【課題】不良発生時に簡単な工程でリペアすることができ、かつ製造コストを低減できる。
【解決手段】少なくとも１つのメイン配線及び前記メイン配線のうち損傷したメイン配線をリペアするための少なくとも１つのリペア配線を備えたセラミック層を設ける段階と、前記セラミック層に、前記メイン配線及び前記リペア配線とそれぞれ電気的に接続できるように、第１導電パターンを形成する段階と、前記メイン配線に損傷が発生した場合、前記第１導電パターンを除去する段階と、前記第１導電パターンが除去された前記損傷したメイン配線上に絶縁部材を形成する段階と、前記セラミック層に、前記損傷したメイン配線と前記リペア配線を接続するように、リペアパターンを形成する段階と、前記リペアパターンが形成された部分を除いた前記メイン配線及び前記リペア配線上に第２導電パターンを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、伝送損失を改善してデータ伝送の高速化に無理なく対応できるとともに、容易に製造できるフレキシブルプリント配線板を得ることにある。
【解決手段】フレキシブルプリント配線板は、第１の絶縁層と、信号ラインおよびグランドラインを有する導体層と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口された開口部を有する第２の絶縁層と、信号ラインを覆うように第２の絶縁層に積層されるとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層と、グランド層を覆う第３の絶縁層と、を含む。グランド層は、開口部の底に露出されたグランドラインを覆うように開口部に充填された第１の導電性ペーストと、第１の導電性ペーストおよび第２の絶縁層を連続して覆うように塗布された第２の導電性ペーストとを備えている。第２の導電性ペーストは、第１の導電性ペーストよりも体積抵抗率が小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第２誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第１ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁層が短時間で容易に形成できる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域と第２の領域を有し、該第２の領域に配線導体が形成された絶縁層を準備する工程と、前記第１の領域に、層間絶縁層の前駆体を塗布し、乾燥することにより第１の層間絶縁層を形成する工程と、前記第１の層間絶縁層の表面および側面に、前記絶縁層の第２の領域に形成された配線導体と電気的接続が取れるように、配線導体を形成する工程と、前記第１の層間絶縁層および配線導体を形成した後に、前記第２の領域に、層間絶縁層の前駆体を塗布し、乾燥することにより第２の層間絶縁層を形成する工程を有する多層配線基板の製造方法において、前記第２の領域に塗布する層間絶縁層の前駆体の粘度が、前記第１の領域に塗布する層間絶縁層の前駆体の粘度に対し低いことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コストダウンが図れるセラミックス回路基板及びセラミックス回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板は、セラミックス基板１０と、セラミックス基板１０の表面に形成された端子部２０と、セラミックス基板１０に穿設された複数のビアホール２１と、ビアホール２１内の導体１８と端子部２０とを連結する配線１４と、を含み、複数のビアホール２１は、セラミックス基板１０の平面視での中心部分を中心として同心円上に沿った位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 プローブピンの半導体素子の端子への接続が確実に行なえるとともに、インピーダンスの不整合が小さいプローブカードを提供することにある。
【解決手段】 厚み方向に貫通した切込み５によって一部がばね性を有する形状に加工された誘電体基板２と、誘電体基板２の下面に形成された接続配線４と、誘電体基板２の上面に形成された、一端部が接続配線４に電気的に接続されており、プローブピン14が接続される他端部がばね性を有する形状の部分の上面に形成されている配線導体３とを備えるプローブカード用接続基板１および接続基板が配線基板の上面に接合されたプローブカード用配線基板である。半導体素子の端子とプローブピン14との接触を確実にすることが可能となり、また要求されるインピーダンス特性に極力整合させることができ、高周波信号の伝送を良好にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】直流抵抗を下げつつも、接続導体がコイルの内周側の領域に入り込むことを抑制し、信頼性が向上された積層型電子部品を提供する。
【解決手段】引出導体用スルーホール導体７１に比して、第一並列接続用スルーホール導体６５の直径を大きくすることで、第一並列接続用スルーホール導体６５を、積層圧着時に引出導体用スルーホール導体７１の食い込みを受け止める支持部材として機能させる。これによって、第一接続導体２１の導体端部２１ｂ及び第二接続導体２３の導体端部２３ｂの沈みを抑制する。更に、第一並列接続用スルーホール導体６５が第二接続導体２３の導体端部２３ｂに対して当接する部分の面積を大きくすることによって導体端部２３ｂに作用する圧力を分散させる。従って、第二接続導体２３の導体端部２３ｂに対する第一並列接続用スルーホール導体６５の食い込み量を低減する。 （もっと読む）

