【課題】エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。
【解決手段】多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。割り当てバイアス電圧レベルは、ウェーハアーク放電を低減する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。これにより、マスクパターンに対応したエッチングパターンを高精度に形成でき、形状特性に優れた表面構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は磁場または排気偏芯によりウエハ上に拡散したプラズマの偏芯を補正することができるプラズマを発生させる手段を有するプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明は、試料をプラズマ処理する真空処理室と真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と真空処理室内に配置され、試料を載置する試料台と真空処理室外に設けられた誘導コイルと誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とプラズマと容量結合するファラデーシールドとを具備するプラズマ処理装置において、誘導コイルと真空処理室の上面を形成する誘電体封止窓との間に設置された偏芯補正手段を有し、偏芯補正手段は、プラズマの偏芯を補正するプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に応じて、適切なイオンエネルギー分布を形成できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにプラズマ処理のバイアス電圧決定方法の提供。
【解決手段】載置台２が内部に配置された真空チャンバ１１と、載置台２にＤＣパルス電圧であるバイアス電圧を印加するＤＣパルス電圧発生部３と、を備える。ＤＣパルス電圧発生部３は、イオンのエネルギー値を横軸にとり、イオンの頻度を縦軸にとったイオンエネルギー分布図において、前記ＤＣパルス電圧の振幅値に対応してピークが現れることを利用して、前記振幅値が互に異なる複数種のＤＣパルス電圧を発生させ、これにより前記分布図において互に隣接するピーク同士が重なり合って重なり領域を形成するイオンエネルギー分布パターンがプラズマ処理に適切なパターンとなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】本発明は厚さが２００ｎｍから５００ｎｍの磁性膜をドライエッチングするプラズマ処理方法において、レジスト膜と、前記レジスト膜の下層膜である非有機系の膜と、前記非有機系の膜の下層膜であるＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜の下層膜であるＡｌ₂Ｏ₃膜とを含む積層膜を前記磁性膜の上に成膜した試料をドライエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理装置１１は、その内部において被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、処理容器１２内にプラズマ処理用のガスを供給するガス供給部１３と、処理容器１２内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台１４と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器１５と、マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波を用いて、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理容器１２内の圧力を調整する圧力調整手段と、支持台１４に交流のバイアス電力を供給するバイアス電力供給手段と、バイアス電力供給手段における交流のバイアス電力を、停止および供給を交互に繰り返しながら行うよう制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】平行平板型ＲＩＥ装置において、チャージアップダメージとパターンノッチングが軽減された効率的な処理を可能とする基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、前記チャンバ１１内に配置される第１の電極１３と、前記チャンバ１１内に前記第１の電極１３と対向して配置され、基板１５を保持する第２の電極１６と、前記第２の電極１６に５０ＭＨｚ以上の周波数のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源１９と、前記第２の電極１６に、前記ＲＦ電圧と重畳して負電圧パルスおよび正電圧パルスを含む電圧波形を繰り返し印加するパルス電源２１から成る基板処理装置１を用いたエッチング処理において、前記パルス電源２１から負パルス電圧を印加し、続いて正パルス電圧を印加する間に浮遊電位を出力する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において、高周波給電部（特に整合器）内のパワー損失を少なくして、プラズマ生成効率を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、同軸アンテナ群５４とトランス部６８との間で複数の独立した閉ループの二次回路９６，９８を形成し、可変コンデンサ６４，６６の静電容量を可変することにより、同軸アンテナ群５４の内側アンテナ５８および外側アンテナ６０でそれぞれ流れる二次電流Ｉ_2A，Ｉ_2Bを各々任意かつ独立に制御して、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度分布を径方向で自在に制御できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】特に真空処理装置において、被処理体を破損することなく略均一に被処理体を加熱できるようにした被処理体の加熱冷却方法を提供する
【解決手段】基板ステージ２に設けた正負一対の吸着電極１４ａ乃至１４ｄ間に所定の電圧を印加して基板Ｗを静電吸着し、基板ステージ２に組み込んだ加熱手段または冷却手段により基板を所定の温度に加熱または冷却する。基板の温度が所定の温度に達するまでの間に、この吸着電極の印加電圧を三角パルス状に変化させ、この印加電圧が低くなるときに吸着電極と被処理体とを実質的に縁切りする。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理条件が切り替わる際における、インピーダンス整合が取れるとともにプラズマが安定化するまでに要する時間を短縮することに適した電源制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部を有するプラズマ処理装置の電源制御装置であって、前記プラズマ発生部に電力を供給するための高周波電源と、第１の処理条件のプロセス情報に対応した第１の整合値と第２の処理条件のプロセス情報に対応した第２の整合値と前記第１の処理条件から前記第２の処理条件へ切り替わる過渡状態のプロセス情報に対応した第３の整合値とを含む整合情報を記憶する記憶部と、前記整合情報に基づきインピーダンス整合を行う整合回路とを備えたことを特徴とする電源制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 縦横比が大きい回路パターンを容易に形成可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態による基板の蝕刻方法はチャンバー内に基板サポート上に基板を提供する段階、前記チャンバー内にプラズマ内で前記基板内に形成物を蝕刻する段階、前記形成物内に正電荷を減少させる段階、および前記形成物内に正電荷を減少させた後に、プラズマ内で前記基板内に前記形成物をさらに蝕刻する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】加工精度を向上できる制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内に配され被処理基板が載置される電極と、前記電極に電力を供給する第１の電源回路と、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に電力を供給する第２の電源回路とを有するプラズマ処理装置を制御する制御装置であって、前記第１の電源回路から出力されるパラメータを検知する検知部と、前記検知部により検知されたパラメータが目標値に一致するように、前記第２の電源回路により供給される電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができ、処理室内のプラズマ密度を均一化して基板に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷに所定のプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、ウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられた上部電極板３０ａと、サセプタ１２及び上部電極３０ａの一方に高周波電力を印加して処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源２０と、処理空間Ｓに対向する内壁構成部材と、を有し、処理空間Ｓの周辺部に対向する上部電極３０ａにホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられ、ホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられた上部電極３０ａはシース電圧調整用の直流電源３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートあるいは所望の加工形状をウエハ面内で均一に得ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置１１３と、前記真空処理容器内に試料を載置して保持する載置電極１１５と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源１１７と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイル１０７，１０８，１０９と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１とを備え、前記高周波バイアス電源は２ＭＨｚ以上の高周波であり、前記載置電極上の前記真空処理容器のプラズマ生成領域に対向する面に形成されたアース領域の高さ以下の領域の磁束密度は２０ｍＴ以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマを均一に形成して大口径のウエハに対しても均一にエッチング加工することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入する手段を有し、該処理ガスを真空室外に排気する排気装置を有し、該真空処理室上部から高周波を導入し、該処理室外部に少なくとも２つのソレノイドコイルを有し、該真空処理室内に設置したシリコン基板を処理するプラズマエッチング装置において、第一のソレノイドコイルを該真空処理室の上部に配置し、該第一のソレノイドコイルの内径が２５０mm以上５００mm以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】微細な加工処理に有効な中密度プラズマ領域での高い制御性とウエハの大口径化に対応した均一性とを両立できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気手段により排気された真空処理室と、真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、前記真空処理室に備えられた誘電体製のマイクロ波透過窓と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、真空容器に磁場を発生させるためのソレノイドコイルとヨークとを備えたプラズマ処理装置において、前記した誘電体製マイクロ波透過窓の中央部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の概略１／４突出させる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）