【課題】加工不良の発生を未然に検知でき、ダミーウェハを用いずとも正確に処理結果を予測できるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】処理ガスの供給手段２５１とプラズマ生成手段２５６を備え、試料２５７がない状態と試料がある状態とのそれぞれでプラズマ処理を施す処理室２５０と、該処理室内のプラズマ状態を検出する状態検出手段２６１，２６４と、前記プラズマ処理室で処理を施された試料の処理結果データを入力する入力手段と、試料がある状態を処理室内に模擬したプラズマ処理を行って前記状態検出手段により検出したプラズマ状態データと、後続する試料のプラズマ処理の際に前記試料の処理結果データをもとに処理結果の予測式を生成して記憶する制御部２６５を備え、該制御部は、試料がない状態において前記状態検出手段を介して新たに取得したプラズマ状態データと前記記憶した予測式をもとに後続するプラズマ処理における処理結果を予測する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ着火直後の圧力変動を効果的に抑止するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理容器１０内の圧力Ｐ１を検出する第１の圧力センサ４１，処理容器内に処理ガスを供給する第１のガス供給部（処理ガス供給源３１），処理ガスのプラズマ着火前から不活性ガスを処理容器内に供給する第２のガス供給部（電空比例制御回路４４，アクチュエータ４５，比例制御弁４６，電磁弁４７）および不活性ガスの流量を制御する制御部（圧力制御回路４３）を有している。制御部は，処理容器内の理想圧力Ｐｒに対する検出圧力Ｐ１の差分に比例して不活性ガスの流量を減少させる。これにより，プラズマ着火直後に生じる処理容器内の急激な圧力変動を効果的に抑止して，均一なプラズマを安定的に発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】 処理の安定性と再現性を向上させたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器１の中にある試料台５に高周波バイアス電源８から整合器７を介して高周波バイアス電圧を印加し、この状態で試料台５に半導体ウエハなどの試料６を載置し、プロセスガスのプラズマにより処理するようにしたプラズマ処理装置において、プラズマ処理を開始する際、高周波バイアス電源８からプラズマ処理時の電力値よりも小さな電力値の整合用高周波電力を供給して電力モニタ部９により検出した反射波の値が判定値以下となるように整合器７を調節し、この後、高周波バイアス電源８から試料台５に供給される高周波電力をプラズマ処理時の電力値にしてプラズマ処理を開始するようにしたもの。
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【課題】洗浄処理空間となる対向電極の間を拡く確保し、厚さの異なる各種被処理物まで広げることができるようにする。
【解決手段】プラズマ発生用の一対の対向電極３とその対向電極３の間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段５とで構成された前記対向電極３の間に、一方の電極から他方の電極へ向けて伸びる第３の電極７を配置し、対向電極３の間の一部分に火花放電のし易い放電間隔ｄの狭い部分を作る。又は、対向電極３の間に軟Ｘ線を照射し、プラズマ初期点灯時に必要な偶在電子を発生させる。 （もっと読む）

【課題】
処理を高精度に行うことができるプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第１の高周波電力が印加される電極と、前記試料台の内側に配置され内部を熱交換媒体が通流する通路と、この通路内を通流する前記冷媒の温度を調節する制御装置とを備え、前記第１の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記制御装置が前記第１の高周波電力の印加前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記熱交換媒体の温度の調節を開始する。 （もっと読む）

