【課題】プロセス開始時における処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができると共に、ガス種の切り替え時の残留ガスの排気と処理容器内の圧力安定化を迅速に行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理ガスで所定の処理を行う処理装置において、載置台４４が内部に設けられた処理容器４２と、処理容器内の雰囲気を排気する真空ポンプ７０、７２と圧力制御弁６８とを有する排気系６４と、処理容器内へ処理ガスを噴射するガス噴射孔を有するガス噴射手段９８と、ガス噴射手段へ流量制御しつつ処理ガスを供給するガス供給手段１００と、装置全体を制御する制御手段１１４とを備え、制御手段は、処理を開始する時に処理容器内の雰囲気を排気している状態で所定の処理時の規定流量よりも大きな流量の処理ガスを所定の短時間だけ供給した後に、規定流量の処理ガスを供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、確実かつ速やかにプラズマ（プルーム）点灯を行わせる。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１において、中心導電体３２の下端部３２２を、沈胴式に伸胴および縮胴自在な外筒部３２２１および内筒部３２２２から構成する。そして、電磁ソレノイド３８によって、プラズマ点火時は内筒部３２２２の下端部３２２２ａの先端面３２２２ｃをノズル本体３３の下端縁３３１よりも後退させ、定常点灯時は内筒部３２２２の下端部３２２２ａの先端面３２２２ｃをノズル本体３３の下端縁３３１よりも突出させる。したがって、点火時に、処理ガスは、電界の集中する下端部３２２２ａ付近から下端縁３３１付近を通過することになるので、分子→原子→プラズマへと変化し易く、確実かつ速やかにプラズマ（プルーム）点火を行わせることができる。 （もっと読む）

【課題】金属（特に配線箇所）の異方性プラズマエッチング工程において、何らかの事情により工程が中断された後に工程を再開しても、その加工形状を維持することができ、半導体装置の歩留まりを向上させることを目的とする。
【解決手段】腐食性ガスによる金属の異方性プラズマエッチング工程が中断された後に、前記プラズマエッチング工程を再開する場合において、前記金属を腐食させないガス雰囲気下において、プラズマを発生させた後に、前記プラズマエッチング工程を再開する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理運転の一時停止後、運転工程を短時間で再開可能にする。
【解決手段】プラズマ処理装置１の運転工程では、電圧印加回路３０によって連続波又は間欠波からなる処理電圧を一対の電極１１，１２間に印加して放電を形成するとともに、処理ガスを電極間に導入して被処理物Ｗに接触させ、被処理物Ｗのプラズマ処理を行なう。この運転工程が一時停止された場合、再開されるまでの一時停止期間中、電極１１，１２間に前記処理電圧を一定期間ｔ_１印加する動作を間欠的に行なう。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、マイクロ波発生装置のメンテナンスを軽減する。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１に対して、ワークＷの移動方向Ｆの上流側にセンサユニットＳＵを設け、そのセンサユニットＳＵによるワークＷの検知結果に応答して、マイクロ波発生装置２０の動作を制御する。したがって、ワークＷが間欠的に搬送されるなどして、被照射対象のワークＷが存在しない場合のあるワーク処理装置Ｓにおいて、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置２０を稼働させる期間を最小限とし、該マイクロ波発生装置２０のメンテナンスを軽減することができる。また、消費電力や処理ガスの消費量も軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度なデバイスプロセスを実現する半導体装置の製造方法、およびそれに用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、インピーダンス測定器をノードＮ１に接続し、マッチングボックス１５の経路を遮断した状態でチャンバ１０等を含むプラズマ処理装置を計測する。プラズマ処理装置は等価回路によって表現でき、この計測結果を用いて等価回路の各パラメータを算出する。算出した各パラメータの内、主にチャンバ１０に対応した容量パラメータＣ’が規格に適合するようにチャンバ１０の内壁関連の状態（例えば、チャンバ下部カバーリング１４ａやチャンバ下部カバー１１ａの寸法、材質等）を調整する。そして、この調整が行われた状態で半導体装置を製造する。なお、プラズマ処理装置に、予めチャンバ１０の内壁関連の状態を可変調整できる機能を設けておくことも可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に設けられる保護管３６の外周面に光センサユニット３８を取付け、点灯されていることが検出されると、ＣＰＵ９０１は、メモリ９０３に記憶される点灯時間を積算して更新し、メモリ９０４に予め記憶されている閾値点灯時間となると、交換時期であることを操作部９５に表示する。したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】処理シーケンスにより、異常放電を防止して、静電チャック及び基板が損傷する
のを防止することができるプラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１２内に置かれた基板Ｐに対して表面処理を施す際に、高周波電
圧印加によりプラズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板Ｐの発熱に対して
冷却ガスを使用するプラズマ処理方法において、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮
断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 二つの異なる周波数の高周波による高周波プラズマ処理において、プラズマの形成や維持を充分にし、且つ安定化させる。
【解決手段】 処理チャンバー１内にプロセスガス導入系２によりプロセスガスを導入し、プラズマ用電源４により高周波電極３にＶＨＦ帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプロセスガスのプラズマを形成し、基板ホルダー５上の基板９に所定の処理を施す。基板ホルダー５は別の高周波電極であり、ＨＦ帯の高周波電圧がイオン入射用電源５０により印加され、発生する自己バイアス電圧によりプラズマ中のイオンが引き出されて基板９に入射する。コントローラ７は、プラズマ用電源４を動作させた後、プラズマが形成されて安定化したことを確認してからイオン入射用電源５０を動作させるシーケンス制御プログラム７０を実行する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に生じる表面アーキングの発生を防止して、従来に較べて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１内にＡｒガスを供給し、この状態で、まず高周波電源１１から載置台２（下部電極）に、例えば、３００Ｗ等の比較的低い高周波電力を供給して、弱いプラズマを発生させ、半導体ウエハＷに作用させて半導体ウエハＷの内部に蓄積された電荷の状態を調整する。この時、電荷が移動し易くするために、静電チャック４への直流電圧（ＨＶ）の印加を行わない。この後、静電チャック４への直流電圧の印加を開始し、しかる後２０００Ｗ等の通常の処理用の高い高周波電力を供給して、強いプラズマを発生させ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
