【課題】プロセス性能に悪影響を及ぼすことなく、また異物を発生させることなくプラズマ消火時のチャージングダメージの発生を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハを載置し、高周波バイアス電源と接続され高周波電力が印加されるウェハ載置電極１０３と、ウェハ載置電極１０３に対向して配置された上部電極１０２と、ウェハ載置電極１０３の周辺部に配置され、高周波電圧が印加される導電性リング１０５とを有するプラズマ処理装置において、過渡プラズマであるプラズマ消火の際、ウェハ中心部のセルフバイアスとウェハ外周部のセルフバイアスの差を低減できるようにウェハ載置電極１０３に印加される高周波電圧に対する導電性リング１０５に印加される高周波電圧の比率を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓをエッチングするドライエッチングを複数回行うことによって同基板Ｓの厚さ方向に段差を形成するデバイスを製造するに際し、凹部Ｓ２用マスクＥＭ２を用いて基板Ｓに第２の凹部Ｓ２を形成し、この凹部Ｓ２及び該凹部に隣接した段差形成部Ｓ３を露出させる段差用マスクＥＭ１を用いて第２の凹部Ｓ２及び段差形成部Ｓ３をエッチングして、第２の凹部Ｓ２と段差形成部Ｓ３とで段差Ｓ１を形成する。このとき、段差Ｓ１を形成する工程では、基板Ｓに印加される高周波電圧の電圧振幅を、第２の凹部Ｓ２を形成する工程の電圧振幅よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生する反応空間に対して遠近方向に、また平面的にも広い範囲でプラズマ処理が可能な大気圧プラズマを小さな入力電力で発生することができる大気圧プラズマ発生方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応空間１に第１の不活性ガス５を供給するとともに高周波電源４から高周波電界を印加することで、反応空間１からプラズマ化した第１の不活性ガスから成る一次プラズマ６を吹き出させ、この一次プラズマ６が衝突するように、第２の不活性ガスを主とし適量の反応性ガスを混合した混合ガス８が存在する混合ガス領域１０を形成し、プラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマ１１を発生させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起効率の高い小型のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置１０と、マイクロ波発生装置１０で発生されたマイクロ波を放射するスロットアンテナ２１ｂと、内管２０ａと外管２０ｂからなる同軸構造を有し、内管２０ａの一端にスロットアンテナ２１ｂが取り付けられ、マイクロ波発生装置１０で発生させたマイクロ波をスロットアンテナ２１ｂへ導く同軸導波管２０と、誘電体材料からなり、スロットアンテナ２１ｂを保持する共振器２２と、共振器２２が配置される開口面を有し、スロットアンテナ２１ｂから共振器２２を通して放射されたマイクロ波が導かれ、かつ所定の処理ガスが供給され、マイクロ波によって処理ガスが励起されるプラズマ励起用のチャンバ所定の処理ガスが供給されるプラズマ励起用のチャンバ２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】波長変換ユニットや波長変換用の設備が不要で、装置のコンパクト化・低コスト化を図れる極めて実用性に優れた有機デバイスの製造装置並びに有機デバイスの製造方法の提供。
【解決手段】基板上に有機化合物層を含む複数の薄膜層を積層して成る有機デバイスを製造する有機デバイスの製造装置であって、前記各薄膜層を夫々レーザアブレーション加工するレーザ加工部を備え、このレーザ加工部は、前記各薄膜層に、夫々１０００〜１６００ｎｍの範囲で同一の波長の短パルスレーザを０．１〜１．５Ｊ／ｃｍ^２のフルエンスで照射してレーザアブレーション加工するように構成する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】有機膜および無機膜を備えた積層膜の各膜に対して均一に一貫処理を施す。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給管を備えた真空容器１と、該真空容器内に配置された基板電極３と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されたアンテナ電極７と、前記基板電極とアンテナ電極間の距離を処理雰囲気中で変更可能な電極間距離調整手段を備え、前記アンテナ電極に高周波エネルギを供給して供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成し、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して、生成された前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記試料は有機膜と無機膜を積層した構造を備える絶縁膜構造を具備し、前記有機膜をエッチングするときは、前記無機膜をエッチングするときよりも前記電極間距離を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の時間効率を高めつつ、電極の変形を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対が放電を開始され（ＳＴ０）次に、電極対に一の値の交流電力Ｐ１を供給し続けながら第１のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ１）。次に、電極対に一の値よりも大きい値の交流電力Ｐ２を供給し続けながら第２のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ２）。最終的に、さらに大きい値の交流電力Ｐ３を供給し続けながら第３のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ３）。かくして、電極の変形を抑制しながら効率的にプラズマ処理が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のプラズマを好適に制御するための方法を提供する。
