【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内に対向して配置される上部電極３４および下部電極１６との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極３４に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源４８と、上部電極３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、高周波電源４８および可変直流電源５０を制御する制御部９５とを具備し、制御部９５は、高周波電源４８からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源５０からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制する。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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【課題】本発明は、処理圧力が高い場合であっても大面積、かつ均一なプラズマ密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の壁面の一部を占める透過窓と、前記透過窓にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、厚み方向を貫通する複数の第１の孔部を有し、前記透過窓と離隔させて前記処理容器の内部に設けられた第１の高密度プラズマ生成部と、を備え、前記第１の高密度プラズマ生成部は、前記第１の孔部においてホロー放電によりプラズマを生成すること、を特徴とするプラズマ生成装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバと、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバの外部に設けた光源からの加熱用の光を、フォーカスリングの下部に設けられた円環状の絶縁部材を介してフォーカスリングに供給して加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板から製造される半導体デバイスの歩留まりが高い状態で所定の処理を開始することができる処理開始可否判定方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１を排気する排気系１４とを備える基板処理装置１０において、チャンバ１１の構成部品のクリーニング後、半導体デバイスの製造のためのプラズマエッチング処理よりも高温の雰囲気及び／又は低圧の雰囲気のシーズニング処理を所定の回数だけ繰り返して実行し、排気系１４の粗引きライン１５内を流れるパーティクルの数を計測し、該計測されたパーティクルの数の時間経過に伴う変動度合いを監視し、該監視されているパーティクルの数の減少度合いが変化したときに、プラズマエッチング処理を開始可能と判定する。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバにおいて基板を処理するために複数の処理流体を供給する装置を開示する。装置は、複数の処理流体供給弁と、交差弁と調整供給弁との間に画成された流体供給ネットワークとを含む。装置は、更に、調整供給弁を介して流体供給ネットワークに接続されている調整流体供給部を含む。更に、装置と共に、複数の処理流体供給弁を介して流体供給ネットワークに接続された複数の処理流体が含まれる。更に、装置には、基板支持部を有する処理チャンバが含まれる。処理チャンバは、更に、縁端流体供給部と中心流体供給部とを含み、縁端流体供給部は、縁端有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続され、中心供給部は、中心有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続される。交差弁、縁端有効化弁、及び中心有効化弁により、調整流体又は処理流体の一方を、縁端流体供給部又は中心流体供給部の一方へ流動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の異常を検出することが出来るプラズマ処理装置及び基板処理方法の提供。
【解決手段】高周波電源２の出力側に設置された反射波パワーメータ６及び進行波パワーメータ８によって検出される反射波電力、進行波電力および供給電力の設定に基づき、高周波電源２の異常を検出する機能を備えてお
り、例えば、高周波電源２の４．５ＫＷの設定出力に対し、１０００ｍｓ経過後、進行波電力の値が４４５５〜４５４５Ｗの範囲（±１％の範囲）にない場合、または、反射波電力の値が進行波電力の値の３％以上に達した場合は、高周波電源２の異常と判別する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

【解決手段】（プラズマ処理チャンバを備える）プラズマ処理システムがウエハを処理できる状態にあるか否かの判定を容易にするための試験システムが開示されている。試験システムは、少なくとも試験プログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えてよい。試験プログラムは、プラズマ処理チャンバ内にプラズマが存在しない時に少なくとも１つのセンサによって検出された信号から導出された電気パラメータ値を受信するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気パラメータ値および数学モデルを用いて電気モデルパラメータ値を生成するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気モデルパラメータ値を基準モデルパラメータ値情報と比較するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、この比較に基づいてプラズマ処理システムの準備状態を判定するためのコードを備えてよい。