【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部３００と、プラズマ生成部３００の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング１１０と、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持するサセプタ１１２と、プラズマ生成部３００で供給されたプラズマを基板Ｗへ噴射する噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成されたバッフル１４０と、を含み、バッフル１４０は噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース１４１を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

【課題】
ダイポール式のＪ−Ｒ電極を用い、安定な静電吸着の確保とプラズマ電位の上昇による異常放電の抑制が可能なプラズマ処理装置および方法を提供する。
【解決手段】
ダイポール式のＪ−Ｒ電極（内側吸着電極１５、外側吸着電極１６）を備えた静電吸着装置２を有するプラズマ処理装置において、内側吸着電極１５及び外側吸着電極１６から流れるリーク電流をリーク電流検出計３０で検出し、検出されたリーク電流の差が所定の範囲内となるように内側吸着電極１５及び外側吸着電極１６へ印加される電圧を制御部３１で制御する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０は、線状のアンテナ導体１３と、アンテナ導体１３の周囲に設けられた誘電体製保護管１４と、誘電体製保護管１４の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体１３の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管１４を少なくとも１箇所覆うと共に少なくとも１個の開口１５３を有する堆積物シールド１５とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも１箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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【課題】プラズマ処理装置の処理容器内の金属面とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。
【解決手段】金属表面波計測装置１０００は、電磁波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するプラズマ処理装置２０００に設けられ、処理容器内部の金属とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。金属表面波計測装置１０００は、プラズマに近接して設けられた金属からなるプローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃと、プローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃに電気的に接続されたオシロスコープ１０３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の温度上昇を抑制する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、下側容器１２の内側表面にリフレクタ４２を設置する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をリフレクタによって反射することにより、下側容器の温度上昇を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板エッチング表面の損傷欠陥を回復し、エッチングガスやさらには酸素やガリウム等の除去を行う方法、それにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板表面にエッチング処理が施されたダイヤモンド基板であって、結晶構造(100)、 (111)又は(110)のいずれかの面方位、これら面方位の組合わさった結晶のダイヤモンド基板表面、若しくは結晶面方位がランダムで複数面方位を有するチップ状、針状、ドーム状、半球状、球状、柱状、多面体、三角錐、円錐構造から選ばれる形状のダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程と、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は、酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を含むことを特徴とするダイヤモンド基板の表面処理方法及びそれにより得られる欠陥回復ダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】本処理時間に対する準備時間を短縮し生産効率を向上させる。
【解決手段】ＭＭＴ装置２００はウエハＷに処理を施す処理室２０１と、処理室２０１内に設置されウエハＷに処理を施す処理ステージＳ２ステージとウエハＷを授受する授受ステージＳ１とを移動するサセプタ２１７と、授受ステージＳ１に対向した処理室２０１の開口を開閉するゲートバルブ２４４と、サセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉を制御するコントローラ１２１を備えている。コントローラ１２１はサセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉とを並行処理させる。サセプタの移動とゲートバルブの開閉を並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】大量、かつ高速プロセスを行うため、密度の高い均一性と高密度のプラズマを発生すること、大面積のプラズマを発生させること、大電力で運転しても誘電体窓の熱破壊を防止すること、が可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波電力を供給して処理室にプラズマを発生させるプラズマ処理装置にあって、マイクロ波電力を供給するために配設された導波管と、前記導波管の管軸方向に沿って設設された複数個のマイクロ波結合孔と、前記導波管の管軸方向に沿って、かつマイクロ波結合孔の下方に配設された１枚板からなるマイクロ波が透過可能な誘電体部材と、前記複数個のマイクロ波結合孔と前記誘電体部材との間に設けられた隙間と、前記誘電体部材を冷却するための冷却手段と、を具備するマイクロ波プラズマ処理装置であり、また、好ましくは該マイクロ波結合孔として、環状形状をしたマイクロ波結合孔を用いる。 （もっと読む）

【課題】被加工試料面での光干渉により被加工材料のエッチング量を計測しエッチング終点を判定するプラズマ処理装置において、光導入部の長寿命化と採光量確保を両立し、長期安定稼動と正確なエッチング量検出による加工精度向上を可能とする。
【解決手段】シャワープレートと下部電極間にプラズマを生成し被加工試料を処理するプラズマ処理装置におけるシャワープレートを介して被加工試料表面からの光を検出する検出器は、光が入力される光伝送体からなる光導入部と、光導入部で得た光を分析する分光器を備え、光導入部の光が入力される端面は、前記シャワープレートのプラズマ側の端面から、該真空容器内でのガス分子の平均自由工程の５倍以上の距離を置いて配置される。 （もっと読む）

【課題】
処理対象の試料の異物による汚染の発生を抑制して処理の効率を向上させた真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】
減圧された内部で基板状の被処理物が処理される処理室と、被処理物を処理装置内に搬入または搬出する導入室と、内部が減圧されて前記処理室と導入室との間で前記被処理物を受渡しする搬送室とを備えた真空処理装置であって、前記搬送室と前記処理室との間に配置された中間室と、前記搬送室，中間室，処理室の各々の間に配置され内部に前記被処理物が搬送される開口を有した接続部と、これら接続部の各々の前記開口を気密に開閉する弁と、前記中間室の圧力を前記搬送室及び処理室とは独立に調節可能な圧力調節手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】直径３００ｍｍ以上のウエハを広い範囲にわたりより均一に高精度に処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】減圧可能な容器１内に配置されその上面に半導体ウエハ３が載せられる試料台２と、試料台２の上方で対向して半導体ウエハ３に載せられる面に並行に配置され容器１内に形成されるプラズマに面する略円形の導電性板７と、導電性板７に連結され試料台２と導電性板７との間の容器１内の空間にプラズマを形成するため電力を供給する電源１１と、空間１に炭素及びフッ素を含むガスを供給する供給口とを備え、導電性板７に供給される電力の周波数ｆ１が、真空中の光の速度Ｃ及び前記ウエハの直径Ｄに関し１００ＭＨｚ＜ｆ１＜（０．６×Ｃ）／（２．０×Ｄ）Ｈｚの範囲であって、試料台２の上面と導電性板７との間の距離を２０から１００ｍｍの間にして前記半導体ウエハを処理するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室１００内に配置された試料台１５０を備え、試料台の保持ステージを保護する電極カバー３を具備し、プラズマを発生して保持ステージに載置されたウエハをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、電極カバー３は、少なくともウエハ端部の直下に位置する表面、又はプラズマと接する表面を、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、ＹＦ_３のいずれかを主成分とした耐プラズマ性材料またはこれらの混合材で被覆する。 （もっと読む）

【課題】エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング面の平坦性が2nm以下であり、かつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあり、10μm以上の高さを有するダイヤモンド構造体及びダイヤモンド上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、酸素ガスを含む雰囲気でプラズマエッチングを行い、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス又は塩素系ガスを加えて、平坦化プラズマエッチングを行うダイヤモンドエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管３６を取付け、その保護管３６の外周面に熱電対３８を取付け、その起電圧をセンサ入力部９８でアナログ／デジタル変換して全体制御部９０へ入力し、処理ガスの流量制御弁９２３をフィードバック制御する。したがって、プラズマの点灯状態を反映した制御が可能になり、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。真空容器１２内の一方の電極２４側に設けられた被エッチング材料３０をプラズマによりドライエッチングする。被エッチング材料３０はポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を、０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件で、プラズマ処理装置１０の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、ポリマー材料に平滑加工面を形成する。 （もっと読む）