【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】Ｃｕダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Ｃｕえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】集束ビームを使用して基板を選択的にエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップ１０２では、少なくとも２種類の材料を有する基板を用意する。この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０８では、電子ビームなどの集束ビームを基板に向かって、少なくとも２種類の材料を含む領域上に誘導する。このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】主にカソード電極の放電面に付着した堆積物を残留させずに効率よく、かつ電極にダメージを与えることなく除去することができるプラズマクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】平板状のカソード電極１およびアノード電極２を平行に対向して内部に有するチャンバーＣ１内にクリーニングガスＧ２を導入し、カソード電極１とアノード電極２の間でクリーニングガスＧ２を介してプラズマ放電させ、プラズマ放電を維持しながらカソード電極１とアノード電極２の間の電極間距離を所定の電極間距離まで広げる方向にカソード電極１とアノード電極２を相対的に徐々に移動させる電極クリーニング工程を含むことを特徴とするプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ₆等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、真性アモルファスシリコン膜上の窒化シリコン膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 成膜された真性アモルファスシリコン膜21の上面には窒化シリコン膜22が成膜され、その上面にはレジスト膜23が形成されている。そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。したがって、この場合の選択比は約５である。 （もっと読む）

【課題】 処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】 第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、処理室内に堆積した薄膜を熱化学反応により除去する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、薄膜の除去後に処理室内に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有し、第２の温度を第１の温度と同等の温度とする。 （もっと読む）

【課題】基板の外観特性を改善できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極２１と、上部電極２１と向かい合って配置される下部電極２３とを有し、上部電極２１と下部電極２３との間の空間３５内に反応性ガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３等）を供給するＲＩＥ装置５０の、下部電極２３上にウエーハＷを配置してパシベーション膜をエッチングする際に、排気スペース３３の高さｈを調整する。これにより、空間３５内において、反応性ガスの含有量を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ、半導体膜の導電膜からのはみ出し量が低減できる積層構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内に生成されたのプラズマの発光強度の分布を簡易な構成で高速に測定する。
【解決手段】真空処理室２、該真空処理室内に試料を載置して保持する試料台７、および前記真空処理室内に導入されたプロセスガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段４を備えたプラズマ処理装置において、生成されたプラズマからの発光を前記真空処理室の外部で受光する受光器１３と、前記受光器と真空処理室の間に設けられ、前記プラズマからの発光のうち前記受光器に導入されるプラズマの範囲を調整する受光調整器１４と、前記受光調整器を調整して受光器による受光範囲を変更して得られた受光量をもとにプラズマ処理装置を制御する制御装置１６を備えた。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の腐食を抑制することによって、パッド電極とワイヤーボンド、若しくは、パッド電極とバンプとの接合強度が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料からなるパッド電極３が設けられた半導体基板２と、半導体基板上に成膜され、パッド電極３の上方領域がフッ素系ガスをエッチングガスとするドライエッチング処理によって開口した絶縁膜４と、絶縁膜４の上層に成膜され、パッド電極３の表面を被覆する保護膜６とを備える固体撮像装置であり、保護膜６はドライエッチング処理時のエッチングガスを堆積させて成膜したフロロカーボンである。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を有する多層マスクを、シリコン化合物を含む残渣を残存させることなく、容易に確実に除去できる多層マスクの除去方法および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有しない第１膜１３と、シリコン含有膜からなる第２膜１４と、レジスト層からなる第３膜１５とを順に形成してなる多層膜の第３膜１５をパターニングし、パターニングされた第３膜１５を有する多層膜に不具合がない場合には、第３膜１５をマスクとして、ドライエッチングにより第２膜１４をパターニングし、多層膜に不具合がある場合には、多層膜に不具合のない場合におけるドライエッチングよりも、第１膜１３のエッチング速度と第２膜１４のエッチング速度との差が大きいドライエッチングにより第２膜１４を除去する多層マスクの除去方法とする。 （もっと読む）

【課題】微細化された３次元的なデバイスを実現し得る、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開示される、本発明の一実施形態による、半導体装置の製造方法によれば、ライン・アンド・スペース状の第２の層１２を、第２の層１２が延在する方向と交わる方向に延びるライン・アンド・スペース状の第８の層２５をマスクとしてエッチングすることにより、二次元的に配列される第２の層１２を得、これにより下地層をエッチングすることにより、二次元的に配列されるピラーを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた被エッチング膜のシリサイド化を簡便に行うことのできる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、ポリシリコン膜２１上にＳｉＯ_２ 膜２２をパターンニングし、ＳｉＯ_２ 膜２２を覆うようにポリシリコン膜２３を堆積した後、ＳｉＯ_２ 膜２２の側壁部分にポリシリコン電極２３ａを形成する。次いで、ＳｉＯ_２ 膜２２を除去した後、堆積したＳｉＯ_２ 膜２４をエッチバックして電極２３ａの側壁部にＳｉＯ_２ からなるサイドウォール２４ａを形成する。次いで、サイドウォール２４ａの間にポリシリコンを埋め込むことによってポリシリコン電極２３ｂを形成し、サイドウォール２４ａを除去して、ポリシリコン膜２１およびポリシリコン電極２３ａ，２３ｂをエッチバックすることでポリシリコン膜２１をパターンニングする。 （もっと読む）