【課題】コイルの磁気特性を改善し効率を向上することができるコイル内蔵基板を提供する。
【解決手段】積層方向から透視すると、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄが互いに重なり合う外コイル領域３２の内周より内側において、第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う。空隙部４０は、積層方向に透視すると第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄが互いに重なり合う内コイル領域３４の内周と外コイル領域３２の外周との間に環状に延在し、コイル要素３４ｂ，３４ｃの一部が露出するように形成される。第１及び第２のコイル要素３２ａ〜３２ｄ，３４ａ〜３４ｄが有する一定の線幅をＡ、空隙部４０の幅をＢとすると、１．５≦Ｂ／Ａ≦２．０である。空隙部４０の個数は、第１のコイル要素３２ａ〜３２ｄと第２のコイル要素３４ａ〜３４ｄの合計個数の半分より少ない。 （もっと読む）

【課題】 デラミネーションがなく、かつセラミックグリーンシートが金型や周辺部材へ貼り付いてしまうのを抑制された電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミック粉末と積層時の加熱により溶融する溶融成分とを含む接着用セラミックグリーンシート層４の上面に、平均粒径の大きい第１のセラミック粉末を主成分とする第１のセラミックグリーンシート層１と、第１のセラミック粉末よりも小さい平均粒径０．０５〜１μｍの第２のセラミック粉末を主成分とする第２のセラミックグリーンシート層２とを、第１のセラミックグリーンシート層１が最上層に位置するようにしてセラミックグリーンシートを作製する工程を有する電子部品の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板が実装された回路基板等から衝撃や応力が基板本体に作用しても、基板本体に与える悪影響を小さくすることができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】セラミック多層基板１０は、（ａ）積層されたセラミック層を含み、セラミック層が積層された方向の片側に矩形の主面１２ｂ有する基板本体１２と、（ｂ）基板本体１２の主面１２ｂに形成された外部電極１４とを備える。主面１２ｂの互いに対向する一対の辺１３ｐ，１３ｑのそれぞれの少なくとも一部分を含む基板本体１２の一部分が除去されて、基板本体１２に主面１２ｂから後退した切欠部１６が形成されている。すべての外部電極１４が切欠部１６に隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板を用いた電子部品実装工程における歩留まりを改善することを目的としたセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】アルミナ成分とガラス成分を有するグリーンシートを焼成することに形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線パターン３と、セラミック基板部２の表面に形成された外部配線パターン４と、セラミック基板部２に形成され、内部配線パターン３、もしくは前記外部配線パターン４に接続され、導電性ペーストが充填されたビア５と、内部配線パターン３、もしくは外部配線パターン４が形成される配線部６と、配線部６の周辺に配置された非配線部７と、を有するセラミック多層基板１において、非配線部７に、ビア５に充電された導電性ペーストと同一の導電性ペーストが充填されたダミービア８を設けたこと、を特徴とするセラミック多層基板１とした。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な高反射率の発光素子搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに焼結温度が異なる絶縁層用ガラスセラミック材料および拘束層用ガラスセラミック材料を準備し、それぞれ平板状に形成するとともに積層して、絶縁層11と拘束層12とが交互に、最上層が拘束層12となるように積層された平板状積層体を作製する工程と、平板状積層体の上面に発光素子の搭載部となる領域17を設けるとともに、絶縁層用ガラスセラミック材料を平板状積層体の上面に、搭載部となる領域17を取り囲む枠状に積層して積層体を作製し焼成する工程とを備える発光素子搭載用基板の製造方法である。枠部３の上部と下部との収縮差を利用して枠部３の内側面を傾斜させることができるため、凹部の内側面を破断面とせずに傾斜させることができ、小型化が可能で高反射率の発光素子搭載用基板９の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ビア上に形成された外部電極に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事を提供する。
【解決手段】導電性ペーストが充填されたビアを有するセラミック多層基板１において、ビア３の最外部（第１のビア３ａ）が、非ガラス成分の導電性ペーストにて形成することを特徴とするセラミック多層基板とした。こうすることによって、ビア上に形成された外部電極上に電子部品が実装可能なセラミック多層基板を提供する事ができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線の層間導電路を、印刷工程により作製可能な多層配線体を提供する。
【解決手段】
本発明に関する多層配線体は、基材上に形成された第１配線と、第１配線と、第１配線の上層に形成された第２配線とを接続する層間接続部と、基材上に形成され層間接続部を中心として開口を設けた第１絶縁層と、層間接続部を中心として周囲に１つあるいは複数のパターンとして形成され、少なくとも一部を開口内に設けている第２絶縁層とを備え、第２配線は前記層間接続部と第１絶縁層上に形成されていることを特徴とする多層配線体。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板では、品質を向上させることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画工程Ｓ１と、前記描画工程Ｓ１の後に、前記回路パターンに光を照射する光照射工程Ｓ２と、前記光照射工程Ｓ２の後に、前記回路パターンに他の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程Ｓ３と、前記積層工程Ｓ３の後に、前記積層体を加圧する加圧工程Ｓ４と、前記加圧工程Ｓ４の後に、前記積層体を焼成する焼成工程Ｓ５と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】側面電極を形成するための導電性ペーストが加工中に剥離しにくい積層型セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一層の未焼結のセラミック層について、（ｉ）個基板になる部分に、個基板になる部分の境界線２９との間に間隔を設けて並ぶ複数の第１の貫通孔２２を形成し、（ii）第１の貫通孔２２に導電性ペースト２４を充填し、（iii）第１の貫通孔２２に部分的に重なり、かつ境界線２９に達する第２の貫通孔２８を形成し、（iｖ）第２の貫通孔２８に焼失材料２７を充填する。未焼結のセラミック層を積層し、焼成した後に、導電性ペースト２４が焼結したビアホール導体は、焼失材料２７が焼失して形成された空間内に露出する。露出したビアホール導体にめっき処理を施して側面電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおけるクラックの発生を効果的に防止することができるとともに、ＥＩＡ規格で定められているような温度特性と静電容量を有するチップコンデンサを内蔵する多層配線基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック絶縁層１が積層されたセラミック絶縁基板の内部の空海内に、ビア導体１１を介して接続されたコンデンサ７を内蔵してなり、前記セラミック絶縁層１と前記コンデンサ７とが、間隙を有して離間している。 （もっと読む）

