【課題】 耐薬品性に優れたアルミナ質焼結体および配線基板を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３粒子は、平均粒子径が５〜１５μｍであり、最大粒子径が２０μｍ以下であるとともに、アルミナ質焼結体は、最大気孔径が１５μｍ以下であり、かつ粒界にＭｎＡｌ_２Ｏ_４およびＭｎＳｉＯ_３を含有してなり、Ｘ線回折によるＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＡｌ_２Ｏ_４の回折メインピーク強度の比がＡｌ_２Ｏ_３の回折メインピーク強度に対するＭｎＳｉＯ_３の回折メインピーク強度の比よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】セラミックグリーンシートと同時に焼成して導体回路を形成したときに、反りの発生をより一層有効に抑制することができるセラミック多層回路基板用導電ペーストを提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミック多層回路基板用導電ペーストは、アトマイズ法により製造され、平均粒径が２〜９μｍの範囲内であるとともに最大粒径が４０μｍ以下であり、さらに薄片化されたアトマイズ銀薄片粉末を導電性粉末として含有するもので、アトマイズ銀薄片粉末は、導電性粉末の５０重量％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マイグレーション現象の発生を抑制し、導通不良の発生が防止された信頼性の高い配線基板を提供すること、前記配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、セラミックス材料とガラス粉末とバインダーとを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体を形成するセラミックス成形体形成工程と、前記セラミックス成形体上に、液滴吐出法により、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒と有機物とを含む導体パターン形成用インクを吐出し、導体パターン前駆体を形成する導体パターン前駆体形成工程と、前記導体パターン前駆体を形成した複数のセラミックス成形体を積層し、積層体を得る積層工程と、酸素濃度が１８％以下の雰囲気下において前記積層体を焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ムライト質焼結体からなる絶縁基体に対する接着強度の高い表面配線層を有するプローブカード用配線基板およびプローブカードを提供する。
【解決手段】 少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄがムライト質焼結体からなる絶縁基体１１と、少なくとも最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄの内部に設けられたビア導体１４と、該ビア導体１４と接続され、前記絶縁基体１１を平面視したときに、前記ビア導体１４よりも大きな面積で前記絶縁基体１１の表面に設けられた金属膜からなる表面配線層１３とを具備しており、前記ビア導体１４がモリブデンまたはタングステンの少なくとも１種の金属を主成分とし、前記最表層のセラミック絶縁層１１ａ、１１ｄは前記ビア導体１４の周囲の第１の領域１１Ａと該第１の領域１１Ａ以外の第２の領域１１Ｂとを有するとともに、前記第１の領域１１Ａはムライトに対するアルミナの量が前記第２の領域１１１Ｂよりも多い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、応力が生じた場合であっても破損することがなく、電気特性の変動を抑えることができる多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】本発明は、セラミックからなる基材層１と、該基材層１の一方の面に積層され、複数の電子部品４０、５０を実装するための表面電極２０が形成してある表面電極層２と、基材層１の他方の面に積層され、他の基板と接続するための外部電極３０が形成してある外部電極層３とを備える多層セラミック基板１０である。外部電極層３の外部電極３０が形成してある面に、溝部４が形成され、溝部４は、多層セラミック基板１０の外周辺の対向する二辺間を渡るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックシートと内部電極とを同時に焼成し、外部電極を形成することによって、セラミックシートと外部電極との間の固着強度を向上すると共に、平坦工程を行うことができるセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックシート１０を準備し、各々のセラミックシート１０上に内部電極１１及び各層の内部電極１１を互いに接続するビア１２を形成し、最外層のセラミックシート１０上に開口１３を形成し、該複数のセラミックシート１０を一括して積層し、該一括して積層された積層体を焼成し、積層体の上下面を研磨して平坦化し、該焼成工程で形成された開口１３に外部電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、前記配