【課題】多層基板内における電磁シールドを維持しつつ、柔軟なレイアウト設計を実現する。
【解決手段】
電磁シールド体Ｓは基板の下部にあるグランド多層のＬ３層，Ｌ２層を含む。Ｌ３層は、第１領域Ｐ１を残してベタ状に形成された第１グランド層３２を備える。Ｌ２層は、平面視において前記第１領域Ｐ１を包摂し層の一部である第２領域Ｑ１に、第１グランド層３２と絶縁層１６を挟んで形成された第２グランド層３４を備える。そして、第１グランド層３２と第２グランド層３４とは、第１領域Ｐ１を取り囲むように並んでいる多数のスルーホール５０により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】微細電極パターンとそれより線幅の広い一般電極パターンとを有するセラミック基板を、材料の損失を抑え、また、電極パターンの厚さ均一性を確保して形成する。
【解決手段】セラミック基板は、微細電極パターン領域Ａ及び一般電極パターン領域Ｂが備えられ、多層のセラミック層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄが積層されたセラミック積層体１００と、セラミック積層体１００の微細電極パターン領域Ａ上に形成され、フォトエッチング工程により形成された微細電極パターン１１０ａと、セラミック積層体１００の一般電極パターン領域Ｂ上に形成され、微細電極パターン１１０ａより線幅が大きく、スクリーン印刷工程により形成された一般電極パターン１２０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板において、ビアの周辺の欠陥に起因した基板の信頼性低下を防止する。
【解決手段】セラミック基板は、多層のセラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃが積層され、各セラミック層１０ａ，１０ｂ，１０ｃに備えられたビア３０を通じて層間接続が行われ、表層のセラミック層１０ａにビア３０の上部を露出させるホール４０が形成されたセラミック積層体１００と、ホール４０内に充填された伝導体４０ａと、セラミック積層体１００の表面に伝導体４０ａと電気的に接続されるように形成された外部電極５０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板の表層部にＡｇを含む導体パターンが形成され、このＡｇが焼成時に拡散している場合、表面上の導体パターン間にＡｇのマイグレーションのパスが形成されやすくなり、信頼性が低下する。
【解決手段】焼成されるべき未焼成のセラミック積層体１２を得るため、Ａｇを含む第１の導体パターン５，７，９を有するとともに、第１のガラス成分を含む第１のセラミック材料を含む、第１のセラミックグリーン層１ａを表層部に配置し、他方、Ａｇを主成分として含む第２の導体パターン６，８を有するとともに、第２のガラス成分を含む第２のセラミック材料を含み、かつ焼成時において第１セラミックグリーン層１ａよりもＡｇが拡散しやすい組成とされる、第２のセラミックグリーン層２ａを内層部に配置して積層する。この未焼結セラミック積層体１２を焼成して、多層セラミック基板１４を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明はセラミック基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、複数の第１セラミックグリーンシートを含む第１セラミック積層体を設ける段階と、前記第１セラミック積層体上に少なくとも１つの分離誘導層を形成する段階と、前記第１セラミック積層体上に複数の第２セラミックグリーンシートを含む第２セラミック積層体を積層して基板用セラミック積層体を形成する段階と、前記積層された第２セラミック積層体を部分的に切開する段階と、前記基板用セラミック積層体を焼成する段階と、前記焼成された基板用セラミック積層体において前記部分切開された領域を除去してキャビティを形成する段階と、を含むセラミック基板の製造方法に関するものである。
前記の構成により、無収縮焼成方法を適用してキャビティ付近の変形を防止することができるセラミック基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートの積層基板に設けられた複数のビアホールに導電性ペーストを充填するビア充填方法及び装置において、ビア充填における欠陥の低減の為、通常の導電性ペーストに比べて粘度の高い高粘度導電性ペーストによる充填方法及び装置を提供する。
【解決手段】温水等方圧プレス装置１は、圧力容器１０と、上蓋１２を圧力容器１０に固定するピンクロージャー１１と、圧力容器１０に満たした液体１７と、液体１７に浸され、ビア充填積層体を真空包装したラミネートパック２０，２１と、液体１７を加熱するヒータエレメント１６と、加熱制御器１５と、加圧ポンプ１３と、循環ポンプ１４と、圧力センサ１８と、温度センサ１９と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 電源ラインと信号ラインとの干渉を効果的に防止し、小型化を図ることができる高周波部品、及びかかる高周波部品を具備する通信装置を提供する。
