プラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法
【課題】処理シーケンスにより、異常放電を防止して、静電チャック及び基板が損傷する
のを防止することができるプラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１２内に置かれた基板Ｐに対して表面処理を施す際に、高周波電
圧印加によりプラズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板Ｐの発熱に対して
冷却ガスを使用するプラズマ処理方法において、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮
断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴とする。
のを防止することができるプラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１２内に置かれた基板Ｐに対して表面処理を施す際に、高周波電
圧印加によりプラズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板Ｐの発熱に対して
冷却ガスを使用するプラズマ処理方法において、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮
断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置のような電気光学装置のウエハ（以下、基板）を製造するのに使用
されるプラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置のパネルの製造工程において、基板（例えば、石英基板）に成膜やドライ
エッチング等の表面処理を施すには、基板の平面度を保ちながら、それを保持する必要が
ある。このような保持手段には、静電気力によって基板をチャックする静電チャックが、
真空中でも使用可能であることから用いられている。
静電チャックは、セラミックス等の絶縁物内に設けた1つまたは複数の電極に電圧を印
加して、吸着物である基板と上記電極との間に正、負の電荷を生じさせ、この間に働く静
電気力によって基板を吸着し保持する。２つの電極間に直流電圧を印加する双極型のもの
と、単一電極に直流電圧を印加する単極型のものがある。
【０００３】
ところで、基板がシリコン基板の場合は、静電チャックを用いてそれにシリコン基板を
吸着保持できるが、基板が石英基板の場合は、それを静電チャックで吸着することができ
ない。これは、シリコン基板は、半導体であり電荷の移動度が高く帯電し易いのに対し、
石英基板は、絶縁体であり電荷の移動度が低く帯電し難いためである。
従って、基板として石英基板を使用する場合は、基板の裏面に静電チャック用のポリシ
リコン等の導電膜を形成し、電荷の移動度を高くし帯電し易くする工夫がなされている（
例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、石英基板等の基板に、成膜やドライエッチング等の表面処理を施す場合、例えば
酸化膜のエッチング時などには、基板は温度が上がり易く、そのため基板の下面をＨｅ等
の不活性ガスを供給して冷却することが行われている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところが、静電チャックにおいて、基板を吸着して冷却ガスを供給しつつプラズマを発
生させると、異常放電を起こすことがあった。すなわち、静電チャック板の表面における
ガス流出口（ガス流路の流出口）の部位において異常放電が発生し、そのガス流出口の周
縁、さらにはこのガス流出口に対応する基板の裏面部位が欠けたり、破損したりするなど
の損傷を受けることがあった。
【０００６】
前述の特許文献２には、半導体の製造工程において、半導体基板（例えば、シリコン基
板）に成膜やドライエッチング等の加工（処理）を施す際に、吸着した基板の下面にその
ガス流路から冷却ガスを供給して、プラズマ発生用の電極をなす金属製ベース部材に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させる際に、基板と静電チャックとの間で発生する異常
放電を防ぐ手段として、金属製ベース部材内におけるガス流路の壁面に絶縁材層を形成す
ることで、金属製ベース部材をなす金属が露出しないため、ここを通過するガスは、プラ
ズマ発生のための高周波電圧が同ベース部材に印加されても励起されないため高電位とな
らず、異常放電を防止できること、が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−２０８５９４号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の先行技術では、基板吸着時に、基板裏面の冷却ガス導入口
からの冷却ガスを冷却ガス導入管内で放電させないために、ガス流路の壁面に絶縁材層を
形成するように構造を変更することが必要である。
そこで、本発明は、上記の問題に鑑み、構造を変更することなく、処理シーケンスによ
り、異常放電を防止して、静電チャック及び基板が損傷するのを防止することができるプ
ラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるプラズマ処理方法は、チャンバー内に置かれた基板に対して表面処理を施
す際に、高周波電圧印加によりプラズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板
の発熱に対して冷却ガスを使用するプラズマ処理方法において、処理開始時に高周波電圧
の供給を一旦遮断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴とする。
本発明によるこのような方法によれば、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した
後、冷却ガスを導入するので、構造を変更することなく、処理シーケンスにより、異常放
電を防止して、静電チャック及び基板が損傷するのを防止することができる。
【０００９】
本発明による電気光学装置の製造方法は、基板の裏面に静電チャック用の導電膜を形成
した後、前記基板の表面に表面処理を施し、素子パターンを形成して素子基板を作製する
際に、チャンバー内において、高周波電圧印加によりプラズマを発生させて前記表面処理
を行い、その処理時の発熱に対して冷却ガスを使用する電気光学装置の製造方法において
、前記基板の導電膜を静電チャックの吸着面に載置し、処理開始時に、プラズマ発生用ガ
スの導入後、高周波電圧を印加することにより、前記静電チャックの吸着面及び前記基板
の裏面の導電膜を帯電させ、その後、前記静電チャックに直流電圧を印加して、前記基板
を前記静電チャックに静電吸着し、その吸着状態で、前記高周波電圧の供給を一旦遮断し
た後、前記冷却ガスを前記静電チャックの吸着面から前記基板の裏面に導入することを特
徴とする。
【００１０】
本発明によるこのような製造方法によれば、前述のプラズマ処理方法の効果に加えて、
プラズマ発生用の反応性ガスを導入後、高周波電圧を印加することにより、静電チャック
のセラミック等の絶縁物はプラズマにさらされることで表面がマイナス（−）に帯電し、
これに対して基板下面はプラス（＋）に帯電する。この帯電した状態に対して静電チャッ
