複合配線基板およびその製造方法、ならびに電子部品の実装体および製造方法
【課題】基板の任意の位置を容易に多層化し、設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置することができるキャビティ構造を有した複合配線基板を提供する。
【解決手段】第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、からなる複合配線基板である。
【解決手段】第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、からなる複合配線基板である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計変更に柔軟に対応できる複合配線基板およびその製造方法、ならびにこの複合配線基板を用いた高密度実装可能な電子部品の実装体およびその製造方法にかかるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクス機器の小型化・薄型化、高機能化に伴って、プリント基板に実装される電子部品の高密度実装、および電子部品が実装された配線基板の高機能化への要求が益々強くなっている。
【０００３】
特に、半導体パッケージ及び、それを基板に搭載した電子回路モジュールは、小型化及び薄型化が必要とされている。半導体パッケージにおいては、ほぼチップサイズにまで小型化されたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が普及し始めている。また、携帯機器等にはメモリなどの付加価値や容量の増大を狙ってパッケージ内に複数個の半導体素子を搭載しているパッケージもある。複数個の半導体を横に並べて配列したマルチチップパッケージやスタックドパッケージと呼ばれる複数個の半導体素子を積層させ搭載することにより、実装密度を高めた構造のものも開示されている（特許文献１参照）。また、スタックドパッケージのＣＳＰ構造化を図るものもある（特許文献２参照）。
【０００４】
このような小型で狭ピッチの半導体素子の各パッドに対応させるように、ランドおよび配線パターンをプリント配線板上に多数形成することは、高度な技術を要するだけでなく、コストアップにもつながっていた。既存の実装技術を用いて半導体素子を基板に実装する方法として、インターポーザと呼ばれる中間基板を介して、親プリント配線板であるマザー基板上に、半導体素子を実装する方法が広く用いられている。
【０００５】
インターポーザとしては、主にセラミック基板と樹脂基板があり、セラミック基板は熱伝導性に優れ、樹脂基板はコストの面で利点がある。
【０００６】
また、近年では、更なる小型化の手法として、半導体素子や電子部品を基板に内蔵した三次元実装形態の部品内蔵基板も実現されている。部品内蔵基板はＬＣＲ等の部品を内蔵することで、ＣＰＵのクロック周波数の高速化や、通信周波数の高周波数化に伴うノイズ対策を実装面積を増加させずに行うことができるという利点がある。基板としては、セラミック基板を用いたもので半導体を収納する凹部を基板内に設け、三次元的に部品を配置した構造のものも出願されている（特許文献３参照）。
【０００７】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１〜３が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−９０４８６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４７２０号公報
【特許文献３】特開平５−８２７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のチップサイズパッケージやスタックドパッケージによる構造においては、たとえば実用化に向けての開発・検証工程において設計変更が起きた際に、インターポーザやマザー基板を作り直さなければならず、設計変更に柔軟に対応することができない。商品によっては十数回の設計変更を繰り返し行って試作・評価を進めて商品化されるものもある。そのため、設計変更がある度に基板を作り直さなければならず、結果的に開発期間が長くなり、また開発コストも高くなってしまう。
【００１０】
また、従来の半導体パッケージの構造では、パッケージ完成後に特性や機能を変更するといった拡張性を持たせることはできない。たとえば携帯機器等のメモリ容量は、最初に実装された半導体素子の個数、もしくは実装した半導体素子そのもので決まってしまう。そのため、容量を増大し高機能化を図りたい場合でも、後から半導体素子の数を増やす、もしくは大容量の半導体素子と交換するなどの高機能化に対応することはできない。
【００１１】
さらに、部品内蔵技術による三次元実装では、内蔵した部品のリペアや、専用の設備導入によるコストアップが実用化の障害になっている。
【００１２】
また、コストおよび信頼性の観点から、インターポーザはセラミック基板から樹脂基板への移行が進められつつある。
【００１３】
本発明は、このような課題のもとで考え出されたものであって、配線基板を部分的に多層化することで設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また、三次元実装可能で部品のリペアができる電子部品の実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板であり、これにより第一の配線基板を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した配線基板を容易に作ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の複合配線基板は、基板の任意の位置を容易に多層化して部品を三次元的に配置することができる複合配線基板を提供し、高密度・高機能で回路部品のリペアも可能な実装体が得られるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１における複合配線基板を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における複合配線基板を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態１における転写シートを使った配線パターンの一例を示す工程断面図
【図４】本発明の第二の配線基板に形成されたキャビティの一例を示す斜視図
【図５】本発明の第二の配線基板に形成されたキャビティの一例を示す平面図
【図６】本発明の実施の形態２における複合配線基板を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態３における複合配線基板を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態４における電子部品の実装体を示す断面図
【図９】本発明のキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を示す平面図
【図１０】本発明のキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態５における電子部品の実装体を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態６における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１３】本発明の実施の形態７における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１４】本発明の実施の形態８における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１５】本発明の実施の形態９における電子部品の実装体の製造方法を示す工程断面図
【図１６】本発明の実施の形態１０における電子部品の実装体の製造方法を示す工程断面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１、４〜９に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態１における複合配線基板の断面図である。図１において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材１の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなる。第二の配線基板１０は第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は、第一の配線基板４と第二の配線基板１０とを接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。
【００１９】
なお、第一の配線基板４は、配線パターン２を第三の電気絶縁性基材５を接着する面のみに形成してもよい。
【００２０】
また、本発明における複合配線基板の平面図を示すと、図２のようになる。
【００２１】
第一と第二の配線基板４、１０は、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、多孔質のフィルム基材に未硬化のエポキシ樹脂を空孔が残るように含浸させたフィルム基材を使ったフレキシブル基板、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用できる。可撓性を有するフィルム基材を使った基板を用いた場合、屈曲性に優れた配線基板が得られ、外部ストレス等による変形を吸収することができるため信頼性の高い複合配線基板が得られる。
【００２２】
配線パターン２および８は、電気伝導性を有する物質からなり、例えば金属箔や導電性樹脂組成物、金属板を加工したリードフレームを用いることができる。金属箔やリードフレームを用いることにより、エッチング等により微細な配線パターンの作成が容易となる。また、金属箔においては、離型フィルムを用いた転写等による配線パターンの形成も可能となる。特に銅箔はコストも安く、電気伝導性も高いため好ましい。また、離型フィルム上に配線パターンを形成することにより、配線パターンが取り扱いやすくなる。
【００２３】
また、導電性樹脂組成物を用いることにより、スクリーン印刷等による、配線パターンの製作が可能となる。リードフレームを用いることにより、電気抵抗の低い、厚みのある金属を使用できる。また、エッチングによる微細パターン化や打ち抜き加工等の簡易な製造法が使える。また、これらの配線パターン２および８は表面にメッキ処理をする事により、耐食性や電気伝導性を向上させることができる。また、配線パターン２および８の第三の電気絶縁性基材５との接触面を粗化することで、第三の電気絶縁性基材５との接着性を向上させることができる。粗化の処理は、反応性ガスを用いたドライエッチング加工、サンドブラストによる機械加工、および電解エッチング加工が挙げられる。
【００２４】
また、配線パターン２および８は、保持基材と配線層を含む配線転写シート２２を用いて形成することができる。ここで、図３（ａ）〜（ｃ）に配線転写シートを使った配線パターン形成の一例を、断面図により示す。まず、図３（ａ）に示すように、保持基材２１上に配線パターン２が形成された配線転写シート２２を準備する。次に、図３（ｂ）に示すように被転写物である第一の電気絶縁性基材１に積層し、配線パターン２を第一の電気絶縁性基材１に埋設する。次に図３（ｃ）に示すように、保持基材２１を除去し、第一の電気絶縁性基材１に配線パターン２を形成する。
【００２５】
保持基材２１は、配線層を転写する際に配線転写シート２２と被転写物との積層体を加熱加圧することによって、被転写物である電気絶縁性基材と互いに相溶しない材料から成ることが好ましい。保持基材２１の材料は電気絶縁性基材の材料に応じて、有機樹脂および金属から選択される。電気絶縁性基材がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂を含む場合、保持基材は、ポリイミド、フッ素系樹脂、および耐熱性エポキシ樹脂から選択される材料で構成することが好ましい。さらに、保持基材２１は、配線転写後、保持基材２１を除去する工程において、配線層から良好に剥離するような材料で形成されることが好ましい。その観点からも、保持基材２１は前述のポリイミドまたはフッ素系樹脂等から成ることが好ましい。
