【課題】効率のよいエッチングを行うことを可能とする。
【解決手段】ゲート配線３および抵抗配線６の一部をそれぞれ露出させるコンタクトホール１０，１１を含む。コンタクトホール１０の形成のためにエッチングされる絶縁膜の量は、コンタクトホール１１の形成のためにエッチングされる絶縁膜の量より多く、絶縁膜のうちゲート配線３の上部の絶縁膜は、水平面に対し傾斜している。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有誘電物質の層をパターンエッチングする方法を提供する。
【解決手段】該方法は、約２：３〜約３：１、更に典型的には約１：１〜約２：１の範囲にあるＣＦ_４とＣＨＦ_３を含むプラズマ供給源ガスを用いる。エッチングは、約４ｍＴｏｒｒ〜約６ｍＴｏｒｒの範囲にあるプロセスチャンバ圧で行われる。
【効果】該方法は、１．５：１以上のフォトレジスト１１４に相対してシリコン含有誘電体層１１０をエッチングする選択性を与える。該方法は、また、半導体構造において前記エッチングされたシリコン含有誘電体層１１０と下にある水平層１０８間に８８°〜９２°の範囲にあるエッチングプロファイル側壁角を与える。該方法は、１９３ｎｍ放射光に敏感であるある種のフォトレジストと組み合わせて用いた場合に平滑な側壁を与える。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＯＲ搬送処理を行った場合にも、全てのウエハの処理後の物性値を測定することなく、各ウエハに対して最適処理を施すことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、測定器とを備えた基板処理装置を用いてＯＲ搬送処理によって複数のウエハＷに対してシュリンク処理を連続して施す基板処理方法であって、処理前のウエハＷのＣＤ値を測定する処理前測定ステップと、得られたＣＤ値に基づいて作成された処理条件に従ってＦＦ制御によってウエハＷにシュリンク処理を施す処理ステップと、処理後のウエハＷのＣＤ値を測定する処理後測定ステップと、処理後のＣＤ値と目標値との差に基づいてＦＦ制御における処理条件作成用のオフセット値を更新するオフセット値更新ステップとを有し、チャンバにおける経過処理時間が予め決められた所定値に到達するまで処理後測定ステップ及びオフセット値更新ステップを省略する。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを構成する下部電極の自立安定性が十分に高められる半導体装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ下地層２上に、キャパシタを構成する筒状の下部電極１０と、下部電極１０の外壁部に、外壁部から延在して形成されたフィン１７とサポート膜６を有する。フィン１７は下部電極１０の長手方向一部にだけ形成されている。さらに、フィン１７を含む下部電極１０の上端はサポート膜６に接続されており、サポート膜６からの下部電極１０の剥がれが防止される。フィン１７を含む下部電極１０上に、容量膜、上部電極、容量プレートの埋込みサポート膜、および容量プレートを成膜する。フィン１７とサポート膜６とを接続させることにより、サポート膜６と下部電極１０の接続面積を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 例えば、ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１および窒化シリコン膜（チャネル保護膜形成用膜）２２が成膜され、その上にはレジスト膜２３が形成されている。そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】電界分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で被処理基板１５を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台２と、該載置台２において前記被処理基板１５の周縁を囲むように配される円環状部品５と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極２１と、前記載置台２に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板１５にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において、前記円環状部品５には、プラズマが生成されるプラズマ生成空間の電界分布を所望の分布に調整する少なくとも１つの環状の溝が、前記プラズマ生成空間側の反対側の面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】側壁転写加工技術を用いる場合に、転写用のマスクが非対称な形状となることに起因した不具合を極力防止する
【解決手段】半導体基板１上に、ゲート電極を形成するための膜を積層形成する。第１膜としてシリコン窒化膜８ａ、第２膜としてシリコン酸化膜９ａを積層形成する。シリコン酸化膜９ａを加工して芯材パターン９を形成する。ウェット処理によりシリコン窒化膜８ａを選択的エッチングして、所定深さまで除去すると共に、芯材パターン９の直下に括れ部８ｂを形成する。非晶質シリコン膜１１ａを形成し、エッチバックによりスペーサパターン１１を形成する。芯材パターン９をエッチングにより除去すると独立したスペーサパターン１１を得ることができ、これをマスクとしてシリコン窒化膜８ａをＲＩＥエッチング加工しマスクパターン８を形成する。イオンが斜入しても芯材パターン９の直下部分が偏ったエッチング状態とならない。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【解決手段】基板上に形成された被加工層上に、レジストパターンを用いて第１のドライエッチングによりハードマスク層にレジストパターンを転写し、ハードマスク層に転写されたハードマスクパターンを用いて被加工層を第２のドライエッチングによりパターン加工する際、第１のドライエッチング後、第１のドライエッチングを行ったエッチング装置内で、ドライエッチングガスの主要成分を変更することなく、副成分の濃度を変更して第２のドライエッチングを行う。
【効果】エッチングマスク層と、エッチングマスク層をマスクとして加工される被加工層とを有する積層膜のパターン加工を行う際、高精度のエッチング加工を可能とするハードマスク技術を使用しつつ、同一チャンバー内でのドライエッチング処理により積層膜をドライエッチング加工することができ、欠陥発生の可能性を抑制してフォトマスクブランクを加工することができる。 （もっと読む）

【課題】柱状残渣の発生を抑制した半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１２上に配線層１４を形成する工程と、基板１２および配線層１４を覆うように、第３絶縁膜２２、第２絶縁膜（ＳｉＮ膜）２４、および第１絶縁膜（ＰＳＧ膜）２６を順に積層した層間絶縁層２０を形成する工程と、第１絶縁膜２６上にマスクパターンを形成する工程、ウェットエッチング処理によって第１絶縁膜２６のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、少なくとも等方性ドライエッチングを含むエッチング処理によって第２絶縁膜２４のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、およびエッチング処理によって第３絶縁膜２２のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、を経て配線層１４表面が露出するよう層間絶縁層２０にコンタクトホール３０を形成する工程と、を有する半導体素子１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を用いたポリシリコンマスクの製造方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る金属触媒を用いたポリシリコンマスクの製造方法は、基板１０を提供するステップと、基板１０上に所定のパターンを有する非晶質シリコン層３０を形成するステップと、非晶質シリコン層３０上に金属触媒層４０を形成するステップと、非晶質シリコン層３０を熱処理してポリシリコンマスク３１を形成するステップとを含むことを特徴とする。
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【課題】可変抵抗素子をエッチングすることなく、残渣を除去できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ワード線ＷＬ上に、バリアメタル膜２１、ポリシリコン膜２２、下部電極膜２３、金属酸化物からなる可変抵抗膜２４、上部電極膜２５を堆積させる。次に、上部電極膜２５、可変抵抗膜２４、下部電極膜２３をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、金属系の残渣が発生する。次に、ＡＰＭを用いて金属系の残渣を除去する。次に、下部電極膜２３、可変抵抗膜２４及び上部電極膜２５の端面を覆う保護膜２６を形成する。次に、ポリシリコン膜２２及びバリアメタル膜２１をドライエッチングして選択的に除去する。このとき、シリコン系の残渣が発生する。次に、ＤＨＦを用いてシリコン系の残渣を除去する。このとき、保護膜２６が可変抵抗膜２４をＤＨＦから保護する。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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