【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】シリコン等をエッチングするための反応ガスの利用効率を高め、エッチングレートを高くする。
【解決手段】被処理物９を搬入側排気チャンバー２０、処理チャンバー１０、搬出側排気チャンバー３０の順に搬送する。処理チャンバー１０内に反応ガスを導入する。排気手段５によって、排気チャンバー２０，３０の内圧が外部の圧力及び処理チャンバー１０の内圧より低圧になるよう、排気チャンバー２０，３０内のガスを吸引して排気する。好ましくは、連通口１３，１４におけるガス流の流速を０．３ｍ／ｓｅｃ〜０．７ｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）

【課題】精密な形状加工され、低反射率のテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること、およびそれを用いて太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位（１００）のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の逆錐状の凹部が形成され、かつ前記逆錐状の凹部の錐面は階段状であるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板は、好ましくは、ガスエッチングによってテクスチャを形成することで得る。 （もっと読む）

【課題】被処理物が有機物にて汚染されている場合でも、シリコン含有物を効率良くエッチングする。
【解決手段】原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間２３に導入してエッチングガスを生成する（生成工程）。エッチングガスを、温度を１０℃〜５０℃とした被処理物９０に接触させる（エッチング反応工程）。原料ガスは、フッ素含有成分と、水（Ｈ_２Ｏ）と、窒素（Ｎ_２）と、酸素（Ｏ_２）と、キャリアガスを含む。原料ガス中の窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量（Ａ）とフッ素含有成分の体積流量（Ｂ）との比は、（Ａ）：（Ｂ）＝９７：３〜６０：４０である。原料ガス中の窒素と酸素の合計体積流量は、窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量の２分の１以下である。窒素と酸素の体積流量比は、Ｎ_２：Ｏ_２＝１：４〜４：１である。 （もっと読む）

【課題】波長分解能を上げ、測定可能な被検体の範囲を広げた測定装置とプラズマ処理装置の提供。
【解決手段】厚さＤのウエハＷの表面を反射した光とウエハＷの裏面を反射した光とを入射光として分光する回折格子１０４と、回折格子１０４により分光された光を受光し、受光した光のパワーを検出するフォトダイオードをアレイ状に複数設けたフォトダイオードアレイ１０８と、フォトダイオードアレイ１０８に取り付けられ、入力された電圧を力に変換する圧電素子２００と、を備え、フォトダイオードアレイ１０８は、圧電素子２００により変換された力によって前記アレイ方向の各フォトダイオードの幅ｄに対してｄ／ｍ（ｍは２以上の整数）の変位まで移動したとき、前記受光した光のパワーを検出する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。高周波給電部６６の高周波伝送路上に設けられる第１ノードＮ_Aと第２ノードＮ_Bとの間で、中間コイル６０および外側コイル６２には可変の中間コンデンサ８６および外側コンデンサ８８がそれぞれ電気的に直列接続され、内側コイル５８にはリアクタンス素子が一切接続されない。 （もっと読む）

【課題】複数の伸縮可能な部材を用いて温調制御の対象物との接触圧力を可変に制御する。
【解決手段】少なくとも一部が温調制御の対象物に接触する、伸縮可能な縦ベローズ２１５と、縦ベローズ２１５に連結され、伸縮可能な横ベローズ２２０と、縦ベローズ２１５及び横ベローズ２２０の内部空間に流す液体を制御する制御部３１０と、を備えることを特徴とする温調機構２００が提供される。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と、低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】虚報の異常検知報告を大幅に削減することにより、異常報告内容の確認時間を短縮する。
【解決手段】半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始すると、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における薬液流量平均値、薬液流量最大値、薬液流量最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得し、該半導体製造装置２の薬液流量平均値に異常があるか否かを判定する。薬液流量平均値が正常と判定されると、異常検知処理部６は、薬液流量の最大値、および最小値に異常があるか否かをそれぞれ判定する。薬液流量最大値に異常があると判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、メールアドレスなどの連絡先を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最大値を電子メールなどによって送信する。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマエッチングにおいて、エッチングについて高い面内均一性が得られる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに形成された多層膜７の各々に対して面内均一性の高いエッチングを行うことができる適切なフォーカスリング３の温度を事前に把握して、設定温度として処理レシピ６４に反映すると共に、連続してエッチングされる各膜毎に、フォーカスリング３の温度をその設定温度を含む適切な温度域に収まるように加熱機構及び冷却機構を制御する。またフォーカスリング３の加熱機構としてレーザによる熱輻射を利用する。フォーカスリング３の冷却では、熱媒体であるヒータを介さずにフォーカスリング３の熱を支持台２に逃がすように構成し、加熱機構と冷却機構とを互いに独立させて切り分ける。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面加工処理の所要時間を大幅に短縮化して生産性を向上できるＧａＮ系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。
ラッピング工程後にＧａＮ系半導体基板表面に残存する加工変質層が、ＣＶＥ工程により効率的に除去されるので、ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理の所要時間を大幅に短縮化できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。
【解決手段】コンディショニングは、炭化水素ガスを含む無フッ素蒸着ガスを供給することと、無フッ素蒸着ガスからプラズマを形成することと、５００ボルト未満のバイアスを提供することと、パターン化疑似ハードマスクの上端上に蒸着を形成することとを含む。エッチング層は、パターン化疑似ハードマスクを通してエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】真空気化冷却に必要な熱媒体を削減し、高効率に被冷却部材を冷却することができる冷却機構及び冷却方法を提供する。
【解決手段】被冷却部材の温度を目標温度に冷却する冷却機構６に、前記被冷却部材に対して熱的に接続された減圧室６０と、減圧室６０の内面に前記目標温度以下の液相の熱媒体を噴霧する噴霧部６４と、噴霧部６４から噴霧された熱媒体を減圧室６０の内面に付着させるための電界を発生させる電界発生用電源６８と、減圧室６０の内圧が前記目標温度における前記熱媒体の飽和蒸気圧以下になるように、減圧室６０を排気する排気部とを備える。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】エッチレイヤに特徴を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。第１のマスクは横方向にエッチングされ、エッチングされた第１のマスクは、前記第１のマスクの前記スペースの前記幅より大きい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。前記エッチレイヤ中に前記側壁レイヤを通して特徴がエッチングされ、前記特徴は前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する。前記マスク及び前記側壁レイヤは取り除かれる。 （もっと読む）