【課題】画像認識装置による認識エラーを抑制できるとともに、誘電損失の増大を最小限に抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層１ａ〜１ｅを積層してなる白色系の基板本体１の表面および内部に、Ａｇからなる表面導体層２および内部導体層３をそれぞれ形成してなる配線基板であって、内部導体層３のうち少なくとも一部は、高周波信号が伝送する内部導体層３であるとともに、基板本体の絶縁層１ａ〜１ｅのうち最も外側に位置する最外側絶縁層１ａにＡｇが存在しており、該最外側絶縁層１ａ中のＡｇが最外側絶縁層１ａの最外側面から内側に向けて次第に少なくなるように存在し、基板本体１の最外側絶縁層１ａの最外側面が、表面導体層２の色と異なる色に着色されている。 （もっと読む）

【課題】表面電極と、内部電極や内部回路などの内部導体との間の絶縁性を確保することが可能で、信頼性の高い多層セラミック基板を確実に製造できるようにする。
【解決手段】セラミック積層体２０の焼成工程で、セラミック積層体の、表面電極パターン１１が形成された主面と、収縮抑制層３との間に、セラミック積層体を構成する第１のセラミックグリーン層１よりも収縮開始温度が低い第２のセラミックグリーン層２を配置した状態で焼成を行った後、第２のセラミックグリーン層が焼成されてなる第２のセラミック層と、収縮抑制層とを除去する。
第２のセラミックグリーン層として、収縮開始温度が、第１のセラミックグリーン層の収縮開始温度よりも２０℃以上低いものを用いる。
第２のセラミックグリーン層に含まれるセラミック材料としては、ガラス材料のみからなるものを用いる。
また、前記ガラス材料は、結晶化しないガラスからなるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Ｐｂフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂層と絶縁樹脂層の両面にそれぞれ配設された配線とこれらの配線間を電気的に接続するためのビアホール導体とを有し、ビアホール導体は金属部分と樹脂部分とを含み、金属部分は、配線間を接続する銅粒子の結合体を含む第一金属領域と、錫，錫‐銅合金，及び錫‐銅金属間化合物等を主成分とする第二金属領域と、ビスマスを主成分とする第３金属領域と、を有し、結合体を形成する銅粒子同士が互いに面接触することにより面接触部を形成し、第二金属領域の少なくとも一部分が第一金属領域に接触している多層配線基板である。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に樹脂配線層をビルドアップ形成して多層配線基板を形成しても、支持基板の反りを低減させることができる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１００の上に、導電性のビア１１と、ビア１１を覆う第１絶縁部１２とを含む下層部１０を形成する工程と、下層部１０の上に、ビア１１と電気的に接続する第１配線３１と、第１配線３１を覆う第２絶縁部３２とを含む中間層部３０を形成する工程とを具備する。下層部１０を形成する工程は、第１絶縁部１２を、回路を形成するための第１回路形成領域１１０と、第１回路形成領域を取り囲む第１領域１２０とに形成する工程と、ビア１１を第１回路形成領域１１０に形成する工程とを備える。中間層部３０を形成する工程は、第１配線３１を第１回路形成領域１１０に形成する工程と、下層部１０を覆うように第２絶縁部３２を成膜する工程と、下層部１０の上面の外周部１０ａが露出するように、第１領域１２０上の第２絶縁部３２を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイグレーション現象の発生を抑制し、導通不良の発生が防止された信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板は、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒とを含む導体パターン形成用インクを液滴吐出法により吐出して形成される導体パターンを備えた配線基板であって、複数のセラミックス基板が積層した積層基板と、隣接する前記セラミックス基板同士の間に埋設された前記導体パターンと、前記積層基板の前記導体パターンの周囲の一部に形成された空隙とを有することを特徴とする。導体パターンから空隙までの距離は、前記導体パターンの平均厚さの０．３倍以上５倍以下であることが好ましい。また、空隙の平均厚さは、前記導体パターン平均厚さの０．５倍以上３倍以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが向上した多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板を提供することを課題とする。
【解決手段】本実施例の多層プリント配線板の製造方法は、絶縁基板１０に複数の貫通孔１４を形成し、絶縁基板１０と同一形状及び大きさの絶縁基板１０ａに絶縁基板１０に形成された複数の貫通孔１４と同一形状、位置、及び大きさの複数の貫通孔１４を形成し、絶縁基板１０側の貫通孔１４の少なくとも１つに導電部材５０を充填し、絶縁基板１０ａ側の貫通孔の少なくとも１つに導電部材５０を充填し、絶縁基板１０、１０ａを積層する。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアに対して充填される導電材料が抜け落ちることを防止すると共に、無効となる導電材料内に含まれる金属粉末を低減する。
【解決手段】吸着紙２１ｂ上に多層回路基板１０を設置し、貫通ビア１１に対して導電ペースト１を充填する。これにより、導電ペースト１の溶剤が吸着紙２１ｂ内に吸着され、貫通ビア１１内において金属粉末が濃縮されて必要量残るようにできる。このため、溶剤の比率に対して金属粉末の比率を低減することが可能となり、無効ペースト内に含まれる金属材料を低減することが可能となる。また、導電ペースト１を室温で固化する材料で構成し、貫通ビア１１に導電ペースト１を充填したのち、多層回路基板１０を冷却することで導電ペースト１を固化する。これにより、多層回路基板１０を吸着紙２１ｂから剥離させても、導電ペースト１が抜け落ちないようにできる。 （もっと読む）