クに吸着用の直流電圧をかけると、静電吸着を迅速に良好に行える。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記基板は、絶縁基板であることを特徴と
する。
このような製造方法に関して、例えば石英基板のような絶縁基板で裏面に導電膜が付い
ている状態であっても、抵抗の高い導電膜であると電荷の移動度が非常に遅いため、処理
開始時に基板に電荷を与えないと吸着できない。そのため、本願発明では、先ず、高周波
電圧を先行して印加することによって強制的に基板を帯電させ、前述したようにこの帯電
したものに対して静電チャック用の直流電圧をかけると、静電吸着を迅速に良好に行える
。つまり、石英基板であっても、本願発明によれば、静電チャックを良好に行うことがで
きる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記表面処理は、酸化膜のエッチング処理
であることを特徴とする。
このような製造方法に関して、酸化膜のエッチング処理では、基板表面の温度が高くな
り易いので、多量に冷却ガスを基板下面に供給しなければならない。そのような場合にも
、本願発明によれば、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した後に、冷却ガスを基
板の裏面に導入するので、異常放電を防止することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記導電膜は、ポリシリコンであることを
特徴とする。
このような製造方法に関して、ポリシリコンは静電チャック用の導電膜として使用され
るほかに、基板裏面の傷を防止するための保護膜として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態の電気光学装置の製造方法に用いられるプラズマエッチ
ング装置の構成図である。
図１に示すように、プラズマエッチング装置１０は、真空状態（減圧状態）に維持され
るチャンバー１２を備えており、チャンバー１２の下面壁１２ｂに形成された排気路１３
を介して、さらに高真空ポンプ１４及び低真空ポンプ１５（並びに除害装置１６）を介し
て内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態）に維持される
ようになっている。なお、除害装置１６は、エッチング後の排気プロセスにおいて、排気
したガスを無害化して外部に導出するための装置である。
【００１５】
また、チャンバー１２の内部には、石英基板などの基板Ｐを吸着して載置する静電チャ
ック及び下部電極１７が配置されている。静電チャック及び下部電極１７は、静電チャッ
クと下部電極が組み合わされて構成されている。
基板Ｐは、石英基板などの裏面に予め静電チャック用の導電膜を有し、表面には素子パ
ターンを形成する過程で堆積（蒸着を含む）される酸化膜を有している。
この静電チャック及び下部電極１７は、チャンバー１２の下面壁１２ｂを貫通して配置
されている。なお、図示しないが、下部電極１７と下面壁１２ｂとの間には、チャンバー
１２内の真空度を確保するために、シールリングなどのシール部材が配設されている。
【００１６】
一方、チャンバー１２の上方には、上部電極１８が設けられており、その基端部分１９
が、チャンバー１２の上面壁１２ａを貫通して、チャンバー１２外部に配設された高周波
電源２０に接続されている。この上部電極１８には、高周波印加コイル２１が設けられて
おり、この高周波印加コイル２１と高周波電源２０の間には、マッチング回路２２が配設
されている。これにより、高周波電源２０により発生した高周波エネルギーを損失なく高
周波印加コイル２１へ伝播できるようになっている。
【００１７】
また、チャンバー１２の壁、例えば上面壁１２ａには、反応性ガス供給路２３ａがバル
ブ２３を介して形成されており、図示しない反応性ガス供給源から、プラズマ発生用ガス
としての反応性ガスが、減圧状態に維持されたチャンバー１２内に導入されるように構成
されている。なお、反応性ガス供給路２３ａは上部電極１８に通じ、反応性ガスが上部電
極１８を通してチャンバー１２内に流れ込むようにしてもよい。
【００１８】
静電チャック及び下部電極１７の静電チャック板１７１の電極（図２の１７１ａ参照）
に対しては、直流電源２４から吸着用の直流電圧が印加されるようになっている。
さらに、図示しない冷却ガス供給源からＨｅガスがバルブ２５を介して冷却ガス供給路
２５ａに供給され、静電チャック及び下部電極１７の内部に設けたガス流路１７ａを経て
基板Ｐの下面に導出されるようになっている。冷却ガス供給路２５ａには、冷却ガスの流
出量を計量する流量計２６が設けられ、その流量検出信号は制御装置２７に供給されてい
る。
【００１９】
図１に示す点線は、制御装置２７から各被制御部に対して出力するオンオフ制御信号や
、制御装置２７に対して流量計測手段から供給される流量検出信号を示している。
制御装置２７は、例えばマイクロコンピュータで構成されており、ＣＰＵ等の演算処理
部と、この演算処理部に一連のプロセス動作を行わせるための制御プログラムを格納した
ＲＯＭと、このＲＯＭに記憶した制御プログラムを読み込んで前記演算処理部に所定の動
作を行わせる動作用ＲＡＭとを備えている。
【００２０】
具体的には、 制御装置２７は、チャンバー１２内にプラズマ発生用の反応性ガスを導
入するためのバルブ２３をオンオフ（開閉）する制御、高周波電源２０からのプラズマ発
生用の高周波電圧（ＲＦ）の出力をオンオフする制御、直流電源２４からの静電チャック
用の直流電圧の出力をンオフする制御、静電チャック板１７１（図２参照）の吸着面に冷
却ガスを導入するためのバルブ２５をオンオフ（開閉）する制御、流量計２６で検出され
る冷却ガスの流量検出信号を入力し、冷却ガスが所定値（閾値）を越えたか越えないかの
判定及びその結果に基づく制御、などを行う。
【００２１】
図２は上記静電チャック及び下部電極１７を説明する断面図を示している。但し、ガス
流路については記載を省略してある。この図では、単極型の静電チャックが示されている
。図２に示すように、上記静電チャック及び下部電極１７は、下部電極１７２と、その上
に重ねて置かれた静電チャック板１７１とを備えている。静電チャック板１７１は、セラ
ミック等の絶縁物を板状に構成したものであり、その表面（吸着面）近くに電極１７１ａ
が埋め込まれている。電極１７１ａには、直流電源２４からの直流電圧（例えば、正電圧
）が印加されるようになっている。そして、静電チャック板１７１の吸着面上に石英基板
Ｐが配置される。石英基板Ｐは、裏面に予め静電チャック用の導電膜としてのポリシリコ
ンが形成され、その表面には製造過程で酸化膜を含む素子パターンなどが形成されている
。
【００２２】
このような静電チャックの構成によれば、プラズマ発生用の反応性ガス（例えばＣＦ4
）をチャンバー１２内に導入後、高周波電源２０から高周波電圧（ＲＦ）を印加すること
により、静電チャック板１７１のセラミック等の絶縁物１７１ｂはプラズマにさらされる
ことによって表面がマイナス（−）に帯電し、これに対して基板Ｐの下面はプラス（＋）
に帯電する。この帯電したものに対して静電チャック用の直流電圧（ＨＶ）をかけること
で、静電吸着が良好に行われる。
【００２３】
換言すれば、絶縁体である石英基板の裏面に導電膜が付いている状態であっても、導電
性がポリシリコンのように比較的抵抗の高い導電膜であると電荷の移動度が非常に遅いた
