【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【解決手段】内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備えるドライエッチング装置を用いてドライエッチングした後、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時と同じ又は大きくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングし、更に、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングする。
【効果】本発明のクリーニング方法は、膜のドライエッチングによりドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着した金属化合物などを簡易な方法によって、効率的、かつ確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、キャパシタの品質を向上させること。
【解決手段】第１の導電膜１９、誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１をこの順に形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして、複数の上部電極２１ａを形成する工程と、レジストパターン２７の側面２７ｂが後退するエッチング条件を用いて、該レジストパターン２７をマスクにしながら誘電体膜２０をエッチングし、キャパシタ誘電体膜２０ａを形成する工程と、第１の導電膜１９をパターニングして下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極１９ａの上の層間絶縁膜３３にホール３３ａを形成する工程と、ホール３３ａに導体プラグ３７を埋め込む工程とを有し、端部の上部電極２１ａ上のホール３７の形成予定領域が、側面２７ｂが後退した後のレジストパターン２７により覆われる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】低圧雰囲気においても，プラズマの電子温度の上昇を抑えつつ，プラズマ電子密度の均一性を制御し，被処理基板へのダメージのない，均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】減圧可能な処理室１０２内に設けられた載置台に対向するように，板状絶縁部材で構成した天井壁１０５を介して誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ１０６と環状の上部移動磁場形成部３００とを設けた。上部移動磁場形成部３００は，プラズマ生成空間の上部に，下方に向かって上方に戻る経路を形成する複数の磁力線が周方向に回転する移動磁場を形成する。これにより，高周波アンテナ１０６により形成された誘導結合プラズマの電子をプラズマ生成空間内に閉じ込めることができるので，プラズマの電子温度の上昇を抑えながら，プラズマ電子密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】上部電極膜に付着している残渣を確実に除去し、微細化した場合でも所望の特性を得ることができる半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、下部電極膜２、強誘電体膜３及び上部電極膜４を形成し、その後、上部電極膜４のパターニングを行う。次に、強誘電体膜３のパターニングを行う。そして、強誘電体膜３のパターニング後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してウェット処理を行う。更に、ウェット処理後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】シャッタ駆動用ソレノイドを真空槽の中に配置した場合に、ソレノイドへのスパッタ粒子の付着を防止し、長期間にわたって安定した動作信頼性を得ることができる周波数調整装置のソレノイド被覆構造を提供する。
【解決手段】ソレノイド１２の本体部を第１カバー２０で覆い、シャフト１３を挿通穴２０ａに挿通させる。シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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【課題】内部に形成されるキャパシタの特性を向上することができる強誘電体メモリ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上方の絶縁膜１８上に形成されるキャパシタ下部電極２０ｑと、キャパシタ下部電極２０ｑの上に形成されるキャパシタ誘電体膜２１ｑと、誘電体膜２１ｑの上に形成されるキャパシタ上部電極２２ｑとを有するキャパシタＱであって、キャパシタ上部電極２２ｑの側面のうち半導体基板の上面に対する下部側面の第１の角度を上部側面の第２の角度より小さくしている。これにより、キャパシタ上部電極とその下の誘電体膜を覆う保護絶縁膜をカバレッジ良く形成することができる。カバレッジ良く形成された保護絶縁膜は、キャパシタ保護機能が高くなるので、キャパシタの還元元素による劣化を防止して、キャパシタ特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマを用いるプラズマ処理において、被処理体の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、ウェハＷを収容するチャンバー１０′と、チャンバー１０′の上方にチャンバー１０′と連通するように設けられた誘電体からなるベルジャーおよびベルジャーの外側の周囲に巻回されたコイルを有するプラズマ発生部と、処理空間にプラズマ形成用のガスを導入するガス導入機構と、チャンバー１０′内に設けられたウェハＷが支持される載置台２１と、誘電体からなり載置台を覆うとともにウェハが載置されるマスクプレート（マスク）１７０とを具備し、マスクプレート１７０は、ウェハが載置されるウェハ載置領域（第１領域）１７０ａと、ウェハ載置領域１７０ａの周りの周辺領域（第２領域）１７０ｂとが同一の高さに構成されている。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の基板の割れを抑制することができる強誘電体基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。トレー３２の周縁は、クランプ機構３３によってステージ２６に保持される。基板Ｗは、当該基板Ｗとステージ２６の間に静電力を発生させることで、トレー３２上に保持される。トレー３２は、当該トレー３２に冷却ガスを接触させることで冷却される。基板Ｗは、真空チャンバ内にプラズマを発生させることでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ寸法精度が良い金属配線の製造方法、ＴＦＴの製造方法、及びそれを用いて製造されたＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる金属配線の製造方法では、まず、主成分金属に、主成分金属より酸化物の生成エネルギーが低い添加金属が添加された第２の金属膜３０を成膜する。そして、第２の金属膜３０を酸化させて金属酸化物を形成し、第２の金属膜３０の表面に酸化層３２を形成する。次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 電極部間の短絡の発生を抑制するとともに、クリーニングガスの作用による構成部品の劣化を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に設けられ基板を加熱するヒータと、処理室内にガスを供給するガス供給口と、ヒータを覆うように設けられ絶縁体で構成され基板を支持する支持板と、支持板の裏面よりも下方に設けられヒータに電源を投入する電極部と、電極部に接続され電源を供給する電源線と、支持板の裏面に着脱可能かつ気密に接続され、電極部と電源線を覆うことで、電極部及び電源線を処理室内の雰囲気から隔離する隔離部材と、を有する。 （もっと読む）