プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）