【課題】反応室を構成するチャンバを大気開放せずに、チャンバ内壁に付着した堆積膜を除去できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、加工対象をエッチングするエッチャントガスを反応室内に導入するとともに、冷却流路に冷媒を流すことによって反応室を冷却し、加工対象とエッチャントガスとの反応生成物を加工対象上に生成する。ついで、冷却流路への冷媒の供給を停止し、加工対象が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。そして、冷却流路への冷媒の供給を停止した状態で、反応室の内壁が反応生成物の昇華温度以上となるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ０.２〜０.４mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ４４０は、その部品に相当するサポートリング４３０と、熱源に相当するエッジリング４１０と、それらの間のポリマ複合材４２０により構成されており、ポリマ複合材４２０は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 （もっと読む）

【課題】 低いトリミング速度でレジストトリミングを実施することにより、高精度で寸法をコントロールすることが可能なレジストトリミング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスのプラズマを生成するプラズマ生成工程と、生成したプラズマからイオン及び電子を除去し、ラジカルを選択的に取り出す除去工程と、イオン及び電子が除去されたプラズマをレジストパターンに照射することで、レジストパターンをトリミングするトリミング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。
【解決手段】半導体基板１０９上に形成されてイオン注入されたレジストパターンをプラズマアッシングする方法において、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの低温アッシング処理と、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理と、酸素、水蒸気、フッ素含有ガスを主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理とを、半導体基板１０９を同一チャンバー１０１内に配置して連続して行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】コンベアを有する表面処理装置において、被処理物を均一に加熱する。
【解決手段】ローラ２３を含むコンベア２０にて被処理物９を搬送し、ノズル１０からの処理ガスを被処理物９に接触させる。コンベア２０のノズル１０の直下又はノズル１０より搬送方向の上流側には、加熱手段３０を設ける。加熱手段３０を互いに別体をなす複数の加熱部３１に分離する。各加熱部３１を、対応するローラ１２に沿って延びる直線状にする。加熱部３１の長さを、被処理物９の処理されるべき領域のローラ軸線に沿う幅と略同じか上記幅より大きくする。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、下層配線としてＣｕ配線を含む多層配線と、前記Ｃｕ配線を形成するために用いられるＣｕアクセサリとが形成された半導体基板を、ポリイミド膜で覆う工程と、前記多層配線の最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面を露出させる工程と、前記半導体基板をＣｕ腐食防止剤の蒸気にさらして、前記最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜を形成する工程と、前記最上層配線の表面に形成されたＣｕ腐食防止膜を選択的に除去する工程と、前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜が形成された状態で、前記ポリイミド膜をベーク処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数及び製造コストを削減しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地層１上にＴｉを主成分とする密着層２を形成する工程と、密着層２上にＷを主成分とする導電層３を形成する工程と、導電層３上にＳｉＯＮを主成分とするハードマスク層４を形成する工程と、ハードマスク層４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を保護膜とするエッチング処理により導電層３の一部３ａを露出させる工程と、レジストパターン５及びハードマスク層４の残部４ａを保護膜とするエッチング処理により密着層２の一部２ａを露出させる工程と、その後、エッチング処理により下地層１の一部１ａを露出させると共に、導電層３の残部３ｂを露出させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のチャネル部分等のエッチングを効率化し処理タクトを短縮する。
【解決手段】被処理物９を大気圧近傍の圧力の搬送経路１１に沿って連続的に搬送する。搬送経路１１の上流側の位置において、供給ノズル２１からエッチング液を被処理物９に供給し、金属膜９７をウェットエッチングする。続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。フッ素系反応成分は、大気圧プラズマにて生成する。被処理物９の搬送速度に応じて、被処理物９が処理空間１９を通過する期間中のエッチング深さが、不純物がドープされた膜部分９６の厚さとほぼ等しくなるよう、エッチングレートを設定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置面９０ａと、ウエハＷをリフトピン８４によって載置面９０ａから持ち上げる基板持ち上げユニット８０と、リフトピン８４内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光８８をウエハＷに照射し、ウエハＷの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット８７とを有し、光照射・受光ユニット８７は、基板持ち上げユニット８０のベースプレート８６に固定されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】ボーイング形状の発生を防止してマスク層に良好な垂直加工形状のホールを形成し、且つマスク層としての残膜量を確保することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象層上にマスク層５２及び中間層５４が積層されたウエハＷを、チャンバ１１に収容し、チャンバ１１内で処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施し、中間層５４及びマスク層５２を介して処理対象層にパターン形状を形成する基板処理方法において、処理圧力を５ｍＴｏｒｒ（９．３１×１０^−１Ｐａ）以下、ウエハＷの温度を−１０℃〜−２０℃とし、さらにプラズマを発生させるための励起電力を５００Ｗとしてマスク層５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】異なる温度に調整される２つ以上の領域を有する構造体であって、水平方向の熱伝導を抑制すると共に、垂直方向からの入熱に対してはスムーズな熱の移動を確保して熱的特異点の発生を抑制することができる複数領域温度分割制御構造体を提供する。
【解決手段】表面温度がそれぞれ異なる温度に制御されるセンターエリア５１及びエッジエリア５２と、その間に配置され、センターエリア５１とエッジエリア５２の配列方向に沿った熱伝導率が、配列方向に交差する方向における熱伝導率よりも小さく、水平方向の熱伝導に対して、例えば断熱材として機能し、且つ垂直方向の熱伝導に対して、例えば熱伝導材として機能する傾斜材５６を配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて消費電力を削減することができ、省エネルギー化を図ることのできる温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】内部で基板のプラズマ処理を行う処理チャンバーの温度制御部位の温度を制御する温度制御システムであって、前記温度制御部位を加熱する加熱手段と、液体からなる冷媒を循環させて前記温度制御部位を冷却する冷却手段と、前記冷却手段による前記温度制御部位に対する前記冷媒の循環流量を、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させている期間は第１の流量とし、前記処理チャンバー内でプラズマを発生させていない期間は前記第１の流量より少ない第２の流量に制御する流量制御手段とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）