プラズマエッチング装置の電極間にグロー放電プラズマが発生し難い構成において、所望条件のグロー放電プラズマを容易に発生させる。
【解決手段】
エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、前記ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。
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【課題】プラズマエッチング処理において、ウエハ間の特に処理開始直後のエッチング速度の変動を抑制する。
【解決手段】被処理基板１０４への電力供給線と被処理基板周辺に設置された部材１２１への電力供給線と、前記電力供給線へ電力を供給する電力供給装置１０５と、可変容量コンデンサを介した給電線と直結の給電線を切り替えるスイッチ１２４とを有するプラズマ処理装置であって、被処理基板１０４への接続線がスイッチ１２４のカ変容量コンデンサを介して電力供給装置１０５に接続されるか可変容量コンデンサを介さずに直接電力供給装置１０５に接続可能に構成され、被処理基板周辺に設置された部材１２１への電力供給線は該電力供給装置１０５に直結される。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を間欠的に処理する場合に、ガスの使用量を必要最小限に抑制しながら安定して処理を行えるようにする。
【解決手段】所定の空間にガスを供給し、前記所定の空間に高周波電圧を印加して大気圧近傍でプラズマを発生させ、プラズマ１１にて被処理物２を処理する大気圧プラズマ処理において、処理開始認識手段５からの信号にて処理開始を決定し、ガスの流量を増加させて被処理物２に対してプラズマ処理し、処理終了認識手段６からの信号にて被処理物２に対する処理終了を決定し、ガスの流量を減少させ、かつ減少させたガスの流量においてもプラズマ１１を点灯維持するようにした。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を間欠的に処理する場合にもガスの使用量を必要最小限に抑制しながら安定して処理を行えるようにする。
【解決手段】所定の空間にガスを供給し、前記所定の空間に高周波電圧を印加して大気圧近傍でプラズマを発生させ、プラズマにて被処理物を処理する大気圧プラズマ処理方法において、処理開始認識手段５からの信号にて処理開始を決定し、ガスの流量を増加させるとともにプラズマを点火して被処理物２をプラズマ処理し、処理終了認識手段６からの信号にて被処理物２に対する処理終了を決定し、ガスの流量を減少させるとともにプラズマ１１を消灯しかつ微量のガスを流し続けて前記所定の空間内の雰囲気を保持するようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして使用するエッチング処理時において、Ｃ_５Ｆ_８ガスの使用量を削減できる技術を提供する。
【解決手段】Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして用いて酸化シリコン系膜をドライエッチングするドライエッチング装置において、実際にエッチング処理を行う処理ステップ（ＳＴＥＰ３）の直前の安定化ステップを、Ｃ_５Ｆ_８ガスの導入を行わないＳＴＥＰ１とＣ_５Ｆ_８ガスの導入を行うＳＴＥＰ２との２段階に分けて行う。ＳＴＥＰ２でのＣ_５Ｆ_８ガスの流量は、ＳＴＥＰ３でのＣ_５Ｆ_８ガスの流量と同じとする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置で発生する被加工物の処理品質に悪影響を与える微小なアーク（ソフトアーク）を確実に検出する。
【解決手段】プラズマ処理装置に高周波電力を供給する周波数可変の高周波電源装置はソフトアークを検出するためのアーク検出部１７を備える。アーク検出部１７は、制御部１２から出力周波数を変化させてインピーダンス整合動作を行う信号が入力される毎に、タイマ制御部１７１とタイマ１７２により前回の整合動作から今回の整合動作までの時間間隔Ｔｍを計測する。更にカウンタ制御部１７３によりタイマ１７２で計測される時間間隔Ｔｍのうち、所定の時間間隔Ｔｒよりも短い時間間隔Ｔｍが連続する回数Ｃがカウントされ、その連続回数Ｃが基準回数Ｃｒを超えると、判定部１７４によりソフトアークが発生したと判定されてその判定結果をアーク処理部１９に出力する。アーク処理部１９ではソフトアーク発生報知などが行われ、これによりユーザはソフトアークの発生状況を把握することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜上のレジスト、スカム等を除去するアッシング処理において、絶縁膜の誘電率を劣化させることがなく低コストで安定したプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】まず、水素ガスが連続的に供給されるとともにヘリウムガスが断続的に供給される状況下で、供給されたガスのプラズマ３が生成される。そして、プラズマ３中に生成されたラジカルをウエハ５の処理面に供給し、当該処理面のプラズマ処理を行う。これにより、高価なヘリウムガスの消費量を減らすができ、低誘電率膜の誘電率を劣化させることのないアッシング処理を低コストで実現することができる。また、上記ラジカルは、ウエハ５の処理面の中央部に比べて、周縁部に多く供給される構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
プラズマの着火を高精度に検出して、処理全体の効率を向上することのできるプラズマ着火検出技術を提供する。
【解決手段】
真空処理容器１と、該真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理容器内に磁場を発生させる磁場発生手段４と、前記真空処理容器内に高周波電力を供給して該真空容器内にプラズマを生成する高周波電力供給手段２と、前記真空容器内に生成されたプラズマ６の発光を分光して発光スペクトルを取得する分光器８と、取得した発光スペクトルの内、予め定めた特定波長のスペクトルの発光強度をもとにプラズマの着火を検出する着火検出手段９を備えた。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】 プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）