め、プラズマ処理の開始時に基板に予め電荷を与えないと基板を静電チャックに対して良
好に静電吸着できない。従って、先ず、高周波電圧（ＲＦ）を先行して印加することによ
って強制的に基板を帯電させ、前述したようにこの帯電したものに対して静電チャック用
の直流電圧（ＨＶ）をかけると、静電チャッキングが迅速かつ良好に行える。つまり、石
英基板のような絶縁基板であっても、本願の方法によれば、静電チャックを良好に行える
ことになる。
【００２４】
図３(ａ)は、異常放電を生じることなくプラズマエッチングが行われている状態を図示
したものである。図３(ｂ)は、従来の方法でプラズマエッチングを行った時に異常放電が
発生した状態を図示したものである。図３(ｂ)のような異常放電は、異物が基板の裏面に
付着している場合などに、高周波電圧を印加した状態で、冷却用Ｈｅガスが大量に投入さ
れた時に生じ易い。即ち、大量に漏れた冷却用Ｈｅガスが高周波で異常放電し、静電チャ
ック板の表面で異常放電する。
【００２５】
上記の図１（及び図２）のように構成される本発明に係るプラズマエッチング装置１０
は、下記のように動作する。ここでは、基板の表面に少なくとも酸化膜が形成されている
状態で酸化膜エッチングを行う場合について説明する。なお、酸化膜は、エッチング時に
表面の温度が上がり易く、焼け易い。
本発明の実施形態は、プラズマ処理開始時に高周波電圧（ＲＦ）の供給を一旦遮断した
後、冷却ガスを導入することに特徴がある。
【００２６】
図４は本発明の実施形態における動作を説明するタイミングチャートを示している。制
御装置２７の制御に基づく、プラズマ発生用の反応性ガス、高周波電圧（ＲＦと略記）、
静電チャック用の直流電圧（ＨＶと略記）、冷却用Ｈｅガス（Ｈｅと略記）、それぞれの
オンオフ動作のタイミングを示している。
図４(ａ)は、通常時の動作タイミングを示し、図４(ｂ)は異常時の動作タイミングを示
している。時間ｔ1は反応性ガスの投入タイミング、ｔ2はＲＦの最初の印加タイミング、
ｔ3はＨＶの印加タイミング、ｔ4はＲＦの一時遮断のタイミング、ｔ5は冷却用Ｈｅ投入
タイミング、ｔ6はＲＦの一時遮断後の再印加タイミング、をそれぞれ示している。
【００２７】
図４(ａ)を参照しながら、図１のプラズマエッチング装置の通常時の動作を説明する。
先ず、チャンバー１２の静電チャック及び下部電極１７の台上に、例えば、表面に酸化
膜、裏面に導電膜が形成された石英基板Ｐを載置する。
そして、チャンバー１２の下面壁１２ｂに形成された排気路１３を介し、ポンプ１４，
１５などを介して内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態
）例えば、１０〜２０００Ｐａの減圧状態に維持する。そして、時間ｔ1で、バルブ２３
がオン（開）し、反応性ガス供給源（図示略）から反応性ガスが、反応性ガス供給路２３
ａを介して、減圧状態に維持されたチャンバー１２内に導入される。
【００２８】
この場合、反応性ガス供給源（図示略）から供給される反応性ガスとしては、例えば、
酸化シリコン（ＳｉＯ２）をプラズマエッチングする際には、ＣＦ4などが用いられる。
そして、時間ｔ2で、高周波電源２０により発生した高周波電圧（ＲＦ）を高周波印加
コイル２１から上部電極１８に供給して高周波電界を発生させ、これによって、静電チャ
ック板１７１の吸着面及び基板Ｐの裏面の導電膜１１を帯電させる。その後、時間ｔ3で
、静電チャック板１７１の電極１７１ａに直流電圧（ＨＶ）を印加して、基板Ｐを静電チ
ャック板１７１に静電吸着する。そして、その吸着状態で、時間ｔ4において、高周波電
源２０からの高周波電圧（ＲＦ）の供給を一旦遮断した後、時間ｔ4から若干経過した時
間ｔ5において、図示しない冷却ガス供給源からの冷却ガスを静電チャック板１７１の吸
着面から基板の裏面に導入する。このとき、冷却用Ｈｅの投入時にＨｅガスが適量投入さ
れれば、高周波電圧（ＲＦ）の供給が遮断されているので、Ｈｅガスで放電が発生するこ
とはない。
【００２９】
そして、時間ｔ6で、高周波電圧（ＲＦ）の遮断が解除された（即ち印加された）とき
は、高周波電界をトリガとして反応性ガスを励起させて、反応性の高いプラズマ状態（以
下、活性化した反応性ガス）が生成されている。そして、この活性化した反応性ガスの作
用によって、静電チャック及び下部電極１７に設置された基板Ｐの表面の酸化膜をエッチ
ングする。
このように、図４(ａ)は通常時には、時間ｔ4〜ｔ6における高周波電圧（ＲＦ）が遮断
された状態では、冷却用Ｈｅが投入されても、Ｈｅガスによる異常放電は発生しない。
【００３０】
これに対して、図４(ｂ)は異常時には、時間ｔ4〜ｔ6における高周波電圧（ＲＦ）が一
時遮断された状態では、冷却用Ｈｅが大量に漏れても、Ｈｅで放電しないが、制御装置２
７が流量計２６からの検出信号に基づいて冷却用Ｈｅの流量が閾値を越えたことを検出す
ると、反応性ガス，ＲＦ電圧，ＨＶ電圧，Ｈｅガスの供給を停止する。即ち、時間ｔ4〜
ｔ6の期間ではＲＦが遮断されているので、Ｈｅで放電せずに、Ｈｅの流量過大検出に基
づき、プラズマエッチング装置１０はインターロックによりエッチング動作を停止する。
【００３１】
図４(ｂ)で、符号ｂは高周波電圧（ＲＦ）の電圧レベル、ｃは静電チャック用直流電圧
（ＨＶ）の電圧レベル、ａは直流電圧（ＨＶ）の印加時（ｔ3）から高周波電圧（ＲＦ）
の一時遮断開始時（ｔ4）までの時間を示している。電荷移動度の少ない石英基板では、
ａ，ｂ，ｃを最適な条件にすることにより、吸着が可能になる。
以上述べたように本発明の実施形態によれば、(1)吸着対象基板に電荷を供給させるた
め、高周波によりプラズマを発生させる。(2)十分に電荷が供給された基板を静電吸着さ
せるために静電チャックに直流電圧を印加し、静電チャック表面を帯電、基板を静電吸着
させる。(3)従来プロセスの場合、このまま冷却ガスを導入し、プラズマエッチングのプ
ロセスを開始させるが、一旦高周波を遮断し、冷却用Ｈｅガスを導入する。つまり、冷却
ガス導入の前に、高周波出力を零にすることで、冷却ガスによる静電チャック表面の放電
を防止する。
【００３２】
従って、基板の裏面に異物が付着した場合、若しくは他理由で静電吸着を阻害する因子
が加わった場合に、冷却ガスにより静電チャック表面の絶縁物が異常放電により破損し、
耐圧が取れなくなり使用不能になることを防止できる。また、その際に基板の表裏面にも
異常放電によるダメージが発生することを防ぐことができる。
【００３３】
次に、以上のように構成されたプラズマエッチング装置を用いて製造される、本発明の
電気光学装置に係る実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、電気光学装置の一
例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
図５は、素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図６は、図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００３４】
図５及び図６において、本実施の形態に係る液晶装置では、図１に示した基板Ｐを構成
する素子基板１１０と、対向基板１２０と、が対向配置されている。
素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶層１５０が封入されており、素子基板１
１０と対向基板１２０とは、画像表示領域１１０ａの周囲に位置するシール領域に設けら
