【課題】プロセス処理に最適なプラズマ着火レシピを自動的に作成する。
【解決手段】プロセス処理レシピを特定パラメータでパターン化した複数のレシピパターンと，これらレシピパターンにそれぞれプラズマ着火用のパラメータ値を関連づけたレシピ作成ルール情報を記憶する記憶部３２０を設け，実行しようとするプロセス処理レシピが含まれるレシピパターンに関連づけられたプラズマ着火用のパラメータ値（例えば処理室内圧力６０ｍＴｏｒｒ）をレシピ作成ルール情報から取得し，当該プロセス処理レシピの一部のパラメータ値を当該プラズマ着火用のパラメータ値に置き換えてプラズマ着火レシピを作成する。 （もっと読む）

【課題】 負荷に、予想し得ない局部放電などの異常な放電が起きる可能性を低減できるマッチング装置を提供すること。
【解決手段】 負荷のインピーダンスを、リアクタンス成分がゼロ、又は実質的にゼロである範囲に移動させる第１の回路１０１と、リアクタンス成分がゼロ、又は実質的にゼロである範囲に移動した負荷のインピーダンスを、リアクタンス成分がゼロ、又は実質的にゼロである範囲にあるままで整合ポジションに移動させる第２の回路１０２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板載置台を兼ねる高周波電極と被処理基板との間で静電チャックの貫通孔を介した異常放電を確実に防止して、プラズマプロセスの歩留まりを向上させる。
【解決手段】本発明では、サセプタ（第１電極）上に基板をローディングした後の第１の時点ｔ₁でＥＳＣ（静電チャック）の導電体に対して高圧ＤＣ電圧Ｖ_Pの印加を開始する際に、サセプタを電気的に接地しておく。これにより、ＥＳＣ導電体の電位が立ち上がるのと同時に、静電誘導によってウエハ（被処理基板）の電位がいったんＶ_Pに略等しい電位に上昇するのに対して、サセプタの電位はグランド電位に保たれる。ここで、ウエハ電位の上昇は一瞬であり、直ぐにグランド電位に戻るので、ウエハとサセプタとの間に高圧の直流電圧が実質的に掛かることはなく、静電チャックの貫通孔を介して異常放電が発生することはない。 （もっと読む）

プロセスツール内のチャンバをプラズマ洗浄する方法が説明される。基板は、内部に一連の汚染物質を有するプロセスチャンバ内のチャック上に配置される。プラズマプロセスが、一連の汚染物質を基板の上面へ移動させるためにプロセスチャンバ内で実行される。上面に一連の汚染物質を有する基板は、プロセスチャンバから取り除かれる。
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【課題】レシピの管理を簡略化する。
【解決手段】装置コントローラＥＣは、プラズマ処理の手順を示した基準レシピ３００を記憶する記憶部２５０と、少なくとも複数ロットの処理間隔を置いて所定のタイミングに複数のプロセスモジュールＰＭ内の状態の変動値を演算する演算部２６０と、演算部２６０により演算されたプロセスモジュールＰＭ内の状態の変動値から基準レシピ３００を調整するための調整テーブル３１０ａ，３１０ｂをプロセスモジュールＰＭ毎に生成するテーブル生成部２６５と、テーブル生成部２６５により生成されたプロセスモジュールＰＭ毎の調整テーブル３１０ａ，３１０ｂを用いて基準レシピ３００を調整し、調整された基準レシピ３００の手順に従いプロセスモジュールＰＭにてウエハをプラズマ処理する処理実行制御部２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内の安定化プラズマを特定するための方法が提供される。方法は、処理チャンバ内においてストライクステップを実行してプラズマを発生させることを含む。ストライクステップは、処理チャンバ内において十分に高いガス圧を印加すること及び処理チャンバ内において低い高周波（ＲＦ）電力を維持することを含む。方法は、また、ストライクステップ中に、基板表面にごく接近している処理チャンバの表面上にあるプローブヘッドを利用して特性パラメータ測定結果の集合を収集することを含む。方法は、更に、特性パラメータ測定結果の集合を所定の範囲と照らして比較することを含む。もし特性パラメータ測定結果の集合が所定の範囲内である場合は、安定化プラズマが存在する。 （もっと読む）

【課題】安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する電極１、１間に形成される対向領域２にプラズマ生成ガスＧを供給する。大気圧又はその近傍の圧力下で上記電極１、１間に電圧を印加することにより対向領域２にストリーマ放電Ｓを形成すると共にこのストリーマ放電Ｓにより対向領域２でプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。不均一な電界強度分布を対向領域２に発生させることにより上記ストリーマ放電Ｓを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Ｓを対向領域２で分散させるためのストリーマ放電分散手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】誘導型プラズマ処理装置において、電子の駆動距離を無限大にすることを可能とし、プラズマの着火性を飛躍的に改善し、周方向のプラズマの均一性を良好なものとする。