試験システムは、さらに、試験プログラムに関連する１または複数のタスクを実行するための回路ハードウェアを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】放電検出センサによって放電状態の監視を行う構成において、放電状態の検出を適正に行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理の実行に際して設定された処理条件によってテスト放電を実行して取得された電位変化のデータに基づいて、判定パラメータ設定部３４によって放電開始判定時間３６、放電開始判定閾値３７および異常放電判定閾値３８を設定し、プラズマ処理実行段階において放電開始判定時間が経過するまでに検出された電位変化を放電開始判定閾値と比較してプラズマ放電が正常に開始されたか否かを判定し、放電開始判定時間が経過した後に検出された電位変化を異常放電判定閾値と比較して異常放電の有無を判定する。これにより、判定パラメータを適正且つ容易に設定して放電状態の検出を適正に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制する。
【解決手段】被処理基板２１がセットされるテーブル部２０と、前記被処理基板２１の一面側を覆う板状部材３１を有するとともに当該被処理基板２１と接触せず当該被処理基板２１との間隔が当該被処理基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材３１を配するカバー部３０と、前記テーブル部２０および前記カバー部３０を内蔵する減圧チャンバ室１０と、を備えて基板処理装置を構成する。そして、前記被処理基板２１と前記板状部材３１との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気を成立させつつ当該減圧チャンバ室１０内を減圧し、前記減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧された後に、前記被処理基板２１と前記板状部材３１とを離間させるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布の調整を容易に行うことができるプラズマ源およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ源２は、マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構３０と、生成されたマイクロ波をチャンバ１内に導入する複数のアンテナモジュール４１と、チャンバ１に隣接して設けられ、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を合成するマイクロ波合成部７０とを具備し、マイクロ波合成部７０は、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を空間合成する合成空間７４と、合成空間７４とチャンバ１との間に設けられた誘電体部材７２とを有し、合成空間７４で合成されたマイクロ波が誘電体部材７２を介してチャンバ１内に導入される。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板を必要とすることなく、かつ、従来に比べて真空チャンバ内の部材の消耗を抑制することのできるフォーカスリングの加熱方法、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】 真空処理チャンバと、真空処理チャンバ内に設けられ、基板を載置するための載置台を兼ねた下部電極と、下部電極と対向するように設けられた上部電極と、真空処理チャンバ内に処理ガスを供給するためのガス供給機構と、下部電極に高周波電力を供給して処理ガスのプラズマを発生させるための高周波電力供給機構と、下部電極上に、基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングとを具備したプラズマエッチング装置において、真空処理チャンバ内にプラズマが発生しない条件で、高周波電力供給機構から下部電極に高周波電力を供給してフォーカスリングを加熱する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンの交換を軽減でき、マイクロ波発生装置をより長く使用できるようにする。
【解決手段】マグネトロン８０のフィラメント８１にフィラメント電圧を供給し、フィラメント８１と陽極８４との間に陽極電圧を供給して、マイクロ波を発振させるマグネトロン８０を使ったマイクロ波発生装置４５の制御方法であって、ベース値のフィラメント電圧を供給し、マイクロ波の発振中に陽極電圧と陽極電流を測定する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係を基準特性と比較する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係が基準特性から外れた場合に、フィラメント電圧を前記ベース値よりも上昇させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して単一装置で複数のプラズマ処理を連続で行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワークＷをプラズマ処理する処理部に臨み、ワークＷがセットされるアース電極部６と、放電パターンの異なる複数の印加電極部３と、複数の印加電極部３を、処理部２に選択的に臨ませる電極搬送テーブル５と、処理部２にプロセスガスを供給するガス供給部１１と、印加電極部３に電力を供給する電源部９と、処理部２に臨んだ各印加電極部３に電源部９を断続させる断続手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 処理室における載置台の降温効率を高め、降温時間を短縮できる方法を提供する。
【解決手段】 真空側搬送装置３１を用い、ロードロック室５ａ内で冷却されたウエハＷを処理室１ｂへ搬送し、処理ステージ２ｂへ移載する。処理室１ｂ内では、シャワーヘッド２０からのクーリングガスと、ウエハＷによる吸熱により、処理ステージ２ｂの降温が促進される。所定時間経過後、真空側搬送装置３１によって、処理室１ｂのウエハＷをロードロック室５ａに再び戻し、待機ステージ６ａに載置することにより冷却する。このサイクルを複数回繰り返し実施することにより、処理室１ｂの処理ステージ２ｂの降温速度を加速させる。 （もっと読む）