【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】疎部及び密部のそれぞれにおいて、所望の寸法のデバイスパターンを簡単にエッチングにより形成できるようにする。
【解決手段】金属層１２上に２層のマスク層１３，１４を形成する工程と、２層のマスク層１３，１４に対して、各層ごとに、デバイスパターンを疎に形成する疎部または密に形成する密部におけるＣＤシフト量を調整する１種類のエッチングパラメータを変更させてエッチングを行い、マスクパターン１３−１〜１３−４，１４−１〜１４−４を形成する工程と、マスクパターン１３−１〜１３−４を用いて金属層１２をエッチングし、ゲート電極１２−１〜１２−４を形成する。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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【課題】 材料プロセスツール及びパフォーマンスデータを用いてプロセスを制御する方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】 本発明の一実施形態によれば、材料処理システム（１）は、プロセスツール（１０）及びプロセスパフォーマンス制御システム（１００）を含む。プロセスパフォーマンス制御システム（１００）は、プロセスツール（１０）に結合されたプロセスパフォーマンスコントローラ（５５）を含み、プロセスパフォーマンスコントローラ（５５）は、プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）と、プロセス方法補正フィルタ（１２０）と、プロセスコントローラ（１３０）と、プロセスパフォーマンスモデル補正アルゴリズム（１５０）とを含む。プロセスパフォーマンス予測モデル（１１０）は、プロセスツール（１０）に結合された複数のセンサからツールデータを受取り、プロセスパフォーマンスデータを予測するように構成されている。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
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【課題】水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工処理装置１０は、水素雰囲気下にてシリコン基板２に近接させた電極１１とシリコン基板２との間に生成した水素プラズマ６を、シリコン基板２の表面に接触させてシリコン基板２をエッチングする。水素プラズマ６を生成するためのマイクロ波を出力するマイクロ波発振器２３と、電極１１を形成するパイプ内を通して水素ガスをシリコン基板２の加工面へ向けてプラズマ内部へ供給する水素導入ライン１２とを備える。シリコン基板２の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が小さく、スイッチング特性の高い薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製方法において、レジストマスクを用いてエッチングを行うことで薄膜トランジスタにバックチャネル部を形成し、このレジストマスクを剥離等により除去し、バックチャネル部の表層部に更なるエッチングを行う。これにより、バックチャネル部の表層部に存在する剥離に用いた薬液の成分又はレジストマスクの残渣等を除去し、リーク電流を低減することができる。バックチャネル部の更なるエッチングにはＮ_２ガス又はＣＦ_４ガスにより無バイアスで行うドライエッチングを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチング加工において、マイクロトレンチの発生を防止し、更には垂直加工形状およびマスク選択比の向上をも図ること。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。エッチングガスには、Ｃｌ₂ガスおよびＯ₂ガスを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦLを印加する。そして、自己バイアス電圧の絶対値を２８０Ｖ以下に選び、圧力（mTorr）をｘ、サセプタ１２におけるバイアスＲＦパワー密度（ワット／ｃｍ２）をｙとすると、ｙ＜８ｘ＋１２０の関係が満たされるようにする。 （もっと読む）

【課題】 処理室における載置台の降温効率を高め、降温時間を短縮できる方法を提供する。
【解決手段】 真空側搬送装置３１を用い、ロードロック室５ａ内で冷却されたウエハＷを処理室１ｂへ搬送し、処理ステージ２ｂへ移載する。処理室１ｂ内では、シャワーヘッド２０からのクーリングガスと、ウエハＷによる吸熱により、処理ステージ２ｂの降温が促進される。所定時間経過後、真空側搬送装置３１によって、処理室１ｂのウエハＷをロードロック室５ａに再び戻し、待機ステージ６ａに載置することにより冷却する。このサイクルを複数回繰り返し実施することにより、処理室１ｂの処理ステージ２ｂの降温速度を加速させる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンのトリミングの際にパターン倒れが発生し難く、パターンの縦方向のエッチング量を少なくすることができるプラズマ処理方法およびトリミングに先立ってレジストパターンを改質するレジストパターンの改質方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内にパターン化されたフォトレジストが形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器１０内に改質用処理ガスを供給する工程と、上部電極３４に第１の高周波印加手段４８から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成し、さらに、上部電極３４に直流電圧印加手段５０から負の直流電圧を印加することにより前記レジストパターンを改質する工程と、改質されたレジストパターンをプラズマエッチングしてトリミングする工程とを有する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。
【解決手段】半導体基板２０１上の積層化された薄膜２０２〜２０５と、積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクパターン２０６，２０８とを有する被処理材を、よりマスク寸法の小さいマスクパターンを形成するトリミング工程において、フリージング材料２０７に被覆されたフォトレジストマスクパターン２０６とフリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクパターン２０８を酸素ガス（Ｏ_２）を含む混合ガスを用いてマスクパターン２０６と２０８フのトリミングレートを同じにし、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、反射防止膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト層５３は反射防止膜５２の一部を露出させる開口部５４を有する基板Ｗを処理する基板処理方法であって、一般式ＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは、正の整数）で表わされるデポ性ガス、例えばＣＨ３Ｆガス及びＳＦ６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜５３の開口部５４の側壁面にデポを堆積させて縮小させると共に、反射防止膜５２をエッチングして縮小した開口部５４に対応する開口部を反射防止膜５２に形成するシュリンクエッチングステップを有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体をエッチングにより加工して高アスペクト比の微細構造を高精度に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムおよびリンを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０上にエッチングマスク１１ｐを形成する工程と、エッチングマスク１１ｐの形成後、プラズマエッチング装置のチャンバ内に配置された被加工物１０の上に、ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分からなる混合ガスを導入しこの混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物１０に入射させて被加工物１０を選択的にエッチングする工程とを含む。ヨウ化水素ガスおよび塩素ガスの２成分の総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比が７０％以上である。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板ホルダを提供する。
【解決手段】ホルダ本体１Ａの基板保持側に静電チャック３を備え、基板１０を静電吸着する基板ホルダ１であって、静電チャック３に内蔵され、基板１０を加熱する加熱手段４と、ホルダ本体１Ａの内部に形成され、循環媒体１０１を循環供給する循環媒体供給手段２に接続された循環媒体流通経路１００と、ホルダ本体１Ａと静電チャック３との隙間に伝熱ガスを封止して形成され、封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系１１０に接続された熱伝達能可変手段６と、静電チャック３と基板１０との隙間に伝熱ガスを封止して形成され、伝熱ガス供給系１２０に接続されたガス封止手段８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体とマスクとの間の選択比を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の配合比は、６０％以上８５％以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハのプロセス特性差の改善を図るとともに、フォトレジスト膜が各処理プロセスにおいて、所定量の残膜として維持され、酸化膜に対する選択比の低下を防止できるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】被処理基板１５を載置する基板載置台２上で被処理基板１５を囲む位置に配置され、前記被処理基板１５に対してプラズマ処理を施す際にプラズマを前記被処理基板に集束させるフォーカスリング５において、前記被処理基板のプラズマ処理中において、全周にわたって、その径方向外側領域が高温領域となり、径方向内側領域が低温領域となるよう、前記径方向内側領域と前記基板載置台２との間に熱伝達手段を設けるとともに、前記径方向外側領域と前記径方向内側領域との間に全周にわたって溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）