本発明は、基板１２と、第１導電型のエミッタ領域、前記第１導電型とは逆の第２導電型のベース領域及び前記第１導電型のコレクタ領域１、２、３をもつバイポーラトランジスタを有する、シリコンからなる半導体本体とを有し、前記コレクタ領域及び前記エミッタ領域の一方の領域を有する第１半導体領域３が、前記半導体本体１１内に形成され、前記第１半導体領域３上に、前記ベース領域を有する第２半導体領域２が存在し、該第２半導体領域４上に、前記コレクタ領域及び前記エミッタ領域の他方の領域を有する第３半導体領域１が存在し、前記半導体本体１１に、前記第１半導体領域３と第２半導体領域２との間の遷移位置に狭窄部を設け、該狭窄部は、前記半導体本体内に埋め込まれた第１埋め込み電気的絶縁領域を用いて形成された半導体デバイス半導体デバイス１０に関する。本発明によれば、前記埋め込み電気的絶縁領域２６、２７の上に形成された前記半導体本体の一部は、単結晶である。これは、大きな前記デバイスの横方向の小型化を可能し、素晴らしく高い前記トランジスタの周波数特性を提供する。このようなデバイス１０は、本発明による製造方法を用いたその製造の結果、可能なものとなる。
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【課題】 逆電圧に対する保護回路を備えた発光素子の小型化、高出力・高効率化を可能とする発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子に、その逆方向電圧に対する保護回路として、バイポーラトランジスタを備えている半導体発光装置であり、その保護回路は、バイポーラトランジスタのベースコレクタ間を短絡し、半導体発光素子の極性に対して、エミッタ−ベース間の極性が逆向きになるように半導体素子回路と並列接続されている構成からなる。 （もっと読む）

本発明は、支持部と、この支持部からエピタキシャル成長した、それぞれ少なくとも１つのコレクタ又はエミッタレイヤと、少なくとも１つのベースレイヤ（Ｂ）と、それぞれ少なくとも１つのエミッタ又はコレクタレイヤと、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタに関するものである。それぞれコレクタ又はエミッタレイヤは、それぞれエミッタ又はコレクタレイヤと実質的に同一の組成を有する、ベースレイヤと接触状態にある少なくとも１つのアンダーコート（Ｃ１）と、この第１アンダーコートとの関係においてベースレイヤとは反対側の面上の少なくとも１つの第２アンダーコード（Ｃ２）と、を有している。
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【課題】 高周波数帯で動作する半導体装置における特性及び信頼性をコストアップなしに向上させる。
【解決手段】 半絶縁性のＧａＡｓ基板１の上に、下から順にサブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が積層されている。エミッタ層６の上にはエミッタ電極７が形成されており、ベース層５におけるエミッタ層６が設けられていない部分の上にはベース電極８が形成されており、サブコレクタ層３におけるコレクタ層４が設けられていない部分の上にはコレクタ電極９が形成されている。ベース電極８の直上には抵抗層２が設けられており、当該抵抗層２の直上から、トランジスタ外部領域に設けられたベース端子（図示省略）と電気的に接続する金属配線層１１Ｂが引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥がないサブコレクタ層とすることにより、これより上層のベース層やエミッタ層への結晶欠陥の伝播を防止し、信頼性試験における電流利得βの低下を少なくした構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタとすること。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、気相成長法により、III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル層からなる少なくともサブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４及びエミッタ層５が順に積層形成され、そのサブコレクタ層、ベース層、エミッタ層の上にそれぞれ電極１１〜１３が形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記サブコレクタ層２を、ＧａＡｓ基板１の転位に起因した表面欠陥が１０００倍の光学顕微鏡観察において見えない低結晶欠陥のエピタキシャル層とする。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性が改善された、メタモルフィックバッファ層を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にエピタキシャル成長法によって、メタモルフィックバッファ層２を形成し、その上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６を順次積層し、コレクタ電極７をメタモルフィックバッファ層２の上部層２ｃに接して設ける。メタモルフィックバッファ層２には、結晶成長中における不純物ドープ法によって、従来のサブコレクタ層と同等またはそれ以上の不純物を導入し、メタモルフィックバッファ層２がコレクタ電流をコレクタ電極７へ導く役割を果たすことができるようにする。熱抵抗の大きい三元混晶などで形成されることの多いサブコレクタ層を省略できるので、半導体装置内で発生した熱を速やかに基板１へ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積の増加や高周波特性の劣化を抑制しながら、熱安定性を向上させ、耐破壊性を向上することを目的とする。
【解決手段】 外部ベース領域下のコレクタ領域にイオン注入を行い、その上部の外部ベース領域上に容量膜１１０を設けることにより、入力された高周波の入力信号は、容量膜１１０を通って真性ベース領域に到達し、ベース電極に入力された直流電流は外部ベース領域を通って真性ベース領域に到達するため、チップ面積の増加や高周波特性の劣化を抑制しながら、熱安定性を向上させ、耐破壊性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域に於ける半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】 本発明の半導体装置２０Ａは、半導体基板２５の表面に活性領域２１と接続されたエミッタパッド電極２３Ｅ、コレクタパッド電極２３Ｃおよびベースパッド電極２３Ｂが形成されている。更に、半導体基板２５の裏面には、裏面電極２６が形成されている。更に、接地電位と接続されるエミッタパッド電極２３Ｅは、半導体基板２５を厚み方向に貫通する貫通電極２４Ａを介して、裏面電極２６と接続されている。 （もっと読む）