【解決手段】 導体パターンを有する複数の誘電体層からなり、高周波信号の入出力端子、増幅回路及びスイッチ回路の電源端子を含む端子群及び第一のグランド電極が積層基板の一方の主面に形成され、増幅回路又はスイッチ回路の電源端子に一端が接続された電源ラインが電源ライン層に形成され、第一のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、電源ライン層の主面と反対側に第二のグランド電極が形成され、第二のグランド電極は積層方向に電源ラインの少なくとも一部と重なり、高周波信号処理回路は第二のグランド電極の電源ライン層と反対側に配置され、電源ラインの他端の間隔は、電源ラインの一端と接続する電源端子の間隔より大きい高周波部品。 （もっと読む）

【課題】焼成工程におけるセラミック成形体（セラミック基板）の反りや変形を抑制、防止して、所望の特性を備えたセラミック基板を効率よく製造することを可能にする。
【解決手段】焼成後にセラミック基板となる未焼成セラミック成形体の一方主面側と他方主面側の少なくとも一方に、未焼成セラミック成形体の焼結温度では焼結しない難焼結性セラミック粉末を主たる成分とする拘束層が配設された未焼成複合積層体を形成し、セラミック成形体は焼結するが、拘束層を構成する難焼結性セラミック粉末が焼結しない温度で焼成した後、拘束層を除去する工程を経てセラミック基板を製造する場合において、拘束層（拘束層用グリーンシート）として、全体的に均一な厚みを有し、かつ、周縁部（を構成する第１の拘束層用グリーンシート１１Ａ）のほうが中央部（を構成する第２の拘束層用グリーンシート１１Ｄ）よりも、拘束力の大きい拘束層１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を伴うことなく、高密度に接続パッドが設けられた場合においても隣接する半田接合部の接触が抑制された多層配線基板を提供する。
【解決手段】第１のガラスセラミック絶縁層および第２のガラスセラミック絶縁層が積層されてなる絶縁基体１０と、絶縁基体の主面に設けられた複数の接続パッド３と、絶縁基体１０中に設けられ、接続パッド３と電気的に接続された貫通導体とを含む多層配線基板であって、絶縁基体の主面には複数の接続パッド３のそれぞれの周縁に沿って溝７が形成されており、断面視したときに接続パッド３の側面と溝７の内壁面７１とが連続しているとともに、溝７の内壁面７１が焼き肌面になっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄型化が容易であり、インダクタンスを低く抑える上でも有効な多層配線基板を提供する。
【解決手段】 下端面に接続パッド１ｂが被着された複数の第１貫通導体１ａを有する第１セラミック基板１の上に、第１貫通導体１ａと電気的に接続された複数の下部薄膜導体層４と複数の下部樹脂絶縁層５とが交互に積層されてなる薄膜多層導体部３と、下部薄膜導体層４を介して第１貫通導体１ａと電気的に接続された、上端面に電極パッド２ｂが被着された第２貫通導体２ａを有する第２セラミック基板２とが積層されてなる配線基板Ａの上面に、電極パッド２ｂと電気的に接続された薄膜導体層６と樹脂絶縁層７とが交互に積層されてなり、最上面に露出した薄膜導体層６が半導体素子の電極と電気的に接続される多層配線基板Ｂである。配線基板Ａが主に下部薄膜導体層４と下部樹脂絶縁層５とで構成されるため、薄型化およびインダクタンスの低減が容易である。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板に備えるビアホール導体のような配線導体を形成するために用いられる導電性ペーストであって、焼成工程において焼結が生じる温度域を比較的任意に制御することができる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含有し、金属粉末の粒子表面上には、焼成工程において、多層セラミック基板１１に備えるセラミック層１２を焼結させ得る焼結温度では焼結しない無機成分が配置され、ガラスフリットは、上記焼結温度より１５０〜３００℃低い軟化点を有する。導電性ペーストは、多層セラミック基板１１に備えるビアホール導体１５のような配線導体を形成するために有利に用いられる （もっと読む）

【課題】設計上の制約を受けることなく容量を容易に変更可能とし、大容量化に対応できるとともに、基板への内蔵を容易に行えるようにすること。
【解決手段】キャパシタ１０は、誘電体基板１１を有し、その厚さ方向に多数の線状導体１２が貫通形成されている。複数の線状導体１２を一群として各群毎に当該線状導体の一端側にのみ接続された電極１５ａ，１６ａが、誘電体基板１１の両面上でそれぞれ少なくとも１箇所に、又は一方の面上で少なくとも２箇所に配置されている。さらに誘電体基板１１の両面に、それぞれ電極１５ａ，１６ａ間の領域を被覆する絶縁層１３，１４が形成され、各絶縁層１３，１４上に、それぞれ所要の数の電極１５ａ，１６ａと一体的に導体層１５，１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、内部配線５の端部はセラミック配線基板１の上面に形成された複数の凹部９の底面に引き出されており、凹部９内のビア導体４の周囲に絶縁樹脂が充填されている配線基板。比較的接続強度の弱いビア導体４と内部配線５の端部との接続部は、凹部９内で絶縁樹脂によって固定されているので、破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）