【課題】ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法では、ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から半導体素子を形成する。本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。そして、プラズマ条件を適宜に設定することにより、溝の内側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴状の溝を形成する。この結果、形成される半導体素子は、側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴構造を有することになり、ｐｎ接合部における耐圧性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部５０を設ける。電気特性調整部５０は，処理空間Ｋから上部電極４に流れ込む電流の電流値が最大にならないように，プラズマＰから見た上部電極４側の回路の電気特性を調整できる。エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】加工物の表面のすべてに隣接して均一な密度を有するプラズマを提供し、一連の加工物を順次処理するために、均一密度のプラズマを一貫して再現することができるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。処理ガスからプラズマを生成するために、プラズマ励起源に動作可能に接続されるパワー電極が基板サポートの一側に配置され、反対側には接地電極が配置され、加工物に対して垂直な電場が生成される。チャンバ内における処理ガスの均一な分配と加工物の対称的な配置は、加工物（５６）に隣接してイオンの均一な密度のプラズマを提供する。処理システム制御（３０４）は、システムの動作を自動化し、処理ガスのフロー、チャンバの排気、およびプラズマ励起パワーの印加を制御して、処理サイクルの長さを最小限に抑え、プラズマ処理の均一性を最適化する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率を有する多孔性の絶縁膜における比誘電率の増大を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】
比誘電率が２．２以下である多孔性、且つ低誘電率の絶縁膜Ｉを誘導結合プラズマによってエッチングするに際し、一般式Ｃ_ａＦ_ｂＸ_ｃにて表されるフルオロカーボン系のガス、又はＣ_４Ｆ_８をエッチングガスとして用いるとともに、該エッチングガスの圧力を０．５Ｐａ〜５．０Ｐａに維持する。加えて、高周波アンテナ３０に１００Ｗ〜６００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可してエッチングガスを用いたプラズマを誘起する。上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 現状では、次世代のSOI膜である完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)は、厚さ制御の均一性及び欠陥に限界があるので、製造されていない。
【解決手段】 本発明は、少なくとも1つの直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)処理システム並びに関連する直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)手順及びDC/RFH処理パラメータ及び/又はDC/RFHモデルを用いることによってリアルタイムで基板及び/又はウエハを処理する装置並びに方法を供することができる。 （もっと読む）

【課題】コイルとプラズマ間の容量結合を減らし、プラズマチューブ内表面の腐食を有意に減らすＲＦプラズマソースの提供。
【解決手段】プラズマソース２００は、第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６を有するコイル２０２、コイル２０２に接続されたＲＦ電源２０８、および第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６間に配設されたエンクロージャ２１０を備える。さらに中間コイルセグメント２２２は、第１コイルセグメント２０４、第２コイルセグメント２０６間に電圧ノード（接地に関連する低電圧領域）を提供する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト及びエッチング残渣の除去方法
【解決手段】方法は、プラズマアッシングに対し先行する誘電層のプラズマエッチングの間形成されたフォトレジスト残り及びエッチング残渣を取り除くことを提供する。アッシング方法は、酸素含有ガスを含み、基板からフォトレジスト残りとエッチング残渣のかなりの量を除去するため低バイアスもしくはゼロバイアスを基板に印加する第１のクリーニングステップと、加えてチャンバ表面からの不利益なフルオロカーボン残渣をエッチングし除去する２ステッププラズマを使用する。増加されたバイアスは、フォトレジストの残りと、エッチング残渣を基板から除去するために第２のクリーニングステップにおいて基板に印加される。２ステッププロセスは、従来の１ステップアッシングプロセスに共通に観察されるメモリー効果を減らす。終点検出の方法は、アッシングプロセスをモニタするのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ負荷の影響によって高周波電力の伝送路上で高調波成分が発生し波形歪みが起きた場合においても、安定した静電吸着電圧に制御する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１０５内でウエハを載置する下部電極と、該電極にウエハ１１３を静電吸着させる直流電源１０７と、下部電極に接続された高周波バイアス電源１１０と、上部電極１０３と、該電極に接続されたプラズマ生成用高周波電源１０１と、下部電極に印加されている高周波電圧Ｖppを検出する高周波電圧Ｖpp検出手段１１９と、を有し、ウエハの静電吸着力を所定範囲に制御するためにＶppを用いて静電吸着用直流電圧を制御するプラズマ処理装置において、高周波電圧Ｖpp検出手段は、Ｖppの基本周波数成分を検出する基本波成分Ｖpp検出手段１１５と、Ｖppの平均値を検出する平均値Ｖpp検出手段１１６と、Ｖppの実効値を検出する実効値Ｖpp検出手段１１７とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】基板を下部電極から取り除くことを含むデチャック操作を最適化するための方法。