【課題】マザーボードと同様の材料を主体として構成され、かつキャビティを備えた全層ＩＶＨ構造の多層の回路基板を提供する。
【解決手段】開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。
特に、絶縁被膜層は、上側基板または下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、基板間接続シートの開口部の面積を上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 表面配線層を被覆している保護層にボイドなどの欠陥が無く、表面配線層のメタライズ強度および平坦度が高く、絶縁基体の表面に形成された表面配線層の周縁部を覆う保護層側において、黒ごまと呼ばれる斑点が無く、かつ絶縁基体の表面を被覆している保護層の表面へのセラミックシートの成分の付着の無いガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の表面に形成された表面配線層２の周縁部に形成された保護層２３１と、その周囲の前記ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を部分的に被覆している保護層２３２とを、ＳｉＯ_２のフィラー、酸化クロム、およびガラス成分の組成を異ならせて形成したものである。 （もっと読む）

【課題】十分に優れた強度を有するガラスセラミックス基板及び配線基板を提供すること。
【解決手段】ガラスと該ガラス中に分散された板状アルミナフィラーとを含有し、板状アルミナフィラーのアスペクト比が２０以上であり、板状アルミナフィラーの（１０４）結晶面のＸ線回折ピークに対する（００６）結晶面のＸ線回折ピークの強度比が１．０以上であるガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄ、及びガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄと導体１２，１３，１４を備える配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成されたセラミックス成形体を用意する工程と、セラミックス成形体に、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒とを含む導体パターン形成用インクを液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体を形成する工程と、少なくとも、セラミックス成形体の導体パターン形成用インクが付与された部位に、導体パターン形成用インク中における金属粒子の分散性を低下させる分散性低下剤を含む組成物を付与する工程と、複数のセラミックス成形体を積層して積層体を得る工程と、積層体を焼結して、導体パターンおよびセラミックス基板とを有する配線基板を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電性ペースト内の導体粉末の二次粒子の直径に影響を受けることなく高精細な印刷が可能であり、かつ焼成時の基板反りを小さく抑えたセラミック多層回路基板を得ることのできる導電性ペーストおよびセラミック多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層回路基板の製造方法は、導電性ペーストを焼成して配線を形成する工程を含むセラミック多層回路基板の製造方法であって、配線を形成する工程に用いられる導電性ペーストは導体と分散剤とを含み、導体の含有量は、導電性ペースト全重量に対して６０重量％以上９０重量％以下であり、導体に対する分散剤の含有量が０．１重量％以上３．