【００２６】
保持基材２１を熱硬化性樹脂で構成する場合には、保持基材２１を構成する樹脂と第一の電気絶縁性基材１を構成する樹脂との相溶性に注意する必要がある。例えば、保持基材２１をエポキシ樹脂で構成し、第一の電気絶縁性基材１がエポキシ樹脂を含む場合、保持基材２１のエポキシ樹脂が十分に硬化していないと、配線転写工程を実施している間にエポキシ樹脂の粘度が低下し、第一の電気絶縁性基材１のエポキシ樹脂と混ざり合って、保持基材２１と第一の電気絶縁性基材１が剥がれにくくなり、良好な配線パターンを形成できなくなることがある。保持基材２１が熱可塑性樹脂で構成されている場合も、熱可塑性樹脂が軟化する条件で配線転写工程を実施すると、同様の問題が生じ得る。したがって、保持基材２１として熱可塑性樹脂シートを使用する場合には、当該シートは耐熱性であることを要する。
【００２７】
保持基材２１の厚さは、その材料に応じて適宜選択される。一般には、１０〜１００μｍとすることが好ましい。保持基材２１が薄い場合には、ハンドリング性が悪くなる、強度が低下する、ならびに基材にしわが発生しやすいといった問題が生じる傾向にある。保持基材２１が厚すぎる場合には、保持基材２１を機械的に剥離しにくい傾向にある。
【００２８】
保持基材２１は、可視光が透過できる材料から成ることが好ましい。そのような材料として、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂および耐熱性エポキシ樹脂が挙げられる。これらの樹脂で保持基材２１を構成する場合、その厚さは１００μｍ以下とすることが、可視光の透過性を確保するうえで好ましい。
【００２９】
保持基材２１の配線層を形成する表面には、離型処理を施してもよい。離型処理を施すことによって、配線層を転写した後で、保持基材２１を被転写物から容易に剥離することができる。離型処理は、例えばシリコン樹脂を、０．０１〜１μｍの厚さとなるように保持基材２１の配線層を形成する表面に塗布して実施する。
【００３０】
保持基材２１を金属で形成する場合、保持基材２１を構成する金属と配線層を構成する金属とは、それぞれ選択的に除去できるものであることが好ましい。それにより、配線層を転写した後、保持基材２１だけをエッチングで除去することができる。保持基材／配線層の組合せとしては、例えば、アルミニウム／銅、およびステンレス／銅等が挙げられる。保持基材２１を構成する金属と配線層を構成する金属が、それぞれ選択的に除去できないものである場合、保持基材２１と配線層との間に、エッチングストップ層を設けることが好ましい。エッチングストップ層を構成する材料は、保持基材２１と配線の組合せおよびエッチング液の種類に応じて、適宜選択される。例えば、保持基材／配線層の組合せが、銅／銅であって、保持基材を、硫酸過水を使用するエッチングにより除去する場合、エッチングストップ層はチタンから成る層であることが好ましい。
【００３１】
第一の配線基板４と第二の配線基板１０の導電部３および９は、スルーホールまたはビアからなり、スルーホールは、主として、上側表面の配線パターンと下側表面の配線パターンとの間の電気的な接続を行うための貫通孔のことを意味し、孔加工後にめっきすることでスルーホールを形成することができる。めっきは金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。ビアは、配線パターン間を電気的に接続する貫通孔を意味し、主として、多層配線基板の絶縁層の両側の配線パターン間を電気的に接続するために形成されるものを意味する。
【００３２】
貫通孔の形成は、たとえばパンチ加工、ドリル加工、レーザ加工によって形成する。レーザ加工の光源には、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザが用いられる。レーザ加工では、小径の貫通孔を短時間で形成することができ、生産性に優れた加工を実現できる。また、ドリル加工やパンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でビアの形成が可能である。
【００３３】
第三の電気絶縁性基材の導電部６はビアであり、第一の配線基板４の導電部３と第二の配線基板１０の導電部９がビアである場合、ビアはたとえば熱硬化性の導電性物質からなるビアでもよい。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又はニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀で被覆した金属粒子を用いても、マイグレーションの少なさと導電性の高さ、両方の特性を満たすことができる。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂又はイソシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００３４】
第三の電気絶縁性基材５は、例えば、絶縁性樹脂及びフィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができる。電気絶縁基材は、樹脂とフィラを含み、フィラ含量が５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。また、ガラスクロス等の補強材があってもよい。絶縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いることにより、第三の電気絶縁性基材５の耐熱性をあげることができる。また、誘電正接の低いフッ素樹脂例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ樹脂、）、ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）樹脂（ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂ともいう）、液晶ポリマーを含むもしくはそれらの樹脂を変性させた樹脂を用いることにより、第三の電気絶縁性基材５の高周波特性が向上する。また、第三の電気絶縁性基材５は、室温における弾性率が０．６〜１０ＧＰａであるものを用いる。弾性率は、フィラ含有量により調整することができ、これにより、絶縁性樹脂のはみ出しを制御することができる。
【００３５】
第三の電気絶縁性基材５として、フィラと絶縁性樹脂の混合物を用いた場合、フィラ及び絶縁性樹脂を選択することによって、第三の電気絶縁性基材５の熱膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。たとえば、フィラとしてアルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、ポリテトラフルオロエチレン及び、シリカなどを用いることができる。アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミを用いることにより、従来のガラス−エポキシ基板より熱伝導度の高い基板が製作可能となり、複合配線基板の放熱特性を向上させることができる。また、アルミナはコストが安いという利点もある。シリカを用いた場合、誘電率が低い第三の電気絶縁性基材５が得られ、比重も軽いため、携帯電話などの高周波用途として好ましい。窒化珪素やポリテトラフルオロエチレン、例えば“テフロン（登録商標）”を用いても誘電率の低い電気絶縁層を形成できる。また、窒化ホウ素を用いることにより熱膨張係数を低減できる。
【００３６】
第三の電気絶縁性基材５はさらに、分散剤、着色剤、カップリング剤又は離型剤を含んでいてもよい。分散剤によって、絶縁性樹脂中のフィラを均一性よく分散させることができる。着色剤によって、電気絶縁層を着色することができるため、自動認識装置の利用が容易となる。カップリング剤によって、絶縁性樹脂とフィラとの接着強度を高くすることができるため、第三の電気絶縁性基材５の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混合物との離型性を向上させることができるため、製造工程における取り扱いが容易になり、生産性が向上する。
【００３７】
また、第三の電気絶縁性基材５は、第一および第二の配線基板４および１０と熱膨張係数が異なるものを用いることができる。これにより、熱が加えられた時に生じる寸法変化が第一の配線基板４と第二の配線基板１０で相違があった場合、全体に反りが発生し、第一と第二の配線基板間を電気的に接続する導電部６に応力が集中する原因となるが、第三の電気絶縁性基材５により応力を緩和するので第一と第二の配線基板間の電気的な接続を良好に維持することができる。
【００３８】
キャビティ２０の形成は、たとえば打ち抜き加工やパンチ加工、レーザ加工によって行う。打ち抜き加工やパンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でキャビティ２０の形成が可能である。キャビティ２０の一例を、斜視図にて図４に示す。また、上方から見た平面図にて、図５に示す。図５に示すようにキャビティ２０は基板内に複数個形成してもよい。キャビティ２０の形状は角型、丸型、菱型等が挙げられるが、特に限定されるものではない。
【００３９】
また、本実施の形態において、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０の面積は、第三の電気絶縁性基材５に形成されたキャビティ２０の面積と同じかあるいはそれよりも大きい面積であるので、これにより、外部ストレスが加わった場合、キャビティ近傍の変形や応力は第三の電気絶縁性基材により吸収されるため、より信頼性の高い配線基板が得られる。
【００４０】
以上より、第一の配線基板４を部分的に多層化し変更できるため、部品の配置や部品の変更等の設計変更があっても第一の配線基板４を作り直すことなくそのまま使用することができる。したがって、開発時間の短縮やローコスト化ができる。
【００４１】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について、本発明の特に請求項２に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４２】
図６は、本実施の形態２における複合配線基板の断面図である。図６において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材１の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなる。第二の配線基板１０は第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は、第一の配線基板４と接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。また、第三の電気絶縁性基材５の片面には接着層１９が形成されている。
【００４３】
接着層１９は、熱硬化性および光硬化性の樹脂からなる接着剤である。そのような材料として、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂および耐熱性エポキシ樹脂が挙げられる。接着層はシート状のものを貼り付けても、ペースト状のものを印刷工法などによって塗布してもよい。樹脂の硬化温度は低温であることが好ましい。
【００４４】
この構成により第三の電気絶縁性基材を完全に硬化させた状態で接着剤と接合することができ、その結果、基板に発生する反りが抑えられる。
【００４５】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について、本発明の特に請求項３に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４６】
