【課題】 装置の大型化を招くことがなく、被処理物の全面に亘って均一に垂直磁場が印加されるようにした簡単な構造のＲＩＥ装置を提供する。
【解決手段】 処理室２内で被処理物の保持を可能とするステージ８と、処理室内でステージに対向配置されたガス導入部３を有するガス導入手段とを備え、真空雰囲気にて処理室内にエッチングガスを導入してプラズマ化すると共に、ステージに高周波電位を印加し、プラズマ中のイオン種やラジカルを前記基板ステージで保持された被処理物Ｓに加速して衝突させ、被処理物をエッチングする反応性イオンエッチング装置であって、ステージで保持された被処理基板に対して垂直磁場を印加する磁場発生手段を設けたものにおいて、磁場発生手段は、処理室内で相互に向かい合う面の極性を変えて対向配置した一対の磁石９ａ、９ｂから構成される。 （もっと読む）

急速熱プロセスの間に基板の均一な加熱または冷却を達成するための装置および方法が、開示される。より詳しくは、基板を横断する温度均一性を改善するために急速熱プロセスの間に基板を支持するエッジリングおよび／または反射体プレートの温度を制御するための装置および方法が、開示され、それは、エッジリングを加熱または冷却するためにエッジリングに隣接する熱質量またはプレートを伴う。
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【課題】安価で且つ精度の高い温度測定を行うことが可能な温度測定装置、これを用いた載置台構造及び熱処理装置を提供する。
【解決手段】所定の熱処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台３２に設けられる温度測定装置において、載置台内に、載置台の厚さ方向に沿って埋め込まれると共に上端部が表面に露出しているプローブ本体５４と、プローブ本体の下端部の加熱及び／又は冷却を行うことできる温調手段５６と、プローブ本体の上端部の温度を測定する第１の温度センサ５８と、プローブ本体の下端部の温度を測定する第２の温度センサ６０と、第１の温度センサと第２の温度センサの測定値の温度差を求める温度差検出部６２と、温度差検出部から出力される温度差に基づいて該温度差がゼロになるように温調手段を制御することにより被処理体の温度を求める温度測定制御部６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。
【解決手段】一対の対向する電極２１，２３間の放電によるプラズマを用いて容器の１３中の対象物２９を処理するプラズマ処理装置１１であって、熱伝導性の側壁１９を有する容器１３と、側壁１９の外側に設けられ、側壁１９に熱を与え、又、側壁１９から熱を奪う流水管３７と、伝熱性の材料からなり、温度によって変形することによって側壁１９との接触面積が変化する防護シールド３３ａ，３３ｂと、防護シールド３３ａ，３３ｂを側壁１９の内側に熱伝導可能に取り付ける取付部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】試料最外周近傍での温度分布の不均一が抑制でき、製品コストの低減が図れるようにしたプラズマ処理装置を提供することことにある。
【解決手段】上面に静電吸着用の誘電体膜３５が設けられ内部に冷媒の流通路が形成されている試料台１１５を処理室内に配置し、試料台の上方にプラズマを形成し、誘電体膜３５上に載置した試料Ｗを処理するプラズマ処理装置であって、誘電体膜３５に熱伝達ガスが供給される第１の凹み部３１と第２の凹み部３４を設け、第１の凸部３１と第２の凸部３３を形成して静電吸着面とし、このとき寸法Ｌを調整して矢印Ａに沿って流出する熱伝達ガスの流量を制御し、試料Ｗの外周部で、試料台１１５の周辺部からはみ出した部分の温度が試料Ｗの外周部以外の部分の温度とは独立に制御できるようにした。 （もっと読む）

【課題】二重構造の処理チャンバにおいて、内側チャンバ内の異物を低減でき、長期にわたり安定した微細加工が可能であるプラズマ処理装置とする。
【解決手段】真空処理容器２００及び処理台２０１を備え、処理ガスに高周波電力を供給して処理２０１台上部の放電室２１０にプラズマを生成し、処理台２０１上に載置した試料２３２にプラズマ処理を施す装置において、真空処理容器２００は、該真空処理容器の上部開口部を覆う蓋部材２０６、前記処理台２０１を収容する内側チャンバ２１５と該内側チャンバを真空空間を介して収容する外側チャンバ２１７の内部真空室３０５を備えたチャンバ、及び、該チャンバと蓋部材を結合する筒状の放電室壁部材を備え、試料２３２と処理台２０１の間の伝熱用ガスを処理後に外側チャンバ２１７の内部真空室３０５に排気する。 （もっと読む）

