【課題】プラズマ処理の繰り返しに伴うトレイの削れに起因する基板の位置ずれを防止することでトレイの長寿命化を図り、それによってプラズマ処理装置の運用コストを低減する。
【解決手段】トレイ１１のトレイ本体４１には基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆが厚み方向に関するように設けられている。基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆの孔壁４２ａから突出する基板支持部４４に基板１２が支持される。トレイ本体４１の上面４２ａには基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆの周囲で突出する突起４５が設けられている。ドライエッチング処理の繰り返しでトレイ本体４１の上面４１ａの削れが進行しても、基板２は突起４５で規正されることで位置ずれを生じることなく基板収容孔４２Ａ〜４２Ｆに収容された状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。
【解決手段】フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。エッチングは第１エッチング工程と第２エッチング工程の２段階に分ける。第１エッチング工程では被処理物９０の温度を室温近傍にし、好ましくは２０℃〜３０℃にする。第２エッチング工程では被処理物９０の温度を５０℃〜１３０℃にし、好ましくは６０℃〜１１０℃にし、より好ましくは７０℃〜１００℃にする。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内の温度を、短いコントローラ応答時間及び高い安定性で制御する方法及びシステムが提供される。温度制御は、処理チャンバへのプラズマ電力入力から導かれたフィードフォワード制御信号に少なくとも部分的に基づく。フィードフォワード制御信号は、プラズマ電力に起因する温度の擾乱を補償するものであり、計測温度と所望の温度との間の誤差を打ち消すフィードバック制御信号と組み合せることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有する。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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【解決手段】プラズマエッチングシステムは、独立に制御可能な複数のヒーター領域を有する基板支持アセンブリを備える。プラズマエッチングシステムは、臨界デバイスパラメータのプレエッチング及び／又はポストエッチングの不均一性を補償可能に、所定位置のエッチング温度を制御するように構成される。 （もっと読む）

【目的】Ｃｕ配線寿命の劣化と絶縁膜の絶縁性劣化を共に低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、チャンバ内面にシリコン（Ｓｉ）膜を表面層とする多層膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記多層膜が内面に形成されたチャンバ内に、表面に銅（Ｃｕ）配線と絶縁膜とが形成された基板を配置して、希ガスプラズマ処理を行なう工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台１には、内部を冷媒が循環する第一の蒸発器２が設けられている。第一の蒸発器２は、圧縮機８、第一の凝縮器５、膨張弁９、第二の蒸発器３、冷媒温度計１０、冷媒流量計１１と共に冷却サイクルを構成している。第一の凝縮器５には熱交換用媒体が供給される。第二の蒸発器３に供給される冷却水の温度か、供給側水温度計１２及び排出側水温度計１３で計測され、また、冷却水の流量が流量調節器１４でモニタされ調整される。これにより、冷却水の供給側と排出側の温度差と流量が測定可能となる。第二の蒸発器３内において冷媒が完全蒸発する際に冷却水から吸収（熱交換）する熱量、冷媒循環量、冷媒温度より、試料台１から排出される冷媒の乾き度が算出され、圧縮機８の回転数が制御される。 （もっと読む）

真空中に配置される際，脱ガス処理をする基板（１）を処理する方法は，真空中上記基板を配置し，ある温度Ｔ１まで上記基板を加熱し，脱ガス速度が上記基板の汚損の拡散により決定され，かくして定常状態が確立されるまで，上記基板（１）から発せられるガス状コンタミネーションを除去し，脱ガス処理を実行する。その後，基板の汚損物の拡散速度が，温度Ｔ１におけるそれよりも低いある温度Ｔ２に温度は低下させられる。上記基板（１）は，金属を含むフィルム（１６）で覆われるまで，上記温度Ｔ２において更に処理される。
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【課題】磁性物質又は相変化物質を含む半導体素子のパターン構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、磁性物質又は少なくとも３つの元素を含む合金からなった相変化物質のいずれか一つの物質を含むエッチング対象膜を形成する段階と、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）ガスを含むエッチングガスを使って前記エッチング対象膜をプラズマ反応性エッチングすることによってパターン構造物を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板を高精度にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台にバイアス電位を与え、不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを基台上の半導体基板に入射させて半導体基板を加熱し、半導体基板の温度が２００℃〜４００℃の温度でエッチング時の温度になった後、エッチングガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、半導体基板の温度を前記エッチング時の温度に維持しながら半導体基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、
（１）基板のプロセス開始前に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度まで昇温させる第１の行程と、
（２）基板１０のプロセス開始時に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度より高い第２の設定温度まで昇温させる第２の行程と、
（３）基板１０のプロセス中に、第２の設定温度まで加熱された基板１０を第１の設定温度まで降温させる第３の行程と、
（４）基板１０のプロセス終了まで、基板１０を第１の設定温度に維持する第４の行程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法では、ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から半導体素子を形成する。本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。そして、プラズマ条件を適宜に設定することにより、溝の内側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴状の溝を形成する。この結果、形成される半導体素子は、側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴構造を有することになり、ｐｎ接合部における耐圧性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で、内ヒータと外ヒータとの互いの相対距離を適正に維持することができるヒータユニットを提供する。
【解決手段】 本発明に係るヒータユニット１は、通電によって加熱されるヒータ７と、該ヒータ７の平面方向の位置を規制する複数の位置決め部材４と、を備え、前記ヒータ７は、内周側に配置される内ヒータ８と、該内ヒータ８の外周側に配置される外ヒータ９とからなり、前記位置決め部材４は、内ヒータ８と外ヒータ９との間に配置されて、これら内ヒータ８および外ヒータ９の位置を規制するように構成している。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】 現状では、次世代のSOI膜である完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD SOI)は、厚さ制御の均一性及び欠陥に限界があるので、製造されていない。
【解決手段】 本発明は、少なくとも1つの直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)処理システム並びに関連する直流(DC)/高周波(RF)ハイブリッド(DC/RFH)手順及びDC/RFH処理パラメータ及び/又はDC/RFHモデルを用いることによってリアルタイムで基板及び/又はウエハを処理する装置並びに方法を供することができる。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）