【課題】活性層を劣化させることなく窒素を含むｐ型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。as-grownの状態では、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２中においてＭｇが水素原子と結合している。次に、窒素雰囲気下で、サファイア基板１の裏面からレーザを照射する。弱いレーザの照射により、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２の水素離脱による低抵抗化を行なう。その際、積層部１０中のドーパントの拡散を抑制して、ドーパントプロファイルの急峻性を維持することができる。その後、強いレーザの照射によって、サファイア基板１を積層部１０から分離させることもできる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ベース−エミッタ間電流が正の温度係数を持つため、コレクタ電流も正の温度係数を持つ。従って、ベース電流を増加させて電流密度の向上を図ると、複数並列接続されたＨＢＴの単位素子のうち、１つの単位素子に電流が集中して二次降伏を起し、破壊に至りやすくなる。
【解決手段】 ＨＢＴとＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、ＨＢＴのベース電極にＭＥＳＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続してスイッチ回路装置を構成する。単位素子を並列に複数接続したスイッチ回路装置において、単位素子毎に動作電流が不均一となっても、１つの単位素子に電流が集中することはなく二次降伏による破壊は発生しない （もっと読む）

【課題】チップサイズパッケージの半導体装置においては、半導体基板６０がスリット孔８０で分離される構造のために樹脂層７８で同一平面に支持固定される必要があるが、絶縁膜７４と接着しかつ均一の厚みであるので、まだ十分な強度を得られていない実用上の大きな問題点があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を有する半導体基板と、第１の領域１２と第２の領域１３、１４を分離するダイシング溝３０と、ダイシング溝３０に隣接する半導体基板１０の第１の領域１２および第２の領域１３、１４表面に設け半導体基板１０を露出する段差部分３１と、段差部分３１を含み半導体基板の第１の領域１２および第２の領域１３、１４の表面に半導体基板１０を一体に支持する樹脂層３４とを備え、段差部分３１と樹脂層３４の密着度を向上させている。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂイオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板１の表面の２箇所にｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃを形成する。エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ⁺及びＨｅ⁺を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。この結果、Ｓｉ基板１の格子原子が蹴り出され、空格子が生じ、Ｓｉ基板１の表面から比較的深い位置までダングリングボンドが生成される。これらのダングリングボンドが生成された領域がｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃとなる。 （もっと読む）

【課題】直流電流増幅率の特性が向上した耐電圧、大電力のバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ベース領域３及びエミッタ領域４の上部に、それぞれベース電極パターン９ａ、エミッタ電極パターン１０ａを形成する。形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。次に、酸化剤である水、酸素雰囲気下で熱処理を行ない、表面が酸化されたベース電極９ｂ、エミッタ電極１０ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ帯の分光ならびに透視装置を小型・低コストで実現する上で、これに用いられる発振器を小型・低コスト化することが最重要課題であった。
【解決手段】 発振器の能動素子に金属ベーストランジスタを採用し、その最大発振周波数を数ＴＨｚにまで向上するために、電子の飽和速度の高いＩｎＮ或いはＩｎＮを主成分とする材料をコレクタに用いた。特性を再現性よく得るために、コレクタとベースの界面にＩｎＧａＮを挿入することが有用である。本発明の金属ベーストランジスタを用いてテラヘルツ帯の発振を可能とする発振器を構成することが可能である。又、この発振器を信号源あるいは局所発振器の少なくとも一つに適用した分光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 積層方向における電極位置の高低差を緩和或いは解消し易く、製造工程の増加や生産性の低下を抑え易く、電気的特性の悪化を招かない構造を有するヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が、この順に基板上に積層されてなるＨＢＴにおいて、
ベース層１４と同レベル位置のベース層構成材料層１４ａ上、コレクタ層１３と同レ ベル位置のコレクタ層構成材料層１３ａ上、コレクタ層１３の途中レベル位置のコレク タ層構成材料層１３ａ上、又は、エミッタ層１５又はエミッタキャップ層１６と同レベ ル位置のエミッタ層構成材料層１５ａ上又はエミッタキャップ層構成材料層１６ａ上に コレクタ電極７が形成され、
このコレクタ電極７とサブコレクタ層１２とが、オーミックアロイ法によって形成さ れた導電領域２１を介して電気的に接続されていること
を特徴とする、ＨＢＴ１０ａ。 （もっと読む）