【解決手段】真空処理室の上方に設けた高周波誘導コイル７に高周波電源から高周波電流を供給し、真空処理室内に供給されるガスをプラズマ化して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、高周波誘導コイル７をｎ個（ｎは整数）の高周波誘導コイル要素７−１〜７−４に分割し、分割されたそれぞれの高周波誘導コイル要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された前記高周波コイル要素７−２〜７−４と前記高周波電源との間に、遅延手段６−２〜６−４を設け、各高周波誘導コイル要素７−２〜７−４に高周波誘導コイル要素７−１より順次λ（高周波電源の波長）／ｎずつ遅延させた高周波電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に付着するＣｕによるエッチャントの失活を抑え、安定したエッチング特性を得ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハーをプラズマエッチング処理するチャンバー内に、第１のシーズニングガスを導入し、チャンバー内の部材表面に、第１のデポジッション膜を形成し、チャンバー内に第２のシーズニングガスを導入し、第１のデポジッション膜上に第２のデポジッション膜を形成して第１のデポジッション膜を被覆し、ウェハーをチャンバー内に搬入し、このウェハーをプラズマエッチング処理する （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマの着火率を向上させることができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する排気手段と、前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通され、端面において被処理物を支持するリフタピンと、を備え、前記マイクロ波を導入してプラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、前記プラズマの着火後においては、前記リフタピンにより前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に支持すること、を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第１のプロセスガスを輸送するように動作可能な第１のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第２のプロセスガスを輸送するように動作可能な第２のプロセスガス流路を含むことができる。第２のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第１のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。
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【課題】
真空処理室の大気開放を行いウェットクリーニング後のシーズニングにかかる時間を短縮し、量産現場でのコスト削減に寄与できるプラズマ処理装置のシーズニング方法を提供する。
【解決手段】
ウェットクリーニング後のシーズニング方法において、前記ウェットクリーニング後、処理ガスにフッ素系ガスを含むガスを使用し、かつ処理室内壁アース部に到達するイオンのエネルギーが処理室内壁アース部に使用した材料のスパッタ率の閾値を超えるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる真空処理装置の提供。
【解決手段】真空室と、該真空室を減圧するための真空ポンプと、該真空ポンプと前記真空室を接続する排気ライン４１の途中に設けられたバルブ４３と、該バルブ４３の開度を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記真空室を大気雰囲気から減圧する際の減圧開始直後から減圧速度を実質的に一定に制御し、かつ、前記減圧速度が８０ｋＰａ／ｓ以下になるように前記バルブ４３の開度を調整するように構成し、OPEN速度が調整可能なバルブ４３により、制御コンピュータによって減圧速度を自動的に調整できる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 基板処理工程の実行に要する時間を短縮させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、記処理室内を真空排気する真空排気手段と、処理室内の圧力をモニタする圧力監視手段と、処理室に設けられ基板の搬入搬出を行う開口部を閉塞する弁体を開閉する弁体開閉手段と、処理室内の真空排気時に、理論的に算出される処理室内の圧力と、圧力監視手段によりモニタされる実際の処理室内の圧力とを比較し、その比較結果から処理室内の真空度の妥当性を判断する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の出力が開始されてから高周波電力が定常状態に至るまでの過渡期間における異常放電を検出することができる異常放電検出方法を提供する。
