【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】横方向電界で液晶分子を回転させる方式を用いた場合、液晶は電極に対して基板から離れた方向に配置される。つまり、基板側に生じる電界は液晶分子の回転に寄与しない。そのため、電界の利用率が低下する。また、電気抵抗が低い結晶型ＩＴＯを用いた場合、ドライエッチングでは残渣が残り、ウェットエッチングでは寸法精度が出せないという課題がある。
【解決手段】電極間に位置する誘電体をエッチングして逆テーパー状に窪ませることで、電界強度が強い電極間に液晶が入る領域を設けた。窪ませた部分の液晶分子も電界により回転するため電界の利用率を向上させることができる。また、逆テーパー状に誘電体が形成されているため、スパッター法等で結晶型ＩＴＯ膜を形成した場合、自己整合的にＩＴＯ膜が分離されるため、ＩＴＯをエッチングすることなく所望のパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】試料台１に環状の冷媒流路２が形成されている。冷媒の熱伝達率は冷媒供給口３から冷媒排出口４に向けて大きく変化することから、冷媒の熱伝達率を冷媒流路２内で一定にするために、冷媒流路２の断面積は断面積の異なる複数の流路領域で構成されている。これにより、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を下げることで、冷媒の熱伝達率の上昇を抑制した。また、冷媒流路の断面積を減少することで、冷媒の熱伝達率の低下を抑制した。これにより、冷媒流路２内で冷媒の熱伝達率の均一化を図った。 （もっと読む）

【課題】従来の温調方法に比べて、半導体ウエハの均一な温調及び高応答性を実現することができる半導体製造装置及び温調方法を提供する。
【解決手段】内部に空洞２１を有するウエハ載置台２と、ウエハ載置台２の温度をプロセス温度に調整すべく、プロセス温度以下の水を空洞２１の内壁に噴射するノズル６４ａとを備える半導体製造装置であって、空洞２１内の圧力を検出する圧力センサ（７１）と、圧力センサ（７１）にて検出された圧力が、ノズル６４ａから噴射される水の温度に係る飽和蒸気圧以上、プロセス温度に係る飽和蒸気圧以下になるように空洞２１内の気体を排出する真空ポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】加熱対象を選択して加熱することが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。加熱用電極１３５の内部には、往路及び復路のコイル１３５ａ１、１３５ａ２が載置台１１０ａの外周に沿って互いに近接して配線されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１をその内部に収納しつつプラズマ発生可能に構成された容器１２と、半導体基板１１を支持する絶縁部１３および半導体基板１１にバイアス電圧を印加するための電極部１４を有し、且つ絶縁部１３の内部に熱輸送流体を輸送するための独立した複数の流路１５が形成された載置台１６と、複数の流路１５に熱輸送流体を供給する熱輸送流体供給手段１８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、載置台３と、載置台３の下方に、載置台３と間隙を設けて配設されたベースプレート９と、温度測定手段とを具備し、載置台３の上方が真空雰囲気とされ、載置台３とベースプレート９との間の間隙が常圧雰囲気とされるプラズマ処理装置である。載置台３の上面と下面とを温度測定手段の測定光が透過可能なように光学的に連通し、かつ、気密封止された温度測定用窓１２〜１５を設けるとともに、載置台３とベースプレート９との間に、これらを連結する連結部材３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度情報を検出するシステム、検出基板であって、基板が１４５℃以上の高温状態であっても温度測定が可能であり、温度情報をケーブルを用いることなくプロセス処理室から取り出しができるものを提供する。
【解決手段】基板にキャパシタ（Ｃ）、インダクタ（Ｌ）を備えたＬＣ共振回路を有し、キャパシタの片側電極が温度に応じて反ることにより容量変化しやすい空隙を備えた素子を設置する。温度情報はプロセス処理室内に設置されたプローブアンテナからＬＣ共振周波数として取り出し温度表示に変換する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハをエッチングするエッチング処理装置は、該ウエハを保持するチャックと、該ウエハの温度を知らせる温度センサとを含む。チャックは、温度制御システムによって制御されるヒータを含む。温度センサは、温度制御システムに作動的に結合されて、チャックの温度を選択可能な設定温度で維持する。第１の設定温度及び第２の設定温度を選択する。ウエハをチャック上に配置し、第１の設定温度に設定する。次に、ウエハを、第１の設定温度で第１の時間だけ処理し、第２の設定温度で第２の時間だけ処理する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）