図７は、本実施の形態３における部品内蔵基板の断面図である。図７において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなり、全層ＩＶＨ（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）構造を有した多層配線基板である。第二の配線基板１０は、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は第一の配線基板４と第二の配線基板１０を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。
【００４７】
第一と第二の配線基板４、１０は、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、多孔質のフィルム基材に未硬化のエポキシ樹脂を空孔が残るように含浸させたフィルム基材を使ったフレキシブル基板、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用できる。全層ＩＶＨ構造の配線基板としては、ＡＬＩＶＨ基板や、ビルドアップ基板を用いることができる。これにより、配線長が短く、高い配線収容性を有した部品内蔵基板を得ることができる。
【００４８】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４について、本発明の特に請求項１０、１２、１３に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４９】
図８は、本実施の形態４における電子部品の実装体の断面図である。図８において、回路部品（半導体素子）１１は、第一の配線基板４上に接続電極１３とアンダーフィル１４により実装され、第三の電気絶縁性基材５と第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０内に配置されている。別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【００５０】
第一の配線基板４と第二の配線基板１０は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００５１】
回路部品１１、１２は、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、ベアチップであってもよい。一般的なフリップチップ実装の場合、接続電極１３、１５はバンプと呼ばれる突起状電極を介して電気的接続がなされる。バンプは、半田や金、銅の金属を用いることができ、ワイヤーボンディングや、メッキ、印刷等により形成できる。半導体ベアチップと配線基板間の接続電極１３にアンダーフィル１４を注入することによって、接続部に集中する応力を面方向に分散させ、実装信頼性の向上を図ることができる。また、アンダーフィルの替わりに導電性接着剤、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いてもよい。実施の形態４では、フリップチップ実装による実装状態を示しているが、本発明はこれに限定されない。Ａｕワイヤーを用いたワイヤーボンディング接続による実装でもよいし、接続電極として、リード端子を有した半導体パッケージでもよい。
【００５２】
回路部品１６はディスクリート部品であることが好ましい。これにより、内蔵する部品を新規に開発する必要が無くなり、開発スピードが向上する。また、既存のディスクリート部品の信頼性、精度を利用することができ、特性が向上する。前記においてディスクリート部品とは、例えばコイル、コンデンサ、抵抗、遮断素子等の汎用のチップ部品をいう。また、印刷抵抗や薄膜コンデンサ・インダクタ等を形成しても良い。コンデンサは、バイパスコンデンサやデカップリングコンデンサとして用いたりすることができる。抵抗は電流制限用として用いることができる。遮断素子は、電源ラインの過負荷や短絡等による過電流を検出して、電流の制御を伴う遮断を行う。
【００５３】
半田１７は、配線パターン８に回路部品１６を実装するために用いる。高温半田を用いた場合、実装体をリフローで実装する際の半田の再溶融を防止できる。また、鉛フリー半田を用いることで環境への負荷を軽減できる。本実施の形態では、半田を用いたが導電性接着剤等を用いてもよい。実施の形態４では、第二の配線基板１０上にのみ回路部品１６を実装しているが、本発明はこれに限定されず、第一の配線基板４上に回路部品を実装してもよい。
【００５４】
また、本発明の実施の形態において、回路部品１１、１２、１６と第三の電気絶縁性基材５は密着していないので、これにより外部ストレス等により実装体が変形したとしても、回路部品１１、１２、１６と第三の電気絶縁性基材５にダメージを与えることがなく、回路部品１１、１２、１６と第一および第二の配線基板４、１０との接続箇所や、第一と第二の配線基板４、１０と第三の電気絶縁性基材５が電気的に接続された導電部にその影響がおよびにくくなる。
【００５５】
以上より、キャビティ構造を有した配線基板に三次元的に部品を配置できるため、高密度実装が可能となり、その結果、配線長が短くなり高機能化することができる。また、実装面積を縮小することができるため、小型化できるという効果が得られる。図９にキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を、上方から見た平面図にて示している。また、図１０に断面図を示す。回路部品１１の周辺の第一の配線基板４を多層化して、回路部品１２が回路部品１１上に積層された構造となっている。
【００５６】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５について、本発明の特に請求項１１に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００５７】
図１１は、本実施の形態５における電子部品の実装体の断面図である。図１１において、回路部品（半導体素子）１１は、第一の配線基板４上に接続電極１３とアンダーフィル１４により実装され、第三の電気絶縁性基材５と第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０内に位置している。回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。また、第二の配線基板１０上には回路部品１２および１６を覆うようにモールド樹脂１８が形成されており、キャビティ２０内に位置している回路部品１１もモールド樹脂１８で覆われている。
【００５８】
モールド樹脂は、熱硬化性の樹脂を含む材料からなり、金型を利用した樹脂封止法やポッティングのように金型を用いない樹脂封止法を用いてもよい。
【００５９】
これにより、回路部品１１、１２、１６と配線基板との接合強度を高く内蔵できる。その結果、生産性が高く、小型で高密度実装可能な電子部品の実装体を提供できる。
【００６０】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６について、本発明の特に請求項１４に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００６１】
図１２（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態６における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。なお、後述するいずれの実施形態においても、説明の簡略化のため、実施の形態１で説明した内容と同様のものについては、その説明を省略または簡略化する。
【００６２】
まず、図１２（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００６３】
次に図１２（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００６４】
次に図１２（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００６５】
次に図１２（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００６６】
次に図１２（ｅ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５を介して、第一の配線基板４と第二の配線基板１０を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第三の電気絶縁性基材を溶融・硬化を行ってもよい。
【００６７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。
【００６８】
（実施の形態７）
以下、本発明の実施の形態７について、本発明の特に請求項１５に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００６９】
図１３（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態７における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。
【００７０】
まず図１３（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００７１】
次に図１３（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００７２】
次に図１３（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００７３】
次に図１３（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００７４】
次に図１３（ｅ）に示すように、第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００７５】
次に図１３（ｆ）に示すように、第一の配線基板４上に接着層１９を形成する。この時、接着層は未硬化であることが好ましい。
【００７６】
次に図１３（ｇ）に示すように接着層１９を介して第二の配線基板１０と積層された第三の電気絶縁性基材５を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、接着層１９を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて接着層の溶融・硬化を行ってもよい。また、接着層１９の硬化は可視光または紫外光を当てて行っても良い。
【００７７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。また、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させた状態で第一の配線基板４と接合することができるため、その結果、複合配線基板全体に発生する反りが抑えられる。
【００７８】
（実施の形態８）
以下、本発明の実施の形態８について、本発明の特に請求項１６に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００７９】
図１４（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態８における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。
【００８０】
まず図１４（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この配線パターンの両面間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００８１】
次に図１４（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００８２】
次に図１４（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００８３】
次に図１４（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００８４】