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とガラス粉末と有機物とを含む材料で構成された複数のセラミックス成形体１５を形成する工程と、セラミックス成形体１５上に、液滴吐出法により、導体パターン形成用インク１を吐出し、導体パターン前駆体１０を形成する工程と、導体パターン前駆体１０を形成した複数のセラミックス成形体１５を積層し積層体１７を得る工程と、積層体１７を加熱する加熱工程とを有し、加熱工程では、加熱開始から５００℃に昇温するまでは、酸素濃度が１％以上１４％以下の雰囲気下において加熱処理を行い、５００℃以上に昇温して加熱する際は、酸素濃度が１０％以上３０％以下の雰囲気下において加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れる多層配線基板の製造方法およびこの製造方法によって製造れた信頼性の高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】導体パターン前駆体層１１０が形成された複数の成形体２００を積層してなる積層体４００を得る第１工程と、該第１工程で得られた積層体４００を焼成する第２工程とを有する多層配線基板の製造方法であって、第１工程は、各成形体２００を、第１の基板１００上に導体パターン前駆体層１１０を形成した後、第２の基板１２０を積層することにより得、得られた複数の成形体２００を積層することにより積層体４００を得る。また、第１の基板１００および第２の基板１２０のうちの一方は、導体パターン前駆体層１１０よりも剛性が高く、他方は、導体パターン前駆体層１１０よりも剛性が低い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数の共用ビアが形成され、第１セラミックパウダーを含む共用基板と、共用基板の上部及び下部にそれぞれ形成され、プローブカード用印刷回路基板または半導体素子のような個別の電子部品に形成された複数の端子に対応して連結される複数の配線ビア及び上記複数の配線ビアを連結される端子の電気的性質によってグループ化し、グループごとに同一の共用ビアに連結する配線パターンを含み、第１セラミックパウダーより粒径の小さい第２セラミックパウダーを含む第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層１２と導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板の製造方法であって、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３に貫通孔１３１を穿設して、導体層１２ａを貫通孔内に露出させる貫通孔穿設工程と、貫通孔１３１内に銅を主体とする第１導体部１８１を形成する第１導体部形成工程と、第１導体部１８１上に、スズ、銅又は半田を主体とする第２導体部１８２を形成する第２導体部形成工程と、をこの順に備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の熱によるセラミック基板へのダメージがなく、短時間に効率よくマーキングすることができるマーキング方法を提供する。
【解決手段】（ａ）セラミックグリーンシート１０ｘに導電性ペーストを塗布して、セラミックグリーンシート１０ｘにマーキング部２０を形成する第１の工程と、（ｂ）マーキング部２０にレーザー光３２を照射してマーキング部２０を部分的に除去する第２の工程と、（ｃ）部分的に除去されたマーキング部２０とセラミックグリーンシート１０ｘとを焼成し、セラミックグリーンシート１０ｘが焼結して形成されたセラミック基板１０に、焼結済みのマーキング部２０によりマーク２８を形成する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と内部配線層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体は前記内部配線層の周囲の少なくとも一部に存在する第１の領域と該第１の領域以外の第２の領域とを有し、Ｘ線回折にて測定したとき、前記第１の領域におけるムライトのメインピーク強度に対するアルミナのメインピーク強度比が０．４以上であるとともに、前記第２の領域におけるムライトのメインピーク強度に対するアルミナのメインピーク強度比が０．３以下である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが高く、かつ信頼性に優れる多層配線基板の製造方法およびこの製造方法によって製造れた信頼性の高い多層配線基板を提供すること。
【解決手段】 導体パターン前駆体層１１０が形成された複数の成形体２００を積層してなる積層体４００を得る第１工程と、該第１工程で得られた積層体４００を焼成する第２工程とを有する多層配線基板の製造方法であって、第１工程では、各成形体２００を、第１の基板１００上に導体パターン前駆体層１１０を形成した後、第１の基板１００の導体パターン前駆体層１１０が形成された面上に第１の基板１００よりも厚さの薄い第２の基板１２０を積層することにより得、得られた複数の成形体２００を積層することにより積層体４００を得る。 （もっと読む）

【課題】コイルの磁気特性を改善し効率を向上することができるコイル内蔵基板を提供する。
