトレジスト層形成工程、
ＰＲ６；第２貫通孔穿設工程、
ＰＲ７；導体ポスト形成工程、
ＰＲ８；フォトレジスト層除去工程、
ＰＲ９；無電解めっき層除去工程、
ＰＲ１０；導体ポスト加熱工程。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポストは、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有し、
前記下部導体ポストは、その外側面に外側合金層を備え、
前記導体ポストは、前記外側合金層を介して、前記ソルダーレジスト層の該貫通孔の内側面に密着されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記外側合金層は、パラジウム及び銅を含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記下部導体ポストの下端面に下端合金層を備える請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下端合金層は、パラジウム及び銅を含む請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記下端合金層は、更に、ニッケル及び金を含む請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記外側合金層は、前記下端合金層よりも厚い請求項３乃至５のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項１】
導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、
前記導体ポストは、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有し、
前記下部導体ポストは、その外側面に外側合金層を備え、
前記導体ポストは、前記外側合金層を介して、前記ソルダーレジスト層の該貫通孔の内側面に密着されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記外側合金層は、パラジウム及び銅を含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記下部導体ポストの下端面に下端合金層を備える請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下端合金層は、パラジウム及び銅を含む請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記下端合金層は、更に、ニッケル及び金を含む請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記外側合金層は、前記下端合金層よりも厚い請求項３乃至５のうちいずれかに記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１２９３６９（Ｐ２０１２−１２９３６９Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７９７０８（Ｐ２０１０−２７９７０８）
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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