れたシール材１５２により相互に接着されている。シール材１５２は、両基板を貼り合わ
せるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等から
なり、製造プロセスにおいて素子基板１１０上に塗布された後、加熱、加熱及び光照射、
光照射、紫外線照射等により硬化させられたものである。
【００３５】
このようなシール材１５２中には、両基板間の間隔（基板間ギャップ）を所定値とする
ためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合されている。即ち、本実
施の形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行う
のに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型
で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層１５０中に含まれ
てもよい。
対向基板１２０の４隅には、上下導通材１０６が設けられており、素子基板１１０に設
けられた上下導通端子と対向基板１２０に設けられた対向電極１２１との間で電気的な導
通をとる。
【００３６】
図５及び図６において、シール材１５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画
像表示領域１１０ａを規定する遮光性の周辺遮光膜１５３が対向基板１２０側に設けられ
ている。周辺遮光膜１５３は素子基板１１０側に設けても良いことは言うまでもない。画
像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材１５２が配置されたシール領域の外
側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１１０の一
辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って
設けられている。更に素子基板１１０の残る一辺には、画像表示領域１１０ａの両側に設
けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
図６において、素子基板１１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ
線等の配線が形成された後の画素電極１０９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対
向基板１２０上には、対向電極１２１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また
、液晶層１５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、
これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３８】
本実施の形態では、周辺遮光膜１５３下にある素子基板１１０上の領域に、図示しない
サンプリング回路が設けられている。サンプリング回路は、画像信号線上の画像信号をデ
ータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングし
てデータ線に供給するように構成されている。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置だけで
はなく、パッシブマトリクス型の液晶装置にも同様に適用することが可能である。また、
液晶装置ルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス
装置、プラズマディスブレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装
置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display等）
などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００４０】
なお、本発明は、基板に回路素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid
Crysta1 On Silicon）などにも適用可能である。ＬＣＯＳでは素子基板として単結晶シリ
コン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶
シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画
素の各素子を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態の電気光学装置の製造方法に用いられるプラズマ処理方法が適用されるプラズマエッチング装置の構成図。
【図２】図１の静電チャック及び下部電極を説明する断面図。
【図３】プラズマエッチングにおける異常放電の発生しない通常時と従来の方法による異常放電を発生する異常時を説明する説明図。
【図４】本発明の実施形態における動作を説明するタイミングチャート。
【図５】電気光学装置における素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図。
【図６】図５のＨ−Ｈ’断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１０…プラズマエッチング装置、１１…導電膜（ポリシリコン）、１２…チャンバー、
１７…静電チャック及び下部電極、１７ａ…ガス流路、１８…上部電極、２０…プラズマ
発生用の高周波電源、２４…静電チャック用の直流電源、２６…冷却ガスの流量計、２７
…制御装置、１７１…静電チャック板、１７２…下部電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置のような電気光学装置のウエハ（以下、基板）を製造するのに使用
されるプラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置のパネルの製造工程において、基板（例えば、石英基板）に成膜やドライ
エッチング等の表面処理を施すには、基板の平面度を保ちながら、それを保持する必要が
ある。このような保持手段には、静電気力によって基板をチャックする静電チャックが、
真空中でも使用可能であることから用いられている。
静電チャックは、セラミックス等の絶縁物内に設けた1つまたは複数の電極に電圧を印
加して、吸着物である基板と上記電極との間に正、負の電荷を生じさせ、この間に働く静
電気力によって基板を吸着し保持する。２つの電極間に直流電圧を印加する双極型のもの
と、単一電極に直流電圧を印加する単極型のものがある。
【０００３】
ところで、基板がシリコン基板の場合は、静電チャックを用いてそれにシリコン基板を
吸着保持できるが、基板が石英基板の場合は、それを静電チャックで吸着することができ
ない。これは、シリコン基板は、半導体であり電荷の移動度が高く帯電し易いのに対し、
石英基板は、絶縁体であり電荷の移動度が低く帯電し難いためである。
従って、基板として石英基板を使用する場合は、基板の裏面に静電チャック用のポリシ
リコン等の導電膜を形成し、電荷の移動度を高くし帯電し易くする工夫がなされている（
