【課題】タンパク質半導体の導電型を容易に制御することができるタンパク質半導体の導電型の制御方法、これを利用したタンパク質半導体の製造方法およびｐｎ接合の製造方法を提供する。
【解決手段】アミノ酸残基全体の電荷量を制御することによりタンパク質半導体の導電型を制御し、ｐ型タンパク質半導体あるいはｎ型タンパク質半導体を製造し、ｐ型タンパク質半導体とｎ型タンパク質半導体とを用いてｐｎ接合を製造する。アミノ酸残基全体の電荷量の制御は、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を自身の性質と異なる性質を有するアミノ酸残基に置換したり、タンパク質に含まれる酸性のアミノ酸残基、塩基性のアミノ酸残基および中性のアミノ酸残基のうちの１つまたは複数個を化学修飾したり、タンパク質の周りを囲む媒体の極性を制御したりすることにより行う。 （もっと読む）

【課題】ＨＢＴ（ヘテロジャンクション・バイポーラトランジスタ）による段差を低減し、接合面積をより小さくできる製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１の上に形成されたアンドープＩｎＰからなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に接して形成された第１導電型のＩｎＰからなるエミッタ層１０３と、第１半導体層１０２の上に接して形成されたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１０８と、第１半導体層１０２の上に接して形成され、エミッタ層１０３およびコレクタ層１０８に挟まれて配置された第２導電型のＩｎＧａＡｓからなるベース層１０５とを備える。また、半絶縁性のＩｎＰからなる第１分離層１０６ａおよび第２分離層１０６ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で作動するとともに大きなベース電圧を印加した場合でも耐電圧が高く、各種の回路素子への応用が容易で、製造コストを抑えた有機トランジスタ及び回路素子を提供する。
【解決手段】コレクタ電極１とエミッタ電極２と両電極間に設けられた有機半導体層３と有機半導体層３内に設けられたベース電極４とを有する縦型トランジスタ部、及び、ベース電極４とベース電圧電源端子７との間に設けられた抵抗部６、を有する。抵抗部６は、コレクタ電極１と同じ材料からなりベース電圧電源端子７に接続する第１電極２１と、エミッタ電極２と同じ材料からなりベース電極４に接続する第２電極２２と、有機半導体層３と同じ材料からなり第１電極２１及び第２電極２２間に挟まれた抵抗層２４とを有する。 （もっと読む）

電流増幅型トランジスタ素子には、エミッタ電極とコレクタ電極との間に、有機半導体層が２層とシート状のベース電極とが設けられている。一方の有機半導体層は、エミッタ電極とベース電極との間に設けられた、ｐ型有機半導体層とｎ型有機半導体層とのダイオード構造を有する。前記電流増幅型トランジスタ素子と、その中に形成された有機ＥＬ発光素子部とを含む電流増幅型発光トランジスタ素子も開示されている。
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【課題】本発明は、簡素な工程で、デバイスの特性を均一化することができる半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板４０の表面の所定領域４１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜７０を形成するＬＯＣＯＳ酸化膜形成工程と、
該ＬＯＣＯＳ酸化膜７０と前記半導体基板４０の表面の境界を覆うように、ポリシリコン膜９０を形成するポリシリコン形成工程と、
該ポリシリコン膜９０をマスクとして、前記半導体基板４０の表面にイオンの打ち込みを行い、前記半導体基板４０の表面に、不純物領域６０を形成するイオン打ち込み工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン／オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極とコレクタ電極との間に、有機半導体層とシート状のベース電極とが設けられているトランジスタ素子において、該有機半導体層が、下記一般式（１）で表される化合物を含んでいるトランジスタ素子。
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【課題】キャリア移動度が高く、低駆動電圧で大電流変調を可能とする有機縦型トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機縦型トランジスタ１は、基板７と、エミッタ電極２と、第１有機半導体層３と、ベース電極４と、第２有機半導体層５と、コレクタ電極６とを備え、第１および第２有機半導体層３，５は、正孔輸送材料で形成され、各層を形成する有機半導体材料は、その分子構造に平面部分を有し、各分子の平面部分が基板７に対して略平行に配列し、その分子の形成するπ軌道が上下の分子のπ軌道と重なりを有し、分子が積層される配列方向に、エネルギー−波数（Ｅ−ｋ）の関係を示す所定のバンド分散幅を有したエネルギーバンドを形成する。エミッタ電極２は、正孔を第１および第２有機半導体層３，５に注入する電極であり、エミッタ電極２およびコレクタ電極６は仕事関数が大きい材料、ベース電極４は仕事関数が小さい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】
ベース電極とコレクタ半導体の電荷注入障壁の制御が可能である、高性能な縦型薄膜のトランジスタ素子および製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に、第一電極２０と、コレクタ半導体層３０と、ベース電極４０と、エミッタ半導体層３１と、第二電極２１とを順次積層するトランジスタ素子において、コレクタ半導体層とエミッタ半導体層の間にベース電極が存在するようにするとともに、コレクタ半導体層が金属酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