【解決手段】真空プラズマ処理装置の高周波バイアス電源への反射電力量に不連続が起こる傾向を、高周波バイアス電源の出力電力を制御して、真空処理チャンバ内のプラズマ５０に供給される電力が実質的に一定になるようにして抑える。高周波バイアス電源の出力電力を、高周波バイアス電源とワークピースホルダ処理装置の電極とを接続するマッチングネットワーク１０８の容量変化よりも非常に速く変化させる。プラズマの容量インピーダンス成分を、チャンバ内のプラズマシースの厚みを光学的に測定することによって求める。 （もっと読む）

プラズマチャンバ内のイオンエネルギーを調整するためのシステム、方法、および装置を開示する。例示的システムは、イオンエネルギー制御部分を含み、イオンエネルギー制御部分は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を示す、少なくとも１つのイオンエネルギー設定に応答して、少なくとも１つのイオンエネルギー制御信号を提供する。コントローラは、スイッチモード電源に結合され、コントローラは、少なくとも２つの駆動制御信号を提供する。加えて、スイッチモード電源は、基板支持部、イオンエネルギー制御部分、およびコントローラに結合される。スイッチモード電源は、基板の表面に衝突するイオンのエネルギーの所望の分布を生じさせるように、駆動信号およびイオンエネルギー制御信号に応答して、基板に電力を印加するように構成される、スイッチング構成要素を含む。
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【解決手段】高アスペクト比特徴をエッチングするための装置が提供される。プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、下部電極と、上部電極と、ガス入口と、ガス出口とを含むプラズマ処理チャンバが提供される。上部電極又は下部電極の少なくとも一方に、高周波数無線周波数（ＲＦ）電源が電気的に接続される。上部電極及び下部電極の両方に、バイアス電力システムが電気的に接続され、該バイアス電力システムは、上部電極及び下部電極に少なくとも５００ボルトの大きさのバイアスを供給することができ、下部電極に対するバイアスは、断続的にパルス化される。ガス源が、ガス入口と流体接続している。ガス源、高周波数ＲＦ電源、及びバイアス電力システムには、コントローラが可制御式に接続される。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加を抑えて、通常のコンタクトとシェアードコンタクトとをそれぞれ良好なコンタクト特性を有するようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の不純物拡散領域１０６ａに接続するとともに、第１のゲート電極１１２ａとは接続しないように形成された第１のコンタクト１２４と、第２のゲート電極１１２ｂおよび第２の不純物拡散領域１０６ｂに共通して接続するように形成された第２のコンタクト１２６とを含む。第１のコンタクト１２４および第２のコンタクト１２６は、それぞれ、層間絶縁膜１２２の表面から基板１０１に向かう途中の位置でテーパー角度が小さくなるように変化する形状を有し、第２のコンタクト１２６においてテーパー角度が変化する位置が、第１のコンタクト１２４においてテーパー角度が変化する位置よりも基板１０１に近い。 （もっと読む）

【課題】励起電力印加部の出力変動と、バイアス電力印加部の出力変動のタイミングを調整し、バイアス用高周波電力の振幅の増大を抑制して異常放電等の問題の発生を未然に防止する基板処理方法を提供する。
【解決手段】載置台２３と、これに対向配置された上部電極２４と、上部電極２４にガス励起用高周波電力を印加する励起電力印加部３５と、下部電極２３にバイアス用高周波電力を印加するバイアス電力印加部２７とを有する基板処理装置を用いた基板処理方法において、励起電力印加部３５の出力を所定のタイミングで変更してガス励起用高周波電力が間欠的に変化するように制御すると共に、励起電力印加部３５の制御により収容室内にプラズマが無い状態又はアフターグロー状態のときには、バイアス電力印加部２７をオフにするか又はその出力が、励起電力印加部の出力が設定出力のときのバイアス電力印加部の出力よりも垂下するように制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波電源装置が出力する高周波電力の進行波の基本周波数成分を正確に検出して、高周波電力の制御を精度良く行い得るようにする。
【解決手段】周波数が高周波信号発生部１の出力周波数に等しく、振幅が一定な基準高周波信号を得る基準高周波信号生成部と、高周波信号発生部１から電力増幅部４に与える高周波信号の振幅レベルを調整する振幅レベル調整部３と、電力増幅部４の出力から高周波電力検出信号を得る高周波電力検出部と、基準高周波信号と高周波電力検出信号とを掛け合わせる高周波掛算器８と、高周波掛算器の出力から直流分を抽出して電力増幅部４が出力している高周波電力の進行波の基本周波数成分を示す進行波検出信号を得るローパスフィルタ９と、進行波検出信号のレベルを基準信号のレベルと等しくするように振幅レベル調整部３に振幅レベル制御信号を与える振幅レベル制御信号発生部１２とを設けた。 （もっと読む）