【課題】 周波数可変方式の高周波電源装置を用いて放電を伴う負荷に高周波電力を供給する場合、負荷における放電中にインピーダンス整合を行うには、機械的寿命があり、高価で大型である自動整合器を用いる必要があった。また、整合時間の短縮が困難であった。
【解決手段】 高周波電源装置１と負荷５との間に固定整合器３を設け、負荷５において放電が発生すると、周波数制御回路１１は、発振回路１２が予め定められた第１の発振周波数ｆ１から第２の発振周波数ｆ２（このｆ２を基準周波数ｆ０とする）で発振するように制御し、次に、基準周波数ｆ０を含む予め定められた周波数範囲内で発振周波数を変更させながら反射係数絶対値Γが最小となる発振周波数を特定する処理を繰り返すことによって、反射係数絶対値Γが小さくなるように発振回路１２の発振周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内に対向して配置される上部電極３４および下部電極１６との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極３４に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源４８と、上部電極３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、高周波電源４８および可変直流電源５０を制御する制御部９５とを具備し、制御部９５は、高周波電源４８からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源５０からの印加電圧が設定値となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 処理条件の特別な選定や切り替えを要することなく、またプロセスに影響を与えることなくプラズマを容易に着火させること。
【解決手段】 上部整合器４４は、インピーダンス可変の可変整合器であり、整合回路１０２の可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを可変制御するためのコントローラ１０４と、整合回路１０２を含めた負荷インピーダンスを測定する機能を有するＲＦセンサ１０６とを有している。Ｖ_pp測定回路１１２は、上部整合器４４の出力側で導波路上の高周波電圧の波高値（ピーク対ピーク値）Ｖ_ppを測定する。主制御部１００は、整合器４４，８８におけるインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値最適化のためのオートラーニングを実行制御する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、上部電極に第１の周波数電力より低い第２の高周波電力３００Ｗ以上１０００Ｗ以下を加えた後、１〜３秒の時間差をもって第１の周波数電力を加えて、最初に第２の高周波電力によりシースを生成することにより、第１の高周波電力を印加しても、シャワーヘッドのガス孔の中にプラズマが入り込むことを阻止してアーク放電を抑制する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１０において、上部電極１３と下部電極１４とを処理室１２内に対向して配置し、上部電極１３に第１の周波数より低い第２の高周波電源から第２の高周波電力を最初に印加し、その後１〜３秒の時間差をもって第１の高周波電力を重畳して印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
処理を開始する際に設定すべき可変バルブの初期開度を複数の使用する処理ガスの種類及び流量に応じて調節することにより真空処理容器の圧力制御を速やかに実施する。
【解決手段】
真空処理容器４と、該真空処理用器内に処理ガスを供給するガス供給機構１１と、該真空処理容器の下方に配置した真空ポンプ９と、前記真空処理容器と真空ポンプ間を結ぶ排気通路に設けたバルブ８とを備え、該バルブ８の開度を調整して真空ポンプに流れるガス流量を調整する真空処理装置において、真空処理を開始する際、前記バルブを、前記処理ガスの種類及び供給する処理ガスの流量に応じた開き角度で開放して処理を開始し、真空処理容器の内圧が設定圧力に達したのち前記開き角度のフィードバック制御を開始する。 （もっと読む）

【課題】窓を通してプロセスチャンバ内で電界を生成するアンテナ構成を提供する。
【解決手段】一般に、このアンテナ構成は、アンテナ軸の周りに配置された第１外側ループターンを備える外側ループ、アンテナ軸の周りに配置された第１内側ループターンを備える内側ループを備え、内側ループターンは、それぞれの方位角方向において第１外側ループターンよりもアンテナ軸により近く、このアンテナ構成は外側ループを内側ループに半径方向に電気的に接続する半径方向コネクタを備え、半径方向コネクタは窓から大きな距離をあけて配置される。
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【課題】 ウェットクリーニングによる真空処理装置におけるダウンタイムを短縮する。
【解決手段】 ウェットクリーニングや部品交換等の目的で、チャンバ１を大気に開放したときに、装置の真空排気を行った後、被処理物の実際の処理に先立って、チャンバや処理室のエージングを必要とする真空処理装置において、プロセス用の高精度絶対圧真空計８と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計９を備え、真空排気中の圧力トレンドを用いて、真空排気の良否を判定し、排気良好と判断される場合には、実際の圧力が規定値よりも下がっていなくても、エージングを開始する制御手段１２を備えた。制御手段１２は、絶対圧真空計８によって測定されるチャンバ真空封止時の見かけのガス流量（リークレート）とワイドレンジ真空計９で測定されるチャンバ圧力との間の関係を求めておき、あとは圧力のみの測定で、基準となるリークレートに到達したか否かを判断する時刻を予測し、その時刻近傍にエージングが終了するように、エージングを開始する。 （もっと読む）