（例えばシリコン）バイポーラデバイス（４０、１００、１００’）の高周波性能は、外部ベースコンタクト（４６）とコレクタ（４４、４４’、４４”）との間の容量結合（Ｃｂｃ）の低減により向上される。外部ベースコンタクト（４６）をコレクタ（４４、４４’、４４”）の外周部（４４１）から隔てるように、製造中に誘電体突出部（４５３、４５３’）が作製される。誘電体突出部（４５３、４５３’）は、外部ベースコンタクト（４６）を真性ベース（４７２）に結合するトランジション領域（４６１）の下に位置する。デバイス製造中に、多層誘電体スタック（４５）が真性ベース（４７２）に隣接して形成され、真性ベース（４７２）から外部ベースコンタクト（４６）へのトランジション領域（４６１）を形成可能なアンダーカット領域（４５７、４５７’）の同時作製が可能にされる。キャビティ（４５７、４５７’）内に形成されたトランジション領域（４６１）が、それをコレクタ（４４、４４’、４４”）の外周部（４４１）から隔てる誘電体突出部（４５３、４５３’）の上に位置することで、ベース−コレクタ接合容量（Ｃｂｃ）が低減される。デバイスのｆ_ＭＡＸが有意に上昇される。
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【課題】有機半導体層と別の有機半導体層との界面に電荷移動層を容易に形成することを可能にする。
【解決手段】基板１１上に形成された第１電極層１２と、前記第１電極層１２上に形成された第１導電型の第１有機半導体層１３と、前記第１有機半導体層１３上の一部に形成された第２電極層１４と、前記第２電極層１４の一部に接触していて前記第１有機半導体層１３上に形成された前記第１導電型とは導電型が逆の第２導電型の第２有機半導体層１５と、前記第２電極層１４に接続されていて前記第１有機半導体層１３と前記第２有機半導体層１５とが接触することでその接触界面に生成される電荷移動層１６と、前記第２有機半導体層１５上に形成された第３電極層１７を有する。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下加熱処理などを行わずに、ＭＢＯＴ素子構造の改良により良好な電流増幅特性やＯＮ／ＯＦＦ比を得る。
【解決手段】 エミッタ電極とコレクタ電極との間に有機半導体層とシート状のベース電極が設けられている有機トランジスタ素子であって、前記ベース電極とコレクタ電極の間に、電荷透過促進層を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】大電流を含む変調電流で発光素子を低電圧駆動させることができるとともに、製造コストの点でも有利な駆動素子アレイを提供する。
【解決手段】パッシブマトリクス方式で電流駆動する発光素子２１と、その発光素子２１への電流供給を制御するカラム選択用トランジスタ３１Ａ及びライン選択用トランジスタ３１Ｂとを有する駆動素子アレイ１０であって、そのカラム選択用トランジスタ３１Ａとライン選択用トランジスタ３１Ｂを、発光素子２１と同一の基板１９上に形成された縦型有機トランジスタであるように構成して上記課題を解決した。この縦型有機トランジスタ３１Ａ，３１Ｂは、電流変調を容易に行うことができ、特に大面積の表示装置に用いる場合には大電流を発光素子列に供給することができる。さらに、縦型有機トランジスタ３１Ａ，３１Ｂには、光吸収層又は光反射層を施す等の遮光処理がなされていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。
【解決手段】各ＢＪＴのコレクタ領域は、半導体基板表面内に配置され、第１のシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域に隣接している。第２のＳＴＩ領域が形成され、この第２のＳＴＩ領域は、第１のＳＴＩ領域とコレクタ領域との間に延在し、約９０°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。例えば、第２のＳＴＩ領域は、約９０°未満のアンダーカット角度のほぼ三角形の断面を有していても、約９０°のアンダーカット角度のほぼ長方形の断面を有していてもよい。このような第２のＳＴＩ領域は、コレクタ領域の上側表面内に形成される多孔質表面部を使用して製作することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体層間の接合の端面におけるリーク電流を抑え、かつ、水分の侵入や放熱不足の問題を解消できるパッシベーション膜を備えたヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。エミッタメサおよびベース・コレクタメサの端部に凹部１１および１２を形成し、これらの凹部にそれぞれ絶縁性有機膜１３および１４を形成して、エミッタ層５の端面とベース層４との界面、およびベース層４とコレクタ層３との界面を絶縁性有機膜で被覆する。さらに、半導体層２〜６を被覆する緻密な無機パッシベーション膜１５を、例えばプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜によって形成し、開口部に電極７〜９を形成する。ＨＢＴ１０では、接合の端面が絶縁性有機膜１３および１４によって被覆されているので、接合部にプラズマダメージが生じることはない。 （もっと読む）