次に図１４（ｅ）に示すように、第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００８５】
次に図１４（ｆ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５の第二の配線基板１０と接着していない面に接着層１９を形成する。
【００８６】
次に図１４（ｇ）に示すように、接着層１９を介して図１４（ｅ）で第二の配線基板１０と積層された第三の電気絶縁性基材５を第一の配線基板４と接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、接着層１９を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて接着層の溶融・硬化を行ってもよい。また、接着層１９の硬化は可視光または紫外光を当てて行っても良い。
【００８７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。また、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させた状態で第一の配線基板４と接合することができるため、その結果、複合配線基板全体に発生する反りが抑えられる。
【００８８】
（実施の形態９）
以下、本発明の実施の形態９について、本発明の特に請求項１７に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００８９】
図１５（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態９における電子部品の実装体の製造工程を示す断面図である。
【００９０】
まず図１５（ａ）に示すように、接続電極１３とアンダーフィル１４により回路部品（半導体素子）１１を実装した第一の配線基板４を準備する。
【００９１】
次に図１５（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００９２】
次に図１５（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００９３】
次に図１５（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００９４】
次に図１５（ｅ）に示すように、第一の配線基板４と第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００９５】
次に図１５（ｆ）に示すように、別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【００９６】
これにより、三次元的に部品を配置することができるため、たとえば低い部品のある場所のみを選択的に三次元化し、より高密度化することができ、また、全体を低背にした電子部品の実装体を提供できる。
【００９７】
（実施の形態１０）
以下、本発明の実施の形態１０について、本発明の特に請求項１８に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００９８】
図１６（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態１０における電子部品の実装体の製造工程を示す断面図である。
【００９９】
まず図１６（ａ）に示すように、接続電極１３とアンダーフィル１４により回路部品（半導体素子）１１を実装した第一の配線基板４を準備する。
【０１００】
次に図１６（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【０１０１】
次に図１６（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【０１０２】
次に図１６（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【０１０３】
次に図１６（ｅ）に示すように、第一の配線基板４と第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【０１０４】
次に図１６（ｆ）に示すように、別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【０１０５】
次に図１６（ｇ）に示すように、第二の配線基板１０上には回路部品１２および１６を覆うようにモールド樹脂１８が形成されており、キャビティ２０内に位置している回路部品１１もモールド樹脂１８で覆われている。
【０１０６】
これにより、三次元的に部品を配置することができるため、たとえば低い部品のある場所のみを選択的に三次元化し、全体を低背にした電子部品の実装体を提供できる。また、モールド樹脂により回路部品を覆うことで、回路部品と配線基板との接合強度を高く内蔵することができ、その結果、生産性が高く高密度な電子部品の実装体を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明の複合配線基板および電子部品の実装体は、配線基板を部分的に多層化することで基板の設計変更に柔軟に対応可能な複合配線基板を実現すると共に、回路部品を三次元的に配置する配線基板を提供することで高密度実装体を実現し、かつ回路部品のリペアも可能である電子部品の実装体として有用である。
【符号の説明】
【０１０８】
１ 第一の電気絶縁性基材
２ 配線パターン
３ 導電部
４ 第一の配線基板
５ 第三の電気絶縁性基材
６ 導電部
７ 第二の電気絶縁性基材
８ 配線パターン
９ 導電部
１０ 第二の配線基板
１１ 回路部品
１２ 回路部品
１３ 接続電極
１４ アンダーフィル
１５ 接続電極
１６ 回路部品
１７ 半田
１８ モールド樹脂
１９ 接着層
２０ キャビティ
２１ 保持基材
２２ 配線転写シート
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計変更に柔軟に対応できる複合配線基板およびその製造方法、ならびにこの複合配線基板を用いた高密度実装可能な電子部品の実装体およびその製造方法にかかるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクス機器の小型化・薄型化、高機能化に伴って、プリント基板に実装される電子部品の高密度実装、および電子部品が実装された配線基板の高機能化への要求が益々強くなっている。
【０００３】
特に、半導体パッケージ及び、それを基板に搭載した電子回路モジュールは、小型化及び薄型化が必要とされている。半導体パッケージにおいては、ほぼチップサイズにまで小型化されたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が普及し始めている。また、携帯機器等にはメモリなどの付加価値や容量の増大を狙ってパッケージ内に複数個の半導体素子を搭載しているパッケージもある。複数個の半導体を横に並べて配列したマルチチップパッケージやスタックドパッケージと呼ばれる複数個の半導体素子を積層させ搭載することにより、実装密度を高めた構造のものも開示されている（特許文献１参照）。また、スタックドパッケージのＣＳＰ構造化を図るものもある（特許文献２参照）。
【０００４】
このような小型で狭ピッチの半導体素子の各パッドに対応させるように、ランドおよび配線パターンをプリント配線板上に多数形成することは、高度な技術を要するだけでなく、コストアップにもつながっていた。既存の実装技術を用いて半導体素子を基板に実装する方法として、インターポーザと呼ばれる中間基板を介して、親プリント配線板であるマザー基板上に、半導体素子を実装する方法が広く用いられている。
【０００５】
インターポーザとしては、主にセラミック基板と樹脂基板があり、セラミック基板は熱伝導性に優れ、樹脂基板はコストの面で利点がある。
【０００６】
また、近年では、更なる小型化の手法として、半導体素子や電子部品を基板に内蔵した三次元実装形態の部品内蔵基板も実現されている。部品内蔵基板はＬＣＲ等の部品を内蔵することで、ＣＰＵのクロック周波数の高速化や、通信周波数の高周波数化に伴うノイズ対策を実装面積を増加させずに行うことができるという利点がある。基板としては、セラミック基板を用いたもので半導体を収納する凹部を基板内に設け、三次元的に部品を配置した構造のものも出願されている（特許文献３参照）。
【０００７】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１〜３が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−９０４８６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４７２０号公報
【特許文献３】特開平５−８２７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のチップサイズパッケージやスタックドパッケージによる構造においては、たとえば実用化に向けての開発・検証工程において設計変更が起きた際に、インターポーザやマザー基板を作り直さなければならず、設計変更に柔軟に対応することができない。商品によっては十数回の設計変更を繰り返し行って試作・評価を進めて商品化されるものもある。そのため、設計変更がある度に基板を作り直さなければならず、結果的に開発期間が長くなり、また開発コストも高くなってしまう。
【００１０】
また、従来の半導体パッケージの構造では、パッケージ完成後に特性や機能を変更するといった拡張性を持たせることはできない。たとえば携帯機器等のメモリ容量は、最初に実装された半導体素子の個数、もしくは実装した半導体素子そのもので決まってしまう。そのため、容量を増大し高機能化を図りたい場合でも、後から半導体素子の数を増やす、もしくは大容量の半導体素子と交換するなどの高機能化に対応することはできない。
【００１１】
さらに、部品内蔵技術による三次元実装では、内蔵した部品のリペアや、専用の設備導入によるコストアップが実用化の障害になっている。
【００１２】
また、コストおよび信頼性の観点から、インターポーザはセラミック基板から樹脂基板への移行が進められつつある。
【００１３】
本発明は、このような課題のもとで考え出されたものであって、配線基板を部分的に多層化することで設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また、三次元実装可能で部品のリペアができる電子部品の実装体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板であり、これにより第一の配線基板を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した配線基板を容易に作ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の複合配線基板は、基板の任意の位置を容易に多層化して部品を三次元的に配置することができる複合配線基板を提供し、高密度・高機能で回路部品のリペアも可能な実装体が得られるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１における複合配線基板を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における複合配線基板を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態１における転写シートを使った配線パターンの一例を示す工程断面図
【図４】本発明の第二の配線基板に形成されたキャビティの一例を示す斜視図
【図５】本発明の第二の配線基板に形成されたキャビティの一例を示す平面図
【図６】本発明の実施の形態２における複合配線基板を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態３における複合配線基板を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態４における電子部品の実装体を示す断面図
【図９】本発明のキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を示す平面図