【課題】 半導体層表面の凝集Ｉｎ粒子に起因する電気的特性の低下を防止することが可能な化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に凝集Ｉｎ粒子１０３が点在するＩｎＧａＡｓエピタキシャル層上にプラズマＳｉＯ₂膜１０２を形成し、所定の領域のプラズマＳｉＯ₂膜１０２を除去し、除去により露出したＩｎＧａＡｓエピタキシャル層１０１に酸素プラズマによるアッシングを施して表面の凝集Ｉｎ粒子１０３を強制的に酸化させ、アッシングが施されたＩｎＧａＡｓエピタキシャル層１０１に例えば１分間以上の期間ＨＣＬ溶液によるウェットエッチングを施して表面の酸化した凝集Ｉｎ粒子１０３を除去し、下部電極となるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層１０５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好なショットキー特性を有する電極を備えた半導体素子を提供する。また、良好なショットキー特性を有するゲート電極を備えた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＮ層３の上に形成されたショットキー電極６は、ＷＮ_ｘ層４を有し、ｎ型ＧａＮ層３とＷＮ_ｘ層４とが接触する面において、ｎ型ＧａＮ層３の結晶面は六方晶の（０００１）面であり、ＷＮｘ層４の結晶面は（１１１）面に配向している。ＷＮ_ｘ層４は、Ｚｒ、Ｈａ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏおよびＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、窒素および炭素の少なくとも一方の元素とからなる塩化ナトリウム型構造の電極層であればよい。また、電極層の格子定数は、ｎ型ＧａＮ層３におけるａ軸格子定数を２^{（１／２）}倍した値の０．９５倍〜１．０５倍であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 逆方向電圧が印加された場合の素子破壊の発生を低減することができるＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】 高濃度層１１は、高濃度のｎ型ＳｉＣからなる層であり、ＳｉＣ基板を構成している。高濃度層１１の表面には、低濃度のｎ型ＳｉＣからなる低濃度層１２が形成され、低濃度層１２の表面には、ｐ型ＳｉＣからなるガードリング領域１３が形成されている。低濃度層１２およびガードリング領域１３の上には、低濃度層１２とショットキー接合を形成しているバリアメタル膜１４、パッド電極１５、および絶縁膜１６が形成されている。高濃度層１１の他方の面には、高濃度層１１とオーミック接合を形成しているオーミックメタル膜１７および裏面電極１８が形成されている。低濃度層１２において、ガードリング領域１３の近傍には、低濃度層１２の表面に露出するように結晶欠陥領域１９ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱的安定性と信頼性を両立し、さらに静電破壊耐量を向上したＨＢＴを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体からなる基板の主面上に、順に形成されたサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層４およびエミッタ層５、ならびにコレクタ層４と電気的に接続されたコレクタ電極、ベース層４と電気的に接続されたベース電極、エミッタ層５上に形成され、エミッタ層５と電気的に接続されたエミッタメサ層６Ｍ、およびエミッタメサ層６Ｍと電気的に接続されたエミッタ電極１３を備えたＨＢＴであって、このエミッタメサ層６Ｍが、ｎ型ＧａＡｓ層からなる半導体層６と、半導体層６上のｎ^＋型ＧａＡｓ層からなる高濃度半導体層６Ｂと、高濃度半導体層６Ｂ上のｎ型ＩｎＧａＡｓ層からなるバラスト抵抗層７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の熱抵抗を低減すること、および小型化できる技術を提供する。
【解決手段】 複数の単位トランジスタＱを有する半導体装置であって、半導体装置は、単位トランジスタＱを第１の個数（７個）有するトランジスタ形成領域３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｆと、単位トランジスタＱを第２の個数（４個）有するトランジスタ形成領域３ｃ、３ｄとを有し、トランジスタ形成領域３ｃ、３ｄは、トランジスタ形成領域３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｆの間に配置され、第１の個数は、第２の個数よりも多い。 （もっと読む）