【解決手段】本発明は、高周波電源２により処理チャンバ４に高周波電力を供給し、処理チャンバ４内にプラズマを発生させて被処理体Ｘを処理する際に、高周波電力の出力が開始されてから高周波電力が定常状態に至るまでの過渡期間における異常放電を検出する異常放電検出方法であって、高周波電力が印加される回路に流れる放電電流を検出する電流検出ステップ（Ｓ１０１）と、検出された放電電流に基づき形成される波形カーブの下降を検出する下降検出ステップ（Ｓ１０２〜Ｓ１０４）と、波形カーブの下降があったときに異常放電があったものと判定する判定ステップ（Ｓ１０４→Ｓ１０５）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ着火性の悪化を伴わずにエッチングレートの均一性と汚染や異物の低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室内のアンテナプレート１２２の周囲にチョークアンテナ１２４とチョークスペーサ１２５からなる定在波制御部を備えた電子サイクロトロン共鳴方式のプラズマ処理装置において、駆動部２０１とロッド部材２０２を設け、ロッド部材２０２の下端をチョークアンテナ１２４に連結し、制御装置２０３により駆動部２０１を制御することによりチョークアンテナ１２４を矢印Ａ方向に移動させ、プラズマ着火時とプラズマ処理時でチョークアンテナ１２４の位置が変更できるようしたもの。 （もっと読む）

【課題】材質に応じた天板の最適な形状を規定することにより、よりプラズマ着火性に優れたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、上部開口を有する処理容器１２と、下面にリング形状の凹溝１６を有し、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体１５と、誘電体１５にマイクロ波を供給し、誘電体１５の下面にプラズマを発生させるアンテナ２４とを備える。そして、光速をｃ、マイクロ波の周波数をｆ、誘電体１５を構成する材料の比誘電率をεｒとすると、凹溝の溝幅ｗは数式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】プラズマ着火性を向上させると共に、適切にプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、処理容器１２内に配置され、その上に半導体基板Ｗを保持する保持台１４と、保持台１４と対向する位置に配置され、マイクロ波を処理容器１２内に導入する誘電板１６と、導入されたマイクロ波により処理容器１２内に電界を生じさせた状態でプラズマ着火し、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ着火手段と、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔に変更して、プラズマ着火手段を作動させ、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔とは異なる第２の間隔に変更して、半導体基板Ｗへのプラズマ処理を行うよう制御する昇降機構１８を含む制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際してプラズマ点灯後のプラズマの点灯状態やプラズマの照射状態を確認できて信頼性の高いプラズマ処理を確保することができる大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の所定の反応空間１１に第１のガス１５を供給するとともに反応空間１１近傍のアンテナ１３又は電極に高周波電圧を印加して一次プラズマ１６を発生させ、発生した一次プラズマ１６又は前記一次プラズマ１６を第２のガス１８に衝突させて発生させた二次プラズマ２１を被処理表面６に向けて照射し、被処理表面６をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理方法において、一次プラズマ１６の点灯後の反射波の大きさを検出し、反射波の大きさを第１の所定値と比較して一次プラズマ１６が点灯しているか否かを確認するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の開始前から絶縁基板を冷却し、絶縁基板の全面に対してプラズマ処理を均一且つ効率的に行うことができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】上面に絶縁基板Ｋが載置された静電チャック２１の電極２６，２７に直流電圧を印加するとともに処理チャンバ１１内に不活性ガスを供給し、不活性ガスをプラズマ化して静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着して保持した後、静電チャック２１上に吸着，保持された絶縁基板Ｋの裏面と静電チャック２１の上面との間に冷却ガスの供給を開始し、次に、不活性ガスに代えプラズマ処理用の処理ガスを処理チャンバ１１内に供給してその内部を処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着，保持しつつ且つ冷却ガスにより絶縁基板Ｋを冷却しつつ、プラズマ化した処理ガスによって絶縁基板Ｋを処理する。 （もっと読む）