【図１０】本発明のキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態５における電子部品の実装体を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態６における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１３】本発明の実施の形態７における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１４】本発明の実施の形態８における複合配線基板の製造方法を示す工程断面図
【図１５】本発明の実施の形態９における電子部品の実装体の製造方法を示す工程断面図
【図１６】本発明の実施の形態１０における電子部品の実装体の製造方法を示す工程断面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１、４〜９に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態１における複合配線基板の断面図である。図１において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材１の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなる。第二の配線基板１０は第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は、第一の配線基板４と第二の配線基板１０とを接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。
【００１９】
なお、第一の配線基板４は、配線パターン２を第三の電気絶縁性基材５を接着する面のみに形成してもよい。
【００２０】
また、本発明における複合配線基板の平面図を示すと、図２のようになる。
【００２１】
第一と第二の配線基板４、１０は、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、多孔質のフィルム基材に未硬化のエポキシ樹脂を空孔が残るように含浸させたフィルム基材を使ったフレキシブル基板、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用できる。可撓性を有するフィルム基材を使った基板を用いた場合、屈曲性に優れた配線基板が得られ、外部ストレス等による変形を吸収することができるため信頼性の高い複合配線基板が得られる。
【００２２】
配線パターン２および８は、電気伝導性を有する物質からなり、例えば金属箔や導電性樹脂組成物、金属板を加工したリードフレームを用いることができる。金属箔やリードフレームを用いることにより、エッチング等により微細な配線パターンの作成が容易となる。また、金属箔においては、離型フィルムを用いた転写等による配線パターンの形成も可能となる。特に銅箔はコストも安く、電気伝導性も高いため好ましい。また、離型フィルム上に配線パターンを形成することにより、配線パターンが取り扱いやすくなる。
【００２３】
また、導電性樹脂組成物を用いることにより、スクリーン印刷等による、配線パターンの製作が可能となる。リードフレームを用いることにより、電気抵抗の低い、厚みのある金属を使用できる。また、エッチングによる微細パターン化や打ち抜き加工等の簡易な製造法が使える。また、これらの配線パターン２および８は表面にメッキ処理をする事により、耐食性や電気伝導性を向上させることができる。また、配線パターン２および８の第三の電気絶縁性基材５との接触面を粗化することで、第三の電気絶縁性基材５との接着性を向上させることができる。粗化の処理は、反応性ガスを用いたドライエッチング加工、サンドブラストによる機械加工、および電解エッチング加工が挙げられる。
【００２４】
また、配線パターン２および８は、保持基材と配線層を含む配線転写シート２２を用いて形成することができる。ここで、図３（ａ）〜（ｃ）に配線転写シートを使った配線パターン形成の一例を、断面図により示す。まず、図３（ａ）に示すように、保持基材２１上に配線パターン２が形成された配線転写シート２２を準備する。次に、図３（ｂ）に示すように被転写物である第一の電気絶縁性基材１に積層し、配線パターン２を第一の電気絶縁性基材１に埋設する。次に図３（ｃ）に示すように、保持基材２１を除去し、第一の電気絶縁性基材１に配線パターン２を形成する。
【００２５】
保持基材２１は、配線層を転写する際に配線転写シート２２と被転写物との積層体を加熱加圧することによって、被転写物である電気絶縁性基材と互いに相溶しない材料から成ることが好ましい。保持基材２１の材料は電気絶縁性基材の材料に応じて、有機樹脂および金属から選択される。電気絶縁性基材がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂を含む場合、保持基材は、ポリイミド、フッ素系樹脂、および耐熱性エポキシ樹脂から選択される材料で構成することが好ましい。さらに、保持基材２１は、配線転写後、保持基材２１を除去する工程において、配線層から良好に剥離するような材料で形成されることが好ましい。その観点からも、保持基材２１は前述のポリイミドまたはフッ素系樹脂等から成ることが好ましい。
【００２６】
保持基材２１を熱硬化性樹脂で構成する場合には、保持基材２１を構成する樹脂と第一の電気絶縁性基材１を構成する樹脂との相溶性に注意する必要がある。例えば、保持基材２１をエポキシ樹脂で構成し、第一の電気絶縁性基材１がエポキシ樹脂を含む場合、保持基材２１のエポキシ樹脂が十分に硬化していないと、配線転写工程を実施している間にエポキシ樹脂の粘度が低下し、第一の電気絶縁性基材１のエポキシ樹脂と混ざり合って、保持基材２１と第一の電気絶縁性基材１が剥がれにくくなり、良好な配線パターンを形成できなくなることがある。保持基材２１が熱可塑性樹脂で構成されている場合も、熱可塑性樹脂が軟化する条件で配線転写工程を実施すると、同様の問題が生じ得る。したがって、保持基材２１として熱可塑性樹脂シートを使用する場合には、当該シートは耐熱性であることを要する。
【００２７】
保持基材２１の厚さは、その材料に応じて適宜選択される。一般には、１０〜１００μｍとすることが好ましい。保持基材２１が薄い場合には、ハンドリング性が悪くなる、強度が低下する、ならびに基材にしわが発生しやすいといった問題が生じる傾向にある。保持基材２１が厚すぎる場合には、保持基材２１を機械的に剥離しにくい傾向にある。
【００２８】
保持基材２１は、可視光が透過できる材料から成ることが好ましい。そのような材料として、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂および耐熱性エポキシ樹脂が挙げられる。これらの樹脂で保持基材２１を構成する場合、その厚さは１００μｍ以下とすることが、可視光の透過性を確保するうえで好ましい。
【００２９】
保持基材２１の配線層を形成する表面には、離型処理を施してもよい。離型処理を施すことによって、配線層を転写した後で、保持基材２１を被転写物から容易に剥離することができる。離型処理は、例えばシリコン樹脂を、０．０１〜１μｍの厚さとなるように保持基材２１の配線層を形成する表面に塗布して実施する。
【００３０】
保持基材２１を金属で形成する場合、保持基材２１を構成する金属と配線層を構成する金属とは、それぞれ選択的に除去できるものであることが好ましい。それにより、配線層を転写した後、保持基材２１だけをエッチングで除去することができる。保持基材／配線層の組合せとしては、例えば、アルミニウム／銅、およびステンレス／銅等が挙げられる。保持基材２１を構成する金属と配線層を構成する金属が、それぞれ選択的に除去できないものである場合、保持基材２１と配線層との間に、エッチングストップ層を設けることが好ましい。エッチングストップ層を構成する材料は、保持基材２１と配線の組合せおよびエッチング液の種類に応じて、適宜選択される。例えば、保持基材／配線層の組合せが、銅／銅であって、保持基材を、硫酸過水を使用するエッチングにより除去する場合、エッチングストップ層はチタンから成る層であることが好ましい。
【００３１】
第一の配線基板４と第二の配線基板１０の導電部３および９は、スルーホールまたはビアからなり、スルーホールは、主として、上側表面の配線パターンと下側表面の配線パターンとの間の電気的な接続を行うための貫通孔のことを意味し、孔加工後にめっきすることでスルーホールを形成することができる。めっきは金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。ビアは、配線パターン間を電気的に接続する貫通孔を意味し、主として、多層配線基板の絶縁層の両側の配線パターン間を電気的に接続するために形成されるものを意味する。
【００３２】
貫通孔の形成は、たとえばパンチ加工、ドリル加工、レーザ加工によって形成する。レーザ加工の光源には、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ、エキシマレーザが用いられる。レーザ加工では、小径の貫通孔を短時間で形成することができ、生産性に優れた加工を実現できる。また、ドリル加工やパンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でビアの形成が可能である。
【００３３】
第三の電気絶縁性基材の導電部６はビアであり、第一の配線基板４の導電部３と第二の配線基板１０の導電部９がビアである場合、ビアはたとえば熱硬化性の導電性物質からなるビアでもよい。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又はニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀で被覆した金属粒子を用いても、マイグレーションの少なさと導電性の高さ、両方の特性を満たすことができる。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂又はイソシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００３４】
第三の電気絶縁性基材５は、例えば、絶縁性樹脂及びフィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができる。電気絶縁基材は、樹脂とフィラを含み、フィラ含量が５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。また、ガラスクロス等の補強材があってもよい。絶縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いることにより、第三の電気絶縁性基材５の耐熱性をあげることができる。また、誘電正接の低いフッ素樹脂例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ樹脂、）、ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド）樹脂（ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂ともいう）、液晶ポリマーを含むもしくはそれらの樹脂を変性させた樹脂を用いることにより、第三の電気絶縁性基材５の高周波特性が向上する。また、第三の電気絶縁性基材５は、室温における弾性率が０．６〜１０ＧＰａであるものを用いる。弾性率は、フィラ含有量により調整することができ、これにより、絶縁性樹脂のはみ出しを制御することができる。
【００３５】
第三の電気絶縁性基材５として、フィラと絶縁性樹脂の混合物を用いた場合、フィラ及び絶縁性樹脂を選択することによって、第三の電気絶縁性基材５の熱膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。たとえば、フィラとしてアルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、ポリテトラフルオロエチレン及び、シリカなどを用いることができる。アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミを用いることにより、従来のガラス−エポキシ基板より熱伝導度の高い基板が製作可能となり、複合配線基板の放熱特性を向上させることができる。また、アルミナはコストが安いという利点もある。シリカを用いた場合、誘電率が低い第三の電気絶縁性基材５が得られ、比重も軽いため、携帯電話などの高周波用途として好ましい。窒化珪素やポリテトラフルオロエチレン、例えば“テフロン（登録商標）”を用いても誘電率の低い電気絶縁層を形成できる。また、窒化ホウ素を用いることにより熱膨張係数を低減できる。