例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、石英基板等の基板に、成膜やドライエッチング等の表面処理を施す場合、例えば
酸化膜のエッチング時などには、基板は温度が上がり易く、そのため基板の下面をＨｅ等
の不活性ガスを供給して冷却することが行われている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところが、静電チャックにおいて、基板を吸着して冷却ガスを供給しつつプラズマを発
生させると、異常放電を起こすことがあった。すなわち、静電チャック板の表面における
ガス流出口（ガス流路の流出口）の部位において異常放電が発生し、そのガス流出口の周
縁、さらにはこのガス流出口に対応する基板の裏面部位が欠けたり、破損したりするなど
の損傷を受けることがあった。
【０００６】
前述の特許文献２には、半導体の製造工程において、半導体基板（例えば、シリコン基
板）に成膜やドライエッチング等の加工（処理）を施す際に、吸着した基板の下面にその
ガス流路から冷却ガスを供給して、プラズマ発生用の電極をなす金属製ベース部材に高周
波電圧を印加してプラズマを発生させる際に、基板と静電チャックとの間で発生する異常
放電を防ぐ手段として、金属製ベース部材内におけるガス流路の壁面に絶縁材層を形成す
ることで、金属製ベース部材をなす金属が露出しないため、ここを通過するガスは、プラ
ズマ発生のための高周波電圧が同ベース部材に印加されても励起されないため高電位とな
らず、異常放電を防止できること、が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−２０８５９４号公報
【特許文献２】特開２００５−２６８６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の先行技術では、基板吸着時に、基板裏面の冷却ガス導入口
からの冷却ガスを冷却ガス導入管内で放電させないために、ガス流路の壁面に絶縁材層を
形成するように構造を変更することが必要である。
そこで、本発明は、上記の問題に鑑み、構造を変更することなく、処理シーケンスによ
り、異常放電を防止して、静電チャック及び基板が損傷するのを防止することができるプ
ラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるプラズマ処理方法は、チャンバー内に置かれた基板に対して表面処理を施
す際に、高周波電圧印加によりプラズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板
の発熱に対して冷却ガスを使用するプラズマ処理方法において、処理開始時に高周波電圧
の供給を一旦遮断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴とする。
本発明によるこのような方法によれば、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した
後、冷却ガスを導入するので、構造を変更することなく、処理シーケンスにより、異常放
電を防止して、静電チャック及び基板が損傷するのを防止することができる。
【０００９】
本発明による電気光学装置の製造方法は、基板の裏面に静電チャック用の導電膜を形成
した後、前記基板の表面に表面処理を施し、素子パターンを形成して素子基板を作製する
際に、チャンバー内において、高周波電圧印加によりプラズマを発生させて前記表面処理
を行い、その処理時の発熱に対して冷却ガスを使用する電気光学装置の製造方法において
、前記基板の導電膜を静電チャックの吸着面に載置し、処理開始時に、プラズマ発生用ガ
スの導入後、高周波電圧を印加することにより、前記静電チャックの吸着面及び前記基板
の裏面の導電膜を帯電させ、その後、前記静電チャックに直流電圧を印加して、前記基板
を前記静電チャックに静電吸着し、その吸着状態で、前記高周波電圧の供給を一旦遮断し
た後、前記冷却ガスを前記静電チャックの吸着面から前記基板の裏面に導入することを特
徴とする。
【００１０】
本発明によるこのような製造方法によれば、前述のプラズマ処理方法の効果に加えて、
プラズマ発生用の反応性ガスを導入後、高周波電圧を印加することにより、静電チャック
のセラミック等の絶縁物はプラズマにさらされることで表面がマイナス（−）に帯電し、
これに対して基板下面はプラス（＋）に帯電する。この帯電した状態に対して静電チャッ
クに吸着用の直流電圧をかけると、静電吸着を迅速に良好に行える。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記基板は、絶縁基板であることを特徴と
する。
このような製造方法に関して、例えば石英基板のような絶縁基板で裏面に導電膜が付い
ている状態であっても、抵抗の高い導電膜であると電荷の移動度が非常に遅いため、処理
開始時に基板に電荷を与えないと吸着できない。そのため、本願発明では、先ず、高周波
電圧を先行して印加することによって強制的に基板を帯電させ、前述したようにこの帯電
したものに対して静電チャック用の直流電圧をかけると、静電吸着を迅速に良好に行える
。つまり、石英基板であっても、本願発明によれば、静電チャックを良好に行うことがで
きる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記表面処理は、酸化膜のエッチング処理
であることを特徴とする。
このような製造方法に関して、酸化膜のエッチング処理では、基板表面の温度が高くな
り易いので、多量に冷却ガスを基板下面に供給しなければならない。そのような場合にも
、本願発明によれば、処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した後に、冷却ガスを基
板の裏面に導入するので、異常放電を防止することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法において、前記導電膜は、ポリシリコンであることを
特徴とする。
このような製造方法に関して、ポリシリコンは静電チャック用の導電膜として使用され
るほかに、基板裏面の傷を防止するための保護膜として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態の電気光学装置の製造方法に用いられるプラズマエッチ
ング装置の構成図である。
図１に示すように、プラズマエッチング装置１０は、真空状態（減圧状態）に維持され
るチャンバー１２を備えており、チャンバー１２の下面壁１２ｂに形成された排気路１３
を介して、さらに高真空ポンプ１４及び低真空ポンプ１５（並びに除害装置１６）を介し
て内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態）に維持される
ようになっている。なお、除害装置１６は、エッチング後の排気プロセスにおいて、排気
したガスを無害化して外部に導出するための装置である。
【００１５】
また、チャンバー１２の内部には、石英基板などの基板Ｐを吸着して載置する静電チャ
ック及び下部電極１７が配置されている。静電チャック及び下部電極１７は、静電チャッ
クと下部電極が組み合わされて構成されている。
基板Ｐは、石英基板などの裏面に予め静電チャック用の導電膜を有し、表面には素子パ
ターンを形成する過程で堆積（蒸着を含む）される酸化膜を有している。
この静電チャック及び下部電極１７は、チャンバー１２の下面壁１２ｂを貫通して配置
