【課題】地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法は、プラズマ生成室に１００容量％のフッ素ガス（Ｆ₂）である処理ガスを供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とする。また、前記プラズマから負イオンまたは正イオンを、個別にまたは交互に、あるいは、負イオンのみを選択的に引き出して中性化することにより中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを基板に照射して基板処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】ホール形状を垂直として微細化を図ることができるとともに、従来に比べて工程数を削減することができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内にポリイミド膜を形成するポリイミド膜形成工程と、前記基板を、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を覆うマスクを使用せずに異方性エッチングして、前記ホール内の側壁部の前記ポリイミド膜を残したまま、前記ホール内の底部の前記ポリイミド膜の少なくとも一部を除去して貫通させるプラズマエッチング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程とを具備した半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供する。
【解決手段】反応器１内を減圧し、ガス導入管４からプロセスガス（ＳＦ₆ ，Ｃ₄ Ｆ₈ 及びＯ₂ の混合ガス）をプラズマ発生室２ａ内に導入する。コイル３に交流電圧を印加してプラズマ発生室２ａ内にてプロセスガスのプラズマを発生させ、同時に基板電極１１に交流電圧を印加して、発生させたプラズマを反応室２ｂ内に引き込み、引き込んだプラズマにより、プラテン６に載置した試料２０（エッチングマスクが形成されたシリコン材）をテーパ状にエッチングする。エッチング後のシリコン材のエッチングマスクに接する面積が、エッチングマスクより狭い。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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高速の原子層エッチング（ALET）を行うシステムおよび方法であり、パルスプラズマ源と、反応チャンバを有している。プラズマ源は、螺旋状コイル電極と、冷却されるファラデーシールドと、管の上部に配置されたカウンタ電極と、ガス注入口とを有し、反応チャンバは基板サポートと境界電極を有する。この方法は、プラズマエッチングチャンバの中にエッチング可能な基板を設置する段階と、基板の表面上に生成層を形成する段階と、プラズマ源をパルス駆動することによって生成層の一部を除去する段階と、その後、生成層を形成する段階と生成層の一部を除去する段階とを繰り返してエッチングされた基板を形成する段階を有する。
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【課題】プラズマ処理のための方法及び装置を本願において提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、内部処理容積を有する処理チャンバと、処理チャンバに近接して配置された、ＲＦエネルギーを処理容積に結合するための第１ＲＦコイル１１０と、処理チャンバに近接して配置された、ＲＦエネルギーを処理容積に結合するための第２ＲＦコイル１１２とを含み、第２ＲＦコイル１１２は第１ＲＦコイル１１０に対して同軸に配置され、第１及び第２ＲＦコイル１１２は、第１ＲＦコイル１１０を流れるＲＦ電流が第２ＲＦコイル１１２を流れるＲＦ電流とは異相になるように構成される。 （もっと読む）

【課題】個々の半導体発光装置を区画する素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜の側面の所定位置で終端している保護膜を安定的に形成することにより、高い歩留りを確保する。
【解決手段】成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。素子分割溝を形成する工程は、エッチングによる表出面の半導体膜２０の主面に対する傾斜角が第１の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、エッチングによる表出面の半導体膜２０に対する傾斜角が第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングして傾斜角が異なる表出面を形成する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、チャンバ１０内の圧力に応じてアンテナ−コイル間隔制御部７２により補正リング７０の高さ位置を可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】負荷インピーダンス測定回路の測定誤差や実プロセス中の高周波の波形ひずみ等に起因する負荷インピーダンス測定精度の低下を補償すること。
【解決手段】この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。そして、ロギング終了後に、メモリに取り込んである全ての反射波電力測定値の中で最小のものを最小値決定処理で決定し、この反射波電力最小値が得られたときの基準インピーダンスを当該実プロセスに対応する整合ポイントとして登録する。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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【解決手段】
ＲＦ駆動プラズマのＲＦ電圧信号を測定することによってウェハのバイアス電圧を補償するための方法および装置であって、少なくとも静電チャック（ＥＳＣ）、容量分圧器、信号処理および信号調節ネットワークを含むことを開示する。バイアス補償装置は、ＥＳＣのＲＦ電圧を検知する容量分圧器と、対象の特定のＲＦ信号をフィルタリングする目的のための信号調節ネットワークと、フィルタリングされたＲＦ信号からＤＣウェハ電位を計算するための信号処理部とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】 エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 処理対象物Ｓをシリコン酸化層とシリコン層とが積層されたものとし、この処理対象物を、処理室１内に設けられバイアス電圧を印加し得るステージ１０上に配置し、この処理室内にフッ素含有ガスを含むエッチングガスを導入してプラズマ雰囲気を形成すると共に処理対象物に所定値のバイアス電圧を印加し、シリコン層をエッチングする。シリコン層のエッチングが進行してシリコン酸化物層が露出するまでに、バイアス電圧を所定値以下に低下させるか、または、バイアス電圧の印加を停止する。 （もっと読む）

【課題】Ｃ及びＯを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】基板４０２上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を、真空容器４０１内において、プラズマ４１４を生成するためのプラズマ生成ガス並びにＣ及びＯを成分とするガスを含有するガスを用いて加工する際、プラズマ４１４を生成するためのアンテナ４１１に印加する電力をパルス変調し、アンテナ電力が高いときには真空容器４０１内への前記Ｃ及びＯを成分とするガスの導入を抑制するとともに、アンテナ電力が低いときには真空容器内へＣ及びＯを成分とするガスを導入するよう、Ｃ及びＯを成分とするガスの導入を、パルス変調したアンテナ電力に同期させる。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、下部電極１６に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源８９および相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極34に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも一部を維持するための電流を伝導するコイルを備える。プラズマ処理システムは、さらに、位相角を測定することなく供給電流の量を測定して供給電流の電流量測定値を提供するためにコイルに接続されたセンサを備える。供給電流は、上記の電流、または、（例えば、上記の電流を含む）複数の電流を提供するために用いられる全電流である。プラズマ処理システムは、さらに、位相角測定値に関連する情報を用いることなく、電流量測定値および／または電流量測定値を用いて得られた情報を用いてコマンドを生成し、供給電流の量および／または全電流の量を制御するためのコマンドを提供するために、センサに接続された制御器を備える。 （もっと読む）