【００３６】
第三の電気絶縁性基材５はさらに、分散剤、着色剤、カップリング剤又は離型剤を含んでいてもよい。分散剤によって、絶縁性樹脂中のフィラを均一性よく分散させることができる。着色剤によって、電気絶縁層を着色することができるため、自動認識装置の利用が容易となる。カップリング剤によって、絶縁性樹脂とフィラとの接着強度を高くすることができるため、第三の電気絶縁性基材５の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混合物との離型性を向上させることができるため、製造工程における取り扱いが容易になり、生産性が向上する。
【００３７】
また、第三の電気絶縁性基材５は、第一および第二の配線基板４および１０と熱膨張係数が異なるものを用いることができる。これにより、熱が加えられた時に生じる寸法変化が第一の配線基板４と第二の配線基板１０で相違があった場合、全体に反りが発生し、第一と第二の配線基板間を電気的に接続する導電部６に応力が集中する原因となるが、第三の電気絶縁性基材５により応力を緩和するので第一と第二の配線基板間の電気的な接続を良好に維持することができる。
【００３８】
キャビティ２０の形成は、たとえば打ち抜き加工やパンチ加工、レーザ加工によって行う。打ち抜き加工やパンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でキャビティ２０の形成が可能である。キャビティ２０の一例を、斜視図にて図４に示す。また、上方から見た平面図にて、図５に示す。図５に示すようにキャビティ２０は基板内に複数個形成してもよい。キャビティ２０の形状は角型、丸型、菱型等が挙げられるが、特に限定されるものではない。
【００３９】
また、本実施の形態において、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０の面積は、第三の電気絶縁性基材５に形成されたキャビティ２０の面積と同じかあるいはそれよりも大きい面積であるので、これにより、外部ストレスが加わった場合、キャビティ近傍の変形や応力は第三の電気絶縁性基材により吸収されるため、より信頼性の高い配線基板が得られる。
【００４０】
以上より、第一の配線基板４を部分的に多層化し変更できるため、部品の配置や部品の変更等の設計変更があっても第一の配線基板４を作り直すことなくそのまま使用することができる。したがって、開発時間の短縮やローコスト化ができる。
【００４１】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について、本発明の特に請求項２に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４２】
図６は、本実施の形態２における複合配線基板の断面図である。図６において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材１の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなる。第二の配線基板１０は第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は、第一の配線基板４と接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。また、第三の電気絶縁性基材５の片面には接着層１９が形成されている。
【００４３】
接着層１９は、熱硬化性および光硬化性の樹脂からなる接着剤である。そのような材料として、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂および耐熱性エポキシ樹脂が挙げられる。接着層はシート状のものを貼り付けても、ペースト状のものを印刷工法などによって塗布してもよい。樹脂の硬化温度は低温であることが好ましい。
【００４４】
この構成により第三の電気絶縁性基材を完全に硬化させた状態で接着剤と接合することができ、その結果、基板に発生する反りが抑えられる。
【００４５】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について、本発明の特に請求項３に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４６】
図７は、本実施の形態３における部品内蔵基板の断面図である。図７において、第一の配線基板４は、第一の電気絶縁性基材１と、この第一の電気絶縁性基材の両面に形成された配線パターン２と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部３からなり、全層ＩＶＨ（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）構造を有した多層配線基板である。第二の配線基板１０は、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９からなり、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成している。また、第三の電気絶縁性基材５は第一の配線基板４と第二の配線基板１０を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を電気的に接続する導電部６を備え、かつ少なくともその一部にキャビティ２０を形成したものである。
【００４７】
第一と第二の配線基板４、１０は、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、多孔質のフィルム基材に未硬化のエポキシ樹脂を空孔が残るように含浸させたフィルム基材を使ったフレキシブル基板、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用できる。全層ＩＶＨ構造の配線基板としては、ＡＬＩＶＨ基板や、ビルドアップ基板を用いることができる。これにより、配線長が短く、高い配線収容性を有した部品内蔵基板を得ることができる。
【００４８】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４について、本発明の特に請求項１０、１２、１３に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００４９】
図８は、本実施の形態４における電子部品の実装体の断面図である。図８において、回路部品（半導体素子）１１は、第一の配線基板４上に接続電極１３とアンダーフィル１４により実装され、第三の電気絶縁性基材５と第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０内に配置されている。別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【００５０】
第一の配線基板４と第二の配線基板１０は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００５１】
回路部品１１、１２は、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体素子は、ベアチップであってもよい。一般的なフリップチップ実装の場合、接続電極１３、１５はバンプと呼ばれる突起状電極を介して電気的接続がなされる。バンプは、半田や金、銅の金属を用いることができ、ワイヤーボンディングや、メッキ、印刷等により形成できる。半導体ベアチップと配線基板間の接続電極１３にアンダーフィル１４を注入することによって、接続部に集中する応力を面方向に分散させ、実装信頼性の向上を図ることができる。また、アンダーフィルの替わりに導電性接着剤、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）を用いてもよい。実施の形態４では、フリップチップ実装による実装状態を示しているが、本発明はこれに限定されない。Ａｕワイヤーを用いたワイヤーボンディング接続による実装でもよいし、接続電極として、リード端子を有した半導体パッケージでもよい。
【００５２】
回路部品１６はディスクリート部品であることが好ましい。これにより、内蔵する部品を新規に開発する必要が無くなり、開発スピードが向上する。また、既存のディスクリート部品の信頼性、精度を利用することができ、特性が向上する。前記においてディスクリート部品とは、例えばコイル、コンデンサ、抵抗、遮断素子等の汎用のチップ部品をいう。また、印刷抵抗や薄膜コンデンサ・インダクタ等を形成しても良い。コンデンサは、バイパスコンデンサやデカップリングコンデンサとして用いたりすることができる。抵抗は電流制限用として用いることができる。遮断素子は、電源ラインの過負荷や短絡等による過電流を検出して、電流の制御を伴う遮断を行う。
【００５３】
半田１７は、配線パターン８に回路部品１６を実装するために用いる。高温半田を用いた場合、実装体をリフローで実装する際の半田の再溶融を防止できる。また、鉛フリー半田を用いることで環境への負荷を軽減できる。本実施の形態では、半田を用いたが導電性接着剤等を用いてもよい。実施の形態４では、第二の配線基板１０上にのみ回路部品１６を実装しているが、本発明はこれに限定されず、第一の配線基板４上に回路部品を実装してもよい。
【００５４】
また、本発明の実施の形態において、回路部品１１、１２、１６と第三の電気絶縁性基材５は密着していないので、これにより外部ストレス等により実装体が変形したとしても、回路部品１１、１２、１６と第三の電気絶縁性基材５にダメージを与えることがなく、回路部品１１、１２、１６と第一および第二の配線基板４、１０との接続箇所や、第一と第二の配線基板４、１０と第三の電気絶縁性基材５が電気的に接続された導電部にその影響がおよびにくくなる。
【００５５】
以上より、キャビティ構造を有した配線基板に三次元的に部品を配置できるため、高密度実装が可能となり、その結果、配線長が短くなり高機能化することができる。また、実装面積を縮小することができるため、小型化できるという効果が得られる。図９にキャビティ構造を有し、部分的に多層化した複合配線基板を使った電子部品の実装体の一例を、上方から見た平面図にて示している。また、図１０に断面図を示す。回路部品１１の周辺の第一の配線基板４を多層化して、回路部品１２が回路部品１１上に積層された構造となっている。
【００５６】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５について、本発明の特に請求項１１に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００５７】
図１１は、本実施の形態５における電子部品の実装体の断面図である。図１１において、回路部品（半導体素子）１１は、第一の配線基板４上に接続電極１３とアンダーフィル１４により実装され、第三の電気絶縁性基材５と第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０内に位置している。回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。また、第二の配線基板１０上には回路部品１２および１６を覆うようにモールド樹脂１８が形成されており、キャビティ２０内に位置している回路部品１１もモールド樹脂１８で覆われている。
【００５８】
モールド樹脂は、熱硬化性の樹脂を含む材料からなり、金型を利用した樹脂封止法やポッティングのように金型を用いない樹脂封止法を用いてもよい。
【００５９】
これにより、回路部品１１、１２、１６と配線基板との接合強度を高く内蔵できる。その結果、生産性が高く、小型で高密度実装可能な電子部品の実装体を提供できる。