基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
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【課題】大きいプラズマ熱流束を要せずに、リアクティブ・イオンエッチングの間に半導体ウェーハの温度を制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】温度制御型ベース（３０２）と、断熱材（３０４）と、平支持体（３０６）と、ヒータ（３０８）とを有するプラズマ加工機のチャック。温度制御型ベースは、ワーク（３１０）の所望温度以下の温度を有する。温度制御型ベース上には断熱材が配置される。断熱材上には平支持体が配置され、該平支持体はワークを保持する。ヒータは、平支持体内に埋設されおよび／または平支持体の下面上に配置される。ヒータは、複数の対応加熱ゾーンを加熱する複数の加熱要素を有している。各加熱要素に供給される電力および／または各加熱要素の温度は独立的に制御される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置の基板ホルダーに関するものであって、複数個の基板が装入される下板と、上記下板の上部に結合されて装入された基板を固定させる上板とを含み、プラズマ工程時に基板をホールディングするプラズマ処理装置の基板ホルダーであって、上記上板は、テフロン、セラミック、及び金属類の中から選択されたいずれか１つから構成され、上記下板はアルミニウムまたはセラミックから構成され、上記下板には工程時に基板の温度が均一に維持されるようにするガスが供給されるガス供給口が穿孔され、上記基板と下板との間には基板の温度均一性を維持するための恒温シートまたは恒温コーティング層を構成したことを特徴として、プラズマ工程時、基板の縁領域で発生するプラズマエッチングパターンの均一度を向上させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】加熱板上に基板を載置して基板の加熱処理を行うにあたり、加熱板の温度上昇及び温度降下を速やかに行うことができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を載置して加熱するための加熱板と、温調媒体の温度に応じて前記加熱板を温調するための加熱板温調部と、制御部と、を備え、前記制御部は、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも高い第１の温度に変更するために、加熱板温調部の流路にその第１の温度よりも高い温度に温調された温調媒体を供給する一方で、加熱板の温度を任意の温度からその温度よりも低い第２の温度に変更するために、加熱板温調部の前記流路にその第２の温度よりも低い温度に温調された温調媒体を供給するように媒体温調手段と及び供給手段の動作を制御する。それによって加熱板の昇温及び降温を速やかに行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物基板を除去する際のＩＩＩ族窒化物結晶のクラックの発生が抑制されるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物基板１０の一方の主面１０ｍ上に、ＩＩＩ族窒化物基板１０に対して構成原子の種類と比率およびドーパントの種類と濃度のうち少なくともいずれかが異なるＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物基板１０の他方の主面１０ｎに、ＨＣｌガス、Ｃｌ2ガスおよびＨ2ガスからなる群から選ばれる少なくとも１種類のエッチングガスＥを放射して、気相エッチングによりＩＩＩ族窒化物基板１０を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の開始前から絶縁基板を冷却し、絶縁基板の全面に対してプラズマ処理を均一且つ効率的に行うことができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】上面に絶縁基板Ｋが載置された静電チャック２１の電極２６，２７に直流電圧を印加するとともに処理チャンバ１１内に不活性ガスを供給し、不活性ガスをプラズマ化して静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着して保持した後、静電チャック２１上に吸着，保持された絶縁基板Ｋの裏面と静電チャック２１の上面との間に冷却ガスの供給を開始し、次に、不活性ガスに代えプラズマ処理用の処理ガスを処理チャンバ１１内に供給してその内部を処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着，保持しつつ且つ冷却ガスにより絶縁基板Ｋを冷却しつつ、プラズマ化した処理ガスによって絶縁基板Ｋを処理する。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚分布の良好な、化学気相成長により基板上に薄膜を成膜する成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内で生成ガス６を用いて化学気相成長により基板５上に薄膜を成膜するＣＶＤ装置１において、生成ガス６を導入するガス導入管２０がチャンバー１０の内壁に接して配管され、チャンバー１０内に配置され基板５に生成ガス６を供給する上部プレート１１に接続されている。このことから、チャンバー１０内部の温度とほぼ等しい生成ガス６が上部プレート１１のシャワープレート１３から吐出される。このことから、生成ガス６の吐出が所定の温度に保持された基板５の温度に影響を与えることなく、基板５面内の膜厚ばらつきの少ない成膜処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材中に埋設された金属端子に外部と接続するもしくは外部から電力を供給する金属接続部材を備える信頼性の高い接合構造、この接合構造を有する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体用サセプタ１は、窒化アルミニウムからなり、孔が設けられたセラミックス部材４と、セラミックス部材４に埋設されておりモリブデンからなる端子３と、孔に挿入されており端子３に接続されるモリブデンからなる接続部材５と、端子３と接続部材５とを接続するロウ接合層６とを有し、ロウ接合層６は、金（Ａｕ）のみからなる。 （もっと読む）

【課題】ポッピング現象を抑制することができるアッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１００の上方に形成されて表層に変質層１０１ｂが形成されたレジストパターン１０１に対し、酸素含有雰囲気中において加熱ガスを照射しながら、加熱ガスよりも低い温度にシリコン基板１００を冷却してレジストパターン１０１を除去するアッシング方法による。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材中に埋設された金属端子に外部と接続するもしくは外部から電力を供給する金属接続部材を備える信頼性の高い接合構造、この接合構造を有する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】孔４ａが設けられたセラミックス部材４と、セラミックス部材４に埋設され孔４ａの底部において露出するモリブデンからなる端子３と、端子３の露出面に接した第１タンタル層６ａ、第１タンタル層６ａ上の金層６ｂ、金層６ｂ上の第２タンタル層６ｃの三層からなるロウ接合層６と、孔４ａに挿入されロウ接合層６を介して端子３に接続される接続部材５と、を備え、端子３と接続部材５がセラミックス部材４と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属からなる接合構造１。 （もっと読む）

【課題】静電チャックを備えた基板載置台においては、静電チャック電極への給電線の周囲を絶縁材料で囲むため、伝熱の悪い部分が生じる。そこでこの部分の伝熱を補償して、基板全体の温度を均一にする手段を提供する。
【解決手段】給電線周囲の基板載置台表面に環状凸部を形成して、基板と載置台との間隙の空間を内側領域と外側領域に画定し、各領域に冷却ガスの供給管と排出管を配して、それぞれの領域の冷却ガス圧力を独立に制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法を提供する。
【解決手段】サセプタ（２０）の上部に置かれた基板を加熱するヒーター（１５ａ、１６ｂ）を備えており、第１の温度領域及び該第１の温度領域より高温である第２の温度領域を有するサセプタ（１２）と、前記第２の温度領域と熱接触する接触面（２１）を有する放熱部材（２０）とを含んで基板支持ユニットを構成する。放熱部材（２０）は接触面（２１）に取り囲まれたリング状で、放熱部材（２０）の接触面（２１）はサセプタ（１２）の下部面と熱接触する。 （もっと読む）