【課題】量産用の常圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】直流パルスまたは交流電源に連結される電源電極と、前記電源電極から離れて設けられ、プラズマガスが通過可能な噴射通孔を有する接地電極と、前記電源電極と接地電極を収容固定するフレームと、前記フレームの外部から電源電極と接地電極との間にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から配管により連結されてフレームの内部に流入するガスの温度を調節するガス恒温調節装置と、を備えてなる量産用の常圧プラズマ発生装置。本発明によれば、プラズマ発生装置の初期から前記プラズマ発生装置を量産に必要とされる所定の温度以上に昇温することができることから、初期段階から量産可能なプラズマ発生装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 広い温度範囲においても体積抵抗率が安定化しており、これにより吸脱着特定性が安定化した静電チャックを提供するものである。
【解決手段】 少なくとも２個以上の静電チャック１ａ，１ｂとベース板からなる静電チャックユニットであって、静電チャックを１ａ，１ｂを２水準の体積抵抗率とし温度領域により吸着電圧を切り替えて吸着発生面１ａ，１ｂを切り替えることにより広い範囲の温度領域に対応できるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の有無や放電異常を正しく監視し、不具合発生に適切に対処することが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象物を処理室内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理において、放電検出センサ２３にプラズマ放電の変化に応じて誘発される電位変化の信号を受信して電位変化を示す信号データとして一時的に信号記録部２０に記録し、記録された信号データを参照して、放電開始波のカウント値Ｎ１，異常放電のカウント値Ｎ２、微小アーク放電のカウント値Ｎ３などプラズマ放電の状態を示す指標データを信号解析部３０によって抽出し、装置制御部４０によって指標データを監視することによりプラズマ放電の状態を判定してプラズマ処理動作を適正に実行するためのリトライ処理、累積プラズマ処理、メンテナンス判定処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】安定したイオンビームを照射可能なイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法の提供。
【解決手段】イオンビーム照射前の準備工程において、イオン源及び処理室に原料ガスを供給し（Ｓ１１）、待機室を真空排気し（Ｓ１２）、電子中和器によって処理室内に電子が放出される（Ｓ１３）。そして、コイルに電圧が印加され（Ｓ１４）、放電容器内にプラズマが生成される。放電容器内にプラズマを生成された状態で、スクリーングリッド及び加速グリッドに０Ｖ、減速グリッドにプラスの電圧を印加する（Ｓ１５）。このとき、電子中和器３２から放出された電子は減速グリッドに引寄せられ衝突し、減速グリッドを加熱する。一方、スクリーングリッドは、放電容器内のプラズマ中の電子が衝突し加熱されている。よって、イオンビーム照射前に、予めスクリーングリッド及び減速グリッドを加熱しておくことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより半導体基板を加工する前に異常を検知して半導体基板を加工しないようにする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ５を発生させる前に、下部電極１１に半導体基板２を載置する第１ステップと、不活性ガス導入ライン２２が半導体基板２と下部電極１１との間に不活性ガスを導入する第２ステップと、ガス流量計２５が不活性ガス導入ライン２２の不活性ガスの流量を計測する第３ステップと、不活性ガスの流量が所定範囲内にないときに、ガス流量モニタリング部２７が高周波電源部１７に高周波電力を印加しないように指示する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】各高周波信号間で周波数干渉をなくすだけでなく、それらの各高周波信号に対して、ＩＣＰ電極用およびＦＳ電極用の各高周波電源とそれぞれに対応する各電極間で、容易にかつ短時間で正確にインピーダンス整合させることができ、プラズマの安定な着火を容易に実現し、プラズマ放電を確実に励起させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】自動整合処理のためのプリセット条件として、ＦＳ整合器ＦＭ１のＬｏａｄ用可変コンデンサＣＦＬ１を所定の容量値に固定することで複数ある整合点を一つにすることにより、ＩＣＰ電極ＩＤ１およびＦＳ電極ＦＤ１に対して入力パワー比と出力パワー比の比率を１：１に管理する。 （もっと読む）

【課題】各高周波信号間で周波数干渉をなくすだけでなく、それらの各高周波信号に対して、ＩＣＰ電極用およびＦＳ電極用の各高周波電源とそれぞれに対応する各電極間で、容易にかつ短時間で正確にインピーダンス整合させることができ、プラズマの安定な着火を容易に実現し、プラズマ放電を確実に励起させることができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】自動整合処理のためのプリセット条件として、ＦＳ整合器ＦＭ１のＬｏａｄ用可変コンデンサＣＦＬ１を所定の容量値に固定することで複数ある整合点を一つにすることにより、ＩＣＰ電極ＩＤ１およびＦＳ電極ＦＤ１に対して入力パワー比と出力パワー比の比率を１：１に管理する。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理中のモニタリングでは検知できない外乱による処理結果への影響を抑制する。