【００６０】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６について、本発明の特に請求項１４に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００６１】
図１２（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態６における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。なお、後述するいずれの実施形態においても、説明の簡略化のため、実施の形態１で説明した内容と同様のものについては、その説明を省略または簡略化する。
【００６２】
まず、図１２（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００６３】
次に図１２（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００６４】
次に図１２（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００６５】
次に図１２（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００６６】
次に図１２（ｅ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５を介して、第一の配線基板４と第二の配線基板１０を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第三の電気絶縁性基材を溶融・硬化を行ってもよい。
【００６７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。
【００６８】
（実施の形態７）
以下、本発明の実施の形態７について、本発明の特に請求項１５に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００６９】
図１３（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態７における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。
【００７０】
まず図１３（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この両面の配線パターン間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００７１】
次に図１３（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００７２】
次に図１３（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００７３】
次に図１３（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００７４】
次に図１３（ｅ）に示すように、第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００７５】
次に図１３（ｆ）に示すように、第一の配線基板４上に接着層１９を形成する。この時、接着層は未硬化であることが好ましい。
【００７６】
次に図１３（ｇ）に示すように接着層１９を介して第二の配線基板１０と積層された第三の電気絶縁性基材５を接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、接着層１９を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて接着層の溶融・硬化を行ってもよい。また、接着層１９の硬化は可視光または紫外光を当てて行っても良い。
【００７７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。また、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させた状態で第一の配線基板４と接合することができるため、その結果、複合配線基板全体に発生する反りが抑えられる。
【００７８】
（実施の形態８）
以下、本発明の実施の形態８について、本発明の特に請求項１６に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００７９】
図１４（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態８における複合配線基板の製造工程を示す断面図である。
【００８０】
まず図１４（ａ）に示すように、第二の電気絶縁性基材７と、この第二の電気絶縁性基材７の両面に形成された配線パターン８と、この配線パターンの両面間を電気的に接続する導電部９を備えた第二の配線基板１０を準備する。
【００８１】
次に図１４（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００８２】
次に図１４（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００８３】
次に図１４（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００８４】
次に図１４（ｅ）に示すように、第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００８５】
次に図１４（ｆ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５の第二の配線基板１０と接着していない面に接着層１９を形成する。
【００８６】
次に図１４（ｇ）に示すように、接着層１９を介して図１４（ｅ）で第二の配線基板１０と積層された第三の電気絶縁性基材５を第一の配線基板４と接着し、第一の配線基板４の配線パターン２と前記第二の配線基板１０の配線パターン８との間を導電部６により電気的に接続する。その後、第一の配線基板４と第二の配線基板１０の両側から熱を加えて、接着層１９を完全に硬化させる。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて接着層の溶融・硬化を行ってもよい。また、接着層１９の硬化は可視光または紫外光を当てて行っても良い。
【００８７】
これにより第一の配線基板４を部分的に多層化することができ、設計変更等に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置できるキャビティ構造を有した複合配線基板を容易に作ることができる。また、第三の電気絶縁性基材５を完全に硬化させた状態で第一の配線基板４と接合することができるため、その結果、複合配線基板全体に発生する反りが抑えられる。
【００８８】
（実施の形態９）
以下、本発明の実施の形態９について、本発明の特に請求項１７に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００８９】
図１５（ａ）〜（ｆ）は、本実施の形態９における電子部品の実装体の製造工程を示す断面図である。
【００９０】
まず図１５（ａ）に示すように、接続電極１３とアンダーフィル１４により回路部品（半導体素子）１１を実装した第一の配線基板４を準備する。
【００９１】
次に図１５（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【００９２】
次に図１５（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【００９３】
次に図１５（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【００９４】
次に図１５（ｅ）に示すように、第一の配線基板４と第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【００９５】
次に図１５（ｆ）に示すように、別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【００９６】
これにより、三次元的に部品を配置することができるため、たとえば低い部品のある場所のみを選択的に三次元化し、より高密度化することができ、また、全体を低背にした電子部品の実装体を提供できる。
【００９７】
（実施の形態１０）
以下、本発明の実施の形態１０について、本発明の特に請求項１８に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
【００９８】
図１６（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態１０における電子部品の実装体の製造工程を示す断面図である。
【００９９】
まず図１６（ａ）に示すように、接続電極１３とアンダーフィル１４により回路部品（半導体素子）１１を実装した第一の配線基板４を準備する。
【０１００】
次に図１６（ｂ）に示すように、第二の配線基板１０にキャビティ２０を形成する。
【０１０１】
次に図１６（ｃ）に示すように、導電部６を有した第三の電気絶縁性基材５を用意する。
【０１０２】
次に図１６（ｄ）に示すように、第三の電気絶縁性基材５にキャビティ２０を形成する。
【０１０３】
次に図１６（ｅ）に示すように、第一の配線基板４と第二の配線基板１０と第三の電気絶縁性基材５を積層する。積層後、外部から熱を加えて、第三の電気絶縁性基材を硬化させることが好ましい。
【０１０４】
次に図１６（ｆ）に示すように、別の回路部品１２（半導体素子）は、第二の配線基板１０に形成されたキャビティ２０を跨ぎ、回路部品１１が厚み方向に積層されるように接続電極１５により実装されている。また、さらに別の回路部品１６は、半田１７により第二の配線基板１０上に実装されている。
【０１０５】
次に図１６（ｇ）に示すように、第二の配線基板１０上には回路部品１２および１６を覆うようにモールド樹脂１８が形成されており、キャビティ２０内に位置している回路部品１１もモールド樹脂１８で覆われている。
【０１０６】
これにより、三次元的に部品を配置することができるため、たとえば低い部品のある場所のみを選択的に三次元化し、全体を低背にした電子部品の実装体を提供できる。また、モールド樹脂により回路部品を覆うことで、回路部品と配線基板との接合強度を高く内蔵することができ、その結果、生産性が高く高密度な電子部品の実装体を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明の複合配線基板および電子部品の実装体は、配線基板を部分的に多層化することで基板の設計変更に柔軟に対応可能な複合配線基板を実現すると共に、回路部品を三次元的に配置する配線基板を提供することで高密度実装体を実現し、かつ回路部品のリペアも可能である電子部品の実装体として有用である。
【符号の説明】
【０１０８】
１ 第一の電気絶縁性基材
２ 配線パターン
３ 導電部
４ 第一の配線基板
５ 第三の電気絶縁性基材
６ 導電部
７ 第二の電気絶縁性基材
８ 配線パターン
９ 導電部
１０ 第二の配線基板
１１ 回路部品
１２ 回路部品
１３ 接続電極
１４ アンダーフィル
１５ 接続電極
１６ 回路部品
１７ 半田
１８ モールド樹脂
１９ 接着層
２０ キャビティ
２１ 保持基材
２２ 配線転写シート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板。
【請求項２】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と、前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板の少なくとも一つを厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、第三の電気絶縁性基材の少なくとも一つの面に形成された接着剤層と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板。
【請求項３】