【課題】絶縁層とフェライト層との間の接合強度をより向上させたガラスセラミック基板を提供する。
【解決手段】フェライト結晶を有するフェライト層２と、フェライト結晶と同じ結晶構造の第１結晶を含むガラスセラミックスを有する絶縁層１と、絶縁層１とフェライト層２との間に配置された第１結晶を含むガラスセラミックスおよびフェライト結晶を有する中間層３とが積層されたガラスセラミック基板において、中間層３の複数のフェライト結晶の一部が、絶縁層１側へ突出しているガラスセラミック基板である。絶縁層１側へ突出したフェライト結晶の一部と絶縁層１に含まれている第１結晶とが結合し、結合したフェライト結晶および第１結晶の周囲に非晶質のガラス成分があるので、結晶同士が結合し、絶縁層１と中間層３との界面での接合強度の高いガラスセラミック基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックよりなるセラミック層を複数積層し焼成してなるセラミック積層基板の製造方法において、積層体とは材料の異なる層を設けることなく、焼成後の収縮による表層配線の寸法ばらつきを無くすことを目的とする。
【解決手段】焼成前のセラミック層１１〜１４を複数積層して積層体１００を形成する積層体形成工程と、その後、積層体１００を焼成する焼成工程と、続いて、焼成された積層体１００の表層１１、１４に表層配線２１を形成する表層配線形成工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】低背化、高機能化するとともに、より設計自由度が高い多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】コア基板２と、コア基板２の一方主面３に形成された第１の樹脂層１２とからなる多層基板１１であり、第１の実装部品１０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に形成された表面導体に実装され、第２の実装部品２０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装され、第１の実装部品１０と第２の実装部品２０とは、第１の樹脂層１２に埋設されている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート１の配線基板領域１ａとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域１ｂとに跨るように配置された貫通孔２を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体５を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された２つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線１ｃの延長線１ｄを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、２つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 （もっと読む）

