【課題】酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上のインジウムを含む酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分の表面層１５におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置が、表面層１５の下部に存在する酸化物半導体領域におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上のポリシリコン層３８が臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の臭素陽イオン４５ａや臭素ラジカル４５ｂでエッチングされ、次いで、該エッチング中に生成された臭化珪素系デポ物４４が酸素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の酸素ラジカル４６や窒素ラジカル４７で酸化処理されて酸化珪素に変成し、該酸化珪素がアルゴンガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中のフッ素陽イオン４８ａやフッ素ラジカル４８ｂで引き続きエッチングされることによって、ホール４３のエッチングレート低下が防止される。 （もっと読む）

【課題】従来の複数の処理室が設置された半導体処理装置において、ガスを混在させずに複数の処理室に、半導体処理装置のウェハ処理能力が損なわれることなく、並行して試料を搬送する装置を提供する。
【解決手段】試料を内部に収納して大気と真空を切り替えるロック室と、ロック室とそれぞれの真空処理室の間を相互に隔離した状態で接続する真空搬送室と、真空搬送室を経由してロック室とそれぞれの真空処理室の間で試料を搬送する搬送手段と、ロック室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替えるロック室バルブと、真空処理室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替える処理室バルブと、該バルブの開閉のタイミングを制御する制御手段を備え、試料の搬送に同期してバルブの開閉タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率を有する多孔性の絶縁膜における比誘電率の増大を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】
比誘電率が２．２以下である多孔性、且つ低誘電率の絶縁膜Ｉを誘導結合プラズマによってエッチングするに際し、一般式Ｃ_ａＦ_ｂＸ_ｃにて表されるフルオロカーボン系のガス、又はＣ_４Ｆ_８をエッチングガスとして用いるとともに、該エッチングガスの圧力を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａに維持する。加えて、高周波アンテナ３０に１００Ｗ〜６００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可してエッチングガスを用いたプラズマを誘起する。上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】常圧搬送室に大掛かりな腐食対策をする必要がなく、またスループットも低減することのない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで常圧搬送室であるローダーモジュール１５を通過させることがなく基板Ｗを搬送するための迂回経路２４を設ける。当該迂回経路２４には、ロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送する副搬送ユニット３６が配置される。この副搬送ユニット３６によってロードロック室１４ｂからストレージ２６まで処理済みの基板Ｗを搬送し、ローダーモジュール１５の主搬送ユニット１８によってストレージ２６から載置台２２ａ〜２２ｃの運搬容器に処理済みの基板Ｗを戻す。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを高効率で冷却するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、基板吸着電極４０とトレイ吸着電極２０２を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入される。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面に基板２が載置される。基板２は基板吸着電極４０により基板載置面に静電吸着され、トレイ１５はトレイ吸着電極２０２によりトレイ支持面に静電吸着される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Ｃｕえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗値の異常やショートの抑制。
【解決手段】層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン注入１０１等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク１０２した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏３００度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理１０３，１０４するものである。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削（チャンファー）、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法を提案する。
【解決手段】 窒化物半導体ウエハー外周部を０〜４０重量％の酸化物砥粒を含むゴム砥石或いは発泡レジンボンド砥石でチャンファーし、外周部に加工変質層を０．５μｍ〜１０μｍの厚さで残すようにする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、全体の処理時間を短縮できるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】処理ヘッド１０からＨＦを含むガスを吹出し、ＳｉＮｘを含む被処理物２の表面に上記ＨＦを含むガスを大気圧近傍下で接触させてエッチング処理する。処理ヘッド１０に隣接させて洗浄部２０を配置する。搬送手段６によって、被処理物２を処理ヘッド１０と対向させた直後に洗浄部２０と対向させる。洗浄部２０から水等の溶媒を吹出し、エッチング処理により生じたケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムを溶媒に溶解して除去する。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温で基板上のレジストを除去する。
【解決手段】レジスト除去装置１はレジスト１７の除去に供される基板１６を加熱可能に格納すると共に大気圧よりも低圧のもとオゾンガスと共に不飽和炭化水素ガスまたは不飽和炭化水素のフッ素置換体ガスが供給されるチャンバ２を備える。チャンバ２は基板１６の温度が９０℃以下となるように内圧が制御される。前記オゾンガスとしてはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスが挙げられる。前記処理した基板１６には洗浄するために超純水を供給するとよい。チャンバ２は基板１６を保持するサセプタ１５を備える。サセプタ２は赤外光を発する光源４によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜のエッチングの際にエッチングバリアとして用いられる感光膜パターンの歪み又は損失を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部を設けた半導体成膜用基板の、真の製造効率を向上させるための製造方法を提供すること。
【解決手段】
基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。半導体の成膜に適さない不良基板の発生が抑えられるので、基板の真の製造効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】誘電部材に凹条及び凸条が設けられたプラズマ処理装置において、組み立て作業の容易化及びパーティクルの発生防止を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１の第１電極２１の第２電極２２を向く面２１ａを第１誘電部材３１で覆い、第２電極２２の第１電極２１を向く面２２ａを第２誘電部材３２で覆う。第１誘電部材３１の第２誘電部材３２との対向面に凸条３１ａ及び凹条３１ｂを形成する一方、第２誘電部材３２の第１誘電部材３１との対向面における少なくとも凸条３１ａ及び凹条３１ｂと対応する部分３２４を平坦にする。この平坦部分３２４を凸条３１ａに当接させるとともに凹条３１ｂの第２誘電部材３２側の開口を塞ぐ。 （もっと読む）

【課題】銅薄膜にダメージを与えないエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。シリコン層１７をエッチングした後に、Ｏ₂ガスのプラズマに曝すか、水洗すれば、銅薄膜表面に残留するハロゲンガスが除去されるので保存性も高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化する。
【解決手段】酸素が存在しない雰囲気下において少なくとも炭化珪素を含む処理対象物の表面をフッ化物プラズマにより洗浄することによって炭化珪素を純化する。これにより、簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化することができる。 （もっと読む）