されている。なお、図示しないが、下部電極１７と下面壁１２ｂとの間には、チャンバー
１２内の真空度を確保するために、シールリングなどのシール部材が配設されている。
【００１６】
一方、チャンバー１２の上方には、上部電極１８が設けられており、その基端部分１９
が、チャンバー１２の上面壁１２ａを貫通して、チャンバー１２外部に配設された高周波
電源２０に接続されている。この上部電極１８には、高周波印加コイル２１が設けられて
おり、この高周波印加コイル２１と高周波電源２０の間には、マッチング回路２２が配設
されている。これにより、高周波電源２０により発生した高周波エネルギーを損失なく高
周波印加コイル２１へ伝播できるようになっている。
【００１７】
また、チャンバー１２の壁、例えば上面壁１２ａには、反応性ガス供給路２３ａがバル
ブ２３を介して形成されており、図示しない反応性ガス供給源から、プラズマ発生用ガス
としての反応性ガスが、減圧状態に維持されたチャンバー１２内に導入されるように構成
されている。なお、反応性ガス供給路２３ａは上部電極１８に通じ、反応性ガスが上部電
極１８を通してチャンバー１２内に流れ込むようにしてもよい。
【００１８】
静電チャック及び下部電極１７の静電チャック板１７１の電極（図２の１７１ａ参照）
に対しては、直流電源２４から吸着用の直流電圧が印加されるようになっている。
さらに、図示しない冷却ガス供給源からＨｅガスがバルブ２５を介して冷却ガス供給路
２５ａに供給され、静電チャック及び下部電極１７の内部に設けたガス流路１７ａを経て
基板Ｐの下面に導出されるようになっている。冷却ガス供給路２５ａには、冷却ガスの流
出量を計量する流量計２６が設けられ、その流量検出信号は制御装置２７に供給されてい
る。
【００１９】
図１に示す点線は、制御装置２７から各被制御部に対して出力するオンオフ制御信号や
、制御装置２７に対して流量計測手段から供給される流量検出信号を示している。
制御装置２７は、例えばマイクロコンピュータで構成されており、ＣＰＵ等の演算処理
部と、この演算処理部に一連のプロセス動作を行わせるための制御プログラムを格納した
ＲＯＭと、このＲＯＭに記憶した制御プログラムを読み込んで前記演算処理部に所定の動
作を行わせる動作用ＲＡＭとを備えている。
【００２０】
具体的には、 制御装置２７は、チャンバー１２内にプラズマ発生用の反応性ガスを導
入するためのバルブ２３をオンオフ（開閉）する制御、高周波電源２０からのプラズマ発
生用の高周波電圧（ＲＦ）の出力をオンオフする制御、直流電源２４からの静電チャック
用の直流電圧の出力をンオフする制御、静電チャック板１７１（図２参照）の吸着面に冷
却ガスを導入するためのバルブ２５をオンオフ（開閉）する制御、流量計２６で検出され
る冷却ガスの流量検出信号を入力し、冷却ガスが所定値（閾値）を越えたか越えないかの
判定及びその結果に基づく制御、などを行う。
【００２１】
図２は上記静電チャック及び下部電極１７を説明する断面図を示している。但し、ガス
流路については記載を省略してある。この図では、単極型の静電チャックが示されている
。図２に示すように、上記静電チャック及び下部電極１７は、下部電極１７２と、その上
に重ねて置かれた静電チャック板１７１とを備えている。静電チャック板１７１は、セラ
ミック等の絶縁物を板状に構成したものであり、その表面（吸着面）近くに電極１７１ａ
が埋め込まれている。電極１７１ａには、直流電源２４からの直流電圧（例えば、正電圧
）が印加されるようになっている。そして、静電チャック板１７１の吸着面上に石英基板
Ｐが配置される。石英基板Ｐは、裏面に予め静電チャック用の導電膜としてのポリシリコ
ンが形成され、その表面には製造過程で酸化膜を含む素子パターンなどが形成されている
。
【００２２】
このような静電チャックの構成によれば、プラズマ発生用の反応性ガス（例えばＣＦ4
）をチャンバー１２内に導入後、高周波電源２０から高周波電圧（ＲＦ）を印加すること
により、静電チャック板１７１のセラミック等の絶縁物１７１ｂはプラズマにさらされる
ことによって表面がマイナス（−）に帯電し、これに対して基板Ｐの下面はプラス（＋）
に帯電する。この帯電したものに対して静電チャック用の直流電圧（ＨＶ）をかけること
で、静電吸着が良好に行われる。
【００２３】
換言すれば、絶縁体である石英基板の裏面に導電膜が付いている状態であっても、導電
性がポリシリコンのように比較的抵抗の高い導電膜であると電荷の移動度が非常に遅いた
め、プラズマ処理の開始時に基板に予め電荷を与えないと基板を静電チャックに対して良
好に静電吸着できない。従って、先ず、高周波電圧（ＲＦ）を先行して印加することによ
って強制的に基板を帯電させ、前述したようにこの帯電したものに対して静電チャック用
の直流電圧（ＨＶ）をかけると、静電チャッキングが迅速かつ良好に行える。つまり、石
英基板のような絶縁基板であっても、本願の方法によれば、静電チャックを良好に行える
ことになる。
【００２４】
図３(ａ)は、異常放電を生じることなくプラズマエッチングが行われている状態を図示
したものである。図３(ｂ)は、従来の方法でプラズマエッチングを行った時に異常放電が
発生した状態を図示したものである。図３(ｂ)のような異常放電は、異物が基板の裏面に
付着している場合などに、高周波電圧を印加した状態で、冷却用Ｈｅガスが大量に投入さ
れた時に生じ易い。即ち、大量に漏れた冷却用Ｈｅガスが高周波で異常放電し、静電チャ
ック板の表面で異常放電する。
【００２５】
上記の図１（及び図２）のように構成される本発明に係るプラズマエッチング装置１０
は、下記のように動作する。ここでは、基板の表面に少なくとも酸化膜が形成されている
状態で酸化膜エッチングを行う場合について説明する。なお、酸化膜は、エッチング時に
表面の温度が上がり易く、焼け易い。
本発明の実施形態は、プラズマ処理開始時に高周波電圧（ＲＦ）の供給を一旦遮断した
後、冷却ガスを導入することに特徴がある。
【００２６】
図４は本発明の実施形態における動作を説明するタイミングチャートを示している。制
御装置２７の制御に基づく、プラズマ発生用の反応性ガス、高周波電圧（ＲＦと略記）、
静電チャック用の直流電圧（ＨＶと略記）、冷却用Ｈｅガス（Ｈｅと略記）、それぞれの
オンオフ動作のタイミングを示している。
図４(ａ)は、通常時の動作タイミングを示し、図４(ｂ)は異常時の動作タイミングを示
している。時間ｔ1は反応性ガスの投入タイミング、ｔ2はＲＦの最初の印加タイミング、
ｔ3はＨＶの印加タイミング、ｔ4はＲＦの一時遮断のタイミング、ｔ5は冷却用Ｈｅ投入
タイミング、ｔ6はＲＦの一時遮断後の再印加タイミング、をそれぞれ示している。
【００２７】
図４(ａ)を参照しながら、図１のプラズマエッチング装置の通常時の動作を説明する。
先ず、チャンバー１２の静電チャック及び下部電極１７の台上に、例えば、表面に酸化
膜、裏面に導電膜が形成された石英基板Ｐを載置する。
そして、チャンバー１２の下面壁１２ｂに形成された排気路１３を介し、ポンプ１４，
１５などを介して内部の気体を外部に排出することによって、一定の真空状態（減圧状態
）例えば、１０〜２０００Ｐａの減圧状態に維持する。そして、時間ｔ1で、バルブ２３
がオン（開）し、反応性ガス供給源（図示略）から反応性ガスが、反応性ガス供給路２３
ａを介して、減圧状態に維持されたチャンバー１２内に導入される。
【００２８】
この場合、反応性ガス供給源（図示略）から供給される反応性ガスとしては、例えば、
酸化シリコン（ＳｉＯ２）をプラズマエッチングする際には、ＣＦ4などが用いられる。
