【課題】高い形状精度を要求される光学素子の加工において、形状修正加工と平滑化加工のための加工時間を短縮する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームを被加工物表面１００に対して同一の相対運動で同時に照射し、被加工物表面１００の加工を行う。同一の相対運動をする複数の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームは、ラスター走査軌跡１０３に沿った走査速度を可変制御することで形状修正加工を行う形状修正加工用イオンビーム１０１である。第２の荷電粒子ビームは、前記走査速度の変化に応じてパルス幅や電流量を可変制御することで平滑化加工を行う平滑化加工用イオンビーム１０２である。被加工物表面１００における単位到達粒子数分布が異なる複数の加工を同時に行うことで加工時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより確実に堆積物を除去することができ、堆積物の残留に起因する不具合の発生を防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】酸素ガスと窒素ガスとを含み、窒素ガス流量／（窒素ガス流量＋酸素ガス流量）が０．０５〜０．５の範囲のクリーニングガスを、載置台上に基板が載置されていない状態で前記処理チャンバー内に導入し、載置台と上部電極との間に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを発生させ、処理チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】多層レジストや、メタルゲート／Ｈｉｇｈ−ｋ等の積層膜のドライエッチング加工において、高精度の加工精度が要求される。
【解決手段】複数層の連続エッチング加工において、エッチング後の寸法測定することなく、加工の形状または寸法を、真空処理室１の内壁または半導体基板４と、真空処理室１内に生成されたプラズマとの間の電荷量に応じて変動するバイアス電位を計測し、また、プラズマ中の波長の異なる各イオン種の発光強度を測定し、これらから予め設定したモデル式にて、各膜種のエッチング処理毎に、エッチング後の各膜種の加工寸法を予測し、次の膜のエッチング後寸法が、所定の寸法値になるよう処理条件を変更し、連続して次の膜種のエッチング処理を行うことで、寸法や形状を補正するドライエッチング方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して安定なプラズマ処理を実施することにより処理室内からの微細粒径の異物の発塵を低減し、半導体素子の生産効率を向上する。
【解決手段】処理ガスを導入するガス導入装置を備えた真空処理室と、該真空処理室内に配置され、導入された処理ガスにマイクロ波エネルギを供給してプラズマを生成するマイクロ波電源と、前記真空処理室内に配置された試料台を備え、前記試料台に高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを吸引して前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記マイクロ波のエネルギとしてプラズマが着火可能なエネルギである８ないし２００Ｗの低電力を供給して前記真空処理室内にプラズマを生成する第１のステップと、前記プラズマの生成確認後に、前記マイクロ波の電力としてプラズマを安定に生成してプラズマ処理可能な通常値を供給してプラズマを生成する第２のステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により消耗するフォーカスリングの消耗量に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記インピーダンス調整回路を制御することで変化させる一方、前記試料台に印加する前記高周波バイアス電力を、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで、前記所定の高周波バイアス電力に制御する。 （もっと読む）

本発明による大面積プラズマ処理装置は、複数の相互接続した基本共鳴メッシュ(M1,M2,M3)を有する少なくとも1つの平面アンテナを有する。各メッシュ(M1,M2,M3)は、少なくとも2つの導電性脚部(1,2)及び少なくとも2つのキャパシタ(5,6)を有する。高周波発生装置は、前記アンテナを該アンテナの共鳴周波数のうちの1つにまで励起する。処理チャンバは前記アンテナ(A)に近接して設けられる。前記アンテナ(A)は、明確に定められた空間構造を有する電磁場パターンを発生させる。これにより前記プラズマの励起を顕著に制御することが可能となる。
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【課題】トレンチ開口部に傾斜面を形成し、耐圧低下を防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】本発明にかかる製造方法は、半導体基板１０にトレンチ２１を形成する工程と、絶縁膜２３をトレンチ２１に堆積させる工程と、プラズマエッチングによりトレンチ２１底部の絶縁膜２３をエッチングするとともに、トレンチ開口部２１ａに半導体基板主面１０ａに対して傾斜角αをなす傾斜面２５を同時に形成する工程と、半導体基板１０の上面からトレンチ２１底部の絶縁膜２３に亘って半導体基板１０及びトレンチ２１を被覆するゲート絶縁膜２４を形成する工程と、ゲート絶縁膜２４上にゲート電極２２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ₆等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、真性アモルファスシリコン膜上の窒化シリコン膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 成膜された真性アモルファスシリコン膜21の上面には窒化シリコン膜22が成膜され、その上面にはレジスト膜23が形成されている。そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。したがって、この場合の選択比は約５である。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を伝送させる同軸管分配器に異なる分岐構造を含むプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、マイクロ波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するための処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を伝送する伝送線路と、処理容器１００の内面に設けられ、マイクロ波を処理容器１００内に放出する複数の誘電体板３０５と、複数の誘電体板３０５に隣接し、マイクロ波を複数の誘電体板３０５に伝送する複数の第１の同軸管６１０と、伝送線路を伝送したマイクロ波を複数の第１の同軸管６１０に分配して伝送する同軸管分配器６００と、を有する。同軸管分配器６００は、入力部Ｉｎを有する第２の同軸管６２０と、複数の第１の同軸管６１０に連結される異なる構成の分岐構造Ｂ１，Ｂ２とを含む。 （もっと読む）