【解決手段】積層方向から透視すると、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄが互いに重なり合う外コイル領域３２の内周より内側において、第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う。空隙部４０は、積層方向に透視すると第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う内コイル領域３４の内周と外コイル領域３２の外周との間に環状に延在し、コイル要素３４ｂ，３４ｃの一部が露出するように形成される。第１及び第２のコイル要素３２ａ〜３２ｄ，３４ａ〜３４ｄが有する一定の線幅をＡ、空隙部４０の幅をＢとすると、１．５≦Ｂ／Ａ≦２．０である。空隙部４０の個数は、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄと第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄの合計個数の半分より少ない。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な高反射率の発光素子搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに焼結温度が異なる絶縁層用ガラスセラミック材料および拘束層用ガラスセラミック材料を準備し、それぞれ平板状に形成するとともに積層して、絶縁層11と拘束層12とが交互に、最上層が拘束層12となるように積層された平板状積層体を作製する工程と、平板状積層体の上面に発光素子の搭載部となる領域17を設けるとともに、絶縁層用ガラスセラミック材料を平板状積層体の上面に、搭載部となる領域17を取り囲む枠状に積層して積層体を作製し焼成する工程とを備える発光素子搭載用基板の製造方法である。枠部３の上部と下部との収縮差を利用して枠部３の内側面を傾斜させることができるため、凹部の内側面を破断面とせずに傾斜させることができ、小型化が可能で高反射率の発光素子搭載用基板９の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線の層間導電路を、印刷工程により作製可能な多層配線体を提供する。
【解決手段】
本発明に関する多層配線体は、基材上に形成された第１配線と、第１配線と、第１配線の上層に形成された第２配線とを接続する層間接続部と、基材上に形成され層間接続部を中心として開口を設けた第１絶縁層と、層間接続部を中心として周囲に１つあるいは複数のパターンとして形成され、少なくとも一部を開口内に設けている第２絶縁層とを備え、第２配線は前記層間接続部と第１絶縁層上に形成されていることを特徴とする多層配線体。 （もっと読む）

【課題】デカップリングコンデンサを必要とすることなく、電源層間での電磁エネルギーの共振による電磁放射と電源電圧の変動を防止可能な電源構造体および回路基板を提供する。
【解決手段】２つの電源層１１，１３と、電源層１１−１３間に挟持された層間絶縁膜１５とを備えた電源構造体１であり、電源層１１，１３のうちの少なくとも一方が、有機材料に導電性微粒子を分散させた導電性微粒子分散膜ａからなることを特徴とている。また回路基板は、このような構成の電源構造体１を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板では、品質を向上させることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画工程Ｓ１と、前記描画工程Ｓ１の後に、前記回路パターンに光を照射する光照射工程Ｓ２と、前記光照射工程Ｓ２の後に、前記回路パターンに他の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程Ｓ３と、前記積層工程Ｓ３の後に、前記積層体を加圧する加圧工程Ｓ４と、前記加圧工程Ｓ４の後に、前記積層体を焼成する焼成工程Ｓ５と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層配線基板の最上層、最下層にのみ分割用溝を形成する従来技術では、破断は起点の分割用溝を斜めに破断して終点の分割用溝からずれることがあり、この結果、ばり、欠けにより不良品が発生して製造歩留りが低下する。
【解決手段】予め、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’を除くグリーンシート２’〜６’の各パッケージ境界に分割用溝G₂〜G₆を形成しておき、グリーンシート１’〜７’を圧着して積層し、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’の各パッケージ境界に分割用溝G₁、G₇を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおけるクラックの発生を効果的に防止することができるとともに、ＥＩＡ規格で定められているような温度特性と静電容量を有するチップコンデンサを内蔵する多層配線基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック絶縁層１が積層されたセラミック絶縁基板の内部の空海内に、ビア導体１１を介して接続されたコンデンサ７を内蔵してなり、前記セラミック絶縁層１と前記コンデンサ７とが、間隙を有して離間している。 （もっと読む）