【課題】多層レジストマスクを用いたシリコン酸化膜等のプラズマエッチング後にパターンの倒壊等により発生するラインウィグリングやストライエーションを防止，抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は、多層レジストマスクを用いて、被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、前記多層レジストマスクは、上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストを含み、前記下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程を有することを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの化学的性質、密度、イオン・エネルギー、及びそれらの２つ以上のパラメータを正確に制御する装置を提供することである。
【解決手段】３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。装置は、チャンバ１０、ＲＦて電力供給５１、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成６７、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極１４および底部電極１３ならびに周辺の頂部４２および／または底部電極３４、を含む構成である。前記装置で前記プラズマ処理を実施することで課題を解決する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、プラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、処理室内の電極に半導体基板を載置する載置工程と、電源回路から前記電極に電力を供給するとともに、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させる発生工程と、前記発生工程で発生したプラズマの電位と電力が供給された前記電極の電位との差であるバイアス電圧を検出する検出工程と、前記検出工程で検出されたバイアス電圧が目標値に一致するように前記電源回路の容量値を補正する補正工程と、前記補正工程が行われた後に前記検出工程で検出されたバイアス電圧が前記目標値に一致した状態で、前記プラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を加工する加工工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】正イオンによるエッチング効率を低下させることなく、負イオンを有効利用して全体としてのエッチング効率を高めることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマＲＦ及びバイアスＲＦをそれぞれパルス波として印加し、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦを共に印加してプラズマ中の正イオンによって基板にエッチング処理を施す正イオンエッチングステップ３ｂと、プラズマＲＦ及びバイアスＲＦの印加を共に停止して処理室内で負イオンを発生させる負イオン生成ステップ３ｃと、プラズマＲＦの印加を停止し、バイアスＲＦを印加して負イオンを基板に引き込む負イオン引き込みステップ３ａとを順次繰り返し、バイアスＲＦのデューティー比をプラズマＲＦのデューティー比よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】高電力供給時の高温環境下でも破損しない電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー１の壁を貫通する端子導入孔１ｂに気密に固定される一端部１１ａ₁および貫通孔１１ａ₃を有する碍子１１ａと、碍子１１ａの他端部１１ａ₂に配置される貫通孔を有する蓋体１１ｂと、碍子１１ａの貫通孔１１ａ₃と蓋体１１ｂの貫通孔に挿通される一端および一端の蓋体近傍部分に形成された雄ネジ部１１ｃ₁を有する棒状導電体１１ｃと、棒状導電体１１ｃの雄ネジ部１１ｃ₁に螺着される雌ネジ部を有する締結部材１１ｄと、蓋体１１ｂと締結部材１１ｄとの間に圧接して配置される緩衝部材１１ｅとを備えた電力導入端子。 （もっと読む）

【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源１８に接続され且つウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配された上部電極板２８と、サセプタ１２及び上部電極板２８の間の処理空間ＰＳとを備え、プラズマを用いてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置１０は、上部電極板２８における処理空間ＰＳに面する部分を覆う誘電体板２７を備え、上部電極板２８は、ウエハＷの中央部と対向する内側電極２８ａと、ウエハＷの周縁部と対向する外側電極２８ｂとに分割され、内側電極２８ａと外側電極２８ｂとは互いに電気的に絶縁され、内側電極２８ａには第２の可変直流電源３３から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極２８ｂは電気的に接地される。 （もっと読む）

【課題】単一の電源及び単一のマッチングボックスにより、各被エッチング物の最適な周波数を用いてエッチングする。
【解決手段】被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、前記バイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段とを備えたドライエッチング装置によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０では、チャンバ１１にエッチング用のガスが導入されるとともに、高周波電源１６によって高周波コイル１５に電圧が印加されることにより、チャンバ１１内にプラズマが発生する。チャンバ１１内には、半導体基材Ａを保持する基材ホルダー電極２０と、基材ホルダー電極２０に対応して配置される陰極２１とが設けられる。陰極２１には、高圧パルス電源２２により負電圧が印加される。分光計２３は、半導体基材Ａの発光態様を測定する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内壁表面に発生する自己バイアスを抑制することにより、真空処理室内壁表面の削れあるいは真空処理室内パーツの消耗を抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は真空処理室と、前記真空処理室の上部を閉塞する真空処理室蓋と、誘導アンテナと、前記誘導アンテナと前記真空処理室蓋との間に設置されたファラデーシールドと、前記誘導アンテナに高周波電力を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記誘導アンテナは、２つ以上に分割され、前記ファラデーシールドは、前記誘導アンテナの分割数に応じた分割数で分割され、また、一つの前記高周波電源から整合器を介して、高周波電圧を印加されることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＳＦ_６ガスとおよびＯ_２ガスを用いてシリコン及びＳＯＩ基板にＴｒｎｃｈ又はＶｉａを形成する際に、マスク加工寸法異常やマスク消失を抑制し、かつウエハ面内の形状差を抑制する方法を提供する。
【解決手段】シリコン及びＳＯＩ基板２に溝および／または穴を形成するエッチング方法であって、フッ素含有ガスと酸素含有ガスと珪素含有ガスの混合ガスを用いて、プロセスガス導入口４から反応容器１内に導入して混合ガスプラズマを生成し、反応容器１内に設置する基板２を載置する電極（試料台）３内外に温度差を設け、かつ高周波バイアス電源１１から高周波電力を時間的に変調した間欠的な高周波のバイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】プロセスに応じて適正にＡ／Ｃ比を制御する。
【解決手段】第１の高周波電源１４０からプラズマ生成用の高周波電力を印加して処理容器内のプラズマ処理空間Ｕにプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマ処理装置は、バイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源１５０と、プラズマ処理空間Ｕを形成する処理容器１００の内壁に少なくとも一部が接し、処理容器内にて上下動することによりプラズマ処理空間Ｕの接地容量を調整する調整機構２００とを有し、プラズマ処理方法では、第２の高周波電源１５０から印加される高周波電力が５００Ｗ以下の場合、調整機構２００を可動範囲の上側に位置付け、該高周波電力が１５００Ｗ以上の場合、調整機構２００を可動範囲の下側に位置付ける。 （もっと読む）