この方法は、デチャック操作中に形成されるプラズマの電気特性データの第１のセットが閾値を通過するかどうかを決定するために初期解析を実施することを含む。もし、そうである場合は、不活性ガスをオフにする。方法は、また、基板を上方方向に移動させるためにリフトピンを下部電極から僅かに上昇させることも含む。方法は、更に、リフトピンによって作用される力の量を含む機械データの第１のセットを閾値と比較することを含む機械的及び電気的解析を実施することを含む。機械的及び電気的解析は、また、電気特性データの第２のセットを閾値と比較することも含む。もし、両者がともにそれぞれの閾値を通過する場合は、基板解放事象が発生しているゆえに、基板を下部電極から取り除く。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波のエネルギを伝達する伝達系中の熱による損傷を回避することを可能とする構造を備えるプラズマ生成装置及び該プラズマ装置の伝達系中のマイクロ波のエネルギ損失を考慮したプラズマ生成方法を提供することが課題である。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマグネトロンと、第１導波管と、マイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、プラズマを吹き出すための開口部を備えるノズル体とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 （もっと読む）

本発明は、シリコン基板の表面の気相中でのテクスチャリング方法および太陽電池用のテクスチャード加工シリコン基板を提供する。上記方法は、上記表面をSF₆/O₂高周波プラズマに2分〜30分の範囲内の時間暴露させてピラミッド構造を示すテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造する少なくとも１つのステップa)を含み、上記SF₆/O₂比が2〜10の範囲内にある。本発明によれば、ステップa)においては、上記高周波プラズマによって発生させた出力密度は2500mW/cm²以上であり、反応チャンバー内の圧力は13.332Pa (100ミリトール)以下であって、転倒タイプのピラミッド構造を有するテクスチャード加工表面を有するシリコン基板を製造するようにする。
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【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器内にエッチングガスを用いたプラズマを発生させて基板電極にバイアス電力を供給することにより基板の表面に凹部を形成するエッチング工程Ｓ１と、ターゲット電極に高周波電力を供給してフッ素樹脂ターゲットをスパッタすることにより基板に形成された凹部の側壁に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２とを繰り返すドライエッチング装置及びドライエッチング方法であって、保護膜形成工程Ｓ２では、フッ素樹脂ターゲットをスパッタしつつ、真空容器内に塩素、臭素、ヨウ素からなる群から選択された一つのハロゲン元素を含む反応ガスを供給することにより、フッ素樹脂ターゲットの構成材料と選択されたハロゲン元素とが含まれるかたちで保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制することができるとともに、プラズマ処理状態の微細な制御を行うことができプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極又は上部電極にプラズマ生成用の第１の周波数の高周波電力を印加するための第１の高周波電源と、下部電極に第１の周波数より周波数の低いイオン引き込み用の第２の周波数の高周波電力を印加するための第２の高周波電源と、下部電極と絶縁された状態で、当該下部電極上の少なくとも周縁部に設けられたバイアス分布制御用電極と、バイアス分布制御用電極に、第２の周波数より周波数の低い第３の周波数の交流又は矩形波の電圧を印加するためのバイアス分布制御用電源とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマソース周波数に重畳されると共にカソードに印加される切替可能なバイアス周波数を有するプラズマ処理チェンバーを提供する。
【解決手段】マルチＲＦバイアス周波数が生成できるパワーサプライヤーはスイッチを介して一つのマッチングネットワークに結合される。前記マッチングネットワークは前記バイアス周波数の中の一つを前記カソードに結合させる。もう一つのマッチングネットワークはソースRFのパワーを前記カソードに印加させる。可変シャントコンデンサと固定コンデンサの一つの並列接続はグランドとスイッチの入力の間に設置され、可変シャントコンデンサと固定コンデンサのもう一つの接続は グランドと前記ソースRFのマッチングネットワークの入力の間に設定される。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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【課題】基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓをエッチングするドライエッチングを複数回行うことによって同基板Ｓの厚さ方向に段差を形成するデバイスを製造するに際し、凹部Ｓ２用マスクＥＭ２を用いて基板Ｓに第２の凹部Ｓ２を形成し、この凹部Ｓ２及び該凹部に隣接した段差形成部Ｓ３を露出させる段差用マスクＥＭ１を用いて第２の凹部Ｓ２及び段差形成部Ｓ３をエッチングして、第２の凹部Ｓ２と段差形成部Ｓ３とで段差Ｓ１を形成する。このとき、段差Ｓ１を形成する工程では、基板Ｓに印加される高周波電圧の電圧振幅を、第２の凹部Ｓ２を形成する工程の電圧振幅よりも小さくする。 （もっと読む）