第一および第二の配線基板は配線パターン間を接続するスルーホールまたは、ビアを含む多層配線基板から構成されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項４】
第一ないし第三の電気絶縁性基材のいずれか一つが、可撓性を有するフィルム基材で構成されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項５】
第一および第二の配線基板は、配線パターンの一部分が第一および第二の電気絶縁性基材に埋設されていることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項６】
第三の電気絶縁性基材は、無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物であることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項７】
第三の電気絶縁性基材の熱膨張係数は、第一と第二の配線基板の熱膨張係数と異なるものであることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項８】
第三の電気絶縁性基材の弾性率は、第一と第二の配線基板の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項９】
第二の配線基板に形成されたキャビティの面積は、第三の電気絶縁性基材に形成されたキャビティの面積と同じかあるいはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項１０】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一基板の配線パターンと、を有する複合配線基板と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンに実装された少なくとも一つ以上の回路部品と、を有する電子部品の実装体。
【請求項１１】
第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板と、
第一と第二の配線基板上に実装された少なくとも一つ以上の回路部品と、
第二の配線基板の少なくとも一部と密着し、第二の配線基板に実装された回路部品の少なくとも一部を覆って形成されたモールド樹脂とを、有する電子部品の実装体。
【請求項１２】
回路部品の少なくとも一部と第三の電気絶縁性基材は密着していないことを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の実装体。
【請求項１３】
回路部品は、半導体、コンデンサ、抵抗、コイル、遮断素子の少なくとも１つを含む請求項１０または１１のいずれか一つに記載の電子部品の実装体。
【請求項１４】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１５】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第二の配線基板と第三の電気絶縁性基材を積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第一の配線基板に接着層を形成する工程と、
第一の配線基板と第三の電気絶縁性基材とを接着層を介して積層する工程と、
接着層を硬化する工程と、
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１６】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第二の配線基板と第三の電気絶縁性基材を積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第三の電気絶縁性基材に接着層を形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板とを接着層を介して積層する工程と、
接着層を硬化する工程と、
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１７】
第一の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第二の配線基板に回路部品を実装する工程と、
を備えた電子部品の実装体の製造方法。
【請求項１８】
第一の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第二の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板の少なくとも一部と密着し、第二の配線基板に実装された回路部品の少なくとも一部を覆うようにモールド樹脂を形成するモールド工程と、
を備えた電子部品の実装体の製造方法。
【請求項１】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板。
【請求項２】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と、前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板の少なくとも一つを厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、第三の電気絶縁性基材の少なくとも一つの面に形成された接着剤層と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板。
【請求項３】
第一および第二の配線基板は配線パターン間を接続するスルーホールまたは、ビアを含む多層配線基板から構成されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項４】
第一ないし第三の電気絶縁性基材のいずれか一つが、可撓性を有するフィルム基材で構成されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項５】
第一および第二の配線基板は、配線パターンの一部分が第一および第二の電気絶縁性基材に埋設されていることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項６】
第三の電気絶縁性基材は、無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物であることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項７】
第三の電気絶縁性基材の熱膨張係数は、第一と第二の配線基板の熱膨張係数と異なるものであることを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項８】
第三の電気絶縁性基材の弾性率は、第一と第二の配線基板の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項９】
第二の配線基板に形成されたキャビティの面積は、第三の電気絶縁性基材に形成されたキャビティの面積と同じかあるいはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１または２のいずれか一つに記載の複合配線基板。
【請求項１０】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一基板の配線パターンと、を有する複合配線基板と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンに実装された少なくとも一つ以上の回路部品と、を有する電子部品の実装体。
【請求項１１】
第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
前記キャビティの底面に設けられた前記第一の配線基板の配線パターンと、を有する複合配線基板と、
第一と第二の配線基板上に実装された少なくとも一つ以上の回路部品と、
第二の配線基板の少なくとも一部と密着し、第二の配線基板に実装された回路部品の少なくとも一部を覆って形成されたモールド樹脂とを、有する電子部品の実装体。
【請求項１２】
回路部品の少なくとも一部と第三の電気絶縁性基材は密着していないことを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の実装体。
【請求項１３】
回路部品は、半導体、コンデンサ、抵抗、コイル、遮断素子の少なくとも１つを含む請求項１０または１１のいずれか一つに記載の電子部品の実装体。
【請求項１４】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１５】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第二の配線基板と第三の電気絶縁性基材を積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第一の配線基板に接着層を形成する工程と、
第一の配線基板と第三の電気絶縁性基材とを接着層を介して積層する工程と、
接着層を硬化する工程と、
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１６】
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第二の配線基板と第三の電気絶縁性基材を積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第三の電気絶縁性基材に接着層を形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板とを接着層を介して積層する工程と、
接着層を硬化する工程と、
を備えた複合配線基板の製造方法。
【請求項１７】
第一の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第二の配線基板に回路部品を実装する工程と、
を備えた電子部品の実装体の製造方法。
【請求項１８】
第一の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板にキャビティを形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材に金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を形成する工程と、
第三の電気絶縁性基材にキャビティを形成する工程と、
第一の配線基板と第二の配線基板を第三の電気絶縁性基材を介して積層する工程と、
第三の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
第二の配線基板に回路部品を実装する工程と、
第二の配線基板の少なくとも一部と密着し、第二の配線基板に実装された回路部品の少なくとも一部を覆うようにモールド樹脂を形成するモールド工程と、
を備えた電子部品の実装体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１１−２３３９１５（Ｐ２０１１−２３３９１５Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４９８０８（Ｐ２０１１−１４９８０８）
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【分割の表示】特願２００６−１３３７６（Ｐ２００６−１３３７６）の分割
【原出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１７日（２０１１．１１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月６日（２０１１．７．６）
【分割の表示】特願２００６−１３３７６（Ｐ２００６−１３３７６）の分割
【原出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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