【課題】
加工形状を一定に保持することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。
【解決手投】
処理室１を形成する処理容器１ａと、前記処理室１内に処理ガスを供給する処理ガス供
給装置３，４と、該処理室内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離
してプラズマを生成するプラズマ生成手段２と、前記真空処理容器を加熱又は冷却する手
段１２を備え、前記処理室内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
おいて、処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部１５を備え、該制御部は、ク
リーニング処理終了後のウエハ処理に先立って、処理室内にプラズマを処理履歴に従って
予め設定した処理時間生成し処理室の内表面を加熱して内表面温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 吸着力の時間応答性を向上させた静電チャックを提供する。
【解決手段】
静電チャックであるサセプタ５にウエハ６を吸着する際には、所望の吸着力が得られる所定電圧よりも高い電圧を電極７に印加することで速やかに吸着力を増加させて所望の吸着力を得た後に、前記所定電圧に電圧制御して、従来よりも速やかに所望の吸着力を得ると共に、脱離する際には、吸着時の印加電圧と正負逆の電圧を電極７に印加することで速やかに吸着力を減少させた後に、電圧印加を停止したり、又は前記静電チャックにウエハ６と同電位になるような電圧を印加したりする電圧制御を行い、従来よりも速やかに脱離作業を行う。 （もっと読む）

【課題】 稼働時間の低下および製造コストの増大を可及的に防止し、半導体デバイスを安定した処理条件で製造することを可能にする。
【解決手段】 プラズマ処理を行う反応室２と、反応室に処理用ガスを導入する導入管１８と、反応室の上方に設けられた上部電極１０と、上部電極に対向するように反応室内に設けられ被処理基板１００が載置される下部電極１２と、上部電極および下部電極の少なくとも一方と電気的に接続され上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して処理用ガスのプラズマを発生させる高周波電源１６と、反応室内が所定の圧力となるように排気する真空ポンプ２２と、反応室内に設けられた視認マーク４ａを反応室に設けられた窓５ａを介して撮像する撮像装置８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 製品基板の生産性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置としてのエッチング処理装置１００は、ロットに含まれる基板を搬送する旋回型アーム１０３と、基板に製品処理としてのエッチング処理を施すためのプロセスチャンバ１０６，１０７とを備え、搬送レシピ、製品処理用レシピ、ダミー処理用レシピが登録されているホストコンピュータ２００により制御される。ホストコンピュータ２００は、プロセスチャンバ１０６，１０７の各放置時間であるチャンバ放置時間がタイムアウトしなかったときは、前ロットに対するエッチング処理で使用されたプロセスチャンバ内の処理雰囲気が安定状態にあると判別して、ダミー処理を省略し、ロットの基板にエッチング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】
ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】
プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。また エッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

プラズマ加工システムで利用する半導体基板加工法が開示されている。プラズマ加工システムはプラズマ加工チャンバと、バイアス補償回路に結合された静電チャックとを含んでいる。加工法はプラズマ点火ステップでのプラズマ点火を含んでいる。プラズマ点火ステップは、バイアス補償回路によって静電チャックに提供される第１バイアス補償電圧が実質ゼロであり、プラズマ加工チャンバ内の第１チャンバ圧が約９０ｍトル以下であるときに実施される。加工法はプラズマ点火後の基板加工ステップでの基板加工をさらに含む。基板加工ステップは、バイアス補償回路で提供される第１補償電圧よりも高い第２バイアス補償電圧と、第１チャンバ圧と実質同圧の第２チャンバ圧とを利用する。
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【課題】 本発明は、処理する基板に与えるダメージを抑制し、高速な処理を可能とする大気圧プラズマ処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明において、コイル２に高周波電力を供給することで直接形成される磁場の向き（磁力線の向き）は、平板状絶縁体１ａ又は基板８の表面に対して略垂直な法線方向を向くため、反応容器１内に形成される誘導電場の向きは基板８の表面に対して、略平行な方向となる。このため、反応容器１内において、反応容器１内で微小な火花放電が発生した場合においても、火花放電の発生がアーク放電の発生などに直結して基板８にダメージを与えることが、抑制される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。チャンバで受け取った、ＲＦ電力信号の電圧、ＲＦ電力信号の電流、及びＲＦ電力信号の位相が測定され、同時にチャンバ係数に影響を及ぼすその他のパラメータが保持される。チャンバのインピーダンスを表す値は、電圧、電流、及び位相に基づき計算される。次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。基準値は、欠陥なしチャンバのインピーダンスを表す。
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