【課題】形状性良くかつ高いエッチングレートで被エッチング膜をエッチングして高アスペクト比のホールを形成することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成し、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させ、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第２条件とを交互に繰り返し、第１条件によりプラズマ中の正イオンによりエッチングを進行させ、第２条件により負イオンを生成し、直流電圧により負イオンを前記ホール内に供給することによりホール内の正電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布の調整を容易に行うことができるプラズマ源およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ源２は、マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構３０と、生成されたマイクロ波をチャンバ１内に導入する複数のアンテナモジュール４１と、チャンバ１に隣接して設けられ、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を合成するマイクロ波合成部７０とを具備し、マイクロ波合成部７０は、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を空間合成する合成空間７４と、合成空間７４とチャンバ１との間に設けられた誘電体部材７２とを有し、合成空間７４で合成されたマイクロ波が誘電体部材７２を介してチャンバ１内に導入される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合に、プラズマ発生時点または基板９を搬入する搬入開始時点など、異常放電の検出時点から所定時間だけ遡った遡及時点および異常放電の検出時点の双方を含んで設定される抽出対象時間帯に対応する動画データを履歴データとして記憶させる。これにより、プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。高周波誘導アンテナとプラズマ間の容量結合を遮断し誘導結合させるファラデーシールド９には、位相検出器４７−２による監視の基に、位相制御器４４から制御を受けたファラデーシールド用高周波電源４５からの出力が整合器４６を介して電源供給される。複数のフィルター４９が、ファラデーシールド９を異なる箇所で高周波電圧をグラウンドに短絡させており、発生するプラズマ生成用高周波と同一周波数を持つ不均一な電圧分布の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１、絶縁体からなりドーム状の真空容器蓋１２、ガス導入口３、真空処理室１の外部上方に設けた高周波誘導アンテナ（アンテナ）７、真空処理室１内に磁場を形成する磁場コイル８１、８２、磁場の分布を制御するヨーク８３、アンテナ７に高周波電流を供給するプラズマ生成用高周波電源５１、前記磁場コイルに電力を供給する電源とを備え、アンテナ７をｎ個の高周波誘導アンテナ要素７−１（図示せず）、７−２、７−３（図示せず）、７−４に分割し、分割されたアンテナ要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された各アンテナ要素に遅延手段７−２〜７−４を介して順次高周波電源の波長λ／ｎずつ遅延させた高周波電流を右回りに順に遅れて流れるようにするとともに、前記磁場コイルより磁場を印加してＥＣＲ現象を発生させるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】開口面積の広いガードリング（ＧＲ）や開口面積の小さいビアホール（Ｖｉａ）を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ１６に印加される第２の高周波電力を、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜又はフォトレジスト膜にデポが堆積する第１のパワーと、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする第２のパワーとの間でパワー変調させると共に、第２の高周波電力を変調する際のデューティー比（第２のパワー時間／１周期全体の時間）を２５〜８０％、好ましくは２５〜５０％としてウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電気回路を電気的に安定して取付可能とする。
【解決手段】インピーダンス整合器の出力部分に設けられたソケット４０は、円筒形状に成形された金属体４０ａの中心部に、給電棒３２を嵌め込んで保持するための嵌込孔４１を備えている。嵌込孔４１の内壁には、絶縁物からなる被膜層４２が設けられており、給電棒３２との間が電気的に絶縁されている。第２の高周波電源５１にて生成された高周波電力は、誘導結合により給電棒３２に伝達される。 （もっと読む）

【課題】真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内の下部に配置されその上面に試料が載置される載置台と、真空処理室の上部を形成して前記載置台上方のプラズマ生成空間を覆うベルジャ１２と、前記ベルジャ外周に配置され前記真空処理室内の前記プラズマ生成空間にプラズマを生成するための高周波電界を供給するコイル状のアンテナ１と、前記アンテナとベルジャ間に配置するとともに高周波バイアス電圧が付与されるファラデーシールド８と、前記ベルジャ及びファラデーシールドの下端部下方で前記真空処理室を構成して配置された導体製のリング状部材４と、前記リング状部材及び前記ベルジャの内周側壁面をすき間を開けて覆って配置され所定の電位にされた導体製の板状部材２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】輝度が改良された半導体発光装置とそれを製造するための方法の提供。
【解決手段】半導体発光素子の光取り出し表面へ自己組織化膜により凹凸構造を形成する際に、電極部分の厚さに起因する凹凸構造が形成できない部分を減少するため、電極形成部分を保護膜により保護し、最後に電極を形成する。このとき、光取り出し表面と電極との間にオーミックコンタクトを生成させるコンタクト層を設ける。 （もっと読む）