【解決手段】高周波電力による処理ガスプラズマ生成手段および被処理基板載置台を備えた処理室４０１と、前記被処理基板に逐次プラズマ処理を施す装置コントローラ４０４と、処理開始から前記被処理基板に対する処理ステップ開始までの過渡状態検出手段４０７と、検出された過渡状態期間と処理結果との関連を表す処理結果の予測モデル４１１、および処理結果の目標値をもとに、処理結果の予測誤差を算出する誤差量算出手段４１０と、前記誤差量算出手段が算出した予測誤差、および該予測誤差と処理条件の関連を格納した最適条件算出モデル４１４をもとに前記予測誤差を補償するに要する処理条件を算出する最適条件算出手段４１３を備え、前記装置コントローラは、前記最適条件算出手段が算出した最適条件にしたがって被処理基板にプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の有無や放電異常を正しく監視することができるプラズマ放電状態監視装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバを構成する蓋部２に設けられた開口部２ａに誘電体部材２１およびプローブ電極ユニット２２を組み合わせた放電検出センサ２３を装着し、電位が正負両側に振れた後に定常値に戻るＮ字状の波形パターンを有するＮ型の電位変化波形を検出するＮ型波形検出部３４と、電位が負側にのみ振れた後に定常値に戻るＶ字状の波形パターンを有するＶ型の電位変化波形を検出するＶ型波形検出部３５とを備えた構成を採用する。これにより、プラズマ放電状態の変化に応じた特有の電位変化波形を高精度で検出した検出結果を用いて、放電の有無や異常を正しく監視することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の有無や放電異常を正しく監視することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置におけるプラズマ放電状態の監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバを構成する蓋部２に設けられた開口部２ａに誘電体部材２１およびプローブ電極ユニット２２を組み合わせた放電検出センサ２３を装着し、プローブ電極２２ｂにプラズマ放電の変化に応じて誘発される電位変化を受信し、Ｎ型波形検出部３４，Ｖ型波形検出部３５によってそれぞれ特定パターンの電位変化波形を検出し、放電ＯＮ波形カウンタ３６，放電ＯＦＦ波形カウンタ３７，異常放電波形カウンタ３８およびリーク放電波形カウンタ３９によって波形種別ごとにこれらの電位変化波形の出現回数をカウントしたカウント値に基づき、放電の有無および放電異常の判定を含む放電状態判定を行う。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を最適に保つために必要とされる適切なメンテナンス時期が到達したか否かを精度良く判定することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバを構成する蓋部２に設けられた開口部２ａに誘電体部材２１およびプローブ電極ユニット２２を組み合わせた放電検出センサ２３を装着し、プローブ電極２２ｂにプラズマ放電の変化に応じて誘発される電位変化を受信し、真空チャンバ内での異物付着と相関するリーク放電に起因して生じるＶ字状の特定パターンのＶ型波形をＶ型波形検出部３５によって検出した検出回数をリーク放電波形カウンタ３９によってカウントしたカウント値を、メンテナンス判定部４４によって予め設定した許容値と比較することにより、メンテナンスの要否を判定する。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイス処理ツール内に配置された電子デバイス内の膜を検出するためのシステム、装置及び方法を提供する。本発明は、装置を電子デバイス処理ツールのビューポートに連結するように構成された取付部材と、取付部材内に配置され且つ電子デバイス処理ツール内で電子デバイスを照らすように構成された光エネルギー源と、膜の存在を示す波長を通すように構成された光学システムと、膜の存在又は不在を検知するように構成された、基板で反射して光学システムを通過する光エネルギーを受け取るように位置決めされた光学検出装置とを含む。多数のその他の構成が開示される。
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【課題】大容量の真空容器を備えるプラズマ処理装置においても、特に複雑な装置構成を必要とせず、プラズマ処理前の所定プロセスガス圧に安定するまでの時間を短縮する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、成膜室１０１内でプラズマを発生させて被処理物１００に対し表面処理を行うものであり、成膜室１０１内に導入するプロセスガスの流量を制御するための流量制御器１０９と、流量制御器１０９内に設置したオリフィスと、オリフィスの上流側におけるプロセスガスの圧力を制御するための圧力制御手段１１５とを備える。そして、オリフィス上流側における圧力制御によりガス流量を制御し、流量制御されたガスを成膜室１０１内導入する。また、調圧バルブ１０７のコンダクタンスを適切に調節し、プラズマ処理中のプロセスガス圧を安定化する。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の出力電力を例えば伝送経路による電力損失を補足するように校正する際に，その電源校正にかかる時間を従来に比して大幅に短縮する。
【解決手段】高周波電力の電力設定値とオフセット値をデジタルデータとして入力可能なインタフェース手段２０４を有し，電力設定値とオフセット値とに基づいて目標電力出力値を調整して，その目標電力出力値に応じた高周波電力を電力出力端子２０２から送出する高周波電源２００と，同軸ケーブル１０２を介して伝送された高周波電力が整合器１０４を介して供給される処理室３００と，高周波電源を校正する際に，電力設定値と整合器の入力電力の値との差分値に応じてオフセット値を求め，電力設定値とオフセット値を高周波電源のデータ入力端子にデジタル伝送することにより，整合器の入力電力の値が電力設定値になるように，高周波電源の出力電力を制御する電源制御手段４００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】処理室内に温度計を設置しなくても、処理室内の昇温状態を簡便に判別できる機能を搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体をプラズマ処理する処理室と、前記処理室にガスを供給する手段と、前記処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体を載置する載置電極とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理の前に実施される昇温放電の終点を判定するための、昇温放電終点判定用プラズマ発光モニタ及び昇温放電終点判定手段を有している。 （もっと読む）

【課題】試料が処理室内に搬入され、プラズマ処理され、処理室内から搬出されるまでの中で処理室内での圧力変動により生じる異物巻上げ等による異物を低減する。
【解決手段】試料を処理する複数のプラズマ処理室と、それぞれの処理室内に連結され試料を搬送するための搬送室を有し、両室内もしくは処理室内のみに搬送室に供給する搬送用ガスと同じガスを供給する供給システムを具備するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、処理室内へ搬送用ガスを導入した後処理室内に試料を搬入する工程（イ）、その後処理室内の前記搬送用ガス導入を維持した状態で処理室内の搬送用ガスを利用してプラズマ発生させる工程（ウ）、このプラズマを維持した状態で処理室内に連続してプロセスガスを供給して搬送用ガスからプロセスガスへ切り替える工程（エ）、試料にプラズマ処理を行う工程（オ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理中の試料表面からの複数波長の干渉光を検出する検出器１１、試料の処理中の任意の時刻に得られた前記干渉光に関する実偏差パターンデータとこの試料の処理前に得られた別の試料の処理に関する複数波長の干渉光のデータであって前記膜の複数の厚さに各々対応する複数の標準偏差パターンとを比較してその偏差を演算するパターン比較手段１５、これらの間の偏差と予め設定された偏差とを比較して試料のその時点の膜の厚さに関するデータを出力する偏差比較手段１１５、前記膜の厚さに関するデータを時系列データとして記録する残膜厚さ時系列データ記録手段１８、前記膜の厚さデータを用いて所定量のエッチングが終了したことを判定する終点判定器２３０を備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】反応管が単一の場合でも複数並列配置されている場合でも、また整合回路などのプラズマ発生用の回路にダメージを与えることなく、簡単かつコンパクトな構成にてプラズマを安定して点火することができる大気圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】一端が吹き出し口５として開放された反応管１と、反応管１の周囲又はその近傍に配置されたアンテナ２又は電極と、反応管１内に他端からガス７を導入するガス供給手段と、アンテナ２又は電極に高周波電圧を印加する高周波電源４とを備えた大気圧プラズマ発生装置において、アンテナ２又は電極を間に挟んで反応管１の一端側と他端側に一対の点火用電極１２、１３を配置し、一方の点火用電極１２を電気的に接地し、他方の点火用電極１３を、所定時間高電圧を発生する点火装置１４に接続し、反応管１内のアンテナ２に対応したプラズマ発生部を縦貫して点火放電が生じるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生する放電不安定を抑制する。
【解決手段】真空処理室１に接地された環状導体２６を直流アースとして設置し、環状導体２６からアースへ流れる電流を０Ａ付近になるように電流モニタ２９の値に基づき直流バイアス電源２８を制御系３０で制御することにより、プラズマの空間電位が上昇することによって起こる放電不安定を抑える。 （もっと読む）

【課題】試料の温度をより高速に且つ正確に調節して試料の処理の効率を向上したプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室と、前記処理室内に設けられ被処理基板が配置される試料載置電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と、前記処理室内を排気するための真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、試料載置電極に設けられたヒータ加熱層及び基材温度モニタと、この基材温度モニタおよびプラズマ形成用電力からウェハ温度を推定するウェハ温度推定部と、この温度推定部からの出力に応じて前記ヒータを調節する制御装置とを有する。 （もっと読む）