【課題】
ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。
【解決手段】
プラズマ処理装置において、ウエハ２を戴置するための戴置電極４のバイアス印加部分をウエハ２の中心付近と外周付近で内側電極４−１と外側電極４−２に分割し、ウエハ２に入射するイオンを加速するための第１のバイアス電力２１−１と第２のバイアス電力２１−２をそれぞれ２つに分岐し、電力分配器２９−１、２９−２を用いて内側電極４−１と外側電極４−２に電力比を調整して供給する。 （もっと読む）

【課題】稼動状態を維持したまま処理室内から付着物を除去することが可能なプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比でも異なる開口幅のトレンチの深さ制御が行え、かつ、プロセス時間の増大を抑制できるようにする。
【解決手段】エッチングステップ時にＭ種類の異なる幅の複数のトレンチ３３のうちＮ番目（ただし、ＮはＭ未満の整数）に幅の狭いトレンチ３３の底面上で保護膜３４が除去されたタイミングに合せて、当該エッチングステップの残り時間内でＮ番目のトレンチ３３の底面上におけるシリコンのエッチング量が（Ｎ＋１）番目に幅の狭いトレンチ３３の底面上におけるシリコンのエッチング量以上になるように、反応性イオンエッチングにおける入射イオンのエネルギー値を設定する。 （もっと読む）

【課題】イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置としてのプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１に設けられ、半導体ウエハＷが配置されるウエハ設置電極１２と、ウエハ設置電極１２に対向するようにチャンバー１１内に設けられた対向電極１３と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧を印加する高周波電源１４と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧と重畳するように負の第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１を印加する第１のＤＣパルス電源１７Ａと、第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１のオフ期間に、対向電極１３に負の第２のＤＣパルス電圧Ｖ_２を印加する第２のＤＣパルス電源１７Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる温度に調整される２つ以上の領域を有する構造体であって、水平方向の熱伝導を抑制すると共に、垂直方向からの入熱に対してはスムーズな熱の移動を確保して熱的特異点の発生を抑制することができる複数領域温度分割制御構造体を提供する。
【解決手段】表面温度がそれぞれ異なる温度に制御されるセンターエリア５１及びエッジエリア５２と、その間に配置され、センターエリア５１とエッジエリア５２の配列方向に沿った熱伝導率が、配列方向に交差する方向における熱伝導率よりも小さく、水平方向の熱伝導に対して、例えば断熱材として機能し、且つ垂直方向の熱伝導に対して、例えば熱伝導材として機能する傾斜材５６を配置する。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンスの可変範囲内の広域にわたって処理速度の制御を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】 基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成電極と、プラズマ生成電極に高周波電力を印加する高周波電源と、基板支持部に設けられ基板の電位を制御するインピーダンス可変電極と、インピーダンス可変電極に接続され、プラズマ生成電極のピーク間電圧値の逆数に応じてインピーダンスを変更可能なインピーダンス可変機構と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、少なくともインピーダンス可変機構を制御する制御部と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】形成されるパターンのアスペクト比が高くてもパターンが歪むのを防止することができるエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】処理室１５内部にプラズマ生成用の高周波電力５５が印加され、サセプタ１２にイオン引き込み用の高周波電力５６が印加され、上部電極板２７に負の電位の直流電力が印加される基板処理装置１０において、ウエハＷ上のフォトレジスト膜４５において形成されたパターン４４の形状を改良する際、フォトレジスト膜４５をプラズマでエッチングし、該フォトレジスト膜４５を用いてＳｉＯ_２膜４０をプラズマでエッチングする際、負の電位の直流電力を上部電極板２７に印加するとともに、プラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６をパルス波状に印加してプラズマ生成用の高周波電力５５及びイオン引き込み用の高周波電力５６が印加されない状態を作り出す。 （もっと読む）