そして、時間ｔ2で、高周波電源２０により発生した高周波電圧（ＲＦ）を高周波印加
コイル２１から上部電極１８に供給して高周波電界を発生させ、これによって、静電チャ
ック板１７１の吸着面及び基板Ｐの裏面の導電膜１１を帯電させる。その後、時間ｔ3で
、静電チャック板１７１の電極１７１ａに直流電圧（ＨＶ）を印加して、基板Ｐを静電チ
ャック板１７１に静電吸着する。そして、その吸着状態で、時間ｔ4において、高周波電
源２０からの高周波電圧（ＲＦ）の供給を一旦遮断した後、時間ｔ4から若干経過した時
間ｔ5において、図示しない冷却ガス供給源からの冷却ガスを静電チャック板１７１の吸
着面から基板の裏面に導入する。このとき、冷却用Ｈｅの投入時にＨｅガスが適量投入さ
れれば、高周波電圧（ＲＦ）の供給が遮断されているので、Ｈｅガスで放電が発生するこ
とはない。
【００２９】
そして、時間ｔ6で、高周波電圧（ＲＦ）の遮断が解除された（即ち印加された）とき
は、高周波電界をトリガとして反応性ガスを励起させて、反応性の高いプラズマ状態（以
下、活性化した反応性ガス）が生成されている。そして、この活性化した反応性ガスの作
用によって、静電チャック及び下部電極１７に設置された基板Ｐの表面の酸化膜をエッチ
ングする。
このように、図４(ａ)は通常時には、時間ｔ4〜ｔ6における高周波電圧（ＲＦ）が遮断
された状態では、冷却用Ｈｅが投入されても、Ｈｅガスによる異常放電は発生しない。
【００３０】
これに対して、図４(ｂ)は異常時には、時間ｔ4〜ｔ6における高周波電圧（ＲＦ）が一
時遮断された状態では、冷却用Ｈｅが大量に漏れても、Ｈｅで放電しないが、制御装置２
７が流量計２６からの検出信号に基づいて冷却用Ｈｅの流量が閾値を越えたことを検出す
ると、反応性ガス，ＲＦ電圧，ＨＶ電圧，Ｈｅガスの供給を停止する。即ち、時間ｔ4〜
ｔ6の期間ではＲＦが遮断されているので、Ｈｅで放電せずに、Ｈｅの流量過大検出に基
づき、プラズマエッチング装置１０はインターロックによりエッチング動作を停止する。
【００３１】
図４(ｂ)で、符号ｂは高周波電圧（ＲＦ）の電圧レベル、ｃは静電チャック用直流電圧
（ＨＶ）の電圧レベル、ａは直流電圧（ＨＶ）の印加時（ｔ3）から高周波電圧（ＲＦ）
の一時遮断開始時（ｔ4）までの時間を示している。電荷移動度の少ない石英基板では、
ａ，ｂ，ｃを最適な条件にすることにより、吸着が可能になる。
以上述べたように本発明の実施形態によれば、(1)吸着対象基板に電荷を供給させるた
め、高周波によりプラズマを発生させる。(2)十分に電荷が供給された基板を静電吸着さ
せるために静電チャックに直流電圧を印加し、静電チャック表面を帯電、基板を静電吸着
させる。(3)従来プロセスの場合、このまま冷却ガスを導入し、プラズマエッチングのプ
ロセスを開始させるが、一旦高周波を遮断し、冷却用Ｈｅガスを導入する。つまり、冷却
ガス導入の前に、高周波出力を零にすることで、冷却ガスによる静電チャック表面の放電
を防止する。
【００３２】
従って、基板の裏面に異物が付着した場合、若しくは他理由で静電吸着を阻害する因子
が加わった場合に、冷却ガスにより静電チャック表面の絶縁物が異常放電により破損し、
耐圧が取れなくなり使用不能になることを防止できる。また、その際に基板の表裏面にも
異常放電によるダメージが発生することを防ぐことができる。
【００３３】
次に、以上のように構成されたプラズマエッチング装置を用いて製造される、本発明の
電気光学装置に係る実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、電気光学装置の一
例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
図５は、素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図６は、図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００３４】
図５及び図６において、本実施の形態に係る液晶装置では、図１に示した基板Ｐを構成
する素子基板１１０と、対向基板１２０と、が対向配置されている。
素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶層１５０が封入されており、素子基板１
１０と対向基板１２０とは、画像表示領域１１０ａの周囲に位置するシール領域に設けら
れたシール材１５２により相互に接着されている。シール材１５２は、両基板を貼り合わ
せるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等から
なり、製造プロセスにおいて素子基板１１０上に塗布された後、加熱、加熱及び光照射、
光照射、紫外線照射等により硬化させられたものである。
【００３５】
このようなシール材１５２中には、両基板間の間隔（基板間ギャップ）を所定値とする
ためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合されている。即ち、本実
施の形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行う
のに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型
で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層１５０中に含まれ
てもよい。
対向基板１２０の４隅には、上下導通材１０６が設けられており、素子基板１１０に設
けられた上下導通端子と対向基板１２０に設けられた対向電極１２１との間で電気的な導
通をとる。
【００３６】
図５及び図６において、シール材１５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画
像表示領域１１０ａを規定する遮光性の周辺遮光膜１５３が対向基板１２０側に設けられ
ている。周辺遮光膜１５３は素子基板１１０側に設けても良いことは言うまでもない。画
像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材１５２が配置されたシール領域の外
側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１１０の一
辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って
設けられている。更に素子基板１１０の残る一辺には、画像表示領域１１０ａの両側に設
けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
【００３７】
図６において、素子基板１１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ
線等の配線が形成された後の画素電極１０９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対
向基板１２０上には、対向電極１２１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また
、液晶層１５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、
これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３８】
本実施の形態では、周辺遮光膜１５３下にある素子基板１１０上の領域に、図示しない