０重量％以下であって、上記導体は、電性ペーストにおいて二次凝集体を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導通不良の発生が防止された信頼性の高い配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供すること、および、信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成されたセラミックス成形体１５を用意するセラミックス成形体用意工程と、セラミックス成形体１５上に、金属粒子と分散媒とを含む導体パターン形成用インク１を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体１０を形成する導体パターン前駆体形成工程と、導体パターン前駆体１０上に、分子内に硫黄原子を有する化合物を含有した硫黄含有インク２を付与する硫黄含有インク付与工程と、複数のセラミックス成形体１５を積層して積層体１７を得る積層工程と、積層体１７を焼結して、導体パターンおよびセラミックス基板とを有する配線基板を得る焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続端子の密着強度を十分に高めることができ、信頼性の高い多層配線基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が形成され、下面３２側には、母基板接続端子４５が形成されている。配線積層部３０の下面３２側の樹脂絶縁層２１には複数の開口部３７が形成される。母基板接続端子４５は、開口部３７内に埋設されかつ端子外面４５ａが樹脂絶縁層２１の表面２１ａよりも内層側に位置している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、金属層を介して、前記セラミック基板の前記電極と接合されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を絶縁性埋め込み部材で内蔵させた第１基板と第２基板の導体回路同士を単純な工程で簡単に接続させることのできる積層配線基板を提供する。
【解決手段】第１基板１に形成されたビアホール８内に充填された導電性ペースト９Ａに、受動部品３Ａと能動部品３Ｂと両面の配線回路２４がメッキスルーホール２５にて導通された個片化されてなる層間接続部材４とを仮保持させる。そして、能動部品３Ｂの高さに応じた収容凹部５Ｂと、受動部品３Ａ及び層間接続部材４の高さに応じた収容貫通穴５Ａ、５Ｃを形成した絶縁性埋め込み部材５を用い、収容凹部５Ｂに能動部品３Ｂを配置し、各収容貫通穴５Ａ、５Ｃに受動部品３Ａと層間接続部材４を配置する。絶縁性埋め込み部材５を第１基板１と第２基板２とで挟み込むようにして、層間接続部材４の他方の配線回路２４に導電性ペースト１４Ａを接触させて第２基板２を積層した後、これらを加熱圧着する。 （もっと読む）

【課題】
樹脂基板上に導電性ペーストを用いた配線が形成される配線基板においては、導電性ペーストを焼結させる時の熱が樹脂基板に伝熱されてしまい、樹脂基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。さらに、焼結時の長時間の加熱により、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。
また、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化を防ぐために、低温で焼結を行うと、導電性ペーストの焼結が不完全で、焼結後の配線において導通の抵抗が高くなる不具合もある。
【解決手段】
配線と樹脂基板の間に、酸化物セラミックスからなる層を設ける。 （もっと読む）

【課題】大きな引張応力などを生じさせ得る金具を基板本体に取り付けても、外力にて破壊しにくく耐久性に優れた多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層ｓ１〜ｓ８、および該セラミック層ｓ１〜ｓ８間に形成された導体層ｐ１〜ｐ７を含む基板本体２と、該本体２の裏面４に形成したメタライズ層７の上に接合材９を介して固定された金具１０と、を備えた多層セラミック基板１ａであって、該金具１０は、接合材９と接触するベース部１２の底面積Ａ１が１５ｍｍ²以上であり、且つ該ベース部１２から基板本体２の外側に立設する機能部１３の断面積Ａ２がベース部１２の底面積Ａ１以下で且つ５ｍｍ²以上であり、基板本体２において、金具１０が固定されたメタライズ層７を基板本体２の厚み方向に沿って投影した領域(ｍａ×ｓｄ)内には、導体層ｐ１〜ｐ７が形成されていないセラミック部ＳＡが配設されている、多層セラミック基板１ａ。 （もっと読む）