【課題】表面実装部品をはんだ付けにより実装する際のはんだボイドの発生およびそれによるショート不良の発生を防止することが可能なセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結金属からなる外部電極４を備えたセラミック多層基板において、外部電極４の表面の所定の領域にめっき金属層１１を形成し、外部電極４の表面の一部にはめっき金属層を形成しないようにして、外部電極のめっき金属層が形成されていない領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極の一部を、表面にめっき金属層が付着しない無機絶縁材料からなる多孔質層により被覆し、外部電極の表面の、多孔質層が配設されていない領域にのみめっき金属層を形成するようにして、多孔質層が形成された領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極を、セラミック粒子を含む焼結金属からなるポーラスな電極とする。 （もっと読む）

【課題】 焼成時にフェライト層２の透磁率が低減することを抑制できるコイル内蔵配線基板を提供すること。
【解決手段】 複数のフェライト層２と、フェライト層２の表面および内部に形成された配線導体３と、複数のフェライト層２の層間および内部に、配線導体３と電気的に接続されたコイル導体４とを備えたコイル内蔵配線基板であって、コイル導体４は、コイル導体４の幅方向の断面の断面視で、フェライト層２の一部を囲むように形成されていることを特徴とするコイル内蔵配線基板である。コイル導体４の外周部のフェライト層２への応力を低減できるので、フェライト層２の透磁率の低下を低減できる。また、フェライト層２や絶縁層１のクラックやデラミネーションの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層と貫通導体との界面からの水分侵入を低減できるガラスセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＯ_２を網目形成酸化物とした第１のガラス材料を含んだ、焼結温度が800℃乃至1000℃であるガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層１と、絶縁層１
を貫通する貫通導体とを有するガラスセラミック配線基板であって、貫通導体は、導体材料と、第１のガラス材料の軟化点よりも高く、絶縁層１の焼結温度よりも低い軟化点を有する非晶質のＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラスとの焼結体であることを特徴とするガラスセラミック配線基板である。ガラスセラミック配線基板が燒結する際に、貫通導体に含まれる第２のガラス材料が軟化したときには、絶縁層に含まれる第１のガラス材料が軟化しており、絶縁層に隙間が少なくなっているので、第２のガラス材料が絶縁層側に流れ出すことを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 セラミック多層基板における表面電極が形成された主面のコプラナリティを改善する。
【解決手段】 表面電極３０を主面に備えた積層体３３からなるセラミック多層基板において、表面電極３０に対して、積層体３３の積層方向から見て重なるように積層体３３の内部に拘束層２６が形成されており、拘束層２６の主面の面積は、表面電極３０の主面の面積の２倍以下である。積層体３３の焼成時において、拘束層２６が形成された部分のセラミックは、積層体３３の主面に平行な方向への収縮を抑えられ、積層方向により大きく収縮する。そのため、表面電極３０の厚みによる積層体３３主面のコプラナリティの悪化を改善できる。 （もっと読む）

【課題】３次元流路と電気配線を内蔵した設計自由度の高い陽極接合可能なＬＴＣＣ基板、前記基板をＭＥＭＳ素子が形成されたシリコンウエハと陽極接合した電子デバイス用のＭＥＭＳ素子、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＴＣＣ基板用グリーンシートに、焼成・エッチング処理後に３次元の流路と貫通配線となるビアホールを開ける工程、前記ビアホールに金ペーストを印刷する工程、前記グリーンシートを所定枚数積層し、焼成して一体化する工程、前記貫通配線部となるビアを保護した状態で、金導体を除去する工程、及び保護膜を剥離する工程を有する３次元の流路と電気配線を内蔵した陽極接合可能なＬＴＣＣ基板の製造方法、その方法で得られるＬＴＣＣ基板、及びその基板をＭＥＭＳ素子の搭載されたシリコンウエハと陽極接合した各種電子デバイス用のＭＥＭＳ素子とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）