サンプリング回路が設けられている。サンプリング回路は、画像信号線上の画像信号をデ
ータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングし
てデータ線に供給するように構成されている。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置だけで
はなく、パッシブマトリクス型の液晶装置にも同様に適用することが可能である。また、
液晶装置ルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス
装置、プラズマディスブレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装
置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display等）
などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【００４０】
なお、本発明は、基板に回路素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid
Crysta1 On Silicon）などにも適用可能である。ＬＣＯＳでは素子基板として単結晶シリ
コン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶
シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画
素の各素子を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態の電気光学装置の製造方法に用いられるプラズマ処理方法が適用されるプラズマエッチング装置の構成図。
【図２】図１の静電チャック及び下部電極を説明する断面図。
【図３】プラズマエッチングにおける異常放電の発生しない通常時と従来の方法による異常放電を発生する異常時を説明する説明図。
【図４】本発明の実施形態における動作を説明するタイミングチャート。
【図５】電気光学装置における素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図。
【図６】図５のＨ−Ｈ’断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１０…プラズマエッチング装置、１１…導電膜（ポリシリコン）、１２…チャンバー、
１７…静電チャック及び下部電極、１７ａ…ガス流路、１８…上部電極、２０…プラズマ
発生用の高周波電源、２４…静電チャック用の直流電源、２６…冷却ガスの流量計、２７
…制御装置、１７１…静電チャック板、１７２…下部電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に置かれた基板に対して表面処理を施す際に、高周波電圧印加によりプラ
ズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板の発熱に対して冷却ガスを使用する
プラズマ処理方法において、
処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴
とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
基板の裏面に静電チャック用の導電膜を形成した後、前記基板の表面に表面処理を施し
、素子パターンを形成して素子基板を作製する際に、チャンバー内において、高周波電圧
印加によりプラズマを発生させて前記表面処理を行い、その処理時の発熱に対して冷却ガ
スを使用する電気光学装置の製造方法において、
前記基板の導電膜を静電チャックの吸着面に載置し、処理開始時に、プラズマ発生用ガ
スの導入後、高周波電圧を印加することにより、前記静電チャックの吸着面及び前記基板
の裏面の導電膜を帯電させ、その後、前記静電チャックに直流電圧を印加して、前記基板
を前記静電チャックに静電吸着し、その吸着状態で、前記高周波電圧の供給を一旦遮断し
た後、前記冷却ガスを前記静電チャックの吸着面から前記基板の裏面に導入することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、絶縁基板であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方
法。
【請求項４】
前記表面処理は、酸化膜のエッチング処理であることを特徴とする請求項２に記載の電
気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電膜は、ポリシリコンであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の
製造方法。
【請求項１】
チャンバー内に置かれた基板に対して表面処理を施す際に、高周波電圧印加によりプラ
ズマを発生させて表面処理を行い、その処理時の基板の発熱に対して冷却ガスを使用する
プラズマ処理方法において、
処理開始時に高周波電圧の供給を一旦遮断した後、前記冷却ガスを導入することを特徴
とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
基板の裏面に静電チャック用の導電膜を形成した後、前記基板の表面に表面処理を施し
、素子パターンを形成して素子基板を作製する際に、チャンバー内において、高周波電圧
印加によりプラズマを発生させて前記表面処理を行い、その処理時の発熱に対して冷却ガ
スを使用する電気光学装置の製造方法において、
前記基板の導電膜を静電チャックの吸着面に載置し、処理開始時に、プラズマ発生用ガ
スの導入後、高周波電圧を印加することにより、前記静電チャックの吸着面及び前記基板
の裏面の導電膜を帯電させ、その後、前記静電チャックに直流電圧を印加して、前記基板
を前記静電チャックに静電吸着し、その吸着状態で、前記高周波電圧の供給を一旦遮断し
た後、前記冷却ガスを前記静電チャックの吸着面から前記基板の裏面に導入することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、絶縁基板であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方
法。
【請求項４】
前記表面処理は、酸化膜のエッチング処理であることを特徴とする請求項２に記載の電
気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電膜は、ポリシリコンであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の
製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−２２７６０４（Ｐ２００７−２２７６０４Ａ）
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４６４５３（Ｐ２００６−４６